常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
向不特定对象发行可转换公司债券申请文件
第二轮审核问询函的回复报告
（修订稿）
保荐机构（主承销商）
（北京市朝阳区安立路 66 号 4 号楼）
二〇二二年四月
8-1-2-1
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
上海证券交易所：
根据贵所于2022年3月3日出具的上证科审（再融资）〔2022〕37号《关于常
州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券申请文件的
第二轮审核问询函》（以下简称“问询函”）的要求，中信建投证券股份有限公
司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”或“保荐人”）作为常州银河世
纪微电子股份有限公司（以下简称“银河微电”、“发行人”或“公司”）向不
特定对象发行可转换公司债券的保荐机构（主承销商），会同发行人及发行人律
师国浩律师（南京）事务所（以下简称“国浩律师”、“发行人律师”、“律师”）
和申报会计师立信会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“立信会计师”、
“申报会计师”、“会计师”）等相关各方，本着勤勉尽责、诚实守信的原则，
就问询函所提问题逐项进行认真讨论、核查与落实，并逐项进行了回复说明。具
体回复内容附后。
关于回复内容释义、格式及补充更新披露等事项的说明：
1、如无特殊说明，本回复中使用的简称或名词释义与《常州银河世纪微电
子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券募集说明书（申报稿）》中的
释义相同。
2、本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍
五入所致。
3、本回复的字体代表以下含义：
问询函所列问题 黑体（加粗）
对问询函所列问题的回复 宋体
对原募集说明书所列内容 宋体
对募集说明书的修改、补充 楷体（加粗）
本次修订 楷体（加粗）
8-1-2-2
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
目 录
释 义 ........................................................................................................................... 4
1.关于车规级半导体器件产业化项目 ........................................................................ 5
2.关于现金流量表 ...................................................................................................... 30
3.关于环评批复 .......................................................................................................... 36
保荐机构总体意见 ..................................................................................................... 45
8-1-2-3
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
释 义
恒流 指 线路中的电流不随加在线路两端的电压的变化而变化，保持电流恒定
JEDEC 固态技术协会（国际上的一个半导体行业标准化组织）的一
JESD47 指
项关于器件可靠性的标准
一类用来检测半导体组件异常特性的统计方法，用以将异常组件从所
PAT/SBL/SYL
指 有产品中剔除。PAT 指部件平均测试；SBL 指统计箱限制、SYL 指
等测试技术
统计良率限制。
化学气相沉积（CVD），是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成
CVD 指 涂层或纳米材料的方法，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和
金属合金材料。
正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管
正向压降 指
能够导通的正向最低电压。
平面芯片 指 一种芯片结构，PN 结界面延伸到上表面
继电器 指 用小电流控制大电流或者低电压控制高电压的一个元件
微机电系统（Micro Electro Mechanical Systems，缩写为 MEMS）是
MEMS 指 将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术制成的机械系
统。这些系统的大小一般在微米到毫米之间。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将 P 型半导体与 N 型半导体
PN 结 指 制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形
成空间电荷区称为 PN 结（PN junction）
智能功率模块(IPM)是 Intelligent Power Module 的缩写，是一种先进
的功率开关器件， IPM 封装内部集成了逻辑、控制、检测和保护电
IPM 封装 指
路，使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增
强了系统的可靠性。
用金属丝（铜、金、铝等）将芯片上的焊盘和外引脚通过热、超声和
焊线技术 指
压力相连的技术
跳线焊接技术 指 采用一个焊接到焊料的固体铜桥实现芯片和引脚连接的技术
关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公
本回复报告 指
司债券申请文件第二轮审核问询函的回复报告
注 1：如无特别说明，本回复报告简称与《常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象
发行可转换公司债券募集说明书》中简称具有相同含义。
注 2：本回复报告若出现总数和各分项数值之和尾数不符的情况，或小数点后尾数与原始数
据存在差异，系由精确位数不同或四舍五入形成。
8-1-2-4
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
1.关于车规级半导体器件产业化项目
根据首轮回复，（1）国外厂商在车规级半导体领域中占据领先地位，2020
年全球前十大车规级半导体厂商均为国外厂商，车规级半导体器件国产化率较
低。截至 2022 年 2 月 22 日，公司汽车类客户在手订单金额为 3,231.92 万元；（2）
本项目主要生产的车规级小信号器件测算单价与历史销售情况基本一致，功率
器件测算单价高于历史销售数据；（3）未来国内车规级半导体器件的市场竞争
格局将由垄断竞争向充分竞争过渡。
请发行人说明：（1）结合车规级半导体器件相关行业标准，说明车规级半
导体相比其他领域产品在产品性能等方面的特殊要求，相关要求在原材料、各
环节生产工艺等方面的具体实现方式及与发行人现有、在研及募投项目相关技
术的对应关系，发行人是否具备实施本次募投项目的技术基础；（2）本次募投
项目涉及的产品类型和应用场景与国内外车规级半导体厂商相比的差异，相关
技术相较于国内外厂商的优劣势，订单开拓是否存在障碍，并作相应的风险提
示；（3）本次募投项目生产的车规级小信号器件和功率器件的单价和产能的具
体测算过程，是否充分考虑未来市场竞争加剧、供给增加、技术更新等因素对
价格和产能的影响，相关预测结果是否具有谨慎性和合理性。
请申报会计师对上述事项进行核查并发表明确意见。
【发行人说明】
一、结合车规级半导体器件相关行业标准，说明车规级半导体相比其他领
域产品在产品性能等方面的特殊要求，相关要求在原材料、各环节生产工艺等
方面的具体实现方式及与发行人现有、在研及募投项目相关技术的对应关系，
发行人是否具备实施本次募投项目的技术基础；
（一）结合车规级半导体器件相关行业标准，说明车规级半导体相比其他
领域产品在产品性能等方面的特殊要求
按照不同的应用场景及技术参数要求，半导体分立器件可以分为消费级、工
业级、车规级、军工级四个层次，各层次对产品性能的要求如下：
消费级 工业级 车规级 军工级
8-1-2-5
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
消费级 工业级 车规级 军工级
应用 手机、PC 等 工业控制 汽车电子 军工应用
温度 0-70℃ -40℃-85℃ -40℃-150℃ -55℃-150℃
湿度 低 根据环境 0-100% 0-100%
振动/冲击 低 较高 高 最高
寿命 1-3 年 5-10 年 15 年 ＞15 年
失效率 ＜3% ＜1% 0 0
测试标准 JESD47 等 JESD47 等 AEC-Q100 等 MIL-STD-883 等
系统成本 低 较高 高 最高
防水、防腐、防潮 增强封装、高低 增强封装、高低温
特殊要求 防水等
等 温和散热等 和散热等
可靠性 低 较高 高 最高
相比消费级/工业级半导体器件，车规级半导体器件产品性能的特殊要求首
先源于汽车的特殊性。第一，汽车是高档耐用品，设计生命周期较长，一般在
15 年或 20 万公里，相比消费品和一般工业品，要求器件稳定工作的时间更长。
第二，汽车是涉及人身安全的交通工具，需要适应各种工作环境，尤其在高温严
寒、大风暴雨等极端恶劣或异常的环境下依然需要保持性能可靠，因此对器件正
常工作的温度与湿度范围、抗振动、冲击或电磁干扰的能力要求高于消费级与工
业级产品。第三，由于现代汽车集成化、智能化、电子化的程度不断提高，对各
组成系统部件的失效率要求相应提高，如核心器件存在隐患甚至会导致大规模召
回措施。目前市场要求车规级半导体器件达到零失效率，国外领先企业已经能达
到千万分之五的失效率，这一水平远高于消费级与工业级产品。
其次，车规级半导体器件对产品可靠性的认定要求不同。消费级与工业级半
导体产品亦有分项目的可靠性试验要求，但是一般是非强制性的；而车规级产品
的可靠性试验要求是强制性的，且试验标准更趋极致化。以汽车电子委员会制定
的车规级半导体分立器件产品标准 AEC-Q101 系列标准为例，该标准相比消费级
和工业级分立器件产品存在以下特点：
1、项目更多，AECQ-101 认证对产品的测试项目达到 25 项以上，而其它标
准没有强制测试要求。
2、试验周期长、判定标准严。AECQ 认证选择最长的试验时间和最严格的
判断标准执行，而其它标准更多强调试验方法，试验判定提供不同严格度的选择，
8-1-2-6
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
且不要求覆盖所有项目。
3、试验批次多。AECQ 要求至少 3 批次样品都通过才算通过，其他标准的
试验批次要求则较为宽松。
4、AEC 标准除了对产品性能和可靠性试验项目外，还要求对试验前后的样
品进行结构分析，哪怕参数变化在标准范围内，但出现分层、缺损等异常也不能
通过。
5、AEC 标准还对测试技术、铜线工艺、封装过程控制等细节提出了具体要
求，这些也是消费级和工业级产品标准没有的。
最后，车规级半导体器件产品在寿命、容错率、可靠性等性能方面的较高要
求，和对器件较为严苛的测试标准，在供应链层面体现为较长的认证周期和较高
的认证门槛。终端整车厂为保障长期稳定生产，在某款车型生命周期内，需要保
证备品备件的正常供应，因此更强调整车部件和整车全车的试验以及系统匹配情
况，由此形成了汽车工业强调与供应链共同成长的特点。一旦进入供应链，供应
商会得到整车厂的辅助与培养，一般不会轻易被更换或淘汰。这样稳定的合作关
系有利于保证车规级产品品质的稳定性。
综上所述，车规级半导体相比其他领域产品，在产品性能、可靠性要求、测
试标准与供应链认证等各个方面均有更高的特殊要求。
（二）相关要求在原材料、各环节生产工艺等方面的具体实现方式及与发
行人现有、在研及募投项目相关技术的对应关系，发行人是否具备实施本次募
投项目的技术基础
1、车规级半导体器件相关要求在原材料、各环节生产工艺等方面的具体实
现方式
车规级半导体分立器件从原材料、设计、生产到测试的各个环节均区别于消
费/工业级产品，会考虑更多的设计要素、设计余量和封装性能。具体实现方式
如下：
项目 具体做法 实现车规级器件要求的方式
8-1-2-7
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
项目 具体做法 实现车规级器件要求的方式
