公司代码：688261 公司简称：东微半导
苏州东微半导体股份有限公司
2021 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到上海证券交易所 （www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因
素”部分，敬请投资者注意投资风险。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2021年度利润分配预案为：
公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数，拟向全体股东每10股派发现金红利
3.30元（含税）。截至2022年3月31日，公司总股本67,376,367股，以此计算合计拟派发现金红利
22,234,201.11元（含税），本年度公司现金分红金额占2021年度合并报表中归属于母公司股东的净
利润的比例为15.14%；公司不进行资本公积金转增股本，不送红股。
如在公司2021年年度利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间公司总股本发
生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。
以上利润分配预案已经公司第一届董事会第九次会议审议通过，尚需公司2021年度股东大会
审议通过。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
上海证券交易所
A股 东微半导 688261 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表）
姓名 李麟
办公地址 苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层
电话 +86 512 62668198
电子信箱 enquiry @orientalsemi.com
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及
汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦
新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，
并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结 MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产
化替代。此外，公司基于自主专利技术开发出 650V、1200V 及 1350V 等电压平台的多种 TGBT
器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。
2、主要产品
公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS 系列及 FSMOS 系列中
低压屏蔽栅 MOSFET、以及 TGBT 系列 IGBT 产品。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充
电桩、车载充电机、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS
电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速
充电器为代表的消费电子应用领域。
公司上述产品的具体介绍如下：
产品类别 产品品类 技术特点 应用领域
工业级：
新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载
充电器、5G 基站电源及通信电源、数据
高 压 超 级 结 低导通电阻、低栅极电 中心服务器电源、储能和光伏逆变器、
MOSFET
MOSFET 荷、静态与动态损耗低 UPS 电源以及工业照明电源等
消费级：
PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速
充电器等
产品类别 产品品类 技术特点 应用领域
工业级：
电动工具、智能机器人、无人机、新能源
汽车电机控制、逆变器、UPS 电源、动力
中 低 压 屏 蔽 栅 特征导通电阻低，开关 电池保护板、高密度电源等
MOSFET 速度快，动态损耗低 消费级:
移动电源、适配器、数码类锂电池保护板、
多口 USB 充电器、手机快速充电器、电
子雾化器、PC 电源、TV 电源板等
工业级：
新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明
电源等
极快的开关速度与极
超级硅 MOSFET 消费级：
低的动态损耗
各种高密度电源、快速充电器、模块转换
器、快充超薄类 PC 适配器、TV 电源板
等
工业级：
大电流密度，开关损耗 直流充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、
IGBT Tri-gate IGBT 低，可靠性高，具有自 电焊机、太阳能、UPS 电源等
保护特点 消费级：
电磁加热等
公司产品的主要应用场景如下图所示：
公司上述产品的具体介绍如下：
（1）高压超级结 MOSFET
公司的高压超级结 MOSFET 产品主要为 GreenMOS 产品系列，全部采用超级结的技术原理，
具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
公司 GreenMOS 高压超级结功率器件的各系列特点以及介绍如下表所示：
系列 特点 基本介绍
标准通用Generic系列产品包含500V-950V全系列，
具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低
标准通用系列 高性能通用型
的特点，可广泛应用于各种开关电源系统的高性能
功率转换领域
S系列产品在Generic系列产品的基础上进一步优
化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI
S 系列 EMI优化 兼容性，特别适用于对EMI要求较高的电源系统如
LED照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统
中
E系列产品综合了标准通用系列产品和S系列产品
的特性，实现了开关速度和EMI之间较好的平衡，
E 系列 EMI性能平衡
适用于TV电源、工业电源等领域，开关速度介于
标准通用系列和S系列之间
Z系列产品中集成了快速反向恢复二极管FRD，具
有快速的反向恢复速度以及极低的开关损耗，特别
Z 系列 集成快恢复体二极管（FRD）
适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱
动、充电桩等领域
（2）中低压屏蔽栅 MOSFET
公司的中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS
产品系列。其中，公司的 SFGMOS 产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽
栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应
