中信建投证券股份有限公司
关于常州银河世纪微电子股份有限公司
2023 年度持续督导年度报告书
保荐机构名称：中信建投证券股份 被保荐公司名称：常州银河世纪微电子股
有限公司 份有限公司
联系方式：021-68801584
保荐代表人姓名：宣言 联系地址：上海市浦东南路 528 号上海证
券大厦北塔 2203 室
联系方式：021-68801574
保荐代表人姓名：王家海 联系地址：上海市浦东南路 528 号上海证
券大厦北塔 2203 室
经中国证券监督管理委员会（简称“中国证监会”）于 2020 年 12 月 23 日出
具《关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》
（证监许可〔2020〕3566 号）同意注册，常州银河世纪微电子股份有限公司（以
下简称“银河微电”、“公司”）首次向社会公开发行人民币普通股（A 股）3,210
万股，每股面值 1.00 元，每股发行价格 14.01 元，募集资金总额 449,721,000.00
元 ， 扣 除 总 发 行 费 用 （ 不 含 增 值 税 ） 63,604,175.47 元 后 , 募 集 资 金 净 额 为
386,116,824.53 元。
经中国证券监督管理委员会于 2022 年 6 月 11 日下发的证监许可[2022]1180
号文“关于同意常州银河世纪微电子股份有限公司向不特定对象发行可转换公司
债券注册的批复”同意注册，公司向不特定对象发行可转换公司债券应募集资金
人民币 500,000,000.00 元，扣除承销及保荐费用人民币 6,603,773.58 元（不含税），
实际收到可转换公司债券认购资金人民币 493,396,226.42 元，其中，律师、审计
及验资、资信评级、信息披露及发行手续费等其他发行费用不含税金额合计
1,994,339.63 元，实际募集资金净额为人民币 491,401,886.79 元。
中信建投证券股份有限公司（简称“中信建投证券”、“保荐机构”）担任银
河微电首次公开发行股票和向不特定对象发行可转换公司债券的保荐机构。根据
《证券发行上市保荐业务管理办法》，由中信建投证券完成持续督导工作。根据
《证券发行上市保荐业务管理办法》和《上海证券交易所上市公司自律监管指引
第 11 号——持续督导》，中信建投证券出具本持续督导年度报告书。
一、持续督导工作情况
序号 工作内容 持续督导情况
建立健全并有效执行持续督导工作制度， 本保荐机构已建立健全并有效执行了
1 并针对具体的持续督导工作制定相应的工 持续督导工作制度，并制定了相应的工
作计划。 作计划。
根据中国证监会相关规定，在持续督导工 本保荐机构于2020年3月及2021年12
作开始前，与上市公司或相关当事人签署 月与银河微电签订《保荐协议》，协议
2
持续督导协议，明确双方在持续督导期间 明确了双方在持续督导期间的权利和
的权利义务，并报上海证券交易所备案。 义务，并报上海证券交易所备案。
本保荐机构通过日常沟通、定期或不
通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽 定期回访、现场检查等方式，了解银
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职调查等方式开展持续督导工作。 河微电经营及规范运作等情况，对银
河微电开展持续督导工作。
持续督导期间，按照有关规定对上市公司 银河微电在2023年1月1日至2023年12
违法违规事项公开发表声明的，应于披露 月31日期间（以下简称“本持续督导
4
前向上海证券交易所报告，经上海证券交 期间”）未发生按有关规定需保荐机构
易所审核后在指定媒体上公告。 公开发表声明的违法违规情况。
持续督导期间，上市公司或相关当事人出
现违法违规、违背承诺等事项的，应自发 本持续督导期间，银河微电及相关当
5 现或应当发现之日起五个工作日内向上海 事人未发生违法违规或违背承诺等事
证券交易所报告，报告内容包括上市公司 项。
或相关当事人出现违法违规、违背承诺等
事项的具体情况，保荐机构采取的督导措 本持续督导期间，银河微电及其董事、
督导上市公司及其董事、监事、高级管理
监事、高级管理人员遵守法律、法规、
人员遵守法律、法规、部门规章和上海证
6 部门规章和上海证券交易所发布的业
券交易所发布的业务规则及其他规范性文
务规则及其他规范性文件，并切实履
件，并切实履行其所做出的各项承诺。
行其所做出的各项承诺。
督导上市公司建立健全并有效执行公司治
在本持续督导期间，银河微电依照相
理制度，包括但不限于股东大会、董事会、
7 关规定进一步健全公司治理制度，并
监事会议事规则以及董事、监事和高级管
严格执行相关公司治理制度。
理人员的行为规范等。
督导上市公司建立健全并有效执行内控制
度，包括但不限于财务管理制度、会计核
本持续督导期间，银河微电的内控制
算制度和内部审计制度，以及募集资金使
8 度符合相关法规要求并得到了有效执
用、关联交易、对外担保、对外投资、衍
行，能够保证公司的规范运行。
生品交易、对子公司的控制等重大经营决
策的程序与规则等。
序号 工作内容 持续督导情况
督导公司建立健全并有效执行信息披露制
度，审阅信息披露文件及其他相关文件并
在本持续督导期间，银河微电严格执
9 有充分理由确信上市公司向上海证券交易
行信息披露制度。
所提交的文件不存在虚假记载、误导性陈
述或重大遗漏 。
对上市公司的信息披露文件及向中国证监
