北京七星华创电子股份有限公司
发行股份购买资产并募集配套资金所涉及的
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
股东全部权益价值
评估说明
北京亚超评报字[2015]第A196号
共一册第一册
北京亚超资产评估有限公司
二 0 一五年十二月三十日
北京七星华创电子股份有限公司发行股份购买资产并配套募集资金所涉及的
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司股东全部权益价值项目评估说明目录
北京七星华创电子股份有限公司拟发行股份购买资产并募集配套资
金所涉及的北京北方微电子基地设备工艺心有限责任公司
股东全部权益价值
评估说明
目录
关于《评估说明》使用范围的声明 ................................................................................................ 1
企业关于进行资产评估有关事项的说明 ........................................................................................ 2
评估对象与评估范围说明 ................................................................................................................ 4
资产核实总体情况说明 .................................................................................................................. 11
各项资产及负债的评估技术说明 .................................................................................................. 15
流动资产及其他资产评估技术说明 ...................................................................................... 16
房屋建筑物类评估技术说明 .................................................................................................. 23
设备类资产评估技术说明 ...................................................................................................... 34
在建工程评估技术说明 .......................................................................................................... 55
土地使用权评估技术说明 ...................................................................................................... 56
无形资产-其他无形资产评估说明 ......................................................................................... 70
负债评估技术说明 ................................................................................................................ 118
收益法评估技术说明 .................................................................................................................... 122
评估结论及其分析 ........................................................................................................................ 166
