江苏东光微电子股份有限公司 2011 年年度报告摘要
证券代码：002504 证券简称：东光微电 公告编号：2012-007
江苏东光微电子股份有限公司 2011 年年度报告摘要
§1 重要提示
1.1 本公司董事会、监事会及其董事、监事、高级管理人员保证本报告所载资料不存在任何虚假记载、
误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性负个别及连带责任。
本年度报告摘要摘自年度报告全文，报告全文同时刊载于巨潮资讯网 http://www.cninfo.com.cn 。投资
者欲了解详细内容，应当仔细阅读年度报告全文。
1.2 公司年度财务报告已经__立信______会计师事务所审计并被出具了标准无保留意见的审计报告。
1.3 公司负责人沈建平、主管会计工作负责人钱旭锋及会计机构负责人(会计主管人员)袁凤娟声明：
保证年度报告中财务报告的真实、完整。
§2 公司基本情况
2.1 基本情况简介
股票简称 东光微电
股票代码 002504
上市交易所 深圳证券交易所
2.2 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 周玲燕 胥驰骋
联系地址 江苏省宜兴市新街百合工业园 江苏省宜兴市新街百合工业园
电话 0510-87138930 0510-87138930
传真 0510-87138931 0510-87138931
电子信箱 lyzhou@jsdgme.com lyzhou@jsdgme.com
§3 会计数据和财务指标摘要
3.1 主要会计数据
单位：元
2011 年 2010 年 本年比上年增减（％） 2009 年
营业总收入（元） 178,448,444.19 208,706,490.75 -14.50% 162,112,176.89
营业利润（元） 10,477,503.38 28,495,174.00 -63.23% 22,342,433.68
利润总额（元） 26,632,561.45 35,375,719.60 -24.72% 25,261,769.49
归属于上市公司股东
23,344,468.96 32,395,725.44 -27.94% 23,161,391.63
的净利润（元）
1
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归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益 8,420,282.93 25,457,116.26 -66.92% 19,504,181.17
的净利润（元）
经营活动产生的现金
-21,515,686.09 52,915,431.47 -140.66% 59,299,005.81
流量净额（元）
本年末比上年末增减
2011 年末 2010 年末 2009 年末
（％）
资产总额（元） 771,293,384.22 773,583,824.39 -0.30% 481,847,560.55
负债总额（元） 95,275,685.47 99,510,594.60 -4.26% 240,728,056.20
归属于上市公司股东
676,017,698.75 674,073,229.79 0.29% 241,119,504.35
的所有者权益（元）
总股本（股） 107,000,000.00 107,000,000.00 0.00% 80,000,000.00
3.2 主要财务指标
单位：元
2011 年 2010 年 本年比上年增减（％） 2009 年
基本每股收益（元/股） 0.22 0.39 -43.59% 0.29
稀释每股收益（元/股） 0.22 0.39 -43.59% 0.29
扣除非经常性损益后的基本
0.08 0.31 -74.19% 0.24
每股收益（元/股）
加权平均净资产收益率（％） 3.46% 11.07% -7.61% 10.09%
扣除非经常性损益后的加权
1.25% 8.68% -7.43% 8.50%
平均净资产收益率（％）
每股经营活动产生的现金流
-0.20 0.49 -140.82% 0.74
量净额（元/股）
本年末比上年末增减
2011 年末 2010 年末 2009 年末
（％）
归属于上市公司股东的每股
6.32 6.30 0.32% 3.01
净资产（元/股）
资产负债率（％） 12.35% 12.86% -0.51% 49.96%