用效率等优点。公司 SFGMOS 系列中低压功率器件产品涵盖 25V-150V 工作电压，可广泛应用于
电机驱动、同步整流等领域。
公司的 FSMOS 产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通
VDMOS 与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值
以及更高的应用效率与系统兼容性。
公司中低压 MOSFET 功率器件各系列的具体介绍如下表所示：
系列 特点 介绍
Vth 较低，可以用5V栅
主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源
极驱动。高开关速度、低
低Vth系列 系统，如5V-20V输出快速充电器、大功率LED
开关损耗、高可靠性和一
显示屏电源、服务器电源DC-DC模块等领域
致性
SFGMOS系列
Vth 较高，抗干扰能力
主要应用于驱动电压在10V以上的电源系统，
强。低导通电阻、高开关
高Vth系列 如电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆
速度、低开关损耗、高可
变器等领域
靠性和一致性
主要应用于对功率密度有更高要求的快速充
高电流密度、低功耗、高
FSMOS系列 电器、电机驱动、DC-DC模块、开关电源等
可靠性
领域
（3）超级硅 MOSFET
公司的超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基
MOSFET 产品。公司的超级硅 MOSFET 产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅
基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于
各种高密度高效率电源，包括直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、
快充超薄类 PC 适配器、TV 电源板等。
（4）TGBT
公司的 IGBT 产品采用具有独立知识产权的 TGBT 器件结构，区别于国际主流 IGBT 技术的
创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作
电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。公司的 TGBT 系列 IGBT 功率器件已逐渐
发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的
开关频率可达 100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至 1.5V 及以下；超低导通压降系列的
导通压降可达 1.2V 以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V 及 1350V 的逆
导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐
振电路中使用。
公司的 IGBT 产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调
整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠
性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、电
焊机、光伏逆变器等领域。
(二) 主要经营模式
公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用 Fabless 的经营模式。
Fabless 模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封
装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。
1、研发模式
公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开
发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，
研发部质量团队会全程参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产
品质量的管控。公司已制定《产品开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通
过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。
公司的产品研发流程具体如下图所示：
公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂
商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，
公司同时关注并协助开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。同时，公司具有深度定制开发的能
力。在产品研发阶段，公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工
厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客
户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终端市场需求精确调整产品的设计。
公司会与晶圆厂进行季度技术回顾与季度业务回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。同时，
晶圆厂也会定期向公司提供制程能力管控数据及外观检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定
期稽核，召开 QBR 并要求提供 CPK 数据、封装良率及测试良率的报告。公司也会定期对厂家的
管控计划提出意见，以保证产品质量。
2、采购与生产模式
公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在 Fabless
模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式
完成，即公司将自主研发设计的集成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完成的晶圆
交由封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。公
司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研
发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他
部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，
其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。
