中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2021年半年度持续督导跟踪报告
根据《证券发行上市保荐业务管理办法》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》、
《上海证券交易所上市公司持续督导工作指引》等相关规定，中信建投证券股份有限公
司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”）作为常州银河世纪微电子股份有限公司
（以下简称“银河微电”、“公司”）的首次公开发行股票并在科创板上市的保荐机构，
对银河微电进行持续督导，并出具本持续督导跟踪报告。
一、持续督导工作情况
序号 工作内容 持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度，并针 本保荐机构已建立健全并有效执行了持续
1
对具体的持续督导工作制定相应的工作计划 督导工作制度，并制定了相应的工作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工作开 本保荐机构于2020年3月与银河微电签订
始前，与上市公司或相关当事人签署持续督导 《保荐协议》，协议明确了双方在持续督
2
协议，明确双方在持续督导期间的权利义务， 导期间的权利和义务，并报上海证券交易
并报上海证券交易所备案 所备案。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司违法 银河微电在2021年1月27日至2021年6月
违规事项公开发表声明的，应于披露前向上海 30日期间（以下简称“本持续督导期间”）
3
证券交易所报告，并经上海证券交易所审核后 未发生按有关规定需保荐机构公开发表
在指定媒体上公告 声明的违法违规情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出现违
法违规、违背承诺等事项的，应自发现或应当 本持续督导期间，银河微电及相关当事人
4
发现之日起五个工作日内向上海证券交易所报 未发生违法违规或违背承诺等事项。
告
本保荐机构通过日常沟通、定期或不定期
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调 回访、现场检查等方式，了解银河微电经
5
查等方式开展持续督导工作 营及规范运作等情况，对银河微电开展持
续督导工作。
1
序号 工作内容 持续督导情况
本持续督导期间，银河微电及其董事、监
督导上市公司及其董事、监事、高级管理人员
事、高级管理人员遵守法律、法规、部门
遵守法律、法规、部门规章和上海证券交易所
6 规章和上海证券交易所发布的业务规则
发布的业务规则及其他规范性文件，并切实履
及其他规范性文件，并切实履行其所做出
行其所做出的各项承诺
的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制
在本持续督导期间，银河微电依照相关规
度，包括但不限于股东大会、董事会、监事会
7 定进一步健全公司治理制度，并严格执行
议事规则以及董事、监事和高级管理人员的行
相关公司治理制度。
为规范等
督导上市公司建立健全并有效执行内控制度，
包括但不限于财务管理制度、会计核算制度和 本持续督导期间，银河微电的内控制度符
8 内部审计制度，以及募集资金使用、关联交易、合相关法规要求并得到了有效执行，能够
对外担保、对外投资、衍生品交易、对子公司 保证公司的规范运行。
的控制等重大经营决策的程序与规则等
督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制
度，审阅信息披露文件及其他相关文件，并有
在本持续督导期间，银河微电严格执行信
9 充分理由确信上市公司向上海证券交易所提交
息披露制度。
的文件不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗
漏
对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、
上海证券交易所提交的其他文件进行事前审
阅，对存在问题的信息披露文件及时督促公司
予以更正或补充，公司不予更正或补充的，应
在本持续督导期间，上市公司未发生信息
及时向上海证券交易所报告；对上市公司的信
披露文件及向中国证监会、上海证券交易
10 息披露文件未进行事前审阅的，应在上市公司 所提交的其它文件存在问题，而不予更正
履行信息披露义务后五个交易日内，完成对有
或补充的情况。
关文件的审阅工作，对存在问题的信息披露文
件应及时督促上市公司更正或补充，上市公司
不予更正或补充的，应及时向上海证券交易所
报告
关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董
事、监事、高级管理人员受到中国证监会行政 本持续督导期间，银河微电及其控股股
11 处罚、上海证券交易所纪律处分或者被上海证 东、实际控制人、董事、监事、高级管理
券交易所出具监管关注函的情况，并督促其完 人员未发生该等事项。
善内部控制制度，采取措施予以纠正
2
序号 工作内容 持续督导情况
持续关注上市公司及控股股东、实际控制人等
本持续督导期间，银河微电及其控股股
履行承诺的情况，上市公司及控股股东、实际
12 东、实际控制人等不存在未履行承诺的情
控制人等未履行承诺事项的，及时向上海证券
况。
交易所报告
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时针对
市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存
本持续督导期间，银河微电不存在应披露
在应披露未披露的重大事项或与披露的信息与
13 未披露的重大事项或与披露的信息与事
事实不符的，及时督促上市公司如实披露或予
实不符的情况。
以澄清；上市公司不予披露或澄清的，应及时
向上海证券交易所报告