会、上海证券交易所提交的其他文件进行
事前审阅，对存在问题的信息披露文件应
及时督促上市公司予以更正或补充，上市
在本持续督导期间，上市公司未发生
公司不予更正或补充的，应及时向上海证
信息披露文件及向中国证监会、上海
10 券交易所报告。
证券交易所提交的其它文件存在问
对上市公司的信息披露文件未进行事前审 题，而不予更正或补充的情况。
阅的，应在上市公司履行信息披露义务后
五个交易日内，完成对有关文件的审阅工
作对存在问题的信息披露文件应及时督促
上市公司更正或补充，上市公司不予更正
关注上市公司或其控股股东、实际控制人、
董事、监事、高级管理人员受到中国证监
本持续督导期间，银河微电及其控股
会行政处罚、上海证券交易所纪律处分或
11 股东、实际控制人、董事、监事、高
者被上海证券交易所出具监管关注函的情
级管理人员未发生该等事项。
况，并督促其完善内部控制制度，采取措
施予以纠正。
持续关注上市公司及控股股东、实际控制
本持续督导期间，银河微电及其控股
人等履行承诺的情况，上市公司及控股股
12 股东、实际控制人等不存在未履行承
东、实际控制人等未履行承诺事项的，及
诺的情况。
时向上海证券交易所报告。
关注公共传媒关于上市公司的报道，及时
针对市场传闻进行核查。经核查后发现上
市公司存在应披露未披露的重大事项或与 本持续督导期间，银河微电不存在应
13 披露的信息与事实不符的，应及时督促上 披露未披露的重大事项或与披露的信
市公司如实披露或予以澄清；上市公司不 息与事实不符的情况。
予披露或澄清的，应及时向上海证券交易
所报告。
序号 工作内容 持续督导情况
发现以下情形之一的，保荐机构应督促上
市公司做出说明并限期改正，同时向上海
证券交易所报告：（一）上市公司涉嫌违反
《上市规则》等上海证券交易所相关业务
规则；（二）证券服务机构及其签名人员出
具的专业意见可能存在虚假记载、误导性 本持续督导期间，银河微电未发生相
14
陈述或重大遗漏等违法违规情形或其他不 关情况。
当情形；（三）上市公司出现《保荐办法》
第七十一条、第七十二条规定的情形；（四）
上市公司不配合保荐机构持续督导工作；
（五）上海证券交易所或保荐机构认为需
要报告的其他情形。
制定对上市公司的现场检查工作计划，明
确现场检查工作要求，确保现场检查工作
质量。上市公司出现以下情形之一的，应
自知道或应当知道之日起十五日内或上海
证券交易所要求的期限内，对上市公司进
行专项现场检查：（一）存在重大财务造假 本保荐机构已制定了现场检查的相关
15 嫌疑；（二）控股股东、实际控制人及其关 工作计划，并明确了现场检查工作要
联人涉嫌资金占用；（三）可能存在重大违 求。
规担保；（四）控股股东、实际控制人及其
关联人、董事、监事或者高级管理人员涉
嫌侵占上市公司利益；（五）资金往来或者
现金流存在重大异常；（六）上海证券交易
所要求的其他情形。
本持续督导期间，银河微电不存在未
16 持续关注上市公司的承诺履行情况。 履行承诺的情况，本保荐机构将持续
关注上市公司的承诺履行情况。
二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
在本持续督导期间，保荐机构和保荐代表人未发现银河微电存在重大问题。
三、重大风险事项
在本持续督导期间，公司主要的风险事项如下：
（一）核心竞争力风险
1、新产品开发风险
半导体产业的下游是各类电子电器产品，随着终端产品在例如轻薄化、高功
率密度等方面要求的不断提高，以及汽车电子、工业控制等新的应用场景不断涌
现，客户对公司不断优化现有产品性能并根据其提出的要求进行新产品开发的能
力要求较高。
在产品优化及开发过程中，公司需要根据客户要求进行器件整体设计，包括
芯片的性能指标、结构，所采用的封装规格，芯片与封装的结合工艺以及成品检
测方法等，对公司技术能力要求较高，同时还需保证产品具有较好的成本效益。
如公司无法持续满足客户对新产品开发的要求，将造成公司业绩增长放缓，对盈
利能力造成负面影响。
2、技术研发不及预期风险
公司依靠核心技术开展生产经营，只有不断推进新的芯片结构和生产工艺、
封装规格、测试技术等方面的储备技术的研发，才能为公司在进行产品设计时提
供更大的技术空间和多工艺平台的可能性，以便更好的满足客户需求。
公司主要依靠自主研发形成核心技术，但由于分立器件是多种学科技术的复
合产品，技术复杂程度高，新技术从研发至产业化的过程具有费用投入大、研发
周期长、结果不确定性高等特点。另外，由于基础技术的研发课题、研发方向具
备一定的前瞻性、先导性，研发成果存在着一定的市场化效果不及预期，或被国
外已有技术替代的风险。因此，如果公司的研发活动未取得预期结果，或者研发
结果产业化进程不及预期，将使公司大额研发投入无法实现成果转化，影响公司
经营业绩。
3、核心技术人员流失及技术泄密风险
半导体分立器件行业是技术密集型行业，公司的产品性能、创新能力、新产
品开发均依赖于稳定的技术团队以及自主创新能力，如果公司核心技术人员流失
或发生核心技术泄密的情况，就很有可能会削弱公司的市场竞争能力，影响公司
在行业内的竞争地位。
（二）经营风险
1、原材料价格波动风险
报告期内，公司材料成本占成本的比例较高，对公司毛利率的影响较大。公
司所需的主要原材料价格与硅、铜、石油等大宗商品价格关系密切，受到市场供
求关系、国家宏观调控、国际地缘政治等诸多因素的影响。如果上述原材料价格
出现大幅波动，将直接导致公司产品成本出现波动，进而影响公司的盈利能力。
2、环保风险