硅晶圆在用金刚石刀片切割的过程中，在刀片与切割槽的界面会存在一定
增加切割道尺寸宽度 厚度的机械损伤层，增加切割道的宽度可以降低损伤层延伸到晶圆功能区
造成的参数变化，从而减少性能可靠性下降风险
可以使芯片内部的电场分布更均匀，提升峰值电流能力、反向耐压能力，
增加图形倒角弧度
从而具备更强的耐瞬态冲击能力，提升可靠性、降低失效率
原材料：芯片 增加钝化层厚度并控制厚度均匀性，强化外部环境和芯片内部电场的隔
采用复合钝化层设计
离效果，提升一致性和环境耐受能力，达到更高的工作温度范围
优化反向参数设计 提升产品瞬态过电压能力，提升极端环境下的工作可靠性
采用杂质源的均匀分布技
PN 结更平整、杂质分布更理想的要求，从而提升参数的一致性，降低电
术，扩散炉恒温区温度精密
场局部击穿的风险，提升器件可靠性
控制技术等
在流动性、结合力、应力、密封性和散热能力等方面性能更优，从而保证
原材料：塑封料 优选更高等级的塑封料 成品在密封性、散热能力、抗机械应力等方面达到更优的能力，并为成品
的可靠性提供重要保证
引入局部封装环境控制技术 采用密闭轨道设计、惰性气体保护等方式，更好地控制材料的氧化风险
产品的各组成部分（引线框架、焊料、芯片、塑封体、焊线）因其材质成
分不同，膨胀系数不同，产品受外围温度影响、自身工作发热等因素影响
更精密的材料性能匹配以及 下，存在因温度变化、温度梯度等产生的应力分布，在应力集中的区域容
封装设计 材料与模具的匹配精度设计 易发生机械应力导致的损伤或者失效，需要通过各材料膨胀系数的匹配，
结构设计的优化（从结构上降低应力集中），封装过程中的应力释放（退
火）等方法降低封装过程及产品内部的机械应力，提升产品工作温度范围
在与芯片的可靠连接、与塑封料的紧密粘接、与镀层的良好结合、与焊料
采用框架结构精密设计技术
的良好浸润等方面达到更优的性能
提升产线流传半成品的控制 通过在线式 100%检测设备进行实时监控，出现异常及时报警，保证批量
能力 产品与设计样品保持高度的一致，降低产品失效率
提升过程工艺参数的监控 保持工艺参数的稳定，提高产品可靠性
通过设备的自动检测，实时反馈实际是工艺参数否在规定的范围内，出现
加强过程探测能力
异常及时报警，保证一旦有不良产生，可以在第一时间发现并采取措施
生产工艺
引入新的工艺技术，如真空 明显降低焊接空洞，非真空焊接的空洞率一般在 5%左右，采用真空焊接
焊接工艺 工艺技术可以降低到 1%以下，从而提升焊接质量
增加过程中 100%X-RAY 在
线测试、100%机器视觉检测 及时剔除过程异常品、结构异常品，降低产品失效率
等
剔除批量产品中参数分布异常但符合规格书参数上下限的产品，剔除风险
产品
例如：如某款产品其反向电压规定的上下限范围是 1100V~1300V 之间，
导入 PAT/SBL/SYL 等测试技
测试 实际测试过程中发现其参数分布的中心值在 1230V，如该批产品按正负公
术
差在 6Sigma 对应的参数范围是 1180~1280V，按照一般上下限控制规范，
1150V 的产品是合格产品，但按照 PAT 的管控要求，1150V 的产品是风险
产品，需要作为不合格品剔除
8-1-2-8
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
项目 具体做法 实现车规级器件要求的方式
做到定人定机，持续评价并提升人员的生产技能，维持设备稳定度和精准
人员择优培训上岗、定期考
产线规划 度，不仅可以提高公司自身管理能力，更是整车厂对供应商审核的基础必
核，设备专线专用
备条件
2、车规级半导体器件相关要求与发行人现有、在研及募投项目相关技术的
对应关系，发行人是否具备实施本次募投项目的技术基础
车规级半导体分立器件产品的技术壁垒主要体现在各个流程、各项细节都要
求做到极致。即便是消费级、工业级与车规级产品都会用到的技术（例如焊线技
术），一方面在设计要求上会考虑更多的设计要素、设计余量，另一方面在成品
生产阶段要求更高的控制精准度（例如装配的位置精度、旋转角度等）。
公司现有核心技术、储备技术与拟开发技术在开发立项阶段，即考虑到车规
级半导体器件的相关要求，具体各项技术特点的描述以及对车规级半导体器件相
关要求的实现方式对应如下：
已投入量产技术
工艺环节 技术名称 技术描述及特点 实现车规级半导体器件要求的方式
1、更精密的材料性能匹配、材料与模具的
框架设计多排化使每条框架产品数增加，同时提高
高密度阵列 匹配精度设计；
单位面积内的产品数，提高生产效率及降低材料消
式框架设计 2、采用框架结构精密设计技术；
耗。以 SOT-23 为例，使用该技术使每平方厘米产
技术 3、提升自动化程度，减少人工操作，降低
品数从 4.75 颗提高至 5.71 颗，密度提高 20%。
成本并提高可靠性
点胶量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程控 1、提升产线的过程能力；
自动测量控 制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶量都 2、提升过程参数的监控；
组装 制技术 在受控范围。 3、加强过程探测能力
是通过特殊的点胶针头在点胶范围内均匀行走，达 框架与焊料良好浸润，可明显降低焊接空
功率芯片画 到胶量更均匀位置更可控，从而达到焊锡均匀、焊 洞，提升焊接质量，从而保证成品在框架与
锡焊接技术 接气孔减少的目的，可提升功率器件的性能和可靠 芯片的可靠连接、散热能力、抗机械应力等
性。 方面达到更优的能力
在框架焊接工艺中采用跳线完成芯片上表面的电 1、引入局部封装环境控制技术；
跳线焊接技
极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降低产 2、降低封装过程及产品内部的机械应力，
术
品潜在失效风险。 提升产品工作温度范围
采用多注射头封装模具，多料筒、多注射头封装形
MGP 模封装 1、提升过程参数的监控；
成型 式，优势在于可均衡流道，实现近距离填充，树脂
技术 2、加强过程探测能力
利用率高，封装工艺稳定。
8-1-2-9
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
1、除了规格书中标称的参数测试外，从器
件特性出发，增加参数测试项目；
基于产品特 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制定
2、从过程异常可能导致的后果出发，增加
测试 性数据分析 测试方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散及
参数测试项目，并增加不同测试条件下参数
的测试技术 有潜在失效模式的产品。
的对比判断，尽可能剔除有风险产品；
3、导入 PAT/SBL/SYL 等测试技术
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台面
1、增加切割道尺寸，更好地避免切割应力、
平面结构芯 结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以采用
切割损伤层对芯片造成损伤的潜在风险；
片无环高耐 标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、CVD
2、应用杂质源的均匀分布技术，扩散炉恒
压终端技术 等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提升产品
温区温度精密控制技术
稳定性、可靠性等目的。
采用多层（至少 3 层）CVD 钝化膜技术，形成芯片
表面所需的综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚
胺钝化，平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯
片具备 5um~20um 的钝化介质层。多层 CVD 钝化
平面结构芯 采用复合钝化层设计，隔绝芯片周围环境对
平面芯片 膜起到固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，
片表面多层 性能和可靠性的影响；降低对封装设计和工
制造 绝缘电介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合
钝化技术 艺的要求
钝化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺
钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中遇
到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定性、
可靠性。
平面结构功
特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免了
率稳压二极
传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题， 1、芯片结构设计方面，增加图形倒角弧度；
管、TVS 芯片
可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达到提升 2、优化反向参数设计
设计及制备
产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
技术
储备技术
工艺环节 技术名称 技术描述及特点 实现车规级半导体器件要求的方式
台面结构特
选择合适电阻率、厚度的单晶片，通过优化的结构
种工艺功率
设计，精准的工艺控制，达到设计的基区结构参数， 优化二极管结构和掺杂设计，提升二极管动
芯片制造 FRD 芯片设
实现二极管的正反向动态性能。可以针对不同应用 态参数性能
计及制备技
要求提供针对性优化产品系列。
术
以自动化流水线方式运行，预热及降温在移动过程
在线式真空 中完成，真空烧结在固定工位进行，出入口采用自
焊接 引入局部封装环境控制技术
烧结技术 动搬运结构。焊点机械强度大幅提高，焊点空洞率
低至 1%以下。
保证工艺过程中塑封料的流动性，提升塑封
变速注塑技 使用注塑速度由快变慢再变更慢的控制技术，有效
包封 料和框架、芯片的粘接，降低焊线冲弯风险，
术 解决塑封过程对焊线冲弯问题及塑封体气孔问题。
和产品中的气孔
8-1-2-10
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
对各工序的潜在失效模式及后果进行分析，
通过对产品制造过程中实时在线数据的收集，包括
按后果的严重度、可能发生的频率、发生后
环境、工艺参数、过程监测数据、100%测试的剔除
基于潜在失 可以被检测筛选出来的几率等进行评估，通
品的类型分布、解剖分析等，对该生产批次产品及
测试技术 效风险的过 过预防、探测等方式进行控制，从而满足过
前后批次产品进行失效风险评估，并按风险等级采
程管控技术 程风险控制的要求。增加过程中
取相应的措施，以实现汽车应用市场失效率低于
100%X-RAY 在线测试、100%机器视觉检
500PPB（千万分之五）的目标。
测等，剔除过程异常品、结构异常品。
拟开发技术
工艺环节 技术名称 技术描述及特点 实现车规级半导体器件要求的方式
将完成了芯片内部结构制程的圆片，通过精密的加
工工艺设计和控制，将应力、机械碰撞等导致的翘
超薄芯片制 曲，破损等控制在预期的范围内，达到制备 100um 提升 FRED、MOSFET 产品的性能，拓展产
功率二极 备技术 以下晶圆厚度的能力。 品规格
管芯片制 较低的厚度在相同芯片尺寸下能获得更低的正向
造-平面芯 压降，有助于降低器件自身的功耗。
片制造 在芯片背面形成一层或者多层金属以及改变原金
芯片背面金
属层材质，形成新的金属层的技术。提供芯片与引 功率器件芯片，包括二极管、MOSFET 等
属化及二次
线框架或者外部线路达到可靠的电连接及机械连 芯片的初次加工或者再加工，拓展产品规格
金属化技术
接的基底。
由上表，公司多项核心技术和储备技术均将车规级要求作为开发目标之一，
可以有效满足车规级半导体分立器件对产品性能的更高要求；拟开发技术主要是
功率二极管芯片制造技术/MOSFET 芯片再加工技术，系公司针对本次募投项目
拟采用产品设计、芯片制造、封装测试一体化经营模式，自制部分芯片并进行封
装测试的特点，专门制订相应的开发计划，具备满足车规级半导体器件产品性能
要求的能力。
因此，发行人具备实施本次募投项目的技术基础。
二、本次募投项目涉及的产品类型和应用场景与国内外车规级半导体厂商
相比的差异，相关技术相较于国内外厂商的优劣势，订单开拓是否存在障碍，
并作相应的风险提示；
（一）本次募投项目涉及的产品类型和应用场景与国内外车规级半导体厂
商相比的差异
1、产品类型
国内外车规级半导体厂商官方网站及公开披露信息中，车规级半导体分立器
8-1-2-11
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
件包括二极管、三极管（特指狭义的三极管，即双极型三极管）、MOSFET、IGBT