附件企业关于进行资产评估有关事项的说明
北京亚超资产评估有限公司
说明一关于评估说明使用范围的声明
说明一
关于《评估说明》使用范围的声明
本评估说明仅供资产评估主管机关、企业主管部门审查评估报告和检查评估
机构工作之用，非为法律、行政法规规定，材料的全部或部分内容不得提供给其
他任何单位或个人，也不得见诸于公开媒体。
北京亚超资产评估有限公司
2015 年 12 月 30 日
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说明二企业关于进行资产评估有关事项的说明
说明二
企业关于进行资产评估有关事项的说明
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说明二企业关于进行资产评估有关事项的说明
企业关于进行资产评估有关事项的说明
（该部分内容由企业撰写，附于评估说明后）
北京亚超资产评估有限公司 第3页
说明三评估对象与评估范围说明
说明三
评估对象与评估范围说明
北京亚超资产评估有限公司 第4页
说明三评估对象与评估范围说明
评估对象与评估范围说明
一、资产清查核实内容
1、评估对象和范围
本次评估对象为北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司（简称
北方微电子）的股东全部权益。
本次评估的范围以被评估单位提供的资产负债表和评估申报明细表为准，包
括流动资产、非流动资产（包括固定资产、在建工程和无形资产）、流动负债及
非流动负债等。纳入评估范围的资产为 1,306,800,944.84 元，负债 994,022,785.02 元，
净资产为 312,778,159.82 元。
具体范围以提供给北京亚超资产评估有限公司进行评估的“资产评估明细表”
为准。此评估范围已经委托方和被评估单位确认。
2、资产类型及账面金额
根据资产评估工作的要求，我们对委估资产及负债进行了清查复核，列入清
查范围的资产类型主要有：流动资产、非流动资产（包括固定资产、在建工程和
无形资产）、流动负债及非流动负债等。上述资产评估前账面金额如下：
金额单位：人民币元
科目名称 账面价值
一、流动资产合计 963,834,437.05
货币资金 373,254,911.76
应收票据 31,070,198.60
应收账款 238,501,205.05
预付款项 22,879,423.51
其他应收款 1,443,880.61
存货 259,733,842.42
其他流动资产 36,950,975.10
二、非流动资产合计 342,966,507.79
固定资产 305,552,801.26
在建工程 4,301,651.56
无形资产 30,549,517.39
递延所得税资产 2,562,537.58
三、资产总计 1,306,800,944.84
四、流动负债合计 474,899,596.94
短期借款 60,000,000.00
应付账款 169,937,239.13
预收款项 9,341,614.80
北京亚超资产评估有限公司 第5页
说明三评估对象与评估范围说明
应付职工薪酬 9,211,482.61
应交税费 9,726,012.09
应付利息 146,015.00
其他应付款 215,987,233.31
其他流动负债 550,000.00
五、非流动负债合计 519,123,188.08
其他非流动负债 519,123,188.08
六、负债总计 994,022,785.02
七、净资产（所有者权益） 312,778,159.82
二、实物资产分布情况及特点
纳入评估范围内的实物资产包括固定资产、在建工程和存货，主要分布在公
司所在地。
（一）实物资产分布情况
列入评估范围的实物资产分布在位于北京市北京经济技术开发区文昌大道 8
号的办公区、生产区及仓库。
（二）各项实物资产特点
1、存货：存货包括原材料、在产品、产成品和在库周转材料。原材料为企业
用于产品生产及研发的材料，存放在企业材料库中，库房条件良好，由专人负责
日常管理；在产品为企业进行项目研发和生产而支出的材料费、人员工资、动力
费、测试、协作服务费以及各种其他费用等；产成品为已经加工完成可以对外销
售的产品，包括刻蚀机及蓝宝石衬底片等，存放于产成品库，保存良好；在库周
转材料为包装材料及低值易耗品等，存放于低值易耗品库，保存良好。
2、房屋建筑（构）物：列入此次评估范围内的房屋建（构）筑物类资产，账
面值 221,352,984.77 元，账面净值 196,321,667.43 元。房屋建筑物主要包括主厂房、