公司生产过程中会产生废水、废气、废渣等污染性排放物，如果处理不当会
污染环境，产生不良后果。公司已严格按照有关环保法规及相应标准对上述污染
性排放物进行了有效治理，使“三废”的排放达到了环保规定的标准，各项目也
通过了有关部门的环评审批，但随着国家和社会对环境保护的日益重视，相关部
门可能颁布和采用更高的环保标准，将进一步加大公司在环保方面的投入，增加
公司的经营成本，从而影响公司的经营业绩。
3、固定资产折旧的风险
随着扩建项目的陆续投产使用，将新增较大量的固定资产，使得新增折旧及
摊销费用较大。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，
则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。
（三）财务风险
1、存货损失风险
报告期末，公司存货账面价值为 16,549.79 万元，占资产总额的比例为 8.32%。
公司订单具有“小批量、多批次、交期短和定制化”的特点，在公司根据客户订
单排产后，部分下游客户会根据其自身生产计划调整采购需求，导致公司部分存
货处于呆滞状态。对由于客户暂缓或取消订单导致呆滞的存货、公司根据可变现
净值对其余存货进行减值测试，计提跌价准备。同时，公司针对部分客户的订单
排程需求，先将产成品发送至客户端寄存仓库，待客户实际领用并与公司对账确
认后确认收入，在确认收入前，作为公司的发出商品核算。由于该部分存货脱离
公司直接管理，尽管公司与客户建立了健全的风险防范机制，但在极端情况下依
然存在存货毁损、灭失的风险。
未来随着公司业务规模的不断扩大，存货余额可能相应增加。较大的存货余
额可能影响公司的资金周转率，也可能使得存货的报废和跌价损失增加，从而对
公司经营业绩造成不利影响。
2、应收账款回收风险
虽然公司应收账款债务方主要为资信良好、实力雄厚的公司等，应收账款有
较好的回收保障，形成坏账损失的风险较小，公司也已按照会计准则的要求建立
了稳健的坏账准备计提政策。但如果公司应收账款持续大幅上升，若公司客户因
宏观经济波动或其自身经营原因，出现财务状况恶化、无法按期付款的情况，则
将会加大公司应收账款坏账风险，从而对公司的经营稳定性、资金状况和盈利能
力产生不利影响。
（四）行业风险
1、与国际领先企业存在技术差距的风险
目前公司在部分高端市场的研发实力、工艺积累、产品设计与制造能力及品
牌知名度等各方面与英飞凌、安森美、罗姆、德州仪器等厂商相比存在技术差距。
未来如果公司不能及时准确地把握市场需求和技术发展趋势，无法持续研发出具
有商业价值、符合下游市场需求的新产品，缩小与同行业国际领先水平的技术差
距，则无法拓展高性能要求领域的收入规模，将对公司未来进一步拓展汽车电子、
智能移动终端、可穿戴设备等新兴市场产生不利影响，甚至部分传统产品存在被
迭代的风险。
2、市场竞争风险
国际市场上，经过 60 余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表
的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企
业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于
国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断汽车电子、工业控制、医疗设
备等利润率较高的应用领域。国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于
充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快
的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如
果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降
的风险。
3、产业政策变化的风险
在产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国半导体分立器件行业整体的
技术水平、生产工艺、自主创新能力和技术成果转化率有了较大的提升。如果国
家降低对相关产业扶持力度，将不利于国内半导体分立器件行业的技术进步，加
剧国内市场对进口半导体分立器件的依赖，进而对公司的持续盈利能力及成长性
产生不利影响。
（五）宏观环境风险
1、宏观经济波动风险
半导体分立器件行业是电子器件行业的子行业，电子器件行业渗透于国民经
济的各个领域，行业整体波动与宏观经济形势具有较强的关联性。公司产品广泛
应用于计算机及周边设备、家用电器、网络通信、汽车电子等下游领域，如果宏
观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影
响，半导体分立器件行业的景气度也将随之受到影响。下游行业的波动和低迷会
导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到不利
影响，进而影响公司盈利水平。
2、国际经贸摩擦波动风险
国际经贸关系随着国家之间政治关系的发展和国际局势的变化而不断变化，
经贸关系的变化对于宏观经济发展以及特定行业景气度可以产生深远影响。在全
球主要经济体增速放缓的背景下，贸易保护主义及国际经贸摩擦的风险仍然存在，
国际贸易政策存在一定的不确定性，如未来发生大规模经贸摩擦，可能影响境外