等，既有传统硅基器件，也有第三代半导体如 SiC、GaN 基器件。与之对应，公
司本次募投项目涉及的产品类型为各类硅基二极管、三极管（特指狭义的三极管，
即双极型三极管）、MOSFET。
根据相关厂商官方网站、定期报告、相关资讯等资料，国内外车规级半导体
厂商涉及的车规级半导体器件汇总如下：
序 AEC MOSFET IGBT MOSFET
公司名称 二极管 三极管 SiC GaN
号 成员 单管 单管 /IGBT 模块
国外厂商
1 DIODES 凯虹 是 量产 量产 量产 - - - -
产线建
2 INFINEON 英飞凌 是 量产 量产 量产 量产 量产 量产
设中
3 LITTELFUSE 力特 是 量产 - - - - - -
4 NEXPERIA 安世 是 量产 量产 量产 - - 已出样 已交付
5 ONSEMI 安森美 是 量产 量产 量产 量产 量产 - -
6 RENESAS 瑞萨 是 量产 量产 量产 - - - -
7 ST 意法半导体 是 量产 量产 量产 量产 量产 量产 -
8 VISHAY 威世 是 量产 量产 量产 - - - -
9 Panjit 强茂 否 量产 量产 量产 - - - -
10 Rohm 罗姆 否 量产 量产 量产 - 量产 量产 -
11 Mitsubishi 三菱电机 否 - - 量产 量产 量产 量产 -
12 Fuji 富士电机 否 - - 量产 - 量产 量产 -
13 Cree 科锐 否 - - - - - 量产 -
国内厂商
1 扬州扬杰电子科技股份有限公司 否 量产 量产 量产 - - - -
2 苏州固锝电子股份有限公司 否 量产 - - - - - -
3 江苏捷捷微电子股份有限公司 否 - - 募投研发 - - - -
4 吉林华微电子股份有限公司 否 - - - 小批量 - - -
5 比亚迪股份有限公司 否 - - 量产 量产 量产 量产 -
6 中车时代电动汽车股份有限公司 否 - - - - 量产 - -
7 嘉兴斯达半导体股份有限公司 否 - - - - 量产 小批量 -
8 杭州士兰微电子股份有限公司 否 - - - - 量产 研发中 研发中
9 江苏宏微科技股份有限公司 否 - - - - 量产 - -
10 三安光电股份有限公司 否 - - - - - 已出样 -
11 银河微电（本次募投项目） 是 量产 量产 量产 - - - -
注：上表三极管特指狭义的三极管，即双极型三极管，与公司产品分类体系中的三极
管不同，后者为广义的三极管，包含双极型三极管、MOSFET 等。
由上表，国外车规级半导体厂商的量产产品种类基本涵盖主要的分立器件品
8-1-2-12
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
种，并在第三代半导体（SiC、GaN）方面有一定的突破或布局；国内厂商受到
产业链接受度的影响，车规级产品的门类、品种不甚齐全。公司本次募投涉及的
产品类型与国外厂商相比种类较少；与国内厂商相比，与扬杰科技、比亚迪相近，
产品类型覆盖面广于其他厂商。
公司本次募投产品类型的确定，主要基于公司自身技术水平及市场需求情
况。
首先，车规级半导体分立器件在技术先进性方面更侧重技术的成熟度、性能
参数的一致性、产品的长期可靠性等方面的追求。二极管、双极型三极管在 20
世纪 50 年代面世，MOSFET 在 20 世纪 70 年代末面世，发展时间较长，国内厂
商技术逐步成熟，与国外的差距相对较小。银河微电在这些领域深耕多年，技术
水平不断进步，自 2010 年即开始布局汽车市场，在二极管、双极型三极管、
MOSFET 等产品上已接近或者达到国外一线分立器件厂商车规级产品的水平。
其次，IGBT 开启工业化应用始于 20 世纪 80 年，目前已经出现七代技术方
案，但这些方案主要由英飞凌等海外知名厂商主导，中国本土厂商在这方面缺乏
技术积累，加之贸易摩擦的影响，导致中国 IGBT 产品技术水平严重落后于国际
领先厂商，国产车规级产品仍处于研发及产业化早期阶段。因此，出于谨慎考虑，
本次产业化项目未将 IGBT 作为规划产品。
再次，第三代半导体器件是近十年进入产业化阶段的新型器件，处于初期阶
段，国外头部企业占据绝对优势地位，国产车规级产品与国外同行差距较大，产
业瓶颈亟待突破。基于此，本次产业化项目未将第三代半导体器件作为规划产品。
最后，从市场应用看，硅基二极管、三极管（含 MOSFET）应用广泛，在传
统燃油汽车和新能源汽车的各个部位均有大量应用，市场应用面广，产品需求量
大，以车规级功率半导体器件为例，根据国泰君安证券发布的研究数据，二级管、
MOSFET 占车规级功率半导体器件市场规模的比重分别为 20.76%、56.09%。以
硅基二极管、三极管（含 MOSFET）作为本次募投的主要产品，有利于尽快实现
销售，提升公司经营业绩，维护公司股东利益。
2、应用场景
8-1-2-13
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
车规级半导体器件的应用场景主要包括照明系统、辅助驾驶系统、动力传动
系统、主动安全系统、车身控制系统、信息娱乐系统以及新能源汽车的电池系统、
电机系统、电驱动系统（以下简称“新能源汽车‘三电’系统”）。根据与汽车
核心功能以及行驶安全的关联度，上述应用场景可以分为核心场景与周边场景。
从终端应用角度来说，核心场景（动力传动系统、车身控制系统、新能源汽车“三
电”系统等）对于器件性能指标的容忍度较低，要求达到零缺陷，国外头部企业
已经可以达到千万分之五失效率水平；而周边场景（照明系统、信息娱乐系统等）
对于器件性能指标的容忍度较高。但是，这并不意味着车规级半导体器件厂商可
以对不同的场景区别设置生产要求。这是因为，整车厂对于器件供应商有严格的
认证过程，先从外围器件（例如车灯部件）开始认证，达到优良的品质纪录后，
再逐步向核心部件导入。因此，车规级半导体器件厂商面临的是一个系统性评价
过程，无论针对汽车的任何应用场景部位，对产品失效率、性能指标的要求实质
上是一样的。
当前，国外主要车规级半导体器件厂商的产品基本涵盖汽车所有应用场景，
并在核心场景占据明显主导地位；国内厂商受制于技术实力和产业链接受度问
题，暂时集中在外围非核心场景。这一区别主要源于整车厂对国产器件的信心度
和国内厂商的产品认证导入进度。公司当前已经量产的车规级半导体分立器件产
品主要应用场景为车灯、座椅、仪表盘、车载娱乐等周边场景，并已切入部分客
户的车身控制、ADAS、动力总成等核心系统。本次募投将以公司现有车规级产
品销售及认证情况为基础，向汽车核心应用场景做进一步延伸。
（二）相关技术相较于国内外厂商的优劣势
与国外厂商相比，从产品失效率来看，公司在日常生产质量控制中，已经遵
照车规级失效率（500PPB），目前在小批量阶段已经可以实现车规级要求，在
大批量生产中尚需对各项细节进行优化；从应用场景来看，公司现有规格的车规
级产品已经可以满足汽车所有部位的性能要求，所欠缺的是整车厂较长周期的验
证过程；从技术能力来看，公司与国外头部厂商相比存在一定的差距，突出体现
在两方面：①应用于燃油汽车发动机的励磁二极管，工作结温（即半导体 PN 结
的工作温度）要求达到 215 度以上，如不能攻克这个技术难关，则公司产品难以
8-1-2-14
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
向汽车核心的发动机部位延伸；②部分需要采用超薄芯片技术的极限参数的少量
FRED、MOSFET 产品，公司仅做了研发工作的前期准备，尚需针对这个短板做
技术开发突破。
与国内厂商相比，公司具备一定的技术优势，主要体现在几个方面：①公司
于 2018 年加入国际汽车电子协会技术委员会，在国内半导体分立器件自主品牌
厂商中是第一家，这表明汽车电子业界对公司技术能力的认可；②公司已有多款
二极管、三极管（含 MOSFET）产品通过 AEC-Q101 标准认证，管理体系已通过
IATF 16949：2016 标准认证，表明公司相关产品以及生产管理体系已经具备车
规级水平，为建立车规级产品生产专线打下了良好的基础；③公司车规级产品在
小批量生产阶段已经接近或达到国外先进厂商水平，在国内具备一定的先发优
势。根据部分可比公司在其官网披露的车规级产品技术参数，公司车规级产品与
可比公司同类产品技术对比情况如下：
产品类别 小信号开关二极管
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 1N4148WQ 不涉及或未披露 T1N4148W
VRRM(V) 100 100 一致
IF(mA) 150 200 银河微电较优
IFSM(A) 2 2 一致
1 1
VF(V) 一致
@IF = 50mA @IF = 50mA
1.25 1.25
VF(V) 一致
@IF = 150mA @IF = 150mA
25 25
IR(nA) @VR = 100V， @VR = 100V，TJ 一致
TJ =25℃ =25℃
1 1
IR(uA) @VR = 100V， @VR = 100V，TJ 一致
TJ =125℃ =125℃
产品类别 稳压二极管
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 BZT52B15Q 不涉及或未披露 TBZT52B15
PD(mW) 500 500 一致
VF(V) Max. 0.9 0.9 一致
14.7--15.3 14.7--15.3
VZ(V) 一致
@IZT =5mA @IZT =5mA
0.1 0.045
IR(μA) Max. 银河微电较优
@VR =10.5V @VR =10.5V
8-1-2-15
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
30 28
ZZT（Ω） 银河微电较优
@IZT = 5mA @IZT = 5mA
产品类别 传统三极管
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 S8050-LQ 不涉及或未披露 TS8050
VCEO(V) 25 25 一致
IC(mA) 500 500 一致
PD(mW) 300 300 一致
ICBO(nA) 100 100 一致
0.6 0.6
VCE(sat)(V) @IC =500mA,IB @IC =500mA,IB 一致
=50mA =50mA
产品类别 整流二极管
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 GS5JQ AGN5J TP50JC
VRRM(V) 600 600 600 一致
IF(A) 5 5 5 一致
IFSM(A) 120 150 170 银河微电较优
1.1 1.0 1.0 银河微电与苏州
VF(V)
@IF = 5A @IF = 5A @IF = 5A 固锝较优
5 5 1
IR(uA) @VR = 600V, TJ @VR = 600V, TJ @VR = 600V, TJ 银河微电较优
=25℃ =25℃ =25℃
产品类别 肖特基二极管
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 SS36Q ASK36 TSH36
VRRM(V) 60 60 60 一致
IF(A) 3 3 3 一致
IFSM(A) 80 100 80 苏州固锝较优
0.7 0.7 0.65
VF(V) 银河微电较优
@IF = 3A @IF = 3A @IF = 3A
100 100 100
IR(uA) @VR = 60V，， @VR = 60V，TJ @VR = 60V，TJ 一致
TJ =25℃ =25℃ =25℃
10 10 10
IR(mA) @VR = 60V，TJ @VR = 60V，TJ @VR = 60V，TJ 一致
=125℃ =125℃ =125℃
产品类别 MOSFET
公司简称 扬杰科技 苏州固锝 银河微电
对比情况
规格型号 YJL3401AQ 不涉及或未披露 TBL3401
VDSS(V) 30 30 一致
VGSS(V) ±12 ±12 一致
ID(A) 4.4 4.2 扬杰科技较优
8-1-2-16
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
IDM(A) 27 16 扬杰科技较优
1 1
IDSS(μA) @VDS = 20V, @VDS = 20V, 一致
VGS = 0V VGS = 0V
0.1 0.1
IGSS(μA) @VGS = 10V, @VGS = 12V, 银河微电较优
VDS = 0V VDS = 0V
55 50
@VGS = 10V，ID @VGS = 10V，ID 银河微电较优
=4.4A =4.4A
RDS(ON)(mΩ)
68 65
@VGS = 4.5V，ID @VGS = 4.5V，ID 银河微电较优
= 4A = 4A
0.6~1.4 0.7~1.3
VGS(th)(V) @VDS = VGS，ID @VDS = VGS，ID 银河微电较优