3.3 非经常性损益项目
√ 适用 □ 不适用
单位：元
非经常性损益项目 2011 年金额 附注（如适用） 2010 年金额 2009 年金额
非流动资产处置损益 44,970.83 -23,730.94 0.00
计入当期损益的政府补助，但与公司正常经
营业务密切相关，符合国家政策规定、按照
17,000,290.97 8,147,175.40 3,725,707.57
一定标准定额或定量持续享受的政府补助除
外
其他符合非经常性损益定义的损益项目 0.00 0.00 0.00
除上述各项之外的其他营业外收入和支出 10,953.66 -193,605.40 4,190.10
所得税影响额 -2,132,029.43 -991,229.88 -72,687.21
合计 14,924,186.03 - 6,938,609.18 3,657,210.46
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§4 股东持股情况和控制框图
4.1 前 10 名股东、前 10 名无限售条件股东持股情况表
单位：股
本年度报告公布日前一个月末股东总
2011 年末股东总数 13,564 14,367
数
前 10 名股东持股情况
持有有限售条件股份 质押或冻结的股份数
股东名称 股东性质 持股比例（%） 持股总数
数量 量
沈建平_ 境内自然人 25.94% 27,760,070 27,760,070 0
中国-比利时直接股权投资基 境 内 非 国 有 法
19.07% 20,408,163 0 0
金_ 人
詹文陆_ 境内自然人 6.35% 6,797,323 5,097,992 0
丁达中_ 境内自然人 5.29% 5,664,485 0 0
徐志祥 境内自然人 3.81% 4,079,560 3,059,820 0
林钢_ 境内自然人 3.18% 3,400,369 2,550,277 0
陈俊标_ 境内自然人 2.65% 2,833,641 2,125,231 0
白群_ 境内自然人 2.33% 2,497,000 0 0
李国华_ 境内自然人 1.83% 1,963,064 1,472,298 0
张志宏_ 境内自然人 1.39% 1,483,600 0 0
前 10 名无限售条件股东持股情况
股东名称 持有无限售条件股份数量 股份种类
中国-比利时直接股权投资基金 20,408,163 人民币普通股
丁达中_ 5,664,485 人民币普通股
白群 2,497,000 人民币普通股
詹文陆_ 1,699,331 人民币普通股
张志宏_ 1,483,600 人民币普通股
徐志祥_ 1,019,740 人民币普通股
林钢_ 850,092 人民币普通股
陈俊标_ 708,410 人民币普通股
何赛娟_ 500,000 人民币普通股
徐荣L_ 500,000 人民币普通股
1.沈建平为本公司的控股股东、实际控制人。
2.本公司前 10 名股东不存在关联关系，也不属于《上市公司股东持股变动信息披露管理办法》
上述股东关联关系或一致行 中规定的一致行动人。
动的说明 3、本公司前 10 名无限售条件股东也不存在关联关系，也不属于《上市公司股东持股变动信息
披露管理办法》中规定的一致行动人。
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4.2 公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图
§5 董事会报告
5.1 管理层讨论与分析概要
一、公司整体情况
（一）报告期内情况
2011 年，受欧美国家主权债务危机的严重打击，全球经济萎靡不振，加上全球电子行业受政策退出以及产能快速扩张影响，
增幅明显回落。中国电子产业在 11 年更是伴随着通胀压力、劳动力成本上升、人民币快速升值等方方面面因素影响，使得公
司发展未能像 2010 年实现高速增长。面对如此复杂形势，公司坚持大力开发新品，迅速占领市场抢得市场先机，同时，对现
有产品进行结构调整进一步完善和优化产品结构逐步向高端市场推进。公司坚持以市场为导向，着力转方向、调结构，新设
国际贸易部、新品市场拓展部，为扩大产品市场夯实基础。
2011 年，公司与东方电气集团控股的江苏华创光电科技有限公司签订技术转让合同，受让“IGBT 及 FWD 芯片设计制造技术”，
技术服务的期限为三年，公司向江苏华创支付技术转让费 400 万元。此次与江苏华创的合作将进一步提升 IGBT 产品的档次。