客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。
3、税收优惠政策变动的风险
公司享受的税收优惠主要包括高新技术企业所得税率优惠、部分项目加计扣
除等。公司及子公司银河电器均系高新技术企业，公司分别于 2016 年 11 月、2019
年 12 月、2022 年 11 月通过审批被认定为高新技术企业，子公司银河电器分别
于 2017 年 11 月、2020 年 12 月、2023 年 12 月通过审批被认定为高新技术企业，
因此报告期内公司、银河电器减按 15%的税率征收企业所得税。如果未来未取得
高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策发生变化，将会对公司业绩
产生一定影响。
4、汇率波动的风险
报告期内，公司出口销售收入占主营业务收入比例超过 25%。公司境外销售
货款主要以美元结算，汇率的波动给公司业绩带来了一定的不确定性。近年来我
国央行不断推进汇率的市场化进程、增强汇率弹性，汇率的波动将影响公司以美
元标价外销产品的价格水平及汇兑损益，进而影响公司经营业绩。
四、重大违规事项
在本持续督导期间，银河微电不存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2023 年，公司主要财务数据如下所示：
单位：元
本期比上年同期增减
主要会计数据 2023 年 2022 年
（%）
营业收入 695,265,111.22 675,957,754.86 2.86
归属于上市公司股东的净利润 64,052,300.09 86,380,356.62 -25.85
归属于上市公司股东的扣除非
32,202,494.99 63,439,594.38 -49.24
经常性损益的净利润
经营活动产生的现金流量净额 101,657,078.77 106,243,370.60 -4.32
本期末比上年度末增
主要会计数据 2023 年末 2022 年末
减（%）
归属于上市公司股东的净资产 1,317,708,884.61 1,283,571,849.27 2.66
总资产 1,990,282,900.28 1,903,586,112.42 4.55
公司主要财务指标如下表所示：
本期比上年同期增减
主要财务指标 2023 年 2022 年
（%）
基本每股收益（元／股） 0.50 0.67 -25.37
稀释每股收益（元／股） 0.50 0.67 -25.37
本期比上年同期增减
主要财务指标 2023 年 2022 年
（%）
扣除非经常性损益后的基本每股
0.25 0.49 -48.98
收益（元／股）
加权平均净资产收益率（%） 4.94 7.49 减少2.55个百分点
扣除非经常性损益后的加权平均
2.48 5.50 减少3.02个百分点
净资产收益率（%）
研发投入占营业收入的比例（%） 6.06 6.98 减少0.92个百分点
2023 年，公司主要财务数据及指标变动的原因如下：
1、2023 年度公司实现营业收入 695,265,111.22 元，同比增加 2.86%；实现
归属于母公司所有者的净利润 64,052,300.09 元，同比减少 25.85%；实现归属于
母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 32,202,494.99 元，同比减少 49.24%。
报告期内，公司净利润下降较多，主要系计提可转债利息费用，财务费用增
加较多所致。公司归母净利润的下滑幅度大于营业收入下滑幅度，主要系：①公
司根据市场竞争情况适当降低了产品的售价，导致公司毛利有所下降；②公司募
投项目的投入导致公司新增了较多资产，折旧与摊销处于较高水平，产品单位成
本有所上升；③公司部分业务开支相对固定，同时公司于 2022 年度向不特定对
象发行可转换公司债券，可转债利息费用导致公司财务费用上升较多。
2、报告期末，公司财务状况良好，总资产 1,990,282,900.28 元，较报告期初
增加 4.55%；归属于上市公司股东的净利润 64,052,300.09 元，同比减少 25.85%。
3、经营活动产生的现金流量净额 101,657,078.77 元，同比减少 4.32%，与营
业收入变动不存在重大偏离。
4、基本每股收益、稀释每股收益同比减少 25.37%，扣除非经常性损益后的
基本每股收益同比减少 48.98%，主要系归属于公司所有者的净利润减少。
综上，公司 2023 年主要财务数据及财务指标变动具有合理性。
六、核心竞争力的变化情况
报告期内，公司专注核心技术积累与新产品开发，坚持保障研发投入，全年
累计投入 4,211.74 万元，占营业收入比例为 6.06%，新增申请专利 51 项，其中
发明专利 18 项。
公司扎实推进多个研发项目，取得从芯片设计（6 英寸平面芯片、RFID 芯
片、HVIC 芯片、LVIC 芯片、外延 FRD、高压 TVS 等）到新封装开发（CLIP PDFN5*6、
DFN8080、DFN3333、倒装 LED 封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、车
规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代
功率器件（SiC）等的成果实现。不断提升公司技术创新能力，强化科创属性。
项目
使用该项核心技