=250uA =250uA
1.2 1
测试条件不同，实
VSD(V) @IS = 4.4A，VGS @IS = 1A，VGS =
际基本一致
= 0V 0V
由上表，公司车规级产品技术水平与同行业可比公司扬杰科技、苏州固锝基
本一致，并在部分参数上拥有领先优势。
（三）订单开拓是否存在障碍，并作相应的风险提示
目前，公司配合汽车行业特点及客户要求进行的认证流程进度情况良好，已
经导入部分汽车电子行业头部客户，个别客户已经进入批量生产阶段，未来订单
开拓不存在重大障碍。截至本回复报告出具日，公司车规级产品客户认证情况如
下：
客户名称 应用场景 产品类型 该客户认证周期 首次接洽时间 认证情况 预计量产时间
小信号二极管、小信号三极
客户 1 座椅加热等 进口替代 1 年 2020 年 已认证完成 已量产
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 2 车灯 进口替代 6 个月 2021 年 1 月 已认证完成 已量产
管、功率二极管、功率三极管
进口替代验证周 部分品种替代
ADAS、 小信号二极管、小信号三极
客户 3 期 2 个月，新项 2021 年 3 月 认证中，部分 已量产
T-BOX 等 管、功率二极管、功率三极管
目认证 6 个月 已经认证完成
小信号二极管、小信号三极 部分品种替代
客户 4 动力总成 管、功率二极管、功率三极管、 进口替代 6 个月 2021 年 3 月 认证中，部分 已量产
整流桥、光电器件 已经认证完成
8-1-2-17
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
客户名称 应用场景 产品类型 该客户认证周期 首次接洽时间 认证情况 预计量产时间
仪表盘控制 小信号二极管、小信号三极
客户 5 进口替代 6 个月 2021 年 5 月 已认证完成 已量产
等 管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 6 换挡器 进口替代 6 个月 2021 年 6 月 已认证完成 已量产
管、功率二极管、功率三极管
刹车系统，
小信号二极管、小信号三极
客户 7 EPS，马达驱 进口替代 1 年 2020 年 12 月 已认证完成 已量产
管、功率二极管、功率三极管
动等
小信号二极管、小信号三极
客户 8 车载娱乐 进口替代 3 个月 2021 年 10 月 已认证完成 已量产
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 9 座椅控制器 新项目 1 年 2022 年 1 月 送样测试 2023 年一季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 10 车灯 新项目 1 年 2021 年 9 月 送样测试 2022 年三季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 11 座椅加热等 管、功率二极管、功率三极管、 新项目 6 个月 2021 年 9 月 送样测试 开始试产
光电器件
小信号二极管、小信号三极
客户 12 ECU 进口替代 6 个月 2021 年 11 月 送样测试 2022 年二季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 13 车灯 进口替代 6 个月 2021 年 12 月 送样测试 2022 年三季度
管、功率二极管、功率三极管
车用电池管 小信号二极管、小信号三极
进口替代 6 个月 2021 年 12 月 已认证完成 已量产
理 管、功率二极管、功率三极管
客户 14 智能域控制 小信号二极管、小信号三极
新项目 9 个月 2022 年 3 月 送样测试 2023 年一季度
器 管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
智能驾舱 新项目 6 个月 2022 年 2 月 送样测试 开始试产
管、功率二极管、功率三极管
车用电池管 小信号二极管、小信号三极
客户 15 新项目 1 年 2021 年 9 月 送样测试 2022 年四季度
理 管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 16 车载充电等 管、功率二极管、功率三极管、 新项目 1 年 2021 年 9 月 送样测试 2022 年四季度
光电器件
小信号二极管、小信号三极
客户 17 车灯 新项目 1 年 2021 年 10 月 送样测试 2022 年四季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 18 EPS 等 新项目 1 年 2021 年 5 月 送样测试 2023 年
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 19 电尾门等 进口替代 1 年 2021 年 9 月 送样测试 2023 年
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 20 车身控制 新项目 2 年 2021 年 10 月 产品选型 2023 年
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 21 车载屏 新项目 1 年 2021 年 10 月 送样测试 2023 年
管、功率二极管、功率三极管
8-1-2-18
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
客户名称 应用场景 产品类型 该客户认证周期 首次接洽时间 认证情况 预计量产时间
小信号二极管、小信号三极
客户 22 车载屏 新项目 1 年 2021 年 10 月 产品选型 2023 年
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 23 ECU 等 进口替代 2 年 2021 年 8 月 提交方案 2024 年
管、功率二极管、功率三极管
座椅通风 小信号二极管、小信号三极
客户 24 进口替代 2 年 2021 年 12 月 提交方案 2025 年
等 管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 25 车灯 进口替代 6 个月 2022 年 3 月 送样测试 2022 年四季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 26 车灯 进口替代 3 个月 2022 年 3 月 送样测试 2022 年三季度
管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 27 座椅加热 进口替代 3 个月 2022 年 2 月 送样测试 2022 年三季度
管、功率二极管、功率三极管
保险丝盒 小信号二极管、小信号三极
客户 28 进口替代 6 个月 2022 年 3 月 送样测试 2022 年四季度
子 管、功率二极管、功率三极管
保险丝盒 小信号二极管、小信号三极
客户 29 进口替代 6 个月 2022 年 3 月 送样测试 2022 年四季度
子 管、功率二极管、功率三极管
发动机控 小信号二极管、小信号三极
客户 30 进口替代 6 个月 2022 年 3 月 送样测试 2022 年四季度
制单元 管、功率二极管、功率三极管
小信号二极管、小信号三极
客户 31 车灯 进口替代 6 个月 2022 年 4 月 送样测试 2022 年四季度
管、功率二极管、功率三极管
注：上表小信号三极管、功率三极管均包含 MOSFET。
公司已在《募集说明书》“特别风险提示”之“一、项目风险”及“第三节
风险因素”之“六、项目风险”中，作出以下风险提示：
“本次募投项目订单开拓风险
公司本次募投项目产品为车规级半导体分立器件。车规级产品具有性能要
求较高、认证门槛较高、产品导入周期较长等特点。当前，公司已经导入部分
汽车电子行业头部客户，个别客户已经进入批量生产阶段，但车规级产品的总
体销售规模仍然较小。同时，国内半导体分立器件厂商的车规级产品均处于外
围导入阶段，未来可能导致较为激烈的竞争。未来，如公司未能通过下游重要
客户的产品认证或整车测试，或由于市场竞争导致导入下游客户供应链的进程
较慢，可能导致本次募投项目销售订单的开拓不及预期，从而影响募投项目效
益的实现。”
三、本次募投项目生产的车规级小信号器件和功率器件的单价和产能的具
体测算过程，是否充分考虑未来市场竞争加剧、供给增加、技术更新等因素对
8-1-2-19
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
价格和产能的影响，相关预测结果是否具有谨慎性和合理性。
（一）本次募投项目生产的车规级小信号器件和功率器件的单价和产能
本次募投项目的销售收入系按照募投项目生产的车规级小信号器件和功率
器件的销售价格乘以产能进行测算，达产期小信号器件和功率器件的具体单价和
产能情况如下：
单价 产能
产品名称 营业收入（万元）
（元/k） （kk）
车规级小信号二极管 39.61 3,151.50 12,483.90
车规级小信号三极管 38.62 885.50 3,419.90
车规级小信号器件小计 15,903.80
车规级功率二极管 256.91 620.00 15,928.35
车规级功率三极管 463.84 189.00 8,766.65
其中：MOSFET 528.06 150.50 8,254.60
车规级功率器件小计 24,695.00
合 计 40,598.80
本次募投产能测算以生产工序上各项设备特别是关键设备，以及相应配套
的模具、工装和夹具作为依据，而模具等因产品外形、尺寸不同存在差异，具
体以封装形式体现，故最终以封装外形作为规划产能的最小单位。大多数细分
品种与封装外形之间的对应关系为多对多，即同一个产品型号，可以对应若干
个封装外形，同一个封装外形亦可对应若干种细分产品型号。因此上表以二级
产品门类为主，未具体到所有细分产品型号。
（二）单价和产能的具体测算过程，是否充分考虑未来市场竞争加剧、供
给增加、技术更新等因素对价格和产能的影响，相关预测结果是否具有谨慎性
和合理性
1、车规级小信号器件单价测算过程
（1）测算单价
公司根据实际销售经验，对本次募投项目各型号小信号器件按封装型号测算
单价，具体测算如下：
不含税单价 产能（kk/年） 产值（万元） 加权平均单价（元/k）
封装型号
（元/k） 小信号二 小信号三 小信号二 小信号三 小信号二 小信号三
8-1-2-20
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
① 极管 极管 极管 极管 极管 极管
② ③ ①x② ①x③
型号 A 40.00 1,133.00 - 4,532.00 -
型号 B 40.00 1,133.00 - 4,532.00 -
型号 C 35.00 825.00 825.00 2,887.50 2,887.50 39.61 38.62
型号 D 88.00 60.50 60.50 532.40 532.40
合计 3,151.50 885.50 12,483.90 3,419.90
注：加权平均单价=总产值÷总产能
（2）测算过程、相关预测结果是否具有谨慎性和合理性
公司小信号器件的测算单价主要参考公司历史售价。2018-2021 年 1-9 月，
公司同类型号小信号器件的销售单价与测算单价的对比情况如下：
单位：元/k
封装型号 历史平均单价 测算单价 价格差异对比
型号 A 36.69 40.00 9.02%
型号 B 38.16 40.00 4.82%
型号 C 35.55 35.00 -1.55%
型号 D 99.42 88.00 -11.49%
由上表，公司本次车规级项目各型号小信号器件的测算单价与历史价格的差
异均在 15%以内。其中，型号 D 的单价较历史单价下调幅度较高，主要系公司
预计该型号器件未来销售的品种结构中，单价较低的常规器件的比重将有一定程
度的提升，导致平均单价降低。
小信号器件因为本体及各部件的尺寸较小，相对设计余量较大，采用专线专
门控制后，产品的良率损失也较小，对原材料的要求与公司现有消费级产品差异
较小，通过新产线的工艺技术优化可以弥补材料成本的上升，预计公司车规级小
信号器件单价与现有消费级产品差异较小。
因此，公司本次测算采用的历史单价，能够较为可靠地反映公司的市场竞争
能力、技术水平，同时公司在历史单价的基础上结合市场需求预期，充分考虑市
场竞争、技术更新等因素，具备谨慎性和合理性。
2、车规级功率器件单价测算过程
（1）测算单价
8-1-2-21
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
本次募投项目功率器件共有 17 种封装型号，具体测算价格如下：
不含税单价 产能（kk/年） 产值（万元） 加权平均单价（元/k）
封装型号 （元/k） 功率二极 功率三极 功率二极 功率三极 功率二极 功率三极