3、销售模式
结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商
销售产品，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式
销售关系，公司将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给
终端客户，公司将产品送至客户指定地点。
公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排
专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，
公司产品需要通过较为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成
长期稳定的合作关系。
4、管理模式
自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品开发和营销经验，
经过多年的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理体系。公司在日常管理中采
用了关键绩效指标管理和综合评分制，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相
应的业绩衡量指标。从管理架构上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及售后
维护的专业性，不断提高和积累技术能力，又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标，以确
保相应任务高质量完成。
(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所处行业
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中国证监会《上
市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造
业”，行业代码“C39”。 根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T
4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），所处行业属于半导
体行业中的功率半导体细分领域。
（2）行业发展概况
○全球市场分析
在功率半导体发展过程中，20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和
电力系统。20 世纪 60 至 70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20 世纪 70 年代末，平面
型功率 MOSFET 发展起来。20 世纪 80 年代后期，沟槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世，半导
体功率器件正式进入电子应用时代。20 世纪 90 年代，超级结 MOSFET 逐步出现，打破了传统硅
基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。 对国内市场而言，功率二极管、功率三极
管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT
等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨
大。根据 Omdia 预测，2019 年全球功率半导体市场规模约为 464 亿美元，预计至 2024 年市场规
模将增长至 522 亿美元，2019-2024 的年化复合增长率为 2.4%。
○中国市场分析
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大
的功率半导体消费国，2019 年市场规模达到 177 亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达 38%。
预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024 年市场规模有望达到 206 亿美元，2019-2024
年的年化复合增长率达 3.1%。
○分产品市场分析
A. MOSFET
MOSFET 行业已处于稳定发展期。2021 年，受到消费类产品需求景气、供给端原材料供应紧
张的双重影响，MOSFET 器件价格出现较明显涨幅。根据 Omdia 预计，在全球 5G 基础设施和 5G
手机、PC 及云服务器、电动汽车、新基建等市场推动下，全球 MOSFET 将持续增长，2022-2025
年间市场有望维持 1.3%的复合增速。2020 年中国 MOSFET 器件市场规模为 35.19 亿美元，预计
2021 年市场规模达 37.92 亿美元，增长率为 7.75%。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、
晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等
高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。
相较于普通硅基 MOSFET 功率器件，高压超级结 MOSFET 功率器件系更先进、更适用于大
电流环境下的高性能功率器件。尽管未来在第三代半导体材料成熟后会有相应器件的推出，但是
由于高压超级结 MOSFET 的产品特性、生产成本等方面对于新能源等成长性应用领域的需求较为
契合，行业生态不断向更高性能的产品演进，因此，未来高压超级结 MOSFET 行业增速有望超过
中低压产品。在 5G 基站持续建设及新能源汽车相关需求放量的推动下，新能源汽车、5G 基站等
新兴的下游终端市场对超级结 MOSFET 的需求预计将高速增长。
B. IGBT 器件
国家在“十四五”期间将坚持清洁低碳战略方向，加快化石能源清洁高效利用，大力推动非化
石能源发展，持续扩大清洁能源消费占比，推动能源绿色低碳转型，为如期实现碳中和目标创造
基础。光伏发电作为绿色环保的发电方式，符合国家能源改革以质量效益为主的发展方向，国内
光伏行业面临广阔的发展前景。汽车电动化、网联化、智能化发展趋势带动汽车半导体需求大幅
度增长。IGBT 除了光伏发电、新能源汽车也常被用于风电、工控、家电、轨交等领域，受益于
碳中和趋势推动，IGBT 迎来广阔的成长空间。
光伏逆变器。根据首创证券《IGBT 市场专题研究：光伏 IGBT 规模测算》，中国光伏行业协
会预测 2025 年全球光伏逆变器新增装机量有望达 330GW，假设 2025 年光伏逆变器替换装机量为
42GW，按照 IGBT 占组串式逆变器 BOM 成本的 18%以及占集中式逆变器 BOM 成本的 15%计算，
预计 2025 年光伏逆变器 IGBT 市场规模将超百亿。由于微型及单相逆变器功率较小，假设全部采
用 IGBT 单管方案，同时假设高功率三相逆变器全部采用 IGBT 模块方案、低功率三相逆变器 IGBT
单管和模块方案各占 1/2，预计 2025 年 IGBT 单管市场空间约为 40 亿元。
车规级 IGBT 产品。IGBT 在新能源汽车中发挥着至关重要的作用，主要被运用在新能源电机
