常州银河世纪微电子股份有限公司 审核中心意见落实函的回复报告
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
向不特定对象发行可转换公司债券申请文件
审核中心意见落实函的回复报告
保荐机构（主承销商）
（北京市朝阳区安立路 66 号 4 号楼）
二〇二二年四月
8-1-3-1
常州银河世纪微电子股份有限公司 审核中心意见落实函的回复报告
上海证券交易所：
根据贵所于2022年4月14日出具的上证科审（再融资）〔2022〕73号《关于
常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券的审核中
心意见落实函》（以下简称“落实函”）的要求，中信建投证券股份有限公司（以
下简称“中信建投证券”、“保荐机构”或“保荐人”）作为常州银河世纪微电
子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“发行人”或“公司”）向不特定对
象发行可转换公司债券的保荐机构（主承销商），本着勤勉尽责、诚实守信的原
则，就落实函所提问题逐项进行认真讨论、核查与落实，并逐项进行了回复说明。
具体回复内容附后。
关于回复内容释义、格式及补充更新披露等事项的说明：
1、如无特殊说明，本回复中使用的简称或名词释义与《常州银河世纪微电
子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书（上会稿）》中的
释义相同。
2、本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍
五入所致。
3、本回复的字体代表以下含义：
落实函所列问题 黑体（加粗）
对落实函所列问题的回复 宋体
原募集说明书所列内容 宋体
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释 义
晶体管能保持稳定工作，参数变化不超过规定允许值时的最大功率，
耗散功率 指
与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系
额定环境条件（环境温度、日照、海拔、安装条件等）下可以长期连
额定电流 指
续工作的电流
像流水线一样通过一系列工艺步骤制造芯片，在芯片制造过程中一般
有两段时间可以叫做流片。大规模生产芯片是其中之一；另外，为了
测试芯片设计是否成功，必须从一个电路图到一块芯片，检验每一个
流片 指
工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需性能和功能。如果流片成
功，就可以大规模地制造芯片；反之，就需要找出其中的原因，并进
行相应的优化设计
功率 TOLL 封 适用于大功率应用，且专为低导通电阻和高速切换式 MOSFET 而量
指
装 身定制的封装类型
全称：Shield Gate Trench，中文翻译为“屏蔽栅沟槽”。该设计能优
SGT 结构 指
化器件 MOS 工艺流程，降低产品生产成本，同时提高产品良率
中文翻译为“沟槽”。由于将通道纵向配置，可以减小单元的面积，
TRENCH 结构 指 并且可以大量排列单元，因此相同芯片面积的情况下，可以减小导通
电阻
DFN 封装技术 指 Dual Flat No-Leads Package，双排扁平无引脚封装技术的缩写
当 MOSFET 处于关闭状态时，电感上累积的电压超过 MOSFET 击穿
雪崩 指 电压后，导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，电感瞬间放电流会流过关
闭的 MODFET，导致高功率损耗
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问题1.请发行人说明：发行人募投项目中车规级半导体器件产业化项目的具
体产品门类及对应的产能规划、对应细分领域的市场竞争情况，车规级器件在
手订单所对应的具体产品门类；发行人在MOSFET器件上的技术研发布局、技
术水平、报告期内的收入占比及在手订单情况，并明确本次募投项目产品是否
