证券代码：301418            证券简称：协昌科技                公告编码：   2023-061


                         江苏协昌电子科技股份有限公司
                        关于公司取得发明专利证书的公告


    本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误
导性陈述或重大遗漏。


         江苏协昌电子科技股份有限公司（以下简称“公司”）于近日获得国家知识
     产权局授予的两项发明专利证书，专利证书具体情况如下：




    一种低功耗屏                                                 张家港凯思半导
    蔽栅型半导体 ZL 2019 1                                       体有限公司，江
1                              2019年05   2023年12               苏协昌电子科技
                                                      发明专利                     第6569557号
    功率器件及其 0376360.4      月07日     月19日                股份有限公司，
     制备方法                                                    张家港凯诚软件
                                                                 科技有限公司
    一种低栅极内
                   ZL 2023 1
2   阻屏蔽栅沟槽               2023年07    2023年12              张家港凯思半导
                   0916422.2                          发明专利                     第6569525号
                                月25日      月19日                 体有限公司
      MOSFET

     注：专利权自授权公告之日起生效。专利权期限为二十年，自申请日起算。

         （一）发明专利“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”涉及
     到一种半导体功率器件，尤其是一种具有低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制
     备方法。本发明所解决的技术问题是：提供一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件，
     避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤，提高了栅极氧化层的可靠性。且引入沟槽
     底部的浮置阱结构，提高了器件的耐压能力。

         （二）发明专利“一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET”涉及到一种屏蔽栅
     沟槽MOSFET，尤其涉及到一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。本发明所解决
     的技术问题是：提供一种通过对其沟槽中内部结构的改进来降低栅极内阻的低栅
     极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。
    上述两项发明专利为公司自主研发。上述专利的取得不会对公司生产经营造
成重大影响，但有利于公司进一步完善知识产权保护体系，发挥自主知识产权优
势，并形成持续创新机制，保持技术领先地位，提升公司的核心竞争力。

    特此公告。

                                         江苏协昌电子科技股份有限公司

                                                               董事会

                                                       2023年12月26日