控制器、车载空调、充电桩等设备中。根据 Digitimes Research 的数据，新能源汽车中，电机驱动
系统是关键成本之一，约占整车成本的 15-20%，而 IGBT 约占电机驱动系统成本的一半，因此，
IGBT 约占新能源汽车成本的 7-10%，其动力性能越强，所需要的 IGBT 组件数量就越多，中国乃
至全球新能源汽车的发展将大力促进 IGBT 的发展。根据乘联会、Marklines 统计数据：预计 2025
年电动车 IGBT 市场规模达 572 亿元。
（3）行业的主要特点
①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致
的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在 90
nm-0.35 μm 之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材
料的迭代。
②IDM 与 Fabless 模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
目前，半导体企业采用的经营模式可以分为 IDM 模式和 Fabless 模式。IDM 模式为垂直整
合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、
晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless 模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专
注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装
测试企业完成。IDM 模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随
着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，
促使全球半导体产业分工细化，Fabless 模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于
半导体行业的周期性，IDM 公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈
现 IDM 模式与 Fabless 模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向，既
能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
随着物联网、云计算等新一代信息技术的快速发展，功率半导体行业多细分应用场景需求趋
于多元化。该领域企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、
技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求
所产生的的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平
台的定制化能力要求极高。
（4）主要技术门槛
功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测
试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结 MOSFET、高性能 IGBT、高性能 SGT MOSFET、
SiC MOSFET 及 GaN HEMT 的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过
改进核心器件结构的设计来提升性能，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为
Fabless 设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一
方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持开关损耗、
导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流
片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种
应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可
靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、
芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现
持续的业务增长和保持技术上的领先。
2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为
国内领先的高性能功率器件厂商之一。
(1)、产品品类方面
在超级结领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及
缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比
的水平。
在中低压屏蔽栅 MOSFET 领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，
产品的关键技术指标达到了国内领先水平。
在 IGBT 领域，公司的 TGBT 是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor (简称 Tri-gate IGBT)
器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代 IGBT
芯片的技术实力。
(2)、产品结构方面
公司的功率器件产品以具有更高技术含量的高压超级结 MOSFET 产品为主。报告期内，公司
的高压超级结 MOSFET 产品销售收入占比为 72.70%。由于高压超级结产品应用广泛且国外厂商
仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间，发展空间巨大。
公司的创新型 Tri-gate IGBT 器件产品在 2021 年上半年开始送样认证并少量出货，2021 年下
半年则迅速起量，顺利对基于传统 trench-gate FS-IGBT 技术的芯片进行替代，表现出高速增长的
态势。
(3)、产品应用领域方面
公司的产品以工业级应用为主，同时也进入了车载电子应用。应用领域包括新能源汽车车载
充电机、新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源、
光伏逆变及储能等。由于工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，
其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代
采用新型器件结构的高性能 MOSFET 功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术