① 管② 管③ 管①x② 管①x③ 管 管
型号 1 885.00 38.5 38.5 3,407.25 3,407.25
型号 2 1,062.00 5.5 5.5 584.10 584.10
型号 3 619.00 - 22 - 1,361.80
型号 4 354.00 38.5 38.5 1,362.90 1,362.90
型号 5 1,062.00 5.5 5.5 584.10 584.10
型号 6 2,212.00 - 2 - 442.40
型号 7 133.00 - 77 - 1,024.10
型号 8 133.00 22.00 - 292.60 -
型号 9 88.00 176.00 - 1,548.80 -
256.91 463.84
型号 10 88.00 33.00 - 290.40 -
型号 11 106.00 132.00 - 1,399.20 -
型号 12 265.00 33.00 - 874.50 -
型号 13 265.00 11.00 - 291.50 -
型号 14 71.00 22.00 - 156.20 -
型号 15 442.00 99.00 - 4,375.80 -
型号 16 1,593.00 2.00 - 318.60 -
型号 17 2,212.00 2.00 - 442.40 -
合计 620.00 189.00 15,928.35 8,766.65
注：加权平均单价=总产值÷总产能
（2）测算过程、相关预测结果是否具有谨慎性和合理性
①参考历史价格测算
公司本次募投项目部分车规级功率器件的技术水平与公司现有产品差异较
小，故测算单价参考公司历史售价。2018-2021 年 1-9 月，公司部分同类型号功
率器件的历史销售单价与测算单价的对比情况如下：
单价：元/k
封装型号 历史平均单价 测算单价 价格差异对比
型号 8 119.70 133.00 11.11%
型号 9 94.84 88.00 -7.21%
型号 10 74.69 88.00 17.82%
型号 12 279.91 265.00 -5.33%
型号 14 61.73 71.00 15.02%
型号 15 410.02 442.00 7.80%
8-1-2-22
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
由上表，除型号 10 及型号 14 以外，上述型号的功率器件的测算单价与历史
价格的差异均在 15%以内。型号 8、10 及 14 的单价较历史单价有上调幅度较大，
主要系公司计划在未来销售中增加上述型号产品的外销比例，根据外销定价策
略，相同产品的单价将会高于内销水平，故上调了测算单价。
上述封装型号的功率器件在工艺、原材料、良品率、应用场景等方面，与公
司现有产品的差异较小，预计未来销售单价与现有消费级产品差异较小。因此，
公司以历史单价作为测算依据，能够较为可靠地反映公司的市场竞争能力、技术
能力，同时公司在历史单价的基础上结合了未来销售计划及定价策略，已充分考
虑市场竞争因素、下游客户需求与价格接受度等因素，具备谨慎性和合理性。
②与历史价格差异较大
公司预计部分型号车规级功率器件的单价与历史单价的差异较大。首先，因
为功率器件需要处理功率信号，相同条件下，工作环境相对恶劣；同时，因为本
体及各部件的尺寸较大，应力、分层等问题也更容易产生，设计要求更高，对材
料、工艺要求高，产品的良率损失较大，整批产品降档为非车规级产品、客户端
失效的风险的概率相对较高。另外，公司本次车规级功率器件产品计划向汽车核
心系统进行延伸，例如动力系统、主动安全系统及电池管理系统等，与公司现有
产品应用领域差异较大。
在上述背景下，公司根据以下型号功率器件的具体特点，在历史价格的基础
上进行了较大幅度的调整，与历史售价的差异情况及原因分析如下：
单价：元/k
封装型号 历史平均单价 测算单价 差异原因分析
型号 1 682.84 885.00 公司历史销售中，来料加工业务占比相对较大，
未来公司将优化销售业务结构，提高自产芯片
型号 2 616.27 1,062.00 比重，平均单价将相应会提高
该型号的品种结构中，目前 MOSFET 产品由于
供应紧张，单价较高；未来随着同类产品供给
型号 7 256.50 133.00
增加，供不应求的情况预计将得到缓解，故公
司调低了该型号的预计单价
该型号的品种结构中，目前瞬态电压抑制二极
管单价较高；未来随着市场竞争和技术更新，
型号 11 177.86 106.00
是否依然保持较高销售单价存在不确定性，故
公司调低了该型号的预计售价
8-1-2-23
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
该型号的品种结构中，目前肖特基二极管产品
单价较高；未来随着市场竞争和技术更新，是
型号 13 380.06 265.00
否依然保持较高销售单价存在不确定性，故公
司调低了该型号的预计单价
该型号车规级产品对设计、材料、工艺的要求
型号 17 1,530.30 2,212.00
较高，公司在历史销售单价基础上进行了上调
由上表，公司部分型号功率器件的测算单价在考虑了功率器件价格整体差异
的基础上，结合各具体产品层面公司业务结构调整、未来市场供需不确定性等因
素，在历史售价的基础上进行了一定调整。上述测算已充分考虑产品技术差异、
公司业务、市场供需等因素，具备谨慎性和合理性。
③无可供参考的历史价格
公司以下型号的功率器件截至 2021 年 9 月末无历史销售，其单价测算情况
如下：
单价：元/k
封装型号 测算单价 备注
型号 3 619.00 参考型号 2 历史价格进行小幅调整
型号 4 354.00 参考型号 13 历史价格进行小幅调整
型号 5 1,062.00 参考型号 2 测算结果
型号 6 2,212.00 参考型号 17 测算结果
型号 16 1,593.00 参考型号 17 历史价格进行小幅调整
由于公司尚未建设车规级生产专线，部分型号的功率器件暂无成规模的销
售，无历史售价数据可供参考。公司对于上述型号的测算，主要参考类似封装型
号的测算结果或在历史价格的基础上进行小幅调整。
通过查询立创商城、Mouser 贸泽电子等电子元器件采购平台，上述型号产
品的公开市场价格如下：
平均单价 本项目测算单价
封装型号
（元/k） （元/k）
型号 3 3,666.83 619.00
型号 4 1,793.26 354.00
型号 5 4,645.88 1,062.00
型号 6 7,670.35 2,212.00
型号 16 5,247.79 1,593.00
注：采购平台的价格为含税价格，上表统一使用 13%的税率进行价税分离
8-1-2-24
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
由上表，电子元器件采购平台的平均销售单价均远高于本项目的测算单价，
主要系上述平台各产品仅保有少量库存，以个/片为最低单位零售，因此单价较
高，与大规模采购方式的实际价格偏差较大。因此，上述单价参考性较低。
对于尚无历史价格可供参考的产品型号，公司基于类似封装型号的功率器件
的历史售价及预测销售价格，结合具体产品的特点，审慎确定测算单价，具备谨
慎性和合理性。
3、产能测算过程
（1）测算产能
本次募投项目小信号器件和功率器件的测算产能如下：
单位：kk
产品分类 产品名称 产能
小信号二极管 3,151.50
车规级小信号器件
小信号三极管 885.50
功率二极管 620.00
车规级功率器件
功率三极管 189.00
（2）测算过程
①产能规划情况
本次车规级项目的生产工艺流程主要包含芯片生产、检测及封测等。对于各
工艺环节，公司相应的设备投入总额为 35,221.31 万元，主要用于采购芯片生产
设备 11,020.00 万元、封测设备 19,738.00 万元、检测设备 606.00 万元及可靠性
实验室 1,789.10 万元等。
上述设备中，芯片生产设备及封测设备在工序上具有先后顺序，具体为芯片
生产设备生产加工的芯片，再由封测设备与其他原材料进行封装，形成产成品。
检测设备及可靠性实验室主要为支持性设备，与本项目产能的关联性较小。
根据本次募投项目规划，芯片生产设备主要用于强化芯片自产能力及部分品
种的竞争优势，而非满足本项目全部芯片需求。本次车规级产线的芯片需求拟通
过部分自产及部分外购成品或半成品加工的方式满足，且外购芯片供应充足且稳
定。因此，本项目产能主要取决于封测工序。
8-1-2-25
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
公司根据车规级项目生产规划，将采购的封测设备总产能分配生产各类封测
型号，封测设备的产能分配情况及车规级项目的产能规划具体如下：
单位：kk
月产能分配
产品分类 封装型号 规划月产能 规划年产能
（产能上限）
型号 A 105.60 103.00 1,133.00
型号 B 105.60 103.00 1,133.00
车规级小信号器件
型号 C 154.44 150.00 1,650.00
型号 D 13.20 11.00 121.00
型号 1 7.92 7.00 77.00
型号 2 1.20 1.00 11.00
型号 3 2.50 2.00 22.00
型号 4 7.92 7.00 77.00
型号 5 1.20 1.00 11.00
型号 6 0.50 0.20 2.00
型号 7 7.92 7.00 77.00
型号 8 3.30 2.00 22.00
车规级功率器件 型号 9 17.50 16.00 176.00
型号 10 3.50 3.00 33.00
型号 11 15.00 12.00 132.00
型号 12 3.75 3.00 33.00
型号 13 1.25 1.00 11.00
型号 14 2.45 2.00 22.00
型号 15 10.00 9.00 99.00
型号 16 0.30 0.18 2.00
型号 17 0.24 0.18 2.00
注：考虑到设备检修、节假日等停产日，本项目的规划年产能按一年生产 11 个月计算。
上表型号 1、型号 2、型号 4、型号 5、型号 7 的功率器件预计有 50%规划产
能所对应的细分品种为 MOSFET，型号 3、型号 6 均为 MOSFET，因此得出 MOSFET
规划年产能为 150.50 百万只。
②产能爬坡情况
公司对测算过程中的产能设计了 5 年的达产期，包括 2 年建设期及 3 年的产
能爬坡期，爬坡期每年的产能利用率分别为 30%、60%及 80%，爬坡期结束后，
产能利用率将上升至 100%。
8-1-2-26
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
同行业可比公司的产能达产期的情况如下：
序号 公司 项目名称 达产期
宏微科技
1 新型电力半导体器件产业基地项目 建设达产期合计 4 年
（688711）
捷捷微电 2 年建设期及 2-3 年达
2 功率半导体“车规级”封测产业化项目
（300623） 产期
由上表可知，公司产能爬坡期的设计与同行业可比公司基本一致。公司爬坡
期的设计考虑了公司历史项目经验、未来发展规划及未来的市场波动情况。
③公司市场份额情况与未来市场规模预计
从市场占有率的角度，最近三年公司在半导体分立器件市场的占有率总体而
言较为稳定。根据江苏省半导体行业协会发布的《集成电路产业发展研究报告
（2020）》及中国半导体行业协会发布的《中国半导体产业发展状况报告（2019
年版）》，最近三年公司半导体分立器件市场占有率测算情况如下：
单位：亿只
项目 2020 年度 2019 年度 2018 年度
全国产量 7,818.00 7,446.00 7,471.10
公司产量 114.76 100.38 107.15
市场占有率 1.47% 1.35% 1.43%
数据来源：2018 年来自《中国半导体产业发展状况报告（2019 年版）》，2019 年及 2020
年来自《集成电路产业发展研究报告（2020）》。
由于国际贸易摩擦、新冠疫情导致的半导体供应链的不稳定，汽车产业正逐
步改变原本由国外头部企业垄断零部件供应的模式，开始在供应链中导入国内企
业，以优化供应链建设，应对上述事件的影响。这为国内优质半导体分立器件企
业带来了新的机遇，在汽车电子领域有一定技术储备、市场份额及供应能力稳定
的国内企业，将会受益于国产替代的趋势，成为优先考虑的采购对象。
从未来市场需求来看，在汽车行业持续发展、汽车电动化智能化持续推进的
背景下，汽车半导体分立器件作为汽车电子的基础元器件拥有广阔的市场前景。
根据 QY Research 发布的《2022-2028 全球与中国半导体分立器件市场现状及未
来发展趋势》对于中国半导体分立器件 2022-2028 销售额预测，未来半导体分立
器件的预测销售额与银河微电本次募投项目测算的销售额对比情况如下：
2022 年 2023 年 2024 年 2025 年 2026 年 2027 年 2028 年
8-1-2-27
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