推进高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）技术的发展，填补国内在高压大功率电力电子器件方面的空白。
2011 年，公司承担国家工信部 2011 年度集成电路产业研究与开发专项，研发专项资金已经到位；公司自主研发的 IGBT 型
LED 开路保护用 IC 获得第六届（2011 年度）半导体创新产品和技术奖。
2011 年，公司通过高新技术企业复审，企业被评为“无锡市二〇一一年度集成电路制造五强企业”、“科技工作先进企业”、“江
苏省两化融合示范企业”等。
（二）公司研发情况
报告期内，公司研发中心为满足市场需求，在公司不断优化产品生产工艺的同时，还不断开发新的产品，公司在新品研发方
面有重大突破：
1、新型功率半导体器件
① RC-IGBT，该产品是公司自主研发的集成 NPT-IGBT 和续流二极管的 IGBT，目前产品在电磁炉的软开关应用中具备更优
越的性能，不但使 IGBT 成本降低 10%，而且使 IGBT 所占封装尺寸空间减小，大大增强了公司 IGBT 产品在电磁炉市场的竞
争力。东光微电是国内第一家实现 RC-IGBT 技术并将其在电磁炉市场上商业化的公司，目前此产品已处于小批量发货阶段。
② IGBT 薄片工艺芯片，公司开发了针对 NPT-IGBT 产品的背面工艺，包括 IGBT 的背面减薄、背面腐蚀、背面离子注入、
背面杂质激活及背面多层金属化等；在此基础，又开发了更薄的 IGBT 薄片工艺，使得 IGBT 芯片最终厚度可以控制在 80μ m。
③ 高压大电流 MOS，继抗 EAS、抗 ESD、芯片高密度化三者集成的 MOS 产品研发成功后，公司又开发了 500V 系列的大电
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流及 900V 以上的 MOS 产品，目前已自主研发形成一套完整的高压大电流 MOS 生产制造工艺。
2、半导体防护器件
① 公司自主研发的可编程瞬态过压保护器，目前已通过烽火科技、同维电子等公司的认证，进行小批量供货阶段，大电压档
位的可编程瞬态过压保护器主体工艺也已掌握，目前处于大批量生产前的工艺稳定性研究阶段。
② 公司自主研发的抗静电 TVS 管，可以瞬间泄放高达 20,000 伏的电荷，用以保护通讯产品终端、智能电表、数据接口等高
级电子设备。
3、可控硅
① 高压大电流方片可控硅，公司可控硅产品向工业控制领域拓展，不断开发多元市场，增强该系列产品的市场抗风险能力，
目前已成功研发高压大电流方片可控硅，产品已通过客户认证，进入了小批量生产阶段。
② 漏电保护器用可控硅，通过对单向可控硅产品工艺结构优化设计，产品性能具有阻断电压高，触发灵敏度高，抗雷击能力
强，可靠性高特点，满足了漏电保护器工作要求，目前，产品已进入客户认证阶段，该产品的成功研发，进一步拓展了可控
硅产品新的应用领域。
4、产品技术优化方面
公司研发中心通过对新技术的消化吸收，进一步优化现有生产工艺，提高产品合格率，为控制产品成本作出卓越贡献。如：
公司的新型功率器件 MOS 系列产品通过 VLD-MOS（变掺杂技术）优于现有的场板、场线环等耐压技术，实现了在最短距离
内达到了最大耐压，从而大大减小了器件的芯片面积，降低了芯片制造成本。目前该技术已应用于公司 DG1N60 产品中。
报告期内，公司形成版图优化设计、多层金属化技术、集成 ESD 保护技术、变掺杂技术等关键技术诀窍 26 项。公司还将通
过完善工艺设备，添置测试仪器等手段不断提供公司研发实力。新产品研发是企业生存和发展的重要支柱，它对企业将来的
经营状况和前景有重大的影响。
二、对公司未来发展的展望
（一）公司所处行业的发展趋势
2012 年是“十二”规划的第二年，是落实到具体实处的一年，电子信息产业“十二五”规划的重点工作是着力突破集成电路、
关键元器件及材料、装备等瓶颈，夯实基础；进一步增强计算机、视听、通信设备等骨干产业，完善产业链；大力发展集成
电路、新型显示、数字家庭、物联网等战略性新兴产业。《集成电路产业“十二五”发展规划》(工信部规[2011]565 号)的出
台，作为行业发展的指导性文件，国家从战略层面重点支持集成电路产业持续快速健康发展，产业发展环境将进一步得到优
化。
赛迪顾问公司预测：随着中国经济以调结构、促内需为主线,大力发展新兴产业，分立器件作为现代产业发展的基础在各领域