涉及MOSFET器件，如涉及，请说明对应的产能规划和效益预测情况。
请发行人结合上述事项修改募集说明书和问询回复中的相关表述。
请保荐机构核查并发表意见。
【回复】
【发行人说明】
一、发行人募投项目中车规级半导体器件产业化项目的具体产品门类及对
应的产能规划、对应细分领域的市场竞争情况；
（一）发行人募投项目中车规级半导体器件产业化项目的具体产品门类及
对应的产能规划
公司本次车规级半导体器件产业化项目主要产品为车规级半导体分立器件。
根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）的定义，按照功率、电流指标，分立器
件可以划分为小信号器件及功率器件两大类，其中，耗散功率小于 1W（或者额
定电流小于 1A）归类为小信号器件，耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小
于 1A）则归类为功率器件；按照芯片结构和功能，可划分为二极管、三极管、
整流桥等。
本次募投项目具体产品门类结构可按下表列示：
产品总称 一级门类 二级门类 本次募投项目涉及的细分品种
开关二极管、肖特基二极管、稳压、
小信号二极管
二极管ESD保护二极管
小信号器件
MOSFET、双极型三极管（BJT）、
小信号三极管
数字三极管
车规级半导体分立器件
整流二极管、快恢复二极管、肖特
基二极管、瞬态二极管（TVS）、
功率器件 功率二极管
双向触发二极管、固态放电二极
管、稳压二极管
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产品总称 一级门类 二级门类 本次募投项目涉及的细分品种
功率三极管 MOSFET、双极型三极管（BJT）
整流桥 不涉及
本次募投项目具体产品门类的达产年产能规划如下：
单位：百万只、万元
产品门类 达产年产能规划 达产年效益测算
小信号二极管 3,151.50 12,483.90
小信号三极管 885.50 3,419.90
小信号器件小计 4,037.00 15,903.80
功率二极管 620.00 15,928.35
功率三极管 189.00 8,766.65
其中：MOSFET 150.50 8,254.60
功率器件小计 809.00 24,695.00
合 计 4,846.00 40,598.80
注：本次募投产能测算以生产工序上各项设备特别是关键设备，以及相应配套的模具、
工装和夹具作为依据，而模具等因产品外形、尺寸不同存在差异，具体以封装形式体现，故
最终以封装外形作为规划产能的最小单位。大多数细分品种与封装外形之间的对应关系为多
对多，即同一个产品型号，可以对应若干个封装外形，同一个封装外形亦可对应若干种细分
产品型号。因此上表以二级产品门类为主，未具体到所有细分产品型号。
由上表，本次募投项目达产后，在规划产能方面，小信号器件尤其是小信号
二极管占比较高；从预计效益来看，功率器件由于测算单价更高，在总效益中占
比较高。
（二）对应细分领域的市场竞争情况
如上文所述，本次募投产品车规级半导体分立器件从耗散功率（或额定电流）
角度可划分为小信号器件、功率器件，从芯片结构和功能角度可划分为二极管、
三极管。上述分类维度互不交叉，示意图情况如下：
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现从小信号器件、功率器件、二极管、三极管（含 MOSFET）四个门类维
度出发阐述本次募投项目产品对应细分领域的市场竞争情况。
1、小信号器件领域
经过数十年的发展，全球小信号器件行业技术发展成熟，市场竞争充分，欧
美、日本以及中国台湾地区厂商具有先发优势。在技术水平方面，国外知名半导
体分立器件厂商掌握领先的 8 英寸晶圆制造技术，多规格、中高端芯片制造技术
和先进贴片封装技术，在全球竞争中保持优势地位。尤其在小信号 MOSFET 领
域，当前绝大多数市场份额掌握在以恩智浦、英飞凌等为代表的欧美领先企业。
从下游产品应用领域来看，国外领先厂商生产的产品主要应用于汽车电子、工业
控制、物联网等中高端领域，议价能力强，产品利润率普遍较高。