动力厂房、化学品库、门卫室等，总建筑面积 46687.84 平方米，其中证载面积 44812.01
平米，另外企业在一层局部做了夹层并装修为实验室洁净间，增加面积 1550.83 平
米，已取得【2015】121175 号房产测绘成果审核通知书，尚未取得房产证，化学品
库、门卫室合计建筑面积 325 平米，房产证尚在办理中；构筑物 4 项，管道沟槽
27 项，主要包括围墙、路面硬化、中水管、雨水管、给水管等，管道沟槽等，其
账面值包含在房屋建筑物中，未单独列示。
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说明三评估对象与评估范围说明
3、机器设备：设备分为检测设备、动力设备、制造设备三大类，主要分布在
各个洁净间、动力厂房和办公区中：
检测类设备主要有 FE-SEMS、应力测试仪、涂层测厚仪、硅片颗粒检测仪、硅
片在线显微测试仪、光谱椭偏仪等，其中，主要设备为进口设备。多为 2004 年至
今陆续购置并投入使用，目前均在正常使用中。
动力设备主要分布在动力厂房和超净间内，主要包括洁净空调系统、特气输
送系统、特气泄漏检测系统、压缩空气供应系统、普通氮气供应系统、纯水制造
系统、废水处理系统、酸碱废气处理系统、工艺设备冷却系统、工艺真空管道系
统、中央监控和消防系统等，主要设备包括配电柜、高低压开关柜、螺杆式冷水
机组、FFU 循环空调机组、超纯水制备系统、酸性废水处理系统、空气压缩机、工
艺真空泵、低温液体贮槽、废气净化器、废气处理器、气源柜等和各种类型的泵
及传感器。以上设备多为 2004 年至 2014 年期间购置并投入使用，在用情况较好。
制造设备主要包括工艺设备、辅助设备和机加工设备，其中，工艺设备主要
包括光刻机、显影机等，辅助设备主要包括无尘双梁桥式起重机、LH 型双梁桥式
起重机、单轨吊车、海斯特站驾前移式叉车等，机加工设备包括冲压机、升降机、
托盘车、起道机、磁力钻、切割机、磨削器、平口机、封口机、铣床等。以上设
备为 2003 年至今陆续购置启用，目前设备使用状况良好。
被评估单位 2015 年入账的两项固定资产，即“90/65nm 刻蚀机研发与产业化”
项目颗粒控制技术研究平台和软件系统测试平台，经了解为企业 2013 年 1 月至 2015
年 9 月，在实施 02 专项“90/65nm 刻蚀机研发与产业化”项目的过程中自主研发形
成的固定资产。两个测试平台分别累计投入 2,197.86 万元、2,440.6 万元。被评估单
位在确认上述固定资产账面价值时，未将 2015 年 1 月 1 日之前已经费用化的构建
支出确认为固定资产，仅将 2015 年 1 月 1 日之后发生的固定资产建造费用进行了
资本化，导致该等固定资产入账价值仅为 934.73 万元。被评估单位已聘请业内专
家对两个平台的工艺、性能、指标等进行了鉴定。
根据专家鉴定：软件系统测试平台用于刻蚀设备的集簇式软件系统的测试（包
含主控软件、下位机软件、APC 软件、传输系统软件、工厂自动化软件等多种软件），
通过测试平台，对软件功能、恢复能力、安全、标准符合程度均可进行快速有效
的验证，从而保证产品软件的质量。同时此平台可以通过对软件的调度算法的优
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说明三评估对象与评估范围说明
化和评价进行设备产能评估。控制软件系统测试平台已实现了集簇式软件系统的
测试的需求，达到了设计指标，可作为 02 专项刻蚀机产品软件测试验证的主要软
硬件测试环境而持续使用。
根据专家鉴定：颗粒控制技术研究平台用于进行从硅片进入刻蚀机到完成工
艺离开刻蚀机全过程中颗粒的产生源的研究，对不同尺寸颗粒在不同压力区间下
运动行为进行研究，进行硅片传输颗粒运动控制技术以及低颗粒污染表面处理技
术的研究，为集成电路刻蚀机设备中的颗粒控制与设备维护方式及流程的制定提
供实验依据，颗粒控制技术研究平台达到了指标设计要求，支持了颗粒控制技术
等多项关键技术的研究、验证和迭代机的产业化，可作为 02 专项刻蚀机产品颗粒
控制技术研究的主要硬件测试环境而持续使用。
4、车辆概况
车辆共 14 部，皆为公务用车，分别为轿车、小型普通客车和大型普通客车，
包括北京现代索纳塔、东风日产阳光、一汽丰田皇冠、上海大众帕萨特、广州本
田奥德赛、别克小型普通客车等。其中有两辆帕萨特轿车、一辆现代轿车为二手
车，无重大交通事故发生，目前均在正常行驶中。
5、电子设备概况
电子设备主要为办公设备，分布在各办公室以及电脑机房，办公设备包括台
式计算机、笔记本电脑、打印机、传真机、复印机、服务器、投影仪、电话会议