得到广泛应用。中国分立器件市场将持续保持较好的增长态势，市场规模将持续扩大，2013 年中国分立器件销售额将突破 1500
亿元，其销量和销售额将始终保持 10%以上的水平。
半导体器件、集成电路作为信息产业的核心和基础，是电子信息产业的重要组成部分，有着巨大的创新空间和市场空间。公
司作为半导体芯片制造企业，持续的产业政策导向，良好的产业发展背景，将对公司发展产生深远影响。
（三）2012 年公司的经营计划
2012 年，公司将依托半导体防护功率器件市场的领先优势，全面打造“大防护”市场；加快新型功率器件新品研发工作，快
速拓展市场抢占先机；扩大可控硅产品应用领域，优化市场结构。公司正处于产品结构和客户结构优化的关键时期，未来，
公司将研发新产品、新技术作为企业发展的重中之重，进一步落实品质管理体系提高产品质量，加强企业内部管理，努力提
升产品盈利能力及市场占有率。
1、防护器件领域：
A、公司将以“半导体防护功率器件生产线”项目为平台，扩大防护器件产品类型，目前已成功开发的可编程瞬态过压保护器、
微电容功率防护模块系列产品将在该生产线实现产业化生产。目前公司防护类产品已从通讯防护领域向网络防护、信息传输
终端防护、安防领域迈进一大步。根据公司的市场拓展规划，公司将在稳定现有客户的基础上，继续开发家电、家用电路（插
座）、电表等领域的防护器件产品。
B、2012 年 2 月，公司设立控股子公司——江苏东光电子有限公司，本公司持股 51%。该公司主要生产气体放电管，产品符
合电子基础材料和关键元器件“十二五”规划中电子器件重点支持的“真空电子器件”。用于保护设备不被浪涌损坏，在有线
通讯、无线通讯、电力电源、汽车工业、国防、消费电子等领域有着广泛应用。产品具有高可靠、高电压、大容量、大电流、
长寿命的特点，弥补了固体放电管的部分缺陷，可以更进一步拓展防护器件更广阔的市场，向着公司已确定大防护的领域迈
进。
2、新型功率器件领域：
A、公司将继续完善 VDMOS 产品的系列化工作，重点要加快高压大电流 MOS 的产业化推进工作，对现有工艺进行进一步优
化降低产品制造成本，加强高端产品的研发拓展市场应用领域。 在不影响现有产品生产的同时，做好新型功率半导体器件生
产线技术改造项目的建设，利用扩建项目扩大产量，提升产品品质。通过新品的开发及装备的提升，逐步实现产品结构的转
变，从而创造更高价值。
B、IGBT 产品，公司目前已实现 15A1200V 产品的批量生产，公司与江苏华创的合作引进高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）
技术，已成功研发 25A1200V、40A600V 产品，同时，正在对 75A1700V 产品进行版图设计及工艺流程设计。另外公司自主
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研发的集成 NPT-IGBT 和续流二极管的 RC-IGBT，该技术属国际领先技术，我公司是国内第一家掌握此技术并成功推向市场。
2012 年，公司将加快高新产品的研发，进一步巩固并拓展应用市场。
3、可控硅领域：
积极调整产品结构，提高高附加值产品的占比。同时，公司已成功研发方片可控硅、电力可控硅及漏电保护器用可控硅，加
快提升此类产品的产能，快速进行市场推广并尽快形成销售。
4、封装领域：
2012 年，是公司全资子公司宜兴市东晨电子科技有限公司实施半导体封装项目的建设关键一年，以公司产品和客户需求为导
向，抓紧新工艺开发，加强体系管理，通过细化生产过程控制管理，严格控制生产成本。
公司将以规范的运作、良好的经营业绩和稳定、持续的发展回报广大投资者。继续巩固和完善体制、机制，加强内控管理，
构建监督管理平台，进一步提升管理效率，严格绩效考核制度，加强上市公司相关政策、制度的学习，提高运营水平。
通过完善现有的人才激励和约束机制，加强人力资源管理，改革薪酬制度，吸收高水平的国内高级人才以及国际行业专家，
加大对高级管理、专业技术人才的引进力度，以不断充实和壮大公司的管理能力和技术创新能力，聘请半导体行业的专家对
半导体产业发展方向及公司相关产品的技术进行交流。
加强职工队伍建设，夯实企业文化。公司实行定人定岗制度，层层分解任务，责任落实到人，加强督促检查，同时，扎扎实
实地加以推进企业文化建设，将企业文化建设与职工队伍建设及劳动关系和谐企业紧密结合。
5.2 主营业务分行业、产品情况表
单位：万元
主营业务分行业情况
营业收入比上
营业成本比上 毛利率比上年增