2022 年 2023 年 2024 年 2025 年 2026 年 2027 年 2028 年
半导体分立器件销售额预
966.94 1,098.11 1,202.05 1,305.66 1,404.72 1,498.38 1,595.75
测（亿元）
银河微电募投项目营业收
- 1.22 2.44 3.25 4.06 4.06 4.06
入测算（亿元）
银河微电募投项目营业收
- 0.11% 0.20% 0.25% 0.29% 0.27% 0.25%
入/半导体分立器件销售额
注：QY Research 的销售额预测单位为美元，为简化汇率波动的影响，统一采用 6.5 人
民币/美元的汇率折算为人民币
由上表，本次车规级项目测算的营业收入规模远低于研究机构预测的市场增
长规模，预计未来市场将有充分的空间消化本次车规级项目的产能。
（3）相关预测结果是否具有谨慎性和合理性
从产能规划的角度，公司根据本次项目投入情况，合理规划了各型号产品的
产能；根据公司历史项目经验、未来发展规划及未来的市场波动情况，在收益测
算中设计了相应产能爬坡期。
从未来市场发展的角度，公司作为市场份额稳定、在汽车电子领域起步较早
且有一定储备的优质企业，有望在国产替代的浪潮中成为获益者；未来半导体分
立器件市场预计将拥有广阔的规模，将有充分的空间消化本次车规级项目的产
能。
综上，公司本次车规级项目对于产能的预测结果具有谨慎性和合理性。
4、整体测算结果
基于上述单价及产能的测算，公司本次车规级项目测算的整体内部收益率、
静态投资回收期等指标与同行业上市公司类似投资项目平均水平接近，具体情况
如下：
内部收益率 投资回收期
序号 公司 项目名称 项目毛利率
（税后） （年，税后）
智能终端用超薄微功率半导体
1 扬杰科技（300373） 12.16% 8.04 30.15%
芯片封测项目
新型电力半导体器件产业基地
2 宏微科技（688711） 23.31% 5.61 未披露
项目
年产能 8.9 亿只 MEMS 传感器
3 士兰微（600460） 13.74% 7.14 未披露
扩产项目
8-1-2-28
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
内部收益率 投资回收期
序号 公司 项目名称 项目毛利率
（税后） （年，税后）
4 协昌科技（831954） 运动控制器生产基地建设项目 22.29% 6.14 未披露
捷捷微电 功率半导体“车规级”封测产
5 23.94% 5.77 32.95%
（300623） 业化项目
平均值 19.09% 6.54 31.55%
本项目 18.12% 6.11 28.16%
综上，公司单价和产能的预测结果具有谨慎性和合理性，本次募投项目的效
益指标具有合理性，符合行业惯例。
【中介机构核查情况】
一、核查程序
申报会计师执行了以下主要核查程序（包括但不限）：
1、访谈发行人本次募投项目相关技术的负责人，了解车规级半导体相比其
他领域产品在产品性能等方面的特殊要求，相关要求在原材料、各环节生产工艺
等方面的具体实现方式，与发行人现有、在研及募投项目相关技术的对应关系，
发行人实施本次募投项目的技术基础；了解本次募投项目涉及的产品类型和应用
场景与国内外车规级半导体厂商相比的差异，相关技术相较于国内外厂商的优劣
势；
2、访谈发行人本次募投项目相关产品市场部负责人，了解车规级产品订单
开拓情况；
3、取得本次募投项目的收益测算表，检查车规级小信号器件和功率器件的
单价和产能的具体测算过程；
4、访谈发行人本次募投项目预测数据的相关负责人，了解本次募投项目生
产的车规级小信号器件和功率器件的单价和产能的测算，以及未来市场竞争加
剧、供给增加、技术更新等因素对价格和产能测算的影响，评估相关预测结果谨
慎性和合理性；
5、检索同行业可比公司相关募投项目的公告，查阅《2022-2028 全球与中国
半导体分立器件市场现状及未来发展趋势》、江苏省半导体行业协会发布的《集
8-1-2-29
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
成电路产业发展研究报告（2020）》，了解行业和市场发展情况。
二、核查意见
经核查，申报会计师认为：
1、发行人关于车规级半导体器件相关要求与发行人现有、在研及募投项目
相关技术的对应关系、发行人实施本次募投项目的技术基础的相关说明与我们核
查过程中了解的情况一致；
2、本次募投项目涉及的产品类型和应用场景符合发行人技术水平与能力，
相关技术相较于国内外厂商具有一定优势，也存在尚需突破的技术短板；订单开
拓不存在重大障碍；发行人已在募集说明书中做出相应的风险提示；
3、本次募投项目生产的车规级小信号器件和功率器件的单价和产能的测算
过程合理，充分考虑了未来市场竞争加剧、供给增加、技术更新等因素对价格和
产能的影响，相关预测结果具有谨慎性和合理性。
2.关于现金流量表
根据首轮回复，（1）由于财务人员在编制现金流量表时科目归集失误，发
行人编制的 2021 年 1-9 月合并现金流量表中，投资支付的现金”多计 188,902.37
元，“支付的各项税费”少计 188,902.37 元；（2）由于财务人员编制过程中数
据统计有误，发行人编制的 2021 年 1-9 月合并现金流量表中，“投资支付的现
金”和“收回投资收到的现金”同时少计 104,900.00 万元。其原因是公司财务
人员未将购买、赎回理财产品产生的现金流入和现金流出按照累计金额统计列
示。
请发行人说明：（1）财务人员在编制现金流量表时将 “投资支付的现金”
与 “支付的各项税费”混淆的原因；（2）对上述事项的整改情况，报告期内
是否还存在类似情况，公司的会计基础工作是否规范，内部控制制度是否健全
且有效执行，财务报表的编制和披露是否符合企业会计准则和相关信息披露规
则的规定，是否在所有重大方面公允反映了上市公司的财务状况、经营成果和
现金流量。
8-1-2-30
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
请申报会计师对上述事项进行核查，说明公司是否符合《科创板上市公司
证券发行注册管理办法（试行）》第九条的相关规定，并发表明确意见。
【发行人说明】
一、财务人员在编制现金流量表时将 “投资支付的现金”与 “支付的各
项税费”混淆的原因
财务人员在编制现金流量表时将 “投资支付的现金”与 “支付的各项税费”
混淆的原因，系财务人员工作失误，将子公司常州银河电器有限公司其他流动资
产科目中未交增值税的增加额 188,902.37 元归集在“投资支付的现金”，实际应
计入“支付的各项税费”，由此导致 2021 年 1-9 月合并现金流量表“投资支付
的现金”多计 188,902.37 元，“支付的各项税费”少计 188,902.37 元。
二、对上述事项的整改情况，报告期内是否还存在类似情况，公司的会计
基础工作是否规范，内部控制制度是否健全且有效执行，财务报表的编制和披
露是否符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，是否在所有重大方面公
允反映了上市公司的财务状况、经营成果和现金流量
（一）报告期内是否还存在类似情况
经过全面核查，报告期内 2018 年度、2019 年度、2020 年度不存在“事项（1）
由于财务人员在编制现金流量表时科目归集失误”的情况。
公司在编制 2021 年第一季度报告时，因财务人员工作失误，公式链接有误，
导致 2021 年第一季度母公司现金流量表“投资支付的现金”和“收回投资收到
的现金”同时多计 87,811.00 元。
对于“事项（2）由于财务人员编制过程中数据统计有误，未将购买、赎回
理财产品产生的现金流入和现金流出按照总额法统计列示”，系因公司财务人员
对相关现金流量表准则理解不够准确到位。
2021 年以前，公司为提高资金使用效率，使用暂时闲置的自有资金购买低
风险的银行理财产品，同时为兼顾流动性，大多购买短期的理财产品，购买与赎
回频次较高，年度发生笔数达数百笔，在编制现金流量表时，公司根据《企业会
8-1-2-31
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
计准则第 31 号——现金流量表》相关规定：“第五条 现金流量应当分别按照现
金流入和现金流出总额列报。但是，下列各项可以按照净额列报：（一）……。
（二）周转快、金额大、期限短项目的现金流入和现金流出。（三）……”，对
于持有期间较短、周转快、金额较大的理财产品的购买和赎回以净额法在投资活
动相关的现金流量项目中列示，对于零星发生的持有时间较长或周转较慢的理财
产品的购买和赎回以总额法在投资活动相关的现金流量项目中列示。
在会计师对公司进行 2021 年度审计过程中，公司就此与会计师进行讨论认
为，公司于 2021 年 1 月在科创板首次公开发行股票并上市，募集资金净额 3.86
亿元，随着募集资金的注入，公司现金流充裕，闲置的自有资金规模大幅增加，
为提高资金使用效率与投资收益，公司使用暂时闲置的自有资金和募集资金购买
低风险的银行理财产品，导致 2021 年购买理财产品的规模大幅增加，该等银行
理财产品的持有期间也有所延长且周转频次变慢，对该部分银行理财产品的现金
流量的编制仍然参照以前年度口径的合理性有待商榷。鉴于此，公司经过审慎研
究，考虑谨慎性原则，同时给投资者提供更完整、更充分的现金流量信息，公司
决定从 2021 开始，对该等理财产品的现金流入及流出按总额法在现金流量表相
关项目中列示。
综上，除上述事项（1）与（2）发生在 2021 年之外，报告期内没有出现其
他类似情况。
（二）对上述事项的整改情况
为规范现金流量表的编制和列报，公司组织相关财务人员认真对《企业会计
准则——基本准则》、《企业会计准则第 31 号——现金流量表》等准则进行了
深入学习，认真做好现金流量表的编制工作，杜绝此类情况的再次发生。
2022 年 3 月 15 日，经公司第二届董事会第十六次会议及第二届监事会第十
二次会议审议通过，公司独立董事发表明确同意的独立意见，立信会计师事务所
（特殊普通合伙）出具核查意见，公司披露了《关于定期报告的更正公告》，对
于 2021 年中期报告和季度报告现金流量表因财务人员工作失误以及购买、赎回
理财产品相关的投资活动现金流量项目未按总额法进行了更正，更正后的现金流
量表符合企业会计准则的规定。
8-1-2-32
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
公司将在后续披露的定期报告和财务报表中严格按照《企业会计准则第 31
号——现金流量表》第五条的规定执行。
（三）公司的会计基础工作是否规范，内部控制制度是否健全且有效执行，
财务报表的编制和披露是否符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，是
否在所有重大方面公允反映了上市公司的财务状况、经营成果和现金流量
1、公司的会计基础工作规范，内部控制制度健全且有效执行。
公司建立了与会计核算、财务报告相关的内部控制制度，制度设计合理，且
有效执行。
《常州银河世纪微电子股份有限公司、常州银河电器有限公司财务报告管理
与控制制度》相关规定：
“第三条 公司法定代表人及全体董事对本公司财务报告的真实性、完整性
集体负责。
第四条 公司财务管理部是财务报告编制的归口管理部门，其职责包括制定
年度财务报告编制方案；收集并汇总有关会计信息；编制年度、半年度、季度、
月度财务报告等。
第五条 财务经理及财务总监分别负责财务报表的复核及审核。
第六条 公司各职能部门应当及时向财务管理部提供编制财务报告所需的信
息，并对所提供信息的真实性、完整性负责。
第八条 编制财务报告，以真实的交易和事项以及完整、准确的账簿记录等
资料为依据，并按照有关法律法规、会计准则的编制基础、编制依据、编制原则
和方法进行。对故意漏记或多记、提前确认或推迟确认报告期内发生的交易或事
项的情形，应查明原因并进行处理。
第十三条 编制完成的报表应检查会计报表之间、会计报表各项目之间的勾
稽关系是否正确，重点对以下项目进行校验：
（一）会计报表内有关项目的对应关系；
8-1-2-33
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
（二）会计报表中本期与上期有关数字的衔接关系；
（三）会计报表与附表之间的平衡及勾稽关系。”
公司截至 2020 年 6 月 30 日止与财务报表相关的内部控制有效性业经立信会
计师事务所（特殊普通合伙）鉴证，并由其于 2020 年 9 月 16 日出具信会师报字
[2020]第 ZF10838 号内部控制鉴证报告。公司按照财政部等五部委颁发的《企业
内部控制基本规范》及相关规定于 2020 年 6 月 30 日在所有重大方面保持了与财
务报表相关的有效的内部控制。
公司 2021 年度财务报告内部控制的有效性业经立信会计师事务所（特殊普
通合伙）审计，并由其于 2022 年 3 月 11 日出具信会师报字[2022]第 ZF10084 号
无保留意见内部控制审计报告。公司于 2021 年 12 月 31 日按照《企业内部控制
基本规范》和相关规定在所有重大方面保持了有效的财务报告内部控制。