系统、电话交换机、会议电话、网络设备、音视频设备等。以上设备于 2002 年至
2015 年 11 月期间购置并投入使用，大部分设备在用状态较好。其中烧结炉、湿刻
蚀绝缘机等 8 项设，截至评估基准日，未参与被评估单位生产经营。
6、在建工程：D3/D4/D5 实验室装修工程项目、厨房（增加天然气管道）改造
项目，账面价值 4,301,651.56 元。
三、企业申报的账面记录或者未记录的无形资产情况
1、公司申报的账面记录的无形资产为土地使用权 1 宗：
位于北京经济技术开发区 54 号街区，土地使用证号为开有限国用（2006）第
53 号；土地使用权人为北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司；土
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说明三评估对象与评估范围说明
地用途为工业用地；土地使用权类型为出让；土地面积为 103,603.70 平方米。四至
范围东至地泽西街，南至西环中路，西至文昌大道，北至地泽南街。该土地使用
权同其地面房产（主厂房及动力厂房）建筑面积 44812.01 平米，已抵押给中国民生
银行股份有限公司总行营业部，期限 2015 年 9 月 22 日至 2018 年 9 月 22 日。
2、公司申报的其他无形资产
截止评估基准日，本次评估申报范围的其他无形资产中的包括专利技术、专
利申请（已受理未授权）、软件著作权、外购的软件系统及商标。
1）专利及专利申请为北方微电子在完成国家科技部、北京市科委、北京市工
业促进局以及北京市发改委等部门科研项目工作中形成的，已经获得中国专利局
授权的专利项 606 项，其中发明专利 560 项，实用新型专利 46 项；海外授权专利
47 项。截至评估基准日，专利申请（已受理未授权），国内专利申请共 758 件（其
中发明专利申请 755 项实用新型申请 3 项）。被评估单位已将国内 606 项和海外 47
项中的部分专利费用在无形资产-专利技术的账面体现，账面余额 2,147,205.76 元，
部分专利及专利申请（已受理未授权）的相关成本未在无形资产-其他的账面体现。
其中，有 3 个专利是被评估单位和清华大学共有的知识产权，具体如下：
法 发
序 律 明
专利号 发明名称 应用产品 授权日 专利权人
号 状 类
态 型
ZL20061001 刻蚀机集群控制器与工艺模块 2008-10-2 授 发 北方微电子、
1 IC-ETCH
1316.6 控制器通讯系统及方法 9 权 明 清华大学
ZL20061001 2008-11-2 授 发 北方微电子、
2 刻蚀机集群控制器 IC-ETCH
1922.8 6 权 明 清华大学
ZL2007101 实现射频阻抗匹配的方法及射 授 发 北方微电子、
3 IC-ETCH 2011-7-27
20494.7 频阻抗匹配系统 权 明 清华大学
这 3 个专利虽然为被评估单位及清华大学共有，根据当时与清华大学的协议，
清华大学享有利用该核心技术开发其他项目或系统的权利并承诺未经甲方书面许
可不得提供给与被评估单位形成竞争关系的第三方使用。故被评估单位认为该 3
项专利不会发生由于专利权等与第三方共有而产生权属、权益纠纷或需要向第三
方支付任何费用的情况。
2）被评估单位申报了软件著作权 41 项，相关成本未在无形资产的账面体现。
3）被评估单位申报了 11 项商标，其中国内注册的 10 项，台湾注册的 1 项，
相关成本未在无形资产的账面体现。
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说明三评估对象与评估范围说明
4）被评估单位申报的外购财务软件中，有 SolidWorks、PDM 系统、SAP A1 系
统等 5 个软件在购买时直接作为研发费（费用化），目前尚在正常使用中，未在
无形资产-软件系统中体现。
四、企业申报的表外资产的类型和数量
除上述列示的部分专利、专利申请（已受理未授权）、软件著作权、外购软
件、商标，企业已申报外，被评估单位未申报其他表外资产，我们在评估过程中
也未发现存在其他表外资产。
五、引用其他机构出具的报告的结论涉及的资产类型、数量和账面金额。
本次评估的账面价值全部为被评估单位根据瑞华会计师事务所（特殊普通合
伙）审计后的财务报表数据申报的资产评估相关数据。
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说明四资产核实总体情况说明
说明四
资产核实总体情况说明