分行业 营业收入 营业成本 毛利率（%） 年增减（%）
年增减（%） 减（%）
工 业 17,844.84 13,376.91 25.04% -14.50% -5.74% -6.97%
主营业务分产品情况
营业收入比上
营业成本比上 毛利率比上年增
分产品 营业收入 营业成本 毛利率（%） 年增减（%）
年增减（%） 减（%）
半导体功率器件 17,207.68 12,791.49 25.66% -16.87% -9.28% -6.22%
半导体功率芯片 637.17 585.41 8.12% 272.30% 540.17% -38.45%
合 计 17,844.84 13,376.91 25.04% -14.50% -5.74% -6.97%
5.3 报告期内利润构成、主营业务及其结构、主营业务盈利能力较前一报告期发生重大变化的原因说明
√ 适用 □ 不适用
报告期内，公司归属于上市公司股东的净利润 2334.45 万元，较上年同期下降 27.94%，与净利润有关的主要项目变动情况如
下：
1、主营业务分行业、产品、地区经营情况分析
单位：万元
主营业务分行业情况
分行业_营业收入_营业成本_毛利率（%）_营业收入比上年增减（%）
_营业成本比上年增减（%）_毛利率比上年增减（%）
工 业_17,844.84_13,376.91_25.04%_-14.50%_-5.74%_-6.97%
主营业务分产品情况
分产品_营业收入_营业成本_毛利率（%）_营业收入比上年增减（%）
_营业成本比上年增减（%）_毛利率比上年增减（%）
半导体功率器件_17,207.68_12,791.49_25.66%_-16.87%_-9.28%_-6.22%
半导体功率芯片_637.17_585.41_8.12%_272.30%_540.17%_-38.45%
合 计_17,844.84_13,376.91_25.04%_-14.50%_-5.74%_-6.97%
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报告期内公司主营业务未发生变化，公司所有业务均来自于半导体功率器件与芯片的销售。营业收入同比下降 14.50%,下降的
主要原因是：报告期公司根据市场变化，为保证公司后续能长期稳定发展，及时调整产品发展战略，对 1300 产品采取结构性
调整，使该产品收入同比下降 40%；受公司现有产能影响，新型功率器件 VDMOS 产品市场需求大，但由于公司现有生产线
产能限制，新型功率器件募投项目又尚在建设中，并且在报告期，现有生产线还承担了 IGBT 新品和国家电子发展基金招标
项目的研发任务，致使 VDMOS 产品市场未能得到拓展。
报告期毛利率比上年同期下降了 6.97 个百分点，主要原因为：报告期内市场受大环境影响，产品售价下降影响了毛利率 ；由
于通胀因素，人工成本增加、原材料市场价格上升，折旧摊销增长等原因，致使生产成本上升影响了毛利率。
报告期公司募投项目开始建设，为配套各募投项目的全面实施，公司在报告期内配备了实施项目的专业人员，储备了新建生
产线的技术人员，在目前生产线上开展各项募投项目生产技术的储备工作。募投项目的全面实施也影响了报告期的利润实现。
2、 报告期内费用构成情况
单位：万元
项目_2011 年_2010 年_+/-金额_+/- %
销售费用_602.96_511.74_91.22_17.83%
管理费用_2988.73_2398.74_589.99_24.60%
财务费用_-434.03_613.36_-1047.39_-170.76%
期间费用合计_3157.66
3523.84_-366.18_-10.39%
所得税费用_328.81_298.00_30.81_10.34%
各项目增减原因分析：
（1）本期销售费用较上年增长 17.83%，主要是由于本期为拓展 IGBT 等新产品的市场，增加了差旅费、业务费的支出所致。
（2）本期管理费用较上年增长 24.60%，增长的主要原因是新品研发费用增加，应付职工薪酬增长，以及公司为配套募投项
目全面实施增加费用所致。
（3）上期利用超募资金和自有资金偿还了银行贷款以及存款利息增加，使本期财务费用较上年下降了-170.76% 。
（4）本年利润总额同比下降而所得税费用有所上升，原因是 10 年公司按政策享受以前年度国产设备抵免所得税 202.7 万元，
本年度该政策享受完毕，抵免了 31.05 万元。
3、 主要供应商、客户情况
单位：万元
前五大供应商_采购金额