2、财务报表的编制和披露符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，
在所有重大方面公允反映了上市公司的财务状况、经营成果和现金流量。
公司 2021 年中期报告和季度报告现金流量表更正购买及赎回银行理财产品
相关的投资活动现金流量项目列报事项不影响公司 2021 年中期报告和季度报告
合并资产负债表项目、合并利润表项目，影响合并现金流量表经营活动产生的现
金流量净额-188,902.37 元，金额很小，占 2021 年前三季度合并现金流量表经营
活动产生的现金流量净额比例为-0.26%，不属于重大会计差错更正，不影响财务
报表真实性与财务信息可靠性，公司财务核算基础与内部控制不存在实质性问
题。
公司 2021 年度财务报表业经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，并
由其于 2022 年 3 月 11 日出具信会师报字[2022]第 ZF10083 号无保留意见审计报
告。财务报表的编制和披露符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，在所
有重大方面公允反映了公司的财务状况、经营成果和现金流量。
【中介机构核查情况】
一、核查程序
8-1-2-34
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
申报会计师执行了以下主要核查程序（包括但不限）：
1、对发行人与会计核算、财务报告相关的关键内部控制的设计和执行进行
了解和测试，评价其是否合理且有效；
2、检查发行人现金流量表编制方法是否符合会计准则的相关规定；
3、对公司购买及赎回银行理财产品相关的投资活动现金流量项目执行了重
新计算、与实际业务勾稽检查程序；
4、检查发行人理财产品明细台账、购买凭据、到期后资金收回等情况；
5、获取发行人《关于定期报告的更正公告》、财务相关培训情况，检查整
改情况；
6、检查相关披露是否符合相关信息披露规则的规定。
二、核查意见
经核查，申报会计师认为：
1、财务人员在编制现金流量表时将 “投资支付的现金”与 “支付的各项
税费”混淆的原因系财务人员工作失误，将子公司常州银河电器有限公司其他流
动资产科目中未交增值税的增加额 188,902.37 元也归集在“投资支付的现金”，
应计入“支付的各项税费”，由此导致合并现金流量表“投资支付的现金”多计
188,902.37 元，“支付的各项税费”少计 188,902.37 元；
2、报告期内 2018 年度、2019 年度、2020 年度不存在类似情况；
公司在编制 2021 年第一季度报告时，因财务人员工作失误，公式链接有误，
导致 2021 年第一季度母公司现金流量表“投资支付的现金”和“收回投资收到
的现金”同时多计 87,811.00 元；
3、发行人对上述事项已进行整改，组织相关财务人员认真对《企业会计准
则——基本准则》、《企业会计准则第 31 号——现金流量表》等准则进行了深
入学习，认真做好现金流量表的编制工作，杜绝此类情况的再次发生；
4、发行人的会计基础工作规范，内部控制制度健全且有效执行，财务报表
8-1-2-35
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
的编制和披露符合企业会计准则和相关信息披露规则的规定，在所有重大方面公
允反映了上市公司的财务状况、经营成果和现金流量；
5、发行人符合《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》第九条
的相关规定。
3.关于环评批复
请发行人说明：本次募投项目环评批复当前的办理进展情况，是否存在重
大不确定性，结合上述事项说明本次发行上市是否符合《科创板上市公司证券
发行注册管理办法（试行）》第十二条（二）项的要求。
请保荐机构、发行人律师根据《再融资业务若干问题解答》第 8 问、《上
海证券交易所科创板上市公司证券发行上市审核问答》第 2 问的要求核查并发
表意见。
【发行人说明】
一、本次募投项目环评批复当前的办理进展情况，是否存在重大不确定性，
结合上述事项说明本次发行上市是否符合《科创板上市公司证券发行注册管理
办法（试行）》第十二条（二）项的要求。
（一）本次募投项目已取得环保主管部门下发的环评批复
发行人已于 2022 年 3 月 4 日取得常州国家高新技术产业开发区（新北区）
行政审批局下发的《关于常州银河世纪微电子股份有限公司车规级半导体器件产
业化项目环境影响报告表的批复》（常新行审环表[2022]26 号），批复意见如下：
“根据《报告表》分析及其结论意见，在切实落实各项污染防治措施和事故风险
防范措施的前提下，该项目具有环境可行性。”综上，本次募投项目环评批复不
存在重大不确定性。
（二）本次发行上市符合《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》
第十二条（二）项的要求
《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》第十二条规定：“上市
8-1-2-36
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
公司发行股票，募集资金使用应当符合下列规定：（一）应当投资于科技创新领
域的业务；（二）符合国家产业政策和有关环境保护、土地管理等法律、行政法
规规定；（三）募集资金项目实施后，不会与控股股东、实际控制人及其控制的
其他企业新增构成重大不利影响的同业竞争、显失公平的关联交易，或者严重影
响公司生产经营的独立性。”
1、本次募投项目募集资金使用符合国家产业政策
发行人本次向不特定对象发行可转换公司债券募集资金拟投资“车规级半导
体器件产业化项目”及“补充流动资金”。
发行人主要从事半导体分立器件的研发、生产和销售，所属行业为“C39 计
算机、通信和其他电子设备制造业”。募投项目“车规级半导体器件产业化项目”
将通过购置先进的芯片制造设备、封测设备及车规级半导体分立器件试验和检测
设备，引进专业的研发生产人员，建设涵盖芯片设计、制造和封装测试全流程的
车规级半导体分立器件生产线；募投项目“补充流动资金”主要满足业务规模扩
大带动的营运资金需求、研发投入的资金需求，与公司主营业务密切相关。
《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023 年）》等相关产业政策，
半导体是当前支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性新兴先导产业，而半导
体分立器件行业是半导体行业的重要子行业，受到国家政策的支持和鼓励。长期
以来，我国各部门积极出台相关政策，从全产业链各环节促进半导体分立器件行
业的发展。
综上，本次募投项目募集资金使用符合国家产业政策。
2、本次募投项目募集资金使用符合有关环境保护、土地管理等法律、行政
法规规定
募投项目“车规级半导体器件产业化项目”不涉及土地购置，已于 2021 年
11 月 25 日取得常州国家高新技术产业开发区（新北区）行政审批局下发的《江
苏省投资项目备案证》（常新行审技备[2021]316 号），已于 2022 年 3 月 4 日取
得常州国家高新技术产业开发区（新北区）行政审批局下发的《关于常州银河世
纪微电子股份有限公司车规级半导体器件产业化项目环境影响报告表的批复》
8-1-2-37
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
（常新行审环表[2022]26 号）；募投项目“补充流动资金”不涉及立项、土地、
环保等有关审批、批准或备案事项。
综上，本次发行上市符合《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》
第十二条（二）项的要求。
【中介机构核查情况】
一、本次发行上市募集资金用途符合《再融资业务若干问题解答》第 8 问、
《上海证券交易所科创板上市公司证券发行上市审核问答》第 2 问的要求
（一）本次发行上市募集资金用途符合《再融资业务若干问题解答》第 8
问的要求
序号 相关规定 核查意见
1、经核查，发行人已在《募集说
明书》中披露了募投项目的审批、核准
（一）募投项目是否符合国家产业政策 或备案情况。
的披露和核查要求 2、如上文所述，募投项目符合国
发行人应当在募集说明书或预案中披 家产业政策，保荐机构及发行人律师已
露募投项目的审批、核准或备案情况。 分别在《中信建投证券股份有限公司关
1 保荐机构及发行人律师应当对募投项 于常州银河世纪微电子股份有限公司
目是否符合国家产业政策进行核查并发表 向不特定对象发行可转换公司债券之
意见。如果募投项目不符合国家产业政策 发行保荐书》《国浩律师（南京）事务
的，保荐机构及发行人律师应当审慎发表意 所关于常州银河世纪微电子股份有限
见。 公司向不特定对象发行可转换公司债
券之律师工作报告》等文件中就募投项
目符合国家产业政策发表了意见。
（二）原则上，募集资金投资后不得新 经核查，募集资金投资项目不涉及
2 增过剩产能或投资于限制类、淘汰类项 新增过剩产能，不属于《产业结构调整
目 指导目录》中的限制类、淘汰类项目。
（三）关于境外投资……保荐机构及发
行人律师应当对境外投资的境内审批是否
3 已全部取得，本次对外投资项目是否符合国 不适用
家法律法规政策的规定进行核查并发表意
见
（二）本次发行上市募集资金用途符合《上海证券交易所科创板上市公司证
券发行上市审核问答》第 2 问的要求
序号 相关规定 核查意见
（一）上市公司募集 如上文所述，募投项目“车规级半导体器件产业化
资金应服务于实体经济， 项目”的实施有利于强化公司 IDM 经营能力，优化公司
1 符合国家产业政策，主要 产品结构，推动公司主营业务的进一步发展，巩固和提
投向科技创新领域。募集 高公司核心竞争优势，增强公司盈利能力；“补充流动
资金投向不得用于持有交 资金”主要满足业务规模扩大带动的营运资金需求、研
8-1-2-38
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
易性金融资产和可供出售 发投入的资金需求，均与公司主营业务密切相关。
金融资产、借予他人、委 综上，公司本次募集资金投资项目紧密围绕公司主
托理财等财务性投资和类 营业务开展，募集资金服务于实体经济，募集资金投向
金融业务。 符合国家产业政策，主要投向科技创新领域，未用于持
有交易性金融资产和可供出售金融资产、借予他人、委
托理财等财务性投资和类金融业务。
（二）上市公司应当
充分披露本次募集资金投
资项目（以下简称本次募
1、经核查，发行人已在《募集说明书》中披露了本
投项目）的准备和进展情
次募集资金投资项目的准备和进展情况、实施本次募投
况、实施本次募投项目的
项目的能力储备情况、预计实施时间、整体进度计划以
2 能力储备情况、预计实施
及本次募投项目的实施障碍或风险等。
时间、整体进度计划以及
2、如上文所述，本次募投项目实施不存在重大不确
本次募投项目的实施障碍
定性。
或风险等。原则上，本次
募投项目实施不应存在重
大不确定性。
（三）上市公司召开
1、经核查，发行人召开董事会审议再融资时，已投
董事会审议再融资时，已
入的资金未列入募集资金投资构成。
投入的资金不得列入募集
2、经核查，发行人已经制订了募集资金管理相关制
资金投资构成。募集资金
3 度，本次发行可转换公司债券的募集资金将存放于公司
应当专户存储，不得存放
董事会指定的募集资金专项账户（即募集资金专户）中，
于上市公司控股股东或实
不存在存放于上市公司控股股东或实际控制人控制的财
际控制人控制的财务公
务公司的情形。
司。
（四）保荐机构应当
就本次募集资金投向是否 1、经核查，保荐机构已在《中信建投证券股份有限
属于科技创新领域出具专 公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司本次募集资
项核查意见，同时重点就 金投向属于科技创新领域的专项意见》中就本次募集资
本次募投项目实施的准备 金投向是否属于科技创新领域出具了专项核查意见，并
情况、是否存在重大不确 在《中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微电
定性或重大风险、上市公 子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券之发
4
司是否具备实施募投项目 行保荐书》等文件中重点就本次募投项目实施的准备情
的能力进行详细核查并发 况、是否存在重大不确定性或重大风险、上市公司是否
表意见。保荐机构应督促 具备实施募投项目的能力进行了详细核查并发表意见。
上市公司以客观清晰、简 2、经查阅《募集说明书》等文件，发行人已以客观
明易懂的语言对募投项目 清晰、简明易懂的语言对募投项目进行描述，不存在夸
进行描述，不得夸大其词， 大其词或有误导性陈述的情形。
不得有误导性陈述。
综上所述，本次发行上市募集资金用途符合《再融资业务若干问题解答》第