中国小信号器件行业起步较晚，正处于高速发展阶段，国产产品市场参与者
数量较少，除银河微电以外，仅乐山无线电、长电科技、扬杰科技等少数品牌商。
近年来，国产小信号器件逐步参与到市场供应体系中，在中低端部分应用场景已
基本实现进口替代；在中高端应用场景，国内头部企业逐渐实现技术赶超，且下
游需求端国产替代意愿逐年升高。未来，随着中国小信号器件行业逐步突破高端
产品技术瓶颈，进口替代效应将进一步显现。
2、功率器件领域
从产业竞争格局来看，全球功率器件中高端产品生产厂商主要集中在欧美、
日本和我国台湾地区，前十大功率器件厂商占据全球 60%的市场份额，且全部为
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海外厂商。国内功率器件产业起步较晚，但市场规模增长迅速。由于长期受企业
规模及技术水平的制约，在高端功率器件领域尚未形成整体的规模效应与集群效
应，目前国内功率器件产业集中在加工制造和封测部分，产业结构以中低端为主，
国际厂商仍占据我国高附加值功率器件市场的绝对优势地位，如国际一线品牌厂
商达尔科超过 50%的收入来自中国，进口替代空间巨大。相比国外厂商，国内厂
商与下游客户的距离更近，客户的沟通更加顺畅，并且在客户需求服务响应、降
低成本等方面具有竞争优势，功率器件国产品牌替代逐渐上升是大势所趋。
在中低端功率器件方面，国内龙头企业拥有较明显的规模优势和成本优势，
且产能扩张势头强劲，国产替代率不断提升，全球中低端功率器件市场已呈现向
中国转移的趋势。在高端功率器件方面，虽然技术与产品相对落后，但随着国家
政策的引导与支持，产业发展将更注重高端产品的研发和生产能力，加大资金和
技术投入，加快技术升级，打开成长空间，满足市场内需与巨大的进口替代市场。
在行业高成长以及自主可控大趋势下，国内高端功率器件厂商将迎来历史机遇
期。
3、二极管领域
从竞争格局看，全球二极管市场格局分散，集中度较低。威世科技是全球二
极管产品最大供应商，占据全球市场约 10%份额，前五大厂商均为国外企业，合
计约占据 28%市场份额。二极管是基础性器件，普适性较强，虽然原理成熟，但
受产品稳定性及客户认证壁垒影响，需要厂商具有大规模的生产能力和稳定的质
量保证，差别化应用领域的快速拓展产生跨领域的产品需求，对生产厂商专用产
品的配套设计能力提出了更高的要求，因此国产化率仍然较低，进口替代空间巨
大。从行业发展趋势看，应用最新的第三代半导体材料和采用 Clipbond 等新型
的封装工艺，保证产品具有优异的性能指标及电学参数是未来二极管市场竞争的
主要趋势。
4、三极管领域
从竞争格局看，国外三极管厂商拥有较高的技术优势和市场份额，在高端的
产品市场有较高的话语权；国内厂商在低附加值产品上具有大规模生产优势，但
整体技术水平与毛利率不高。总体而言，国外厂商仍占据市场份额的前列，国内
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厂商在附加值较低的部分已完成国产替代，但附加值高的产品仍被外商垄断。三
极管厂商需要具有大规模的生产能力、客户配套服务优势以及高质量水平的保
证，才能够保持竞争优势；加之下游领域对产品的多元化需求，新进入者在短期
内难以形成规模化的多品种批量生产技术及产能，以满足整机制造企业的一站式
购买需求。这也对我国三极管厂商参与高端市场竞争提出了更高的要求。
MOSFET 作为三极管中技术含量较高的一个细分品种，就市场整体而言，
国外企业占比较高，前 5 大厂商均为国外企业，市场集中度较高，国内厂商正逐
步展开国产替代，特别是在中低压 MOSFET 领域。根据 Omdia 发布的 2020 年
度报告，全球前十大 MOSFET 企业中，国际企业占据 7 席，中国仅 3 家企业入
围，分别位列第 8、9、10 位，合计市场规模不足 9%；国内市场也主要为国际企
业所支配，市占率前十大企业中，国际企业占据 6 席，其中英飞凌以 24.95%市
占率位列第一，上榜的本土企业市场份额合计为 14.34%。由此可见，从绝对价
值量和占比来说，国产替代空间巨大，将是长期趋势。尤其随着汽车电动化趋势