发现以下情形之一的，督促上市公司做出说明
并限期改正，同时向上海证券交易所报告： 一）
涉嫌违反《上市规则》等相关业务规则；（二）
证券服务机构及其签名人员出具的专业意见可
本持续督导期间，银河微电未发生相关情
14 能存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违
况。
法违规情形或其他不当情形； 三）公司出现《保
荐办法》第六十七条、第六十八条规定的情形；
（四）公司不配合持续督导工作；（五）上海证
券交易所或保荐人认为需要报告的其他情形
制定对上市公司的现场检查工作计划，明确现 本保荐机构已制定了现场检查的相关工
15 场检查工作要求，确保现场检查工作质量 作计划，并明确了现场检查工作要求。
上市公司出现以下情形之一的，保荐人应自知
道或应当知道之日起十五日内或上海证券交易
所要求的期限内，对上市公司进行专项现场检
查：（一）控股股东、实际控制人或其他关联方
非经营性占用上市公司资金；（二）违规为他人
本持续督导期间，银河微电未发生应进行
16 提供担保；（三）违规使用募集资金；（四）违 专项现场检查的相关情形。
规进行证券投资、套期保值业务等；（五）关联
交易显失公允或未履行审批程序和信息披露义
务；（六）业绩出现亏损或营业利润比上年同期
下降50%以上；（七）上海证券交易所要求的其
他情形
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
无。
3
三、重大风险事项
公司目前面临的风险因素主要如下：
（一）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例约 60%，对公司毛利率的影响较大。公司所
需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供求关系、国
家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格出现大幅波动，将
直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
2、芯片外购比例较高风险
芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原
理，具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造
生产经营所需全部芯片的能力。公司生产经营模式以封测技术为基础，外购芯片占公司
芯片需求的比例较高，如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产
生重大不利影响。
3、寄存销售模式下的存货管理风险
报告期内，公司针对部分客户的订单排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，
待客户实际领用并与公司对账确认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核
算。由于该部分存货脱离公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，
但在极端情况下依然存在存货毁损、灭失的风险。
4、产品质量管理风险
报告期内，公司质量控制制度和措施实施情况良好，但随着公司经营规模的持续扩
大，客户对产品质量的要求提高，如果公司不能持续有效地完善相关质量控制制度和措
施，公司产品质量未达客户要求，将影响公司的市场地位和品牌声誉，进而对公司经营
业绩产生不利影响。
5、未来持续资金投入风险
4
半导体行业具有技术强、投入高、风险大的特征。企业为保证竞争力，需要在研发、
制造等各环节持续不断进行资金投入。在研发环节，公司需要持续进行研发投入来跟随
市场需求完成产品的开发或者升级换代；在制造环节，产线的扩建或新建都需要巨额的
资本开支及研发投入。
（二）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品牌知名
度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。未来如果公
司不能及时准确地把握市场需求和技术趋势，缩小与同行业国际领先水平的技术差距，
无法持续研发出具有商业价值、符合下游市场需求的新产品，则无法拓展高性能要求领
域的收入规模，对公司未来进一步拓展汽车电子、智能移动终端、可穿戴设备等新兴市
场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被迭代的风险。
2、市场竞争风险
经过 60 余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据
了全球半导体分立器件的主要市场份额，市场集中度较高。同时，国际领先企业掌握着
多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业。我国
目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引
更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧。如果公司研发效果不达预期，不能满足新
兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。
3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的技术水
平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。若国家降低对相关产
业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加剧国内市场对进口半导
体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性产生不利影响。