（不含税）_占年度采购总额比例（%）_应付账款余额_占应付账款余额比重（%）
2011 年_5497.48_35.72%_3955.24_138.99%
2010 年_4609.94_40.05%_3864.86_119.28%
2009 年_4088.39_43.89%_3542.36_115.41%
前五大客户_销售金额
（不含税）_占年度销售总额比例（%）_应收账款余额_占应收账款余额比重（%）
2011 年_2952.12_16.54_12526.04_23.57%
2010 年_3612.89_17.31%_10953.48_32.98%
2009 年_2821.00_17.40%_8308.24_33.95%
公司与前五大供应商及客户不存在关联关系，近三年内，公司向前五大供应商采购比重及向五大客户销售比重都基本稳定。
4、报告期内公司主要资产、负债构成及变动情况
4.1 资产负债及利润变动
单位：万元
项目_2011 年末 余额_2010 年末 余额_变动比率（%）_变动分析
货币资金_23102.88_37215.70_-37.92%_本期使用募集资金投入建设项目所致
应收票据_1405.63_773.56_81.71%_本期销售收款使用票据规模较上期增加所致
应收账款_12526.04_10953.48_14.36%_本期销售收款比率较上期下降所致
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预付账款_7292.82_331.58_2099.40%_本期预付募集资金投资项目工程及设备款所致
存货_7036.51_4035.07_74.38%_本期由于市场景气程度下行造成库存增加
在建工程_3001.82_1403.92_113.82%_本期使用募集资金投入建设项目所致
开发支出_403.78__100%_本期新增 IGBT 开发活动所致
应交税费_211.66_434.29_-51.26%_本期募投项目采购设备抵扣进项税较上期大幅增加所致
营业收入_17844.84_20870.65_-14.50%_本期由于市场景气程度下行销售收入下滑
营业成本_13376.91_14191.59_-5.74%_本期销售收入下滑相应成本略有下降
营业税金及附加_24.55_174.49_-85.93%_本期销售收入下滑所致
管理费用_2988.73_2398.74_24.60%_本期新品研发、工资薪酬较上期增加所致
财务费用_-434.03_613.36_-170.76%_本期募集资金利息收入较上期大幅增加所致
资产减值损失_237.97_131.21_81.36%_本期应收款项余额较上期增加所致
营业外收入_1708.21_815.53_109.46%_本期政府补助金额较上期增加所致
4.2 资金周转能力分析
财务指标_2011 年_2010 年_同比增减（%）_2009 年
应收账款周转率（次）_1.43_2.06_-30.58%_1.92
存货周转率（次）_2.42_3.57_-32.21%_3.26
4.2.1 应收账款周转率变动分析
公司 2011 年 12 月 31 日应收账款余额为 12,526.04 万元，比 2010 年末增加 1,572.56 万元，增长 14.36%。2011 年末应收账款
与以往年度相比额度有所增长的主要原因是：
（1） 由于大客户业务增长导致应收账款余额有所增加。前十大客户报告期由于业务增长致使其应收账款余额增长累计
1117.75 万元。
（2） 防护器件客户较公司其他产品客户的账龄更长：2011 年防护器件应收账款余额 4817.95 万元，占全部应收账款 36.07%，
期末防护器件应收款余额比上年期末增加 931.63 万元，增长 23.97%。:受电信、网通对设备供应商账期较长的影响，公司对
该领域的客户账期较长，一般为六个月至一年。该领域客户与公司常年合作，且其最终客户为电信、网通，回款有充分保障。
（3） 受单个大客户延期付款影响。2011 年，受国际宏观经济调控影响，致使个别大客户延长了账期。
公司的客户属于通信、电器、照明等行业配套企业，大部分与公司长期合作，规模较大、实力强、信誉好，根据以往应收账
款回收情况来看，应收账款的安全性有良好的保证。对于应收账款公司也采取了较为严格的管理措施，主要包括：一是客户
资信管理机制。在与客户建立供销关系前，由市场业务人员填报客户资信调查表，经营销部核定、分管领导审批后交公司存