的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断
进行技术演进，当采用新技术的高性能 MOSFET 功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就
会对现有的功率 MOSFET 进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也
需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能 MOSFET 功率器件会不断扩大其应
用范围，实现市场的普及。未来的 5 年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，
沟槽 MOSFET 将替代部分平面 MOSFET；屏蔽栅 MOSFET 将进一步替代沟槽 MOSFET；超级结
MOSFET 将在高压领域替代更多传统的 VDMOS。
2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特
点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G 等
新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于 SiC MOSFET 在高
温下更好的表现， SiC MOSFET 在汽车电控中将逐步对硅基 IGBT 模块进行替代。根据 Yole 的
数据，2019 年应用在新能源汽车的 SiC 器件市场规模为 2.25 亿美元，预计到 2025 年将增长至 15.53
亿美元，复合增长率为 38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策
积极推进第三代半导体行业的发展，例如 2019 年国务院发布《长江三角洲区域一体化发展规划纲
要》，提出要加快培育一批第三代半导体企业。
3）功率器件集成化趋势
除了 MOSFET 功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功
率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率
模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功
率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目
前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。而芯片技术的提升可有效提高模块的集成度和综合
性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。
（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
受益于新能源汽车和 5G 产业的高速发展，充电桩、5G 通信基站及车规级等市场对于高性能
功率器件的需求将不断增加，高压超级结 MOSFET 为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份
额以及重要性将不断提升。
1）充电桩
2020 年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020 年 5 月两会期间，《政府工作报告》
中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公
布数据显示，截至 2021 年底，全国新能源汽车保有量达 784 万辆，占汽车总量的 2.60%，与上年
相比增长 59.25%。其中，纯电动汽车保有量 640 万辆，占新能源汽车总量的 81.63%。2021 年全
国新注册登记新能源汽车 295 万辆，占新注册登记汽车总量的 11.25%，与上年相比增加 178 万辆，
增长 151.61%。近五年，新注册登记新能源汽车数量从 2017 年的 65 万辆到 2021 年的 295 万辆，
呈高速增长态势。
伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长。根
据中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布的数据（如下图所示），截至 2021 年底，
全国充电桩保有量达 261.7 万台，较 2020 年新增 94 万台，同比增长 56%。2017-2021 年，全国充
电桩保有量从 44.6 万台增加至 261.7 万台，5 年复合增长率达 56%。截至 2021 年底，全国合计公
共充电桩 114.7 万台，较 2020 年新增 34 万台，同比增长 42%，2021 年月均新增公共充电桩约 2.83
万台。其中直流充电桩 47 万台、交流充电桩 67.7 万台、交直流一体充电桩 589 台。
数据来源：中国电动汽车充电基础设施促进联盟
“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：① 驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，
直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。② 推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办
理。③ 推动小区、商场等停车位充电桩建设。④ 促进对运营商的建设与充电运营流程支持。
充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。按照不同的充电技术分类，充电桩可分为
四大类：直流充电、交流充电、无线充电、更换电池。
分类 输入电压 充电功率 充电时长 技术壁垒 优点 缺点
技术成熟、安装
交流充电桩 220V 7kW 8-10h 低 充电慢
成本低
制造、建设、 运
直流充电桩 380V 30-120kW 20-90min 较低 充电快
营成本较高
耗费时间 短、 电 池 包 高 压 接
更换电池 5min 较高 具有电网调峰 口频繁插接存
功能 在能量损耗
充电操作简单、 技 术 规 范 和 商
无线充电 7-8h 高
无电气连接 业模式不成熟
资料来源：北极星电力网
自 2018 年以来，我国公共充电桩以直流充电桩和交流充电桩两大类为主，交直流充电桩占比
极小。2017 年至 2019 年，直流充电桩的占比从 28.7%上升至 41.6%，占比提升较快。2019 年至
2021 年，直流充电桩和交流充电桩的占比结构相对稳定，交流充电桩占比保持约六成左右，直流
充电桩占比保持约四成左右。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（Power Factor
Correction ，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结 MOSFET。
在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压 MOSFET 为主。
超级结 MOSFET 因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率