（三）核心竞争力风险
1、技术研发不及预期风险
5
公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复合产
品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发周期长、结
果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具备一定的前瞻性、
先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国外已有技术替代的风险。
因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发结果产业化进程不及预期，将使
公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司经营业绩。
2、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产品开发
均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失或发生核心技
术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司在行业内的竞争地位。
四、重大违规事项
本持续督导期间，公司不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2021 年 1-6 月，公司主要财务数据如下表所示：
单位：元
本报告期比上年同期
主要会计数据 2021年1-6月 2020年1-6月
增减(%)
营业收入 404,504,217.96 263,363,639.11 53.59
归属于上市公司股东的净利润 57,846,081.97 30,704,708.19 88.39
归属于上市公司股东的扣除非经常
55,421,210.59 24,235,469.53 128.68
性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额 45,177,883.93 31,797,291.16 42.08
本报告期末比上年度
主要会计数据 本报告期末 上年度末
末增减(%)
归属于上市公司股东的净资产 988,426,975.26 576,207,759.20 71.54
总资产 1,263,268,723.61 809,105,481.52 56.13
2021年1-6月，公司主要财务指标如下表所示：
6
本报告期比上年同
主要财务指标 2021年1-6月 2020年1-6月
期增减(%)
基本每股收益（元／股） 0.47 0.32 46.88
稀释每股收益（元／股） 0.47 0.32 46.88
扣除非经常性损益后的基本每股收
0.45 0.25 80.00
益（元／股）
加权平均净资产收益率（%） 6.28 5.89 增加0.39个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均净
6.01 4.65 增加1.36个百分点
资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%） 5.53 5.79 减少0.26个百分点
2021 年 1-6 月，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、2021 年上半年公司实现营业收入 404,504,217.96 元，同比增加 53.59%，公司实
现归属于母公司所有者的净利润 57,846,081.97 元，同比增加 88.39%；实现归属于母公
司所有者的扣除非经常性损益的净利润 55,421,210.59 元，同比增加 128.68%。主要系
2021 年经济复苏，行业回暖及国产替代加速，公司顺应市场环境，以上市为契机，加
快扩大产能，打造高效产能利用，提高生产效率，积极扩大市场份额。因此，公司 2021
年上半年的净利润、经营活动产生的现金流量净额等均大幅增长。一季度首次公开发行
股票，净资产相应增加。
2、报告期末，公司财务状况良好，总资产 1,263,268,723.61 元，较报告期初增加
56.13%；归属于母公司的所有者权益 988,426,975.26 元，较报告期初增加 71.54%，主
要系公司上半年销售情况良好，且首次公开发行股票募集资金所致。
综上，公司 2021 年 1-6 月主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
分立器件制造过程标准化程度高，技术一般与特定的工艺环节相结合，一旦解决某
个工艺节点的特定问题，则该技术可以广泛应用于采用该种工艺的多系列产品。公司掌
握了行业主流的分立器件封装测试通用技术，对涉及的组装、成型、测试过程进行工艺
优化实现精确控制，并逐步掌握了功率二极管部分品类芯片的设计和制造技术，具体如
下：
7
（一）分立器件封装测试技术
使用该项核心技
核心技术 技术描述及特点
术的主要产品
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高单位
高密度阵列 小信号二极管、光
面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消耗。以
式框架设计 电耦合器、功率二
SOT-23 为例，使用该技术使每平方厘米产品数从 4.75
技术 极管、桥式整流器
颗提高至 5.71 颗，密度提高 20%。
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，在提升
芯片预焊技
焊接工序效率，减少芯片沾污方面有明显效果，焊接气 桥式整流器
术
孔由 5%减少到 3%以下。
是多芯片堆叠封装的重要支撑技术，可以满足同种或不
绝缘膜装片
同芯片堆叠的需求，使芯片底部与基岛连接处不会有溢 小信号二极管
技术
胶，并达到精准的装片效果。