档保管。公司根据资信调查表有效信息，确定合理账期，并作为业务人员谈判依据。二是按月召开应收账款账龄分析和合同
评审会议。每月由公司财务总监召集财务、营销、法务等相关部门召开应收账款分析及合同评审会议，对客户逐个分析处置。
会议上还由公司法务部对近期合同签订过程中碰到的问题进行分析评判。三是制定了坏账责任追究制度。公司规定对于超过
追收期限尚未追回的坏账损失，要追究业务员、分管领导责任，将依据实际情况，进行不同比例的赔偿。四是执行严格的对
账制度。根据公司规定，财务按计划定期组织对账工作，遇特殊情况，随时核对往来，即时处置应收账款，防范风险。通过
对应收账款严格的过程管理来保证货款的安全。
4.2.2 存货周转率变动分析
报告期存货增长较多，存货周转率与上年同比下降了 32.21%，原因为
（1） 报告期市场景气度下行，生产环节各类存货周转时间延长、速度放缓；
（2） MOS 库存增长是报告期存货增长的主要原因。公司 MOS 线从 2008 年开始生产，至报告期末产量、销量逐年增长，目
前公司拥有 MOS 客户繁多，需要为客户配备各种型号参数的产品库存来满足市场需求，并且 11 年公司新研发成功的 IGBT
进入市场，为完成销售拓展，配备了生产各个环节存货。
4.3 偿债能力分析
财务指标_2011 年_2010 年_同比增减（%）_2009 年
流动比率_8.87_8.92_-0.56%_1.35
速动比率_7.65_8.25_-7.27%_1.13
资产负债率_12.35%_12.86%_-0.51%_49.96%
利息保障倍数_26.41_6.16_328.73%_3.25
由于 2010 年首次公开发行股票募集资金到位，公司目前财务风险很低，偿债能力较强。
5、报告期内现金流量变动分析
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江苏东光微电子股份有限公司 2011 年年度报告摘要
单位：万元
项目_2011 年度_2010 年度_同比增减（%）
一 经营活动产生的现金流量___
经营活动现金流入小计_20350.57_23814.98_-14.55%
经营活动现金流出小计_22502.13_18523.44_21.48%
经营活动产生的现金流量净额_-2151.57_5291.54_-140.66%
二 投资活动产生的现金流量___
投资活动现金流入小计_10.51_1.82_477.47%
投资活动现金流出小计_10367.88_3487.91_197.25%
投资活动产生的现金流量净额_-10357.37_-3486.09_197.11%
三 筹资活动产生的现金流量___
筹资活动现金流入小计_2000.00_57735.80_-96.54%
筹资活动现金流出小计_4314.38_29690.34_-85.47%
筹资活动产生的现金流量净额_-2314.38_28045.46_-108.25%
四 汇率变动对现金及现金等价物的影响_-11.17_-4.21_165.32%
五 现金及现金等价物净增加额_-14834.49_29846.70_-149.70%
加：期初现金及现金等价物余额_37215.70_7368.99_405.03%
六 期末现金及现金等价物余额_22381.21_37215.70_-39.86%
报告期经营活动产生的现金净流量同比下降，主要原因为报告期内受信贷政策及外部环境的影响，公司根据实际情况，适当
加快货款支付，以降低供应商涨价压力，以及由于市场景气度下行，货款回收率下滑，致使当年经营性现金流净额同比下降
较多； 本期加大募投项目建设投资致使投资活动产生的现金流量净额同比增长 197.11%；由于 2010 年公司新股发行的募集
资金到位，致使本期筹资活动产生的现金流量净额同比下降 108.25%；以上综合因素致使报告期期末现金及现金等价物余额
同比下降 39.86%。
§6 财务报告
6.1 与最近一期年度报告相比，会计政策、会计估计和核算方法发生变化的具体说明
□ 适用 √ 不适用
6.2 重大会计差错的内容、更正金额、原因及其影响
□ 适用 √ 不适用
6.3 与最近一期年度报告相比，合并范围发生变化的具体说明
□ 适用 √ 不适用
6.4 董事会、监事会对会计师事务所“非标准审计报告”的说明
□ 适用 √ 不适用
6.5 对 2012 年 1-3 月经营业绩的预计
□ 适用 √ 不适用
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