和新能源汽车市场持续爆发，带来 MOSFET 等车规级分立器件巨大需求，必将
大力推进 MOSFET 国产替代进程。
二、车规级器件在手订单所对应的具体产品门类；
截至 2022 年 3 月 31 日，公司车规级器件产品在手订单金额为 3,669.29 万元，
所对应的具体产品门类如下：
单位：万元
车规级产品名称 在手订单金额 占比
小信号二极管 325.52 8.87%
小信号三极管 1,753.11 47.78%
其中：MOSFET 1,258.03 34.29%
小信号器件小计 2,078.62 56.65%
功率二极管 470.33 12.82%
功率三极管 643.50 17.54%
其中：MOSFET 556.24 15.16%
功率器件小计 1,113.83 30.36%
光电器件 388.05 10.58%
其他 88.78 2.42%
合 计 3,669.29 100.00%
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由上表，公司车规级器件在手订单对应的具体产品门类以小信号器件为主，
MOSFET 器件（含小信号 MOSFET 与功率 MOSFET）在手订单金额占比接近
50%。
三、发行人在 MOSFET 器件上的技术研发布局、技术水平、报告期内的收
入占比及在手订单情况；
（一）技术研发布局
公司以自身在半导体分立器件领域的先发优势与技术积累为基础，重点布局
中低压 MOSFET，在 MOSFET 芯片设计、芯片制造、封装测试等各个环节的具
体举措如下：
1、芯片设计
在芯片设计环节，公司采用合作开发的模式，参股上海优曜半导体科技有限
公司，以该公司为合作研发平台，打造拥有国内一线半导体分立器件厂商研发经
验的核心技术团队，重点开展 MOSFET 芯片设计方面的研发工作。
2、芯片制造
在芯片制造环节，公司的参股合作方上海优曜当前基于国内 8 吋晶圆线流
片，与上海先进半导体制造股份有限公司开展战略合作，由该公司加工符合银河
微电产品需求的 MOSFET 芯片。目前，上海优曜是上海先进半导体制造股份有
限公司的 MOSFET 产品主要客户之一。同时，上海优曜已经与浙江创芯集成电
路有限公司签署战略合作协议，未来将导入国内 12 吋晶圆线流片，全力配合银
河微电在 MOSFET 芯片的布局。
3、封装测试
在封装测试环节，公司已实现量产的有焊线技术、跳线焊接技术、焊线跳线
混合封装技术等。公司将通过自主建设车规级封测产线（即本次募投项目），结
合已掌握的封测技术，持续开发如 dual-cooling PDFN5x6 封装、功率 TOLL 封装
等封测技术。
综上所述，公司在 MOSFET 芯片设计、芯片制造、封装测试等各个环节均
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有技术布局。本次募投项目的 MOSFET 产品将以外购芯片和合作设计委外芯片
的模式相结合、自主完成封装测试的方式组织生产。
（二）技术水平
在 MOSFET 领域，公司已具备一定的技术实力，自行设计开发的 SGT 和
TRENCH 结构 MOSFET 产品已有部分规格定型并投入量产。其中，SGT 结构具
有出色的导通阻抗及优秀的品质因子，可实现快速开关，降低开关损耗，提高应
用效率，公司应用该技术并结合 8/12 寸 FAB 0.18um 线宽工艺和 DFN 封装技术，
产品对标国际 MOSFET 先进厂商英飞凌的 Infineon OptiMOS 产品，已广泛应用
于车灯、智能座舱、电池等汽车部件，达到国内领先和国际先进的技术水平。
Trench 结构则具有抗雪崩能力强、导通阻抗低等特性，应用于需要高雪崩保护的
应用场景，如电机控制、电力驱动等，产品对标英飞凌 Infineon StrongIRFET 产
品，达到国内领先水平。公司应用 Trench 技术针对性地拓展 30V~60V 环境下集
成 ESD 保护能力，达到国内领先水平。
由于 MOSFET 相关芯片制程复杂，封装技术要求高，单点技术突破难，有
较高的技术壁垒，公司与国际 MOSFET 领先厂商相比，在技术水平上存在一定