在通用技术的基础上通过焊线工艺参数的特别控制及
超低弧度焊 焊线方法的改进，使小信号器件封装焊线线弧高度最低 小信号二极管、小
线技术 可以控制至 40μm 以下，从而实现产品超薄型化，如 信号三极管
DFN0603 厚度达到 0.25mm 以下。
点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控制，提
组 功率二极管、桥式
自动测量控 高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都在受控范
装 整流器
制技术 围。
技
是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达到胶
术 功率芯片画
量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊接气孔减 功率二极管
锡焊接技术
少的目的，可提升功率器件的性能和可靠性。
通过硅胶色膏配比调整硅胶透光率、控制点胶高度和控
光耦 CTR 控
制芯片对照角度来进行精密调整控制技术来实现目标 光电耦合器
制技术
CTR 参数的调整，调整后的 CTR 一次对档率高。
通过使用新型焊片、芯片自动填装、低应力封装料及后
低应力焊接
固化特殊处理工艺等措施及技术，降低封装应力，提高 功率二极管
封装技术
产品的抗热应力能力和可靠性。
通过聚酰亚胺胶替代硅橡胶、引线结构优化排出胶体气
高温反向漏 泡，结合二次上胶降低聚酰亚胺胶体缺陷等技术，提高
功率二极管
电控制技术 OJ 芯片产品的高温性能，使产品在高温下反向漏电更
小。
在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电极与
跳线焊接技 功率二极管、桥式
框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产品潜在失
术 整流器
效风险。
采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形式，
MGP 模封装 小信号二极管、功
优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂利用率高，
技术 率二极管
封装工艺稳定。
成 小信号二极管、小
变速注塑技 使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效解决
型 信号三极管、功率
术 塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
技 二极管
术 二极管、三极管、
DFN 封装低 采用优化的塑封模具设计、优选的包封材料，自主开发
MOSFETS 、 ESD
应力成型技 的包封、后固化及成型工艺技术，降低成型应力，提高
保护二极管、稳压
术 产品可靠性和安装性能。
电路
8
使用该项核心技
核心技术 技术描述及特点
术的主要产品
将发光芯片（IR）及接收芯片（PT）进行集成复合封
光电产品复 装时，通过利用白色胶体透光率和芯片对照角度的控
光电耦合器
合封装技术 制，实现光、电及光电传输参数的控制，并实现输入与
输出端绝缘隔离效果。
基于产品特 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定测试
小信号二极管、小
性数据分析 方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及有潜在失
信号三极管、功率
的测试技术 效模式的产品。
二极管、功率三极
测 针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的影响，通
基于 FMEA 管、桥式整流器、
试 过分析量化，制定测试方案，筛选出生产过程中的潜在
的测试技术 光电耦合器
技 异常品及有潜在失效模式的产品。
术 广泛使用于公司
全参数模拟 通过器件电、热、环境、力全方位测试验证，器件芯片
能生产的封装外
寿命试验验 设计仿真能力，基础数据的长期大量积累，为器件研发
形及相应的产品
证技术 设计的验证、生产制造质量保障、市场服务保障。
类别。
（二）功率二极管芯片制造技术
使用该项核心技
核心技术 技术描述及特点
术的主要产品
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台
平面结构芯片无 面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以
环高耐压终端技 采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、 功率二极管
术 CVD 等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、
提升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3 层）CVD 钝化膜技术，形成
芯片表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用
聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以
使平面芯片具备 5μm~20μm 的钝化介质层。
平面结构芯片表 多层 CVD 钝化膜起到固定可动电荷、稳定耐压，
平面 功率二极管
面多层钝化技术 隔离水汽渗透，绝缘电介质等功能，从而形成芯
芯片
片表面所需的综合钝化保护膜，相应产品性能稳
制造
定性优异。聚酰亚胺钝化，平面玻璃电泳技术有
技术
效解决了芯片封装中遇到的可靠性问题，提高器
件极限条件下的稳定性、可靠性。
平面结构功率稳 特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免
压二极管、TVS 芯 了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问