所需 现有核心技术 技术描述及特点
术的主要产品
技术
小信号二极管、
高密度阵列 框架采用多排高密度化设计使每条框架产品数
光电耦合器、功
式框架设计 增加，同时提高单位面积内的产品数，提高生产
率二极管、桥式
技术 效率及降低材料消耗。
整流器
将锡膏或焊片预焊在芯片两面，增加一道工序，
芯片预焊技 在提升焊接工序效率、减少芯片沾污方面有明显
桥式整流器
术 效果，焊接气孔由 5%减少到 3%以下，提高产品
质量及可靠性。
点 胶 量 CPK 通过自动检测每个产品的点胶量进行统计过程
功率二极管、桥
自动测量控 控制，提高芯片的受控程度，确保每个点位的胶
式整流器
制技术 量都在受控范围。
通过特殊设计的高温针头在装片基岛范围内均
匀行走，达到焊锡量分布均匀平整，位置可控，
功率芯片画
从而可达到装片后芯片四周溢锡均匀、BLT 厚度 功率二、三极管
组 锡焊接技术
封装 稳定可控、焊接空洞减少的目的，提升功率器件
装
测试 的性能和可靠性。
技
技术 焊接过程中通入甲酸可以将框架表面的氧化铜
术 甲酸真空焊 功率二极管、桥
还原，使框架表面无氧化层，提升塑封料与框架
接技术 式整流器
之间的结合强度，降低产品分层异常。
SKY 芯片采用多层钝化和多次金属化表面，在封
高温反向漏 功率肖特基二极
装过程中增加焊接后化学清洗，极大程度降低器
电控制技术 管
件的高温漏电，提高产品的高温可靠性。
通过精准的锡量控制，使芯片与与芯片之间焊锡
多层叠焊技 层厚度和覆盖面积控制达到最优，并实现多层芯 高压二极管、功
术 片的串联，从而可以实现超高耐压或特殊功能要 率二极管
求的器件，实现单芯片不能实现的功能。
通过将 LED 芯片 PN 结输出进行特殊设计，组装
过程中将芯片直接与基板上的正负极共晶焊接，
LED 倒装封装
无线焊接缩短了热源到基板的热流路径，具有较 LED 灯珠
技术
低的热阻。同时倒装结购使产品具有更好的抗大
电流冲击稳定性和光输出性能，尺寸可以做到更
小，光学更容易匹配。
采用特殊的框架设计和制造工艺，框架的密度是
小信号开关二极
普通蚀刻工艺的 2 倍以上，封装采用我司先进的
超薄超小 DFN 管、肖特基二极
超薄超小芯片的封装工艺，最终封装产品塑封体
封装技术 管、PIN 二极管、
厚度可以做到 0.22mm 以下，塑封体外形可以做
ESD 二极管
到市面上最小的 0201 外形。
在现有的底部散热封装外形的结构基础上，通过
设计厚尺寸 clip 并用于芯片与框架之间的连
双面散热封 接，产品塑封后对上模面采用独特的打磨工艺获 功率二极管、功
装技术 得平整裸露 Clip 散热面，从而实现产品底部和 率 MOS
顶部均带散热功能，极大程度提高产品的散热能
力，从而提高功率产品的电流能力。
在塑封前于芯片表面喷涂一种特殊的隔离溶胶，
该溶胶与芯片、框架及塑封料均具有有极强的粘
功率二极管、功
基于塑封前 接力和强密着性，并可以在芯片与塑封料之间、
率三极管、功率
喷涂涂层的 框架和塑封料之间起到很好的缓冲作用，因此可
MOS、SiC 肖特基、
防分层技术 有效解决芯片、框架与塑封料之间受热力容易产
SiC MOS
生的的分层异常，提升功率器件的 PCT 能力和可
靠性。
在框架焊接工艺中采用 clip 完成芯片上表面的 功率二极管、桥
Clip 焊 接 技
电极与框架的连接，有效降低芯片所受应力，降 式整流器、功率
术
低产品潜在失效风险。 MOS
尺寸越大、厚度越薄的芯片在封装过程中越容易
大功率超薄 引起芯片破裂，我司通过采用特殊的芯片研磨切
芯片封装技 割工艺、采用 UV 膜及多顶针机构进行装片、通 功率 MOS、IGBT
术 过 BLT 和芯片平整度管控等方法有效解决封装
过程的机械及封装应力问题。
采用对塑封模具、框架结构等设计，选用
Automolding 系统实现自动塑封，生产过程中可
小信号二极管、
Auto 模 自 动 实现分段开合模、分段注塑等特殊应用功能，满
小信号三极管、
成 封装技术 足有特殊注塑工艺要求产品的生产，整个过程几
功率 MOS
型 乎不受作业人员操作不当影响，生产效率高，制
技 程受控。
术 通过将不同工位的刀具系统集成在同一副系统
光耦器件管
或模具上，实现在切筋成型过程中所有工序一体 光电耦合器、隔
脚一体成型
完成，极大节约设备占据场地空间以及提升工序 离驱动
技术
生产效率，同时保证产品成型稳定性。
测 小信号二极管、
试 基于产品特 针对芯片对产品特性的影响，通过分析量化，制 小信号三极管、
筛 性数据分析 定测试方案，并用 PAT 方法筛选出产品性能离散 功率二极管、功
选 的测试技术 及有潜在失效模式的产品。 率三极管、桥式
技 整流器、光电耦
术 合器
基于光学影 通过光学影像监测功能对产品的外观进行监测，
像的全自动 配合产线的生产设备，可以实现产品 100%外观
所有封装产品
产品测量技 监测，将不符合标准产品有效剔除，检测效率极
术 高。
通过对高压测试座的结构进行特殊优化设计并
基于开尔文
采用带回路检测功能的高压测试仪器，从而避免
接触方式的
高压测试过程中因产品引脚与测试座接触不良 所有光电耦合器
多颗串联高
而发生漏测，提高测试的生产效率和剔除有效
压测试技术
性。
针对生产过程中各工序品质状况对产品特性的
基于 FMEA 的 影响，通过分析量化，制定测试方案，筛选出生
所有产品
测试技术 产过程中的潜在异常品及有潜在失效模式的产
品。
SiC MOSFET 晶圆在现有的生产工艺过程中，栅
氧界面质量不可避免存在一定缺陷，该缺陷通过