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说明四资产核实总体情况说明
资产核实总体情况说明
一、资产清查的过程与方法
（一）清查组织工作
根据国家有关部门关于资产评估的规定和会计核算的一般原则，依据国家有
关部门关于国有资产评估相关法律规定和规范化要求，北京亚超资产评估有限公
司实施了对委托评估资产的清查核实。基于本次评估资产的特点，以及时间上的
总体要求，北京亚超资产评估有限公司制定了资产清查方案，由项目负责人负责
总体工作的协调，对评估范围内的资产进行清查核实与现场工作。整个清查过程
为 2015 年 10 月 14 日至 12 月 8 日，北京亚超资产评估有限公司评估人员对被评估
单位提供的法律性文件与会计记录以及相关资料进行了核实，并做了必要的市场
调查和交易价格的比较，以及北京亚超资产评估有限公司认为必要实施的其他资
产评估程序。另外，对于实物性资产，北京亚超资产评估有限公司评估人员进行
了现场勘察和盘点。
（二）清查主要步骤
1、指导企业相关人员清查资产与收集准备资料
先期派遣项目组经理，指导企业相关的财务与资产管理人员按照公司提供的
“评估申报明细表”、“资产调查表”及其填写要求、资料清单，细致准确的登记填报，
对被评估资产的产权归属证明文件和反映性能、状态、经济技术指标等情况的文
件资料进行收集。
2、初步审查被评估单位提供的评估申报明细表
评估人员通过翻阅有关资料，了解各评估具体范围及对象。然后仔细阅读申
报表，初步检查有无填项不全、资产项目不明确情况，并根据经验及掌握的有关
资料，检查申报表有无多报和漏项等。
3、现场实地勘察
依据资产评估申报明细表，对申报资产进行现场勘察。对实物资产主要采用
逐项清查和抽查，针对不同的资产性质及特点，采取不同的勘察方法。在现场勘
察过程中，对机器设备，查阅了主要设备的竣工验收记录、运行日志等技术资料
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说明四资产核实总体情况说明
和文件，并通过与设备管理人员和操作人员的广泛的交流，了解设备的购日期、
产地、各项费用的支出情况，查阅设备的运行和故障记录，填写设备现场勘察记
录等。
对房屋建筑物、构筑物的勘察，通过与企业房屋工程师进行交流，主要了解
房屋的建成年代、使用、日常维修和管理情况以及房屋建筑物的使用用途，评估
人员还收集了相关权证资料，查阅了相关账、证等原始资料并作了现场勘察记录。
4、补充、修改和完善评估申报表
根据现场实地勘察结果，进一步完善评估申报表，以做到“表”、“实”相符。
5、核实产权证明文件
对列入评估范围的存货、管道、设备等产权进行核查，以做到产权清晰。
6、调查设备运行状态
目的是通过调查，为确定设备的成新率准备资料。设备运行状态的调查方式，
一是通过现场实地勘察，另外通过直接查阅有关资料获得。
（三）清查的主要方法
在清查工作中，我们针对不同的资产性质、特点及实际情况，采取了不同的
清查方法。
对固定资产评估人员进行了逐项调查，除了核对该类设备的填报内容，还就
其目前使用维修情况向设备管理、使用人员进行了询问，并根据设备实际情况作
了现场记录。
二、影响资产清查的事项
1、本评估结论中，评估师未对各种设备在评估基准日时的技术参数和性能做
技术检测，评估师在假定被评估单位提供的有关技术资料和运行记录是真实有效
的前提下，通过实地勘察作出的判断。
2、本评估结论中，评估师未对各种建、构筑物的隐蔽工程及内部结构（非肉
眼所能观察的部分）做技术检测，评估师在假定被评估单位提供的有关工程资料
是真实有效的前提下，在未借助任何检测仪器的条件下，通过实地勘察作出的判
断。
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说明四资产核实总体情况说明
三、资产清查核实结论
通过对列入评估范围的实物资产所进行的清查，主要实物资产均可继续正常
使用。资产清查基本做到不重不漏，账表、表实相符。无影响资产清查的事项，
资产权属清楚。
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
说明五
各项资产及负债的评估技术说明
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
流动资产及其他资产评估技术说明
一、评估范围
评估范围为企业评估申报的各项流动资产和其他流动资产，其中流动资产包
括货币资金、应收票据、应收账款、预付账款、其他应收款、存货、其他流动资
产等。上述资产在评估基准日账面值如下所示：
金额单位：人民币元
科目名称 账面价值