器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流
变换器以及辅助电源模块等。超级结 MOSFET 将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，
100kW 的充电桩需要功率器件价值量在 200-300 美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤
其是超级结 MOSFET 将迎来高速发展机遇。
2）5G 基站
工业和信息化部发布的《2021 年通信业统计公报》显示：截至 2021 年底，我国累计建成并
开通 5G 基站 142.5 万个，全年新增 5G 基站数达到 65.4 万个。建成全球最大 5G 网，实现覆盖所
有地级市城区、超过 98%的县城城区和 80%的乡镇镇区。我国 5G 基站总量占全球 60%以上，每
万人拥有 5G 基站数达到 10.1 个，比上年末提高近 1 倍。超 300 个城市启动千兆光纤宽带网络建
设。2022 年 2 月 28 日，国新办举行促进工业和信息化平稳运行和提质升级发布会，表示 2022 年
要新建 60 万 5G 基站以上，基站总数于 2022 年底达到 200 万个。
5G 建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G 基站功率更高、建设更为密集，带
来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；
以及 4）云计算拉动计算用功率半导体用量。
①5G 基站带来更多的电源供应需求。
根据华为官网公布的数据显示，4G 基站所需功率为 6.877kW，而 5G 基站所需功率为
11.577kW，提升幅度达到 68%。对于多通道基站，功率要求甚至可能达到 20kW。更高的覆盖密
度、更大的功率需求对 MOSFET 等功率器件产生了更大的需求。
基站数量方面，5G 通信频谱分布在高频段，信号衰减更快，覆盖能力大幅减弱，相比于 4G，
通信信号覆盖相同的区域，5G 基站的数量将大幅增加。根据新 PCB 产业研究所调查，目前 4G
基站的分布密度为密集城市中心区域 500 米/个，郊区 1,500 米/个，农村 5,000 米/个。5G 覆盖城
市中心区域大约需要 250 米/个，郊区 750 米/个，农村 2,000 米/个，总体基站数量需求是 4G 的 2-3
倍。
② Massive MIMO 技术的采用使得基站射频端需要 4 倍于原来的功率半导体。
MIMO 即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线
系统，可以极大地提高信道容量。Massive MIMO 即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线
发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为 2/4/8
个，而 Massive MIMO 通道数可以达到 64/128/256 个。信号覆盖维度上，传统 MIMO 为 2D 覆盖，
信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而 Massive MIMO 的信号辐
射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。
5G 网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，
毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以 5G 网络部署需要增加发射天线和接收天
线的数量，使用 Massive MIMO 技术。根据英飞凌的统计，传统 MIMO 天线需要的功率半导体价
值大约为 25 美元，而过渡为 Massvie MIMO 天线阵列后，所需的 MOSFET 等功率半导体价值增
加至 100 美元，达到原来的 4 倍。
③ 雾计算中心的出现带来全新增量市场。
与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理
和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加
带动 MOSFET 用量提升。
④ 5G 时代数据量大幅增加，云计算中心扩容带动功率半导体用量提升。
一方面，5G 具备更高的速率，其理论上能提供最高 10Gbps 的峰值传输速率，相比于 4G
100Mbps 的峰值速率提升了 100 倍，使得蜂窝网络传输承载的数据量变大。另一方面，5G 大连接
的特性推动了物联网行业的发展，众多物联网终端均是数据的提供者。数据量的快速提升创造了
巨大的数据运算需求，推动了云计算中心的扩容，整体运算功率提升，增加了超级结 MOSFET 等
功率半导体的应用需求。
综上所述，5G 通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和
功率要求、Massive MIMO 射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
3）车规级应用
○新能源汽车市场规模
新能源汽车具有成本、效率和环保等优势。随着产业链逐步成熟、消费者认知度提高、产品
多元化以及使用环境的优化和改进，新能源汽车越来越受到消费者的认可，预计未来新能源汽车
的渗透率将不断提高。
与传统内燃机汽车相比，包括了轻度混合动力汽车、插电式混合动力汽车和纯电动汽车的新
能源车型的渗透率增长迅速。2023 年新能源车产量将超过新车总产量的 25%，到 2027 年这一比
例将提高到 50%以上。截至 2021 年底，全国新能源汽车保有量达 784 万辆，占汽车总量的 2.60%，
与上年相比增长 59.25%。其中，纯电动汽车保有量 640 万辆，占新能源汽车总量的 81.63%。
○2 车规级功率半导体
随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势，新能源汽车对能量转换的需求不断增强，汽
车电子将迎来结构性变革，推动车规级功率器件发展。
在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。对
于新能源汽车而言，汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器，而由“三电系统”即电池、电机、
电控系统取而代之。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC 模块、
高压辅助驱动、车载充电系统 OBC、电源管理 IC 等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从
半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT 和 MOSFET 等）、MCU、传感器及
其他等元器件。根据 Strategy Analytics 分析，传统燃料汽车中功率半导体芯片的占比仅为 21.0%，
而纯电动汽车中功率半导体芯片的占比高达 55%。
相较于燃料汽车，电动车功率器件对工作电流和电压有更高要求。新增需求主要来自以下几