功率二极管
片设计及制备技 题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达
术 到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
通过芯片结构优化设计、主辅材料的优选，自主
平面结构高结温 开发的芯片制造工艺，实现高达 175℃以上的工
功率二极管
芯片制造技术 作结温能力。达到提升产品性能和可靠性的目
的。
台面 选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过采用标准
台面结构特种工
芯片 半导体工艺制备技术，达到设计的基区结构参
艺功率 FRD 芯片 功率二极管
制造 数，实现二极管的正反向动态性能。可以针对不
设计及制备技术
技术 同应用要求提供针对性优化产品系列。
9
上述技术来源均为公司自主研发，并独立享有相关知识产权成果。
公司封测环节的工艺技术一般可用于多种封装，并最终应用于多种主营产品，功率
二极管芯片制造技术主要用于生产稳压、整流、TVS、FRD 等功率二极管芯片，最终应
用于功率二极管产品。此外，公司全参数模拟寿命试验验证技术是基于大量经验数据对
自主设计、生产产品进行针对性测试的技术，广泛应用于公司各类主营产品。
本持续督导期间，公司核心技术及其先进性未发生不利变化。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目 本期数 上期数 变化幅度（%）
费用化研发投入 22,364,731.93 15,260,588.45 46.55
资本化研发投入 - - -
研发投入合计 22,364,731.93 15,260,588.45 46.55
研发投入总额占营业收入比
5.53 5.79 -0.26
例（%）
研发投入资本化的比重（%） - - -
研发费用较上年同期增加 46.55%，主要系公司在研项目有序推进，研发费用随各
项目合理投入所致。
10
（二）在研项目情况
本持续督导期间，公司的在研项目情况如下：
单位：万元
预计总
本期投 累计投 技术
序号 项目名称 投资规 进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
入金额 入金额 水平
模
大电流功率器件 优化产品和工艺设计，增加产
设备调试及样品制作 国内 应用于高功率充电器，
1 新结构封装技术 416.00 271.13 401.11 品规格，提高大电流功率器件
阶段，目前进展顺利。 先进 白色家电、电源等领域
的研发项目 产品系列。
SOD-123-12R、
DIP-4L-12R、 推进高密度封装技术的应用研 广泛应用家电、电源、
高密度封装技术 国内
2 845.00 349.03 825.65 TO-252-4R 三种高密 究，优化产品结构和工艺设计， 智能电表、照明、通信
的研发项目 先进
度封装产品均已实现 降低材料成本，提升作用效率。 等行业
稳定量产。
CSP 封装 ESD 保 针对 0603 封装尺寸的 建立有特色 CSP 工艺平台，开 主要应用于手机等通讯
护器件开发及先 5V、10pF 产品，在试 发 0603 和 0402 两种封装规格 国内 设备、可穿戴设备、智
3 180.00 36.15 65.55
进封装技术的研 验线上验证关键工艺 的 ESD 保护器件，封装厚度小 领先 能化终端等高密度组装
究项目 技术。 于 0.25mm 和 0.2mm。 场合
研发可见光传感器的设计、封 产品主要用于安防、智
可见光传感器的 国内
4 65.00 33.76 55.78 中批量验证阶段 测技术及平台，形成系列化产 能穿戴、智能家居等领
研发项目 领先
品。 域
关键工艺开发，产品及 建立第三代半导体器件封装工 应用于电力及能源，车
第三代半导体功 国内
5 1,100.00 264.78 264.78 工艺设计、小样试制阶 艺平台，根据市场需求产品逐 载电源、白色家电、开
率器件封装研究 先进
段 步系列化。 关电源等领域
关键工艺开发，产品及 家电、电源、智能电表、
MOS 继 电 器 光 扩展光耦类产品品种，开发实 国内
6 400.00 161.60 161.60 工艺设计、材料验证及 照明、通信、工业控制
耦封装开发 现 MOS 继电器光耦批量生产。 领先
小样试制阶段 等行业有广泛应用
新型微型器件开 国内 广泛应用家电、电源、
7 420.00 80.45 80.45 产品及工艺设计阶段 推进微型封装技术的应用研究
发 先进 智能电表、照明、通信
11
预计总
本期投 累计投 技术
序号 项目名称 投资规 进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
入金额 入金额 水平
模
等行业
8 功率器件产品质 采用环保材料优化功率器件工 家电、电源、智能电表、
国内
量水平能力提升 180.00 145.98 145.98 工艺及设备验证阶段 艺过程，提升产品性能及可靠 照明、通信、工业控制
先进
研究 性能力 等行业有广泛应用
9 平面玻璃电泳工 提升平面芯片技术能力，提升 家电、电源、智能电表、
国内
艺研究及产品开 250.00 196.90 196.90 小批量试验阶段 性能、降低成本，进一步增强 照明、通信、工业控制
领先
发 公司优势产品的竞争力 等行业有广泛应用
10 紧跟车灯市场发展方向，针对
车用新型固态光 国内
90.00 51.02 51.02 样品试制阶段 新的产品需求开发车用 LED 汽车照明
源分立器件开发 先进
光源，实现产品的升级替代
11 针对不同于传统的薄膜光伏应
薄膜光伏用旁路 设备调试及样品试制 用场景，开发新型旁路二极管 国内
100.00 36.57 36.57 光伏
二极管产品研发 阶段 产品，提升公司在光伏市场的 领先
竞争力
12 在 保 持较 低 生产 成本 的前 提
家电、电源、照明、工
高可靠性 OJ 产 下，满足应用端对性能的要求。 国内
416.00 282.87 282.87 小样试制阶段 业控制、汽车电子等行