8 问、《上海证券交易所科创板上市公司证券发行上市审核问答》第 2 问的要求。
二、本次募投、公司现有生产、在研与未来拟开发的所有产品均不涉及《环
境保护综合名录（2021 年版）》中规定的高污染、高环境风险产品
（一）关于“半导体电路板器件”的分析
8-1-2-39
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
发行人主营业务为半导体分立器件研发、生产和销售。根据《国民经济行业
分类》国家标准（GB/T4754-2017），公司所属行业为“C39 计算机、通信和其
他电子设备制造业”下的“C3972 半导体分立器件制造业”。经查阅《环境保
护综合名录（2021 年版）》中的“高污染、高环境风险”产品名录，与半导体
分立器件制造相关的产品为序号第 923 项列示的“半导体电路板器件”。
经核查，“半导体电路板器件”系以电路板作为承载芯片与连接上层芯片和
下层电路板的载体，主要用于采用该种封装结构的高密度引脚类集成电路产品。
（二）发行人现有产品不涉及“半导体电路板器件”
公司主营业务为半导体分立器件研发、生产和销售。经访谈公司研发团队相
关人员，公司产品主要是半导体分立器件，同时还生产车用 LED 灯珠、光电耦
合器等光电器件和少量的三端稳压电路、线性恒流 IC 等其他电子器件，其处理
的电流电压较高、散热要求高，引脚数较少，因而并非以电路板为载体，而是以
金属引线框架作为芯片的载体，故发行人现有产品不涉及“半导体电路板器件”。
综上，发行人现有产品不涉及《环境保护综合名录（2021 年版）》中规定
的高污染、高环境风险产品。
（三）发行人在研项目不涉及“半导体电路板器件”类产品
经核查，发行人在研项目主要如下：
是否涉及“半导体电路
序号 项目名称
板器件”类产品
1 CSP 封装 ESD 保护器件开发 不涉及
2 MOS 继电器光耦封装开发 不涉及
3 薄膜光伏用旁路二极管产品研发 不涉及
4 车用新型固态光源分立器件开发 不涉及
5 大电流功率器件新结构封装技术的研发项目 不涉及
6 第三代半导体功率器件封装研究 不涉及
7 高可靠性 OJ 产品开发 不涉及
8 高密度功率二极管封装开发 不涉及
9 高耐温变能力关键工艺及产品研发 不涉及
10 功率器件产品质量水平能力提升研究 不涉及
11 可见光传感器的开发 不涉及
12 平面玻璃电泳工艺研究及产品开发 不涉及
8-1-2-40
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
是否涉及“半导体电路
序号 项目名称
板器件”类产品
13 软恢复特性高耐久芯片工艺的开发 不涉及
14 微型器件及光耦高密度封装开发 不涉及
15 新型微型器件开发 不涉及
16 智能芯片和功率模块研发 不涉及
根据发行人提供的说明并经核查，发行人在研项目主要为研发半导体分立器
件产品，及半导体分立器件的芯片、封测技术的研发，不涉及研发“半导体电路
板器件”类产品。
综上，发行人在研项目不涉及《环境保护综合名录（2021 年版）》中规定
的高污染、高环境风险产品。
（四）发行人募投项目不涉及“半导体电路板器件”类产品
如上文所述，发行人募投项目“车规级半导体器件产业化项目”将通过购置先
进的芯片制造设备、封测设备及车规级半导体分立器件试验和检测设备，引进专
业的研发生产人员，建设涵盖芯片设计、制造和封装测试全流程的车规级半导体
分立器件生产线；募投项目“补充流动资金”主要满足业务规模扩大带动的营运
资金需求、研发投入的资金需求，均不涉及生产“半导体电路板器件”类产品。
综上，发行人募投项目不涉及《环境保护综合名录（2021 年版）》中规定
的高污染、高环境风险产品。
（五）发行人未来拟开发的产品不涉及“半导体电路板器件”类产品
根据发行人提供的说明并经核查，发行人主要聚焦于半导体分立器件产品，
未来研发方向主要为尺寸更小的半导体分立器件及封装，功率更大的半导体分立
器件及封装、智能芯片及 IPM 功率模块等产品，不涉及生产“半导体电路板器
件”类产品。
综上，发行人未来拟开发的产品不涉及《环境保护综合名录（2021 年版）》
中规定的高污染、高环境风险产品。
三、发行人及其控股子公司、参股公司未从事房地产业务
根据《中华人民共和国城市房地产管理法》第三十条的规定，房地产开发企
业是以营利为目的，从事房地产开发和经营的企业。根据《城市房地产开发经营
8-1-2-41
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
管理条例》第二条的规定，房地产开发经营，是指房地产开发企业在城市规划区
内国有土地上进行基础设施建设、房屋建设，并转让房地产开发项目或者销售、
出租商品房的行为。根据《房地产开发企业资质管理规定》第三条的规定，房地
产开发企业应当按照本规定申请核定企业资质等级。未取得房地产开发资质等级
证书的企业，不得从事房地产开发经营业务。
经核查，发行人及其控股子公司、参股公司经营范围如下：
经营范围是 是否具备房
与发行人关
序号 公司名称 经营范围 主营业务 否包含房地 地产开发资
系
产业务 质
片式二极管、半导体分立器件、集成电路、
半导体分
光电子器件及其他电子器件、电力电子元器
常州银河世纪微电 立器件研
1 发行人 件、半导体芯片及专用材料的制造。（依法 否 否
子股份有限公司 发、生产和
须经批准的项目，经相关部门批准后方可开
销售
展经营活动）
电器产品及其电子元器件，煤气抄表系统的 半导体功
常州银河电器有限 发行人全资子 制造及安装服务；自营和代理各类商品和技 率器件及
2 否 否
公司 公司 术的进出口业务（国家限定公司经营或禁止 芯片研发、
进出口的商品和技术除外） 生产、销售
电子产品、半导体二极管、三极管、桥式整
流器及其他电子元器件、普通机械及配件、
常州银微隆电子有 发行人全资子 电子产品
3 1 电感线圈、开关电源、汽车零配件的销售； 否 否
限公司 公司 销售
商务信息咨询服务。（依法须经批准的项目，
经相关部门批准后方可开展经营活动）
生产经营片式二极管；轴向二极管等电子元
发行人全资子 器件；销售自产产品、锂离子电池组件产品、
轴向功率
泰州银河寰宇半导 公司常州银河 锂离子电池产品、电池充电器产品、微电脑
4 二极管的 否 否
体有限公司 电器有限公司 控制器产品的研发、组装生产、销售及技术
生产、销售
之全资子公司 服务。（依法须经批准的项目，经相关部门
批准后方可开展经营活动）
1
已于 2021 年 12 月 7 日注销。
8-1-2-42
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
经营范围是 是否具备房
与发行人关
序号 公司名称 经营范围 主营业务 否包含房地 地产开发资
系
产业务 质
许可项目：货物进出口；技术进出口。（依
法须经批准的项目，经相关部门批准后方可
开展经营活动，具体经营项目以相关部门批
准文件或许可证件为准）一般项目：从事半
导体科技、电子科技、工业自动化科技、计
发行人参股公 算机科技、光电科技领域内的技术服务、技
功率半导
上海优曜半导体科 司，发行人持 术开发、技术咨询、技术转让；集成电路芯
5 体芯片研 否 否
技有限公司 有其 35%的股 片设计及服务；集成电路芯片及产品销售；
发、销售
权 半导体器件专用设备销售；半导体分立器件
销售；电力电子元器件销售；光通信设备销
售；通讯设备销售；电子产品销售；软件开
发；知识产权服务（专利代理服务除外）。
（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依
法自主开展经营活动）
半导体，电
子产品，集
半导体，电子产品，集成电路，计算机、软
成电路，计
件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用
发行人参股公 算机、软件
产品）销售，从事集成电路、计算机软件领
上海数明半导体有 司，发行人持 及辅助设
6 域内的技术开发、技术咨询、技术服务，从 否 否
限公司 有其 1.1494% 备（除计算
事货物进出口及技术进出口业务。【依法须
的股权 机信息系
经批准的项目，经相关部门批准后方可开展
统安全专
经营活动】
用产品）销
售
此外，根据发行人出具的承诺，“截至本承诺函出具之日，本公司及控股子
公司、参股公司不属于房地产开发企业，未取得房地产开发企业资质等级证书，
不具备房地产开发企业资质，亦不存在需要房地产开发企业资质的情形；本公司
及控股子公司、参股公司未开展房地产业务，没有正在开发的房地产项目，不存
在房地产业务收入。”
综上，发行人及其控股子公司、参股公司未从事房地产业务。
四、核查程序与核查意见
（一）核查程序
1、查阅常州国家高新技术产业开发区（新北区）行政审批局就发行人募投
8-1-2-43
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
项目下发的环评批复；
2、查阅《募集说明书》《中信建投证券股份有限公司关于常州银河世纪微
电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券之发行保荐书》《中信建投
证券股份有限公司关于常州银河世纪微电子股份有限公司本次募集资金投向属
于科技创新领域的专项意见》等文件；
3、访谈发行人研发部门相关人员并取得发行人出具的说明；
4、查询国家企业信用信息公示系统公示信息，以及发行人及其控股子公司、
参股公司的公司章程、营业执照；
5、查阅公司定期报告及其他相关公告文件、审计报告等；
6、取得发行人就未从事房地产业务相关事宜出具的承诺。
（二）核查意见
经核查，保荐机构、发行人律师认为：
1、发行人已于 2022 年 3 月 4 日取得本次募投项目“车规级半导体器件产业
化项目”的环评批复，本次募投项目环评批复不存在重大不确定性，本次发行上
市符合《科创板上市公司证券发行注册管理办法（试行）》第十二条（二）项的
要求；
2、本次发行上市募集资金用途符合《再融资业务若干问题解答》第 8 问、
《上海证券交易所科创板上市公司证券发行上市审核问答》第 2 问的要求；
3、发行人本次募投、公司现有生产、在研与未来拟开发的所有产品均不涉
及《环境保护综合名录（2021 年版）》中规定的高污染、高环境风险产品。
4、发行人及其控股子公司、参股公司未从事房地产业务。
8-1-2-44
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
保荐机构总体意见
对本回复材料中的公司回复（包括补充披露和说明的事项），本机构均已进
行核查，确认并保证其真实、完整、准确。
8-1-2-45
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
（本页无正文，为《关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发
行可转换公司债券申请文件第二轮审核问询函的回复报告》之盖章页）
常州银河世纪微电子股份有限公司
年 月 日
8-1-2-46
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
关于本次审核问询函回复报告的声明
本人作为常州银河世纪微电子股份有限公司的董事长，现就本次审核问询函
的回复报告郑重声明如下：
“本人已认真阅读常州银河世纪微电子股份有限公司本次审核问询函回复
报告的全部内容，确认审核问询函回复报告不存在虚假记载、误导性陈述或者重
大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。”
发行人董事长：__________________
杨森茂
常州银河世纪微电子股份有限公司
年 月 日
8-1-2-47
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
（本页无正文，为《关于常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发
行可转换公司债券申请文件第二轮审核问询函的回复报告》之签章页）
保荐代表人：__________________ __________________
宣 言 王家海
中信建投证券股份有限公司
年 月 日
8-1-2-48
常州银河世纪微电子股份有限公司 第二轮审核问询函的回复报告
关于本次审核问询函回复报告的声明
本人作为常州银河世纪微电子股份有限公司保荐机构中信建投证券股份有
限公司的董事长，现就本次审核问询函的回复报告郑重声明如下：
“本人已认真阅读常州银河世纪微电子股份有限公司本次审核问询函回复
报告的全部内容，了解报告涉及问题的核查过程、本公司的内核和风险控制流程，
确认本公司按照勤勉尽责原则履行核查程序，审核问询函的回复报告不存在虚假
记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性承担
相应法律责任。”
法定代表人/董事长签名：__________________
王常青
中信建投证券股份有限公司
年 月 日
8-1-2-49