的客观差距。一方面，银河微电 SGT 结构 MOSFET 产品虽然已到达英飞凌第五
代产品水平，但英飞凌自身产品已经迭代至第六代，在 RSP（指单位面积导通电
阻）等指标方面仍需一定时间的技术积累方可实现赶超。另一方面，国际领先厂
商技术实力雄厚，产品线较为完整，产品覆盖面广，研发人员众多且经验丰富，
可适应不同的终端需求，而公司研发经验覆盖的应用领域较少，产品种类相对较
少，仅以若干应用领域为目标市场进行针对性研发。例如，国际领先品牌产品覆
盖芯片/器件、模块以及针对具体应用的完整解决方案和技术支持服务，产品规
格覆盖几伏到数千伏，银河微电目前仅提供 MOSFET 器件，产品主要覆盖中低
压 20V~100V、高压 650V~800V 范围。
在国内市场，公司具备 MOSFET 领域先发优势，与扬杰科技等先进厂商同
处于国内领先梯队。公司与扬杰科技 MOSFET 产品的部分参数对比情况如下：
公司简称 扬杰科技 银河微电
对比情况
规格型号 YJL3401AQ TBL3401
VDSS(V) 30 30 一致
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VGSS(V) ±12 ±12 一致
ID(A) 4.4 4.2 扬杰科技较优
IDM(A) 27 16 扬杰科技较优
1 1
IDSS(μA) @VDS = 20V, VGS = @VDS = 20V, VGS = 一致
0V 0V
0.1 0.1
IGSS(μA) @VGS = 10V, VDS = @VGS = 12V, VDS = 银河微电较优
0V 0V
55 50
@VGS = 10V，ID @VGS = 10V，ID 银河微电较优
RDS(ON)(mΩ) =4.4A =4.4A
68 65
银河微电较优
@VGS = 4.5V，D = 4A @VGS = 4.5V，D = 4A
0.6~1.4 0.7~1.3
VGS(th)(V) @VDS = VGS， @VDS = VGS， 银河微电较优
ID=250uA ID=250uA
1.2 1 测试条件不同，实际
VSD(V)
@IS = 4.4A，VGS = 0V @IS = 1A，VGS = 0V 基本一致
综上所述，公司在 MOSFET 方面的整体技术水平与国际领先厂商存在一定
差距，但部分特定产品的性能已接近或超越国际领先厂商对标产品，达到国际先
进水平；在国内市场具备先发优势，处于国内领先水平。
（三）报告期内的收入占比及在手订单情况
报告期各期，公司 MOSFET 产品销售收入及占主营业务收入比重情况如下：
单位：万元
2021 年 2020 年度 2019 年度
产品
金额 占比 金额 占比 金额 占比
小信号 MOSFET 4,539.35 5.62% 2,791.59 4.68% 2,041.67 3.94%
功率 MOSFET 502.34 0.62% 28.74 0.05% 16.06 0.03%
MOSFET 器件合计 5,041.69 6.24% 2,820.33 4.73% 2,057.73 3.97%
由上表，报告期内，公司 MOSFET 产品销售收入及占主营业务收入的比重
逐年提高；2021 年度，随着公司不断推进车规级客户产品认证进程，相关产品
成功实现小规模与批量供货，MOSFET 器件尤其是功率 MOSFET 器件销售收入
大幅上涨。
报告期各期末，公司 MOSFET 产品在手订单金额如下：
单位：万元
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项目 2021 年末 2020 年末 2019 年末
MOSFET 产品在手订单 3,331.23 667.21 305.15
由上表，报告期内，公司 MOSFET 产品在手订单金额逐年提高。截至 2022
年 3 月末，公司 MOSFET 产品在手订单金额为 4,233.24 万元。
四、明确本次募投项目产品是否涉及 MOSFET 器件，如涉及，请说明对应
的产能规划和效益预测情况。
本次募投项目涉及 MOSFET 器件，具体门类为功率三极管下属的功率