品开发 满足汽车电子等高机械应力应 领先
业有广泛应用
用环境的需求。
13 针对终端应用中满足更高的开
软恢复特性高耐 关频率，提高效率，降低电磁 家电、电源、智能电表、
关键工艺开发及小样 国内
久芯片工艺的开 100.00 73.07 73.07 干扰(EMI)和峰值反向电压应 照明、通信、工业控制
试制阶段 领先
发 力等更高需求，开发高性能开 等行业有广泛应用
关二极管，实现高端产品替代。
14 高耐温变能力关 提升芯片高温可靠性，改善产 家电、电源、智能电表、
关键工艺开发及小样 国内
键工艺及产品研 420.00 253.17 253.17 品结构，提升产品性能及可靠 照明、通信、工业控制
试制阶段 领先
发 性能力 等行业有广泛应用
合计 / 4,982.00 2,236.47 2,894.50 / / / /
12
（三）2021 年 1-6 月取得的研发成果
报告期内，公司加大技术研发的投入力度，通过配置先进设备、合理配置研
发团队、加强对外合作、充分利用公司研发资源，提升公司的自主创新能力和研
发水平，巩固和提升公司产品和技术的领先地位，取得一定成效。报告期内，公
司主要取得的研发成果及转化情况如下：
1、公司成功推出结温高达 175℃的功率整流桥产品，达到工业级可靠性标
准，性能对标业界先进水准。
2、三种高密度封装 SOD-123、DIP-4L、TO-252 等高密度封装产品实现稳定
量产，提升了公司相关产品的生产效率和产能。
3、DFN1010-4L/DFN1610-2L/3810-9L/2020-8L 等 DFN 系列产品封测工艺平
台顺利投产，除了丰富自有产品系列外，更助力公司代工业务成长。
4、公司推出一款可见光传感器产品，可广泛应用于扫地机器人、安防、智
能家居等领域，拓展了公司的产品门类。
5、完成开发 DO-218 封装 6600W 车规级大功率 TVS 器件，主要性能达到
国内先进水平。
报告期内新增及报告期末累计的知识产权列表如下：
本期新增 累计数量
项目
申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个）
发明专利 1 - 38 24
实用新型专利 3 12 237 174
外观设计专利 - - - -
软件著作权 - - - -
其他 - - - -
合计 4 12 275 198
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
2021 年 1 月，公司首次公开发行股票实际募集资金净额为人民币 38,611.68
13
万元。截至 2021 年 6 月 30 日，公司募集资金使用情况如下：
单位：万元
截至期末累
募集资金承 调整后投资 截至期末累 计投入金额
承诺投资项目
诺投资总额 总额 计投入金额 与承诺投入
金额的差额
半导体分立器件产业提升项目 26,690.73 26,690.73 5,998.80 -20,691.93
研发中心提升项目 5,514.23 5,514.23 655.74 -4,858.49
超募资金 6,406.72 6,406.72 - -6,406.72
合计 38,611.68 38,611.68 6,654.54 -31,957.14
具体内容详见 2021 年 8 月 20 日在上海证券交易所网站披露的《关于公司募
集资金 2021 年上半年度募集资金存放与实际使用情况的专项报告》。
银河微电 2021 年上半年募集资金存放和使用情况符合《上市公司监管指引
第 2 号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》证监会公告[2012]44 号）、
上海证券交易所发布的《上海证券交易所科创板股票上市规则》、《上海证券交易
所上市公司募集资金管理办法（2013 年修订）》等法规和文件的规定，银河微电
对募集资金进行了专户存储和专项使用，并及时履行了相关信息披露义务，不存
在募集资金使用违反相关法律法规的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、
冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员
持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。
截至 2021 年 6 月 30 日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、高
级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：
直接持股数量 间接持股数量 质押情况
姓名 职务
（万股） （万股） （万股）
杨森茂 董事长 - 7,817.5825 -
岳 廉 董事、总经理 - 629.5225 -
董事、副总经理
金银龙 - 30.0000 -
董事会秘书
李恩林 董事、副总经理 - 30.0000 -
刘 军 董事 - 30.0000 -
于燮康 独立董事 - - -
14
直接持股数量 间接持股数量 质押情况
姓名 职务
（万股） （万股） （万股）
李兴尧 独立董事 - - -
刘永宝 独立董事 - - -
朱伟英 监事会主席 - 25.0000 -
周建平 监事 - 17.0000 -
郭玉兵 职工代表监事 - 10.0000 -
关旭峰 财务总监 - 25.0000 -
茅礼卿 技术总监 - 7.0000 -
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
无。
（以下无正文）
15
（本页无正文，为《中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子
股份有限公司 2021 年半年度持续督导跟踪报告》之签字盖章页）
保荐代表人（签名）： _____________ ______________
梁宝升 王家海
中信建投证券股份有限公司
年 月 日
16