常用的恒定栅氧反偏测试难以剔除。由于 SiC
MOSFET 在实际应用中主要当作高频开关器件使
SiC MOSFET
用，栅极在高电平与低电平之间会频繁切换，栅
器件动态反 SiC MOS
氧会长期承受高速动态栅应力的作用，故容易引
偏筛选技术
起使 Vth 退化失效。我司通过研究分析量化，
掌握了一套模拟 SiC MOSFET 实际应用对栅氧施
加动态早期失效产品，保证器件的出厂可靠性品
质。
第 沟槽结构 SiC MoS 是在 SiC 外延层上刻蚀沟槽，
三 高性能沟槽 在沟槽表面通过氧化形成栅氧化层，沟槽结构可
代 型 SiC 以增加单元密度，没有 JFET 效 应，寄生电容
SiC MOS
半 MOSFET 芯 片 更小，开关速度快、损耗低。我司通过选取合适
导 设计 沟道晶面并通过元胞结构优化，实现了较佳的沟
体 道迁移率，显著降低芯片导通电阻。
S
G
芯片
T
设计
- 该工艺在传统沟槽 MOSFET 器件 PN 结垂直耗尽的
M SGT 结构中低 基础上引入了水平耗尽，通过改变 MOSFET 内部
中低压大功率
O 压 MOS 芯 片 电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩
MOS
S 设计 的梯形电场，从而进一步减小 EPI 层的厚度，降
晶 低导通电阻 Rds(on)。
圆
设
计
特有的无环高耐压平面结构设计，避免了传统台
平面结构芯 面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问题，可以
片无环高耐 采用标准半导体工艺（氧化、扩散、光刻、注入、 功率二极管
压终端技术 CVD 等）制备技术，达到实现更大晶圆生产、提
升产品稳定性、可靠性等目的。
采用多层 CVD 钝化膜技术，形成芯片表面所需的
综合钝化保护膜。镀镍芯片采用聚酰亚胺钝化，
平面玻璃电泳等保护技术，可以使平面芯片具备
5um~20um 的钝化介质层。多层 CVD 钝化膜起到
平面结构芯
固定可动电荷、稳定耐压，隔离水汽渗透，绝缘
片表面多层 功率二极管
电介质等功能，从而形成芯片表面所需的综合钝
钝化技术
平 化保护膜，相应产品性能稳定性优异。聚酰亚胺
面 钝化，平面玻璃电泳技术有效解决了芯片封装中
芯 遇到的可靠性问题，提高器件极限条件下的稳定
片 性、可靠性。
制 平面结构功
特有的平面结构设计及表面多层钝化技术，避免
造 率稳压二极
了传统台面结构挖槽工艺的应力大、难清洗等问
技 管、TVS 芯片 功率二极管
题，可以采用标准半导体工艺制备技术制备，达
术 设计及制备
到提升产品一致性、稳定性、可靠性的目的。
芯片 技术
制造 大 功 率 TVS
采用平面和台面结构相结合的方式，有效增加芯
技术 产品提升功 功率二极管
片的接触面积，提升产品的功率能力
率技术
采用特殊的芯片结构及深结工艺，改变单双向
TVS 芯 片 VC
TVS 芯片 IPP/VC 曲线，在 IPP 范围内芯片的 VC
恒定制造工 功率 TVS 二极管
保持在一个较小范围，提升产品功率和电压抑制
艺控制技术
保护能力。
扩散时采用特殊的气体的方式，对芯片表面缺
稳 压 管 ZZK
陷、杂质浓度分布等进行有效的改善，大大降低 稳压二极管
改善技术
产品的动态电阻。
台面沟槽造型特别是“鸟嘴”造型对器件的 VB
沟槽湿法腐 电压及可靠性有很大影响，我司通过工艺调整改
台
蚀形状控制 善芯片表面扩散浓度来调整沟槽腐蚀的速率和 功率二极管
面
计划 方向，有效消除了原先的“鸟嘴”形状，解决原
芯
先“鸟嘴”处的应力问题，提升了钝化效果。
片
采用一种特殊的组合工艺，结合了刀刮法、光阻
制
法和电泳法的优势，钝化层根据需要排序进行生
造 PEG 特殊钝化
长，一方面钝化过程中不会带入其他杂质，玻璃 高可靠性要求功
技 工艺保护应
内部不产气泡和黑渣点，另一方面形成的玻璃钝 率二极管
术 用技术
化层非常致密，芯片的击穿硬特性和耐高温特性
大大提高，可应用于高可靠性要求的应用场合。
七、研发支出变化及研发进展
（一）研发支出及变化情况
单位：元
项目 本年度 上年度 变化幅度（%）
费用化研发投入 42,117,351.36 47,208,435.05 -10.78
资本化研发投入 - - -
研发投入合计 42,117,351.36 47,208,435.05 -10.78
研发投入总额占营业收入比例（%） 6.06 6.98 减少 0.92 个百分点
研发投入资本化的比重（%） - - -
（二）2023 年取得的研发成果
报告期内，公司继续深化研发项目管理，聚焦主营业务方向，在重点应用领
域（如电动汽车、工业控制等）、重点客户、重点产品等维度积极布局新产品开
发不断提升技术开发的转化率和产品开发的成功率。
公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作，根据项
目要求配置研发资源，通过加强研发团队建设、加强对外合作，加强项目质量管
控，提升公司的自主创新能力和研发水平，巩固和保持公司产品和技术的领先地
位。
报告期内，公司主要取得的研发成果如下：
（1）公司成功完成功率器件封装结构、封装材料研究及产品开发，进一步
提升了产品的质量水平，提升了车规级产品的竞争力。
（2）公司完成了高电流密度功率器件技术研究及产品开发，新增 CLIP
PDFN5*6、DFN8080、DFN3333 等封装能力，增强了公司在功率 MOSFET、SBD
等产品布局，提高在汽车应用领域的配套能力。