MOSFET 器件。本项目达产年度产能规划和效益预测情况如下：
单位：百万只、万元
产品门类 达产年产能规划 达产年效益测算
小信号二极管 3,151.50 12,483.90
小信号三极管 885.50 3,419.90
小信号器件小计 4,037.00 15,903.80
功率二极管 620.00 15,928.35
功率三极管 189.00 8,766.65
其中：MOSFET 150.50 8,254.60
功率器件小计 809.00 24,695.00
合 计 4,846.00 40,598.80
由上表，MOSFET 是本次募投项目规划中，功率三极管产品的主要细分品
种，达产年产能规划为 150.50 百万只，预计实现效益 8,254.60 万元，占本项目
达产年度预计实现效益的 20.33%。上述产能规划与效益预测的测算过程如下：
公司根据车规级项目生产规划，将采购的封测设备总产能分配生产各类封测
型号，封测设备的产能分配情况及车规级项目的产能规划具体如下：
单位：百万只
月产能分配
产品分类 封装型号 规划月产能 规划年产能
（产能上限）
型号 A 105.60 103.00 1,133.00
型号 B 105.60 103.00 1,133.00
车规级小信号器件
型号 C 154.44 150.00 1,650.00
型号 D 13.20 11.00 121.00
型号 1 7.92 7.00 77.00
车规级功率器件 型号 2 1.20 1.00 11.00
型号 3 2.50 2.00 22.00
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型号 4 7.92 7.00 77.00
型号 5 1.20 1.00 11.00
型号 6 0.50 0.20 2.00
型号 7 7.92 7.00 77.00
型号 8 3.30 2.00 22.00
型号 9 17.50 16.00 176.00
型号 10 3.50 3.00 33.00
型号 11 15.00 12.00 132.00
型号 12 3.75 3.00 33.00
型号 13 1.25 1.00 11.00
型号 14 2.45 2.00 22.00
型号 15 10.00 9.00 99.00
型号 16 0.30 0.18 2.00
型号 17 0.24 0.18 2.00
注：考虑到设备检修、节假日等停产日，本项目的规划年产能按一年生产 11 个月计算。
上表型号 1、型号 2、型号 4、型号 5、型号 7 的功率器件预计有 50%规划产
能所对应的细分品种为 MOSFET，型号 3、型号 6 均为 MOSFET，因此得出
MOSFET 规划年产能为 150.50 百万只。
上述型号的功率器件中，型号 1、型号 2、型号 7 存在历史销售情况，公司
根据这部分功率器件的具体特点，在历史价格的基础上进行了一定幅度的调整，
与历史售价的差异情况及原因分析如下：
封装型号 历史平均单价 测算单价 差异原因分析
型号 1 682.84 885.00 公司历史销售中，来料加工业务占比相对较大，
未来公司将优化销售业务结构，提高自产芯片
型号 2 616.27 1,062.00 比重，平均单价将相应会提高
该型号的品种结构中，目前 MOSFET 产品由于
供应紧张，单价较高；未来随着同类产品供给
型号 7 256.50 133.00
增加，供不应求的情况预计将得到缓解，故公
司调低了该型号的预计单价
型号 3、型号 4、型号 5、型号 6 功率器件截至 2021 年 9 月末无历史销售，
其单价测算情况如下：
单价：元/千只
封装型号 测算单价 备注
型号 3 619.00 参考型号 2 历史价格进行小幅调整
型号 4 354.00 参考其他相似封装型号历史价格进行小幅调整
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型号 5 1,062.00 参考型号 2 测算结果
型号 6 2,212.00 参考其他相似封装型号测算结果
