协昌科技:关于公司取得发明专利证书的公告2023-12-26
证券代码:301418 证券简称:协昌科技 公告编码: 2023-061
江苏协昌电子科技股份有限公司
关于公司取得发明专利证书的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚假记载、误
导性陈述或重大遗漏。
江苏协昌电子科技股份有限公司(以下简称“公司”)于近日获得国家知识
产权局授予的两项发明专利证书,专利证书具体情况如下:
一种低功耗屏 张家港凯思半导
蔽栅型半导体 ZL 2019 1 体有限公司,江
1 2019年05 2023年12 苏协昌电子科技
发明专利 第6569557号
功率器件及其 0376360.4 月07日 月19日 股份有限公司,
制备方法 张家港凯诚软件
科技有限公司
一种低栅极内
ZL 2023 1
2 阻屏蔽栅沟槽 2023年07 2023年12 张家港凯思半导
0916422.2 发明专利 第6569525号
月25日 月19日 体有限公司
MOSFET
注:专利权自授权公告之日起生效。专利权期限为二十年,自申请日起算。
(一)发明专利“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”涉及
到一种半导体功率器件,尤其是一种具有低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制
备方法。本发明所解决的技术问题是:提供一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件,
避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤,提高了栅极氧化层的可靠性。且引入沟槽
底部的浮置阱结构,提高了器件的耐压能力。
(二)发明专利“一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET”涉及到一种屏蔽栅
沟槽MOSFET,尤其涉及到一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。本发明所解决
的技术问题是:提供一种通过对其沟槽中内部结构的改进来降低栅极内阻的低栅
极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。
上述两项发明专利为公司自主研发。上述专利的取得不会对公司生产经营造
成重大影响,但有利于公司进一步完善知识产权保护体系,发挥自主知识产权优
势,并形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。
特此公告。
江苏协昌电子科技股份有限公司
董事会
2023年12月26日