（3）公司完成了高可靠度第三代半导体光耦产品开发，增加了高端光耦布
局，提升了高端应用的服务能力。
（4）公司面向汽车应用市场发展，完成了倒装封装技术开发及不可见光收
发器件开发，实现了公司产品在汽车应用领域的持续跟进。
（5）公司完成了外延低压 FRD 芯片、双向高压 TVS 芯片产品研发，完善
了产品布局，进一步增强了公司在二极管产品方面的竞争力。
（6）公司完成了 RFID 集成电路设计与开发，成功进入智能标签领域，拓
展了产品门类和应用市场。
报告期内，公司投入研发费用 4,211.74 万元，研发投入总额占营业收入的比
例为 6.06%；公司申报国家专利 51 项，获得专利授权 34 项。截止报告期末，公
司累计拥有有效专利 233 项，其中发明专利 31 项。
报告期内新增及报告期末累计的知识产权列表如下：
本年新增 累计数量
项目
申请数（个） 获得数（个） 申请数（个） 获得数（个）
发明专利 18 6 68 31
实用新型专利 33 28 333 202
外观设计专利 0 0 0 0
软件著作权 0 0 0 0
其他 0 0 0 0
合计 51 34 401 233
注：
（1）“本年新增”中的“获得数”为报告期末新获得的专利数；
（2）“累计数量”中的“获得数”为扣除失效专利后的有效专利数。
（三）在研项目情况
单位：万元
序 项目名 预计总投 本期投入 累计投入 技术
进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
号 称 资规模 金额 金额 水平
1、所有封装芯片部分零分层；车规级器件零分
层
功率器
2、STD 器件电泳 sipos 芯片的批量导入
件封装 广泛应用于家
3、车规级产品通过 AEC-Q101 标准鉴定
结构、封 项目已完成，项目目标 电、电源、智能
4、成品率（良率）：全线良率≥98% 国内
1 装材料 680.00 724.93 724.93 已达成，研发成果已导 电表、照明、通
5、材料成本下降 15% 领先
研究及 入量产过程。 信、汽车电子等
6、人工成本下降 10%
产品开 行业
7、浪涌能力相比打线工艺提升 10%
发
8、低压 TVS 器件产品生产测试良率良率＞
98.5%
1、开发全系列稳压管芯片，满足参数要求 1.1、
6 英寸平 广泛应用于家
合格率≥98%
面芯片 目前已进入批量验证 电、电源、智能
1.2、对档率≥96% 国内
2 技术及 515.00 423.94 423.94 阶段，为正式量产进行 电表、照明、通
2、开发高可靠性高频开关二极管芯片 先进
产品开 前期准备。 信、汽车电子等
2.1、合格率≥98%
发 行业
2.2、对档率≥98%
1、产品实现封装产能 CLIP PDFN5*6 封装>2kk/
高电流
月；DFN8080>5kk/月；DFN3333>6kk/月 广泛应用于家
密度功 项目已完成，项目目标
2、产品封装良率>98% 电、电源、智能
率器件 已达成，产品已实现了 国内
3 1,560.00 1,724.96 1,724.96 3、产品满足 MSL1 水平 电表、照明、通
技术研 量产，规格型号持续系 领先
4、产品装片后空洞率<5% 信、汽车电子等
究及产 列化中。
5、装片外观和平整度符合设计规范要求 行业
品开发
6、产品满足车规 AECQ101 可靠性标准要求
高可靠 1、研发并掌握蓝光芯片代替红光芯片技术 主要应用于家
度第三 项目已完成，转入正式 2、芯片使用第三代半导体材料氮化镓 国内 电、电源、智能
4 250.00 258.71 258.71
代半导 批量生产。 3、高低温条件下小电流 CTR 抗影响能力提升 领先 电表、照明、通
体光耦 20% 信、汽车电子等
序 项目名 预计总投 本期投入 累计投入 技术
进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
号 称 资规模 金额 金额 水平
产品开 4、高低温条件下产品响应速率提升 20% 行业中的高端应
发 5、产品等级达到车规级 用。
倒装封
装技术
1、产品封装全线良率>95%
开发及 项目已完成，产品已实
2、产品符合 AEC-Q102（离散光电 LED）可靠 国内 应用于新一代车
5 不可见 260.00 78.02 262.63 现了量产，规格型号持
性要求 领先 灯照明系统。
光收发 续系列化中。
3、开发并掌握 LED 倒装封装技术
器件开
发
1、芯片版图设计
2、最终芯片 GDSII 文件
RFID 集 广泛应用于鞋服
项目已完成，达到了项 3、MPW 的 RFID 芯片流片
成电路 国内 商超、档案管理、
6 50.00 51.71 51.71 目目标要求。已转入产 4、技术指标：工作频率：860~960MHz；最远
设计与 领先 快递物流、工业
业化过程。 读取距离：约 8m 灵敏度:-18dBm；芯片尺
开发 应用等场景。
寸:600*600um2；通信速率:40~640 kbps；存储
容量:128b PUF
外延低 广泛应用于家
目标指标：（以以下两个规格为设计原型）
压系列 项目已完成，产品已实 电、电源、智能
SF14G(VB＞220V,VF＜0.92V,TRR＜ 国内
7 芯片及 400.00 462.78 462.78 现了量产，规格型号持 电表、照明、通
35ns)SF86G(VB＞480V,VF＜1.24V,TRR＜ 领先
产品开 续系列化中。 信、汽车电子等
35ns)
发 行业