本次募投项目 MOSFET 品种产品预计效益由规划产能与测算单价相乘得
出，具体计算过程如下：
封装型号 不含税单价（元/千只） 产能（百万只/年） 产值（万元）
型号 1 885.00 38.50 3,407.25
型号 2 1,062.00 5.50 584.10
型号 3 619.00 22.00 1,361.80
型号 4 354.00 38.50 1,362.90
型号 5 1,062.00 5.50 584.10
型号 6 2,212.00 2.00 442.40
型号 7 133.00 38.50 512.05
合 计 150.50 8,254.60
五、请发行人结合上述事项修改募集说明书和问询回复中的相关表述。
公司已根据要求，结合上述事项，修改募集说明书和问询回复中的相关表述，
主要修改情况如下：
（一）募集说明书
章节 修订情况
“芯片外购比例较高风险”增加“自制芯片的产品主要为功率二极
特别风险提示、第三节
管，小信号器件及功率三极管（含 MOSFET）的芯片外购比例仍然
风险因素
较高”的内容
增加公司取得 IATF 16949：2016 标准认证、主要产品门类均已取
得 AEC-Q101 标准认证的情况
第四节 发行人基本情
增加半导体分立器件的四个层次及各层次对产品性能的要求
况
增加半导体分立器件产品分类情况和公司产品分类体系
更新核心技术与拟开发技术情况
第六节 财务会计信息 主营业务收入按产品分类扩展至二级分类，并体现细分品种
与管理层分析 MOSFET 数据
增加本次募投项目涉及产品、具体产品门类结构，并披露公司
MOSFET 产品与国际领先厂商的技术差距
增加车规级产品客户认证情况及所对应的产品类别
第七节 本次募集资金
项目投资概算增加设备投资明细
运用
项目经济效益分析增加具体产品门类的年产能规划与效益测算
增加项目效益预测的计算过程
增加本项目芯片来源
（二）历次问询回复
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文件名 修订情况
首轮问询回复 明确 MOSFET 与三极管之间的关系
明确 MOSFET 与三极管、双极型三极管之间的关系
二轮问询回复 增加车规级产品客户认证所对应的产品类别
增加 MOSFET 产能测算过程
【中介机构核查情况】
一、核查程序
保荐机构执行了以下主要核查程序：
1、取得发行人车规级器件产业化项目的可行性研究报告、效益测算相关资
料，了解具体产品门类及对应的产能规划，明确是否包含 MOSFET 及相应的产
能测算、效益预测情况；
2、查阅半导体分立器件相关研究报告，了解公司本次募投产品对应细分领
域的竞争情况；
3、获取公司报告期各期收入成本明细表、在手订单台账，分析公司车规级
在手订单对应具体产品门类及 MOSFET 收入、在手订单情况；
4、访谈公司研发部门负责人，了解公司在 MOSFET 器件上的技术研发布局、
技术水平；
5、复核发行人《募集说明书》及历次问询回复修订情况。
二、核查意见
经核查，保荐机构认为：
1、发行人募投项目中车规级半导体器件产业化项目的具体产品门类、对应
细分领域的市场竞争情况、车规级器件在手订单所对应的具体产品门类披露真
实、准确、完整；
2、发行人本次募投项目总体产能规划、MOSFET 器件产能规划与效益测算
均具备合理性；
3、发行人在 MOSFET 器件方面已展开合理的技术研发布局，技术水平达到
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国内领先、国际先进水平；
4、发行人本次募投产品涉及 MOSFET 器件，报告期内的收入占比及在手订
单情况披露真实、准确、完整；
5、发行人已根据落实函具体要求，对募集说明书和历次问询回复中的相关
表述进行了修订。
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保荐机构总体意见
对本回复材料中的公司回复（包括补充披露和说明的事项），本机构均已进
行核查，确认并保证其真实、完整、准确。
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