一、流动资产合计 963,834,437.05
货币资金 373,254,911.76
应收票据 31,070,198.60
应收账款 238,501,205.05
预付款项 22,879,423.51
其他应收款 1,443,880.61
存货 259,733,842.42
其他流动资产 36,950,975.10
二、评估依据
1、企业提供的原始会计资料、资产评估申报明细表及相关的证明材料等；
2、银行对账单、函证、合同、发票及相关证明材料等；
3、评估人员现场了解和掌握的资料；
4、企业所在地的价格信息资料；
5、其他与评估有关的资料。
三、企业主要会计政策
1、会计准则：按照《企业会计准则—基本准则》和 38 项具体会计准则及其应
用指南、解释以及相关规定编制。
2、会计期间：从公历 1 月 1 日起至 12 月 31 日止为一个会计年度。
3、记账原则和计价基础：以权责发生制为记账原则，以历史成本为计价基础。
4、记账本位币：人民币。
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
5、存货：存货在取得时按实际成本计价，存货成本包括采购成本、加工成本
和其他成本。领用和发出时按加权平均法计价。
四、评估过程
评估过程主要划分为以下三个阶段：
第一阶段：准备阶段
对确定的评估范围内的流动资产的构成情况进行初步了解，提交评估准备资
料清单和评估申报明细表示范格式，按照评估规范化的要求，指导企业填写流动
资产申报明细表。
第二阶段：现场调查阶段
1、核对账目：根据企业提供的流动资产评估申报资料，首先对财务台账和资
产评估申报表进行互相核对使之相符，然后与仓库的台账进行相互核对。对名称
或数量不符、重复申报、遗漏未报项目进行改正，由企业重新填报。作到账表相
符。
2、现场查点：评估人员、企业物资管理、财务等部门有关人员，对 2015 年
11 月 30 日基准日的各项实物流动资产进行了现场盘点。存货的抽查比例为总金额
的 70％以上，填写了“存货抽查盘点记录”。
第三阶段：综合处理阶段
1、将核实的流动资产和其他资产申报明细表，录入计算机，建立相应数据库；
2、对各类资产，遵照国有资产评估管理办法的规定，有针对性地采用重置成
本法，确定其在评估基准日的公允价值，编制相应评估汇总表；
3、提交流动资产及其他资产评估技术说明。
五、评估方法及说明
（一）货币资金的评估
1．委估资产的内容：货币资金为银行存款和其他货币资金，账面价值共计
373,254,911.76 元。银行存款账面值 373,254,911.76 元，共有账户 18 个，2 个美元存
款户、16 个人民币存款户。
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
2．评估程序及方法：
对银行存款，评估人员查阅了银行日记账、银行对账单、银行存款余额调节
表，并对开户银行进行了函证，检查是否存在重大的长期未达账项和影响净资产
的事项。本次评估对货币资金按照核实后的账面值确定评估值，对于外币存款按
核实后的原币金额乘评估基准日中国人民银行公布的人民币汇率中间价折算确定
评估值；对其他货币资金，评估人员核对了相关的原始单据和资料，并向开户银
行进行了函证，本次评估对人民币银行存款和其他货币资金按照核实后的账面值
确定评估值。
3．评估结果：货币资金的评估值为 373,254,911.76 元，评估无增减值。
（二）应收票据的评估
1.委估资产的内容：应收票据为 96 张不带息银行承兑汇票，账面价值
31,070,198.60 元。
2.评估程序及方法：评估人员查阅了应收票据备查簿，核对结算对象、票据种
类、出票日、到期日、票面利率等情况；对截止评估现场日尚存的库存票据进行
实地盘点；对期后已到期承兑和已背书转让的票据，检查相关原始凭证，按核实
后的账面值确定评估值。
3.评估结果：应收票据的评估价值为 31,070,198.60 元，评估无增减值。
（三）应收款项的评估
1．委估资产的内容：应收款项包括应收账款、预付账款和其他应收款。
其中：应收账款主要为应收的货款，账面原值 255,480,246.73 元，坏账准备
16,979,041.68 元，账面净值 238,501,205.05 元；预付账款主要为预付的货款、技术服
务费、维修费等，账面余额 22,879,423.51 元；其他应收款主要是各项押金、缴纳的
海关保证金、投标保证金等，账面原值 1,548,422.80 元，坏账准备 104,542.19 元、
账面净值 1,443,880.61 元。
2．评估程序及方法
首先，对各项应收款项进行逐笔核对，查看其是否账表相符。对账面余额较