双向高 广泛应用于家
压台面 项目已完成，产品已实 目标指标：以 P6KE220CA 为设计原型： 电、电源、智能
国内
8 TVS 芯 400.00 390.01 390.01 现了量产，规格型号持 1、IR＜1uA,PPPM>3000W，IRSM≥8.5A 电表、照明、通
先进
片及产 续系列化中。 2、圆片出率>97% 信、汽车电子等
品开发 行业
基于深 项目进行中，已完成了 基于深度学习原理，检测种类为划痕、破损、 主要应用于产线
国内
9 度学习 50.00 30.39 30.39 原型机的设计和验证， 压脚、气孔，检测速度＞20FPS，检测准确率 产品外观质量的
领先
的半导 正在进行机械运动结 ＞84% 在线监测。
序 项目名 预计总投 本期投入 累计投入 技术
进展或阶段性成果 拟达到目标 具体应用前景
号 称 资规模 金额 金额 水平
体封装 构的验证。
缺陷检
测技术
RFID 芯片用于
安全模块（芯片）通过国际标准 NIST 测试，
1.RFID 已完成研发， ID 识别、智能仓
申请专利 2 项以上，其中发明 1 项。功率模块
智能芯 实现了开发目标； 储、无人零售等；
产品：
片和功 2.IPM 已实现量产； 国内 功率模块用于变
10 2,294.60 66.27 2,315.26 1、完成 RFID 产品样件开发；
率模块 3.大功率 IGBT 产品已 领先 频电机驱动，主
2、IPM/IGBT 产品耐压 630V 以上；
研发 完成开发，实现了量 要应用于变频空
3、绝缘耐压：2000V AC, 1 分钟以上
产。 调、洗衣机、冰
4、产品静电等级：HBM>2000V,MM>200V
箱、汽车电子等
合
/ 6,459.60 4,211.72 6,645.32 / / / /
计
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
不适用。
九、募集资金的使用情况及是否合规
1、2021 年首次公开发行股票募集资金存放情况
截至 2023 年 12 月 31 日止，公司使用募集资金具体情况如下：
单位：元
项目 金额
2022 年 12 月 31 日募集资金专户余额 91,646,874.42
减：2023 年募投项目支出 66,710,695.71
减：2023 年永久补充流动资金 25,489,618.00
加：2023 年理财收益及利息收入扣除手续费 698,137.18
2023 年 12 月 31 日募集资金余额 144,697.89
其中：2023 年 12 月 31 日现金管理余额 -
2023 年 12 月 31 日募集资金专户余额 144,697.89
2、2022 年向不特定对象发行可转换公司债券募集资金存放情况
截至 2023 年 12 月 31 日止，公司使用募集资金具体情况如下：
单位：元
项目 金额
2022 年 12 月 31 日募集资金专户余额 492,543,157.68
减：2023 年转出其他发行费用 1,178,301.88
减：2023 年募投项目支出 93,524,204.33
加：2023 年理财收益及利息收入扣除手续费 13,354,325.94
2023 年 12 月 31 日募集资金余额 411,194,977.41
其中：2023 年 12 月 31 日现金管理余额 375,067,447.92
2023 年 12 月 31 日募集资金专户余额 36,127,529.49
银河微电 2023 年度募集资金的存放与使用符合《上市公司监管指引第 2 号
——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》、 上海证券交易所科创板股票上
市规则》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号——规范运作》
等法律法规的相关规定，对募集资金进行了专户存储和专项使用，不存在变相改
变募集资金投向和损害股东利益的情况，不存在违规使用募集资金的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、
冻结及减持情况
本持续督导期间，公司控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员
持有的股份未发生质押、冻结及减持情况。
截至 2023 年 12 月 31 日，公司控股股东、实际控制人、现任董事、监事、
高级管理人员直接和间接持有公司股份的情况如下：
直接持股数量 间接持股数量 质押情况
姓名 职务
（万股） （万股） （万股）
杨森茂 董事长 - 7,817.58 -
岳廉 董事 - 629.52 -
李恩林 董事 - 30.00 -
董事、总经理、核心技
刘军 0.90 30.00 -
术人员
孟浪 董事、副总经理 0.90 - -
杨兰兰 独立董事 - - -
王普查 独立董事 - - -
沈世娟 独立董事 - - -
李月华 监事会主席 - 8.00 -
朱伟英 核心技术人员 - 25.00 -
周建平 监事 - 17.00 -
高宝华 职工监事 - - -
郭玉兵 技术总监 - 10.00 -
曹燕军 副总经理 0.90 12.00 -
李福承 董事会秘书、财务总监 0.60 12.00 -
庄建军 核心技术人员 0.60 6.00 -
贾东庆 核心技术人员 - 4.00 -
十一、上海证券交易所或保荐机构认为应当发表意见的其他事项
无。
（以下无正文）