个方面：逆变器中的 IGBT 模块、DC/DC 中的高压 MOSFET、辅助电器中的 IGBT 分立器件、OBC
中的超级结 MOSFET。功率半导体是新能源汽车价值量提升最多的部分，需求端主要为 IGBT、
MOSFET 及多个 IGBT 集成的 IPM 模块等产品。
3 公司主要会计数据和财务指标
3.1 近 3 年的主要会计数据和财务指标
单位：元 币种：人民币
本年比上年
2021年 2020年 2019年
增减(%)
总资产 628,572,810.01 437,640,219.48 43.63 173,519,259.49
归属于上市公司股
565,793,694.48 418,897,956.11 35.07 160,938,734.87
东的净资产
营业收入 782,091,845.56 308,787,414.12 153.28 196,046,605.19
归属于上市公司股
146,903,706.46 27,683,219.46 430.66 9,110,063.42
东的净利润
归属于上市公司股
东的扣除非经常性 140,506,928.84 20,402,633.39 588.67 8,158,093.57
损益的净利润
经营活动产生的现
130,246,075.31 -37,485,732.18 不适用 39,057,663.83
金流量净额
加权平均净资产收
29.84 12.66 增加17.18个百分点 5.87
益率（%）
基本每股收益（元／
2.91 0.60 385.00 不适用
股）
稀释每股收益（元／
2.91 0.60 385.00 不适用
股）
研发投入占营业收
5.30 5.18 增加0.12个百分点 6.13
入的比例（%）
3.2 报告期分季度的主要会计数据
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 141,351,395.72 179,472,909.64 238,370,421.20 222,897,119.00
归属于上市公司股东
20,759,550.54 31,045,760.53 40,963,323.10 54,135,072.29
的净利润
归属于上市公司股东
的扣除非经常性损益 20,571,253.63 27,431,625.51 40,769,507.83 51,734,541.87
后的净利润
经营活动产生的现金
-14,176,360.65 46,827,700.36 26,488,027.52 71,106,708.08
流量净额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
4 股东情况
4.1 普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 20
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数 5,061
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数（户） 0
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股 0
股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数 0
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份 0
的股东总数（户）
前十名股东持股情况
包 含
质押、标记或冻
持有 转 融
结情况
有限 通 借
报告
股东名称 期末持股 比例 售条 出 股 股东
期内
（全称） 数量 (%) 件股 份 的 性质
增减 股份
份数 限 售 数量
状态
量 股 份
数 量
境 内
王鹏飞 0 8,129,229 16.0872 0 0 无 0 自 然
人
苏州工业园区原点创 国 有
0 7,672,500 15.1834 0 0 无 0
业投资有限公司 法人
境 内
龚轶 0 6,710,248 13.2791 0 0 无 0 自 然
人
上海聚源聚芯集成电
路产业股权投资基金 0 5,028,573 9.9512 0 0 无 0 其他
中心（有限合伙）
中新苏州工业园区创 国 有
0 3,600,328 7.1248 0 0 无 0
业投资有限公司 法人
境 内
哈勃科技创业投资有 非 国
0 3,330,752 6.5913 0 0 无 0
限公司 有 法
人
中小企业发展基金
0 2,514,286 4.9756 0 0 无 0 其他
（深圳有限合伙）
境 内
卢万松 0 2,386,460 4.7226 0 0 无 0 自 然
人
境 内
苏州工业园区高维企
非 国
业管理合伙企业（有 0 2,236,960 4.4268 0 0 无 0
有 法
限合伙）
人
苏州工业园区智禹博
信投资合伙企业（有 0 1,511,243 2.9906 0 0 无 0 其他
限合伙）
上述股东关联关系或一致行动的说明 1、王鹏飞与龚轶系公司共同实际控制人，苏州
工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙）
系王鹏飞控制的企业；2、中新苏州工业园区创
业投资有限公司及苏州工业园区原点创业投资
有限公司同为苏州工业园区经济发展有限公司
控制的企业，原点创投系中新创投的全资子公
司；3、卢万松系公司共同实际控制人王鹏飞和
龚轶的一致行动人；4、除上述情况外，公司未
知上述其他股东之间是否存在关联关系或一致
行动关系的情况。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
4.2 公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图
□适用 √不适用
4.3 公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图
√适用 □不适用
4.4 报告期末公司优先股股东总数及前 10 名股东情况
□适用 √不适用
5 公司债券情况
□适用 √不适用
第三节 重要事项
1 公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司共实现营业收入 782,091,845.56 元，较上年同期增长 153.28%；归属于上市
公司股东的净利润 146,903,706.46 元，较上年同期增长 430.66%；归属于上市公司股东的扣除非
经常性损益的净利润 140,506,928.84 元，较上年同期增长 588.67%。报告期内，公司所在的半导
体功率器件领域景气度持续向好，下游需求旺盛，同时，公司通过不断深化与上下游优秀合作伙
伴的合作，持续扩大产能，并不断研发出更为优秀的产品与技术。公司主营产品广泛应用于新能
源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电
器等领域。报告期内，公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长、产能持续扩大、新
产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。
2 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