大的应收款项进行函证，核实账面余额的准确性；抽查相关业务合同、订单等。
其次，判断分析应收款项的可收回性，确定评估值。
委估应收账款共 79 笔，账面原值 255,480,246.73 元，坏账准备 16,979,041.68 元，
北京亚超资产评估有限公司 第 18 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
账面净值 238,501,205.05 元，账龄在 1 年以内金额占总额的 88%，经核实应收账款
全部为销售货款。对应收账款的评估，我们采用以个别认定法为主，账龄分析法
为辅，即可单独认定的单独确定其变现价值，不能单独认定的采用账龄分析法估
算其变现价值的方法。故按核实后的账面值确定评估值为 238,501,205.05 元。
委估预付账款共 45 笔，账面余额 22,879,423.51 元，其中账龄为 1 年以内的款
项占总额合计的 92%。经核实，其中预付国家知识产权局 779,810.00 元的专利年费，
因专利已经单独评估，此项评估为零，其余项目按核实后的账面值确定评估值为
22,099,613.51 元。
委估其他应收款共 23 笔，账面余额 1,548,422.80 元，坏账准备 104,542.19 元，
账面净值 1,443,880.61 元，账龄为 1 年以内款项占总额的 90%。其他应收款主要为
押金、缴纳的海关保证金、投标保证金等，对其他应收款的评估，我们采用以个
别认定法为主，账龄分析法为辅，即可单独认定的单独确定其变现价值，不能单
独认定的采用账龄分析法估算其变现价值的方法。故按核实后的账面值确定评估
值为 1,443,880.61 元。
3．评估结果：应收账款的评估值为 238,501,205.05 元，评估无增减；预付账款
的评估价值为 22,099,613.51 元，评估减值 779,810.00 元，减值率为 3.41%；其他应收
款的评估价值为 1,443,880.61 元，评估无增减。
（四）存货的评估
委估存货包括原材料、在产品、在库周转材料及产成品，账面价值合计
259,733,842.42 元，其中原材料账面价值为 109,837,545.64 元，在产品账面价值
17,566,133.43 元 ， 在 库 周 转 材 料 账 面 价 值 15,102,298.43 元 ， 产 成 品 账 面 价 值
117,227,864.92 元。
在评估过程中，评估人员对评估范围内存货的账、表核对一致。根据北方微
电子提供的存货盘点表对其进行了抽查，检查其是否存在冷背残次情况，并查看
了有关出库和入库单，了解存货保管及出入库内控制度等仓储情况。
在清查核实的基础上，根据存货的各自特点确定相应的评估方法对其评定估
算。
1．原材料的评估
（1）评估范围：企业原材料包括各种生产材料和备品备件等，存放在企业材
北京亚超资产评估有限公司 第 19 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
料库中，账面金额 109,837,545.64 元，未计提跌价准备。原材料账面金额为材料的
购买价。
（2）评估程序及方法：评估人员在企业财务人员和材料仓库管理人员的陪同
下对库存原材料进行了抽查盘点，核实库存原材料数量是否账实一致，查看其品
质状态是否正常。
经核实，企业库存原材料数量与账面一致，大多数库存原材料购置时间不长，
市场价格变动不大，账面成本基本能够反映其市场价值，本次评估按核实后的账
面值确定评估值。
（3）评估结果：原材料的评估价值为 109,837,545.64 元，无评估减值。
2．在库周转材料的评估
（1）企业的在库周转材料主要为下电极四针传动组件、终检控制器支撑件装
配体等备件及低值易耗品，账面价值人民币 15,102,298.43 元。在库周转材料入库时
按实际购入价核算，领用时按移动加权平均法计算结转单价，一次计入费用及成
本。
（2）评估程序及方法：评估人员在企业财务人员和材料仓库管理人员的陪同
下对库存周转材料进行了抽查盘点，核实库存原材料数量是否账实一致，查看其
品质状态是否正常。
经核实，企业的备件及在库低值易耗品数量与账面一致，大多数备件及低值
易耗品市场价格变动不大，账面成本基本能够反映其市场价值，本次评估按核实
后的账面值确定评估值。
（3）评估结果：备件及在库低值易耗品的评估价值为 15,102,298.43 元，评估
无增减值。
3．在产品（自制半成品）的评估
（1）委估资产的内容：在产品为归属各个事业部成型的待安装在机台上的部
件及投入生产用的材料款及相关费用等。账面价值为 17,566,133.43 元，账面金额反
映的是投入生产的实际物品价值。
（2）评估程序及方法：评估人员首先了解企业产品的生产流程和相关的成本
核算与管理制度，核实在产品的账面价值是否真实、准确；鉴于该公司生产处于
连续的超净化生产环境，我们对在产品的清查，采用现场盘点及替代性测算相结
北京亚超资产评估有限公司 第 20 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
合的方法，包括核实财务记录、分析各期在产品、半成品余额变动情况、了解企
业成本核算程序、成本控制与管理状况等替代性测试分析程序，经测试分析，多
数在产品尚在组装初期，很多部件未改变物理形态，其成本仅反映其材料成本，
我们认为，企业提供的在产品清单基本反映了在产品的成本构成情况，故按照实
际情况逐项给定在产品的评估值。
（3）评估结果：在产品（自制半成品）的评估价值为 17,566,133.43 元，评估
无增减值。
4．产成品的评估
（1）评估范围：产成品为生产完工的待销售的库存商品，账面价值为
117,227,864.92 元。
（2）评估程序及方法
首先，评估人员根据企业库管的即时账对产成品进行了抽查盘点，以验证核
实账面数量，其次向企业了解的产成品市场适销情况。由于被评估单位基本为订
单生产，根据其不含税销售价格减去销售费用、全部税金确定评估值。计算公式
为：
某产成品评估值=不含税出厂销售价格-销售费用-销售税金-所得税
=不含税出厂销售单价×库存数量×（1-销售费用率-销售税金率-销售利润率
×所得税率）
不含税出厂价的确定：企业生产的大型机台，部分已签订正式合同，按合同
价确定出厂销售单价；对于未鉴定正式合同的，我们同被评估单位销售部门一起
核实这些机台的历史毛利情况，并结合企业未来预测情况，综合分析确定分类（分
品种）产品毛利率基本能够反映预计销售价格水平，其出厂价格=核实后的账面成
本/（1-分类（分品种）产品毛利率）；对于蓝宝石衬底片等账面价值较小，附加
值不高的产品，根据企业财务及销售部门提供的近期增值税发票及产品出库价格
单，以此确定实际不含税交易价格。
销售费用、全部税金率的确定：销售费用率、销售税金率等依据经审计后的
2013 年度、2014 年度及 2015 年 1-11 月财务报表数据进行测算后确定的，经测算营
业税金及附加率为 0.003%，销售费用率为 8.63%，销售利润率 13%，所得税率为 15%。
案例：eVictorA830（评估申报表-产成品第 3 项），账面数量 1 台，成本单价
北京亚超资产评估有限公司 第 21 页
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7,204,150.81 元，余额总计 7,204,150.81 元，该产品已签订正式的销售合同，不含税
销售单价为 24,375,000.00 元，确定各项费率为：营业税金及附加 0.003%，销售费用
率 8.63%，销售利润率 13%，所得税率 15%，据此计算该项的评估价值如下：
计算该产品的评估价值如下：
评估值=24,375,000.00×1×（1-0.003%-8.63%-13%×15%）
= 21,795,393.75（元）
（3）评估结果：产成品的评估价值为 231,985,309.91 元，评估增值 114,757,444.99
元，增值率为 97.89%。
5．存货评估结果
存 货 的 账 面 值 为 259,733,842.42 元 ， 评 估 值 为 374,491,287.41 元 ， 增 值
114,757,444.99 元，增值率为 44.18 %
（五）其他流动资产
1、评估范围：为企业待抵扣的增值税进项税，账面金额 36,950,975.10 元。
2、评估程序及方法：评估人员核实了相关凭证并与企业财务人员了解相关税
项形成情况及抵扣情况，核实无误，本次评估按核实后的账面值确定评估值。
3、评估结果：其他流动资产的评估价值为 36,950,975.10 元，无评估减值。
七、评估结果
纳 入 此 次 评 估 范 围 的 流 动 资 产 账 面 值 为 963,834,437.05 元 ， 评 估 值 为
1,077,812,072.04 元，评估增值 113,977,634.99 元，增值率为 11.83 %，主要为产成品
评估增值，增值的原因是，期末产成品中部分大型机台的毛利较高导致评估增值
较大。
北京亚超资产评估有限公司 第 22 页
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房屋建筑物类评估技术说明
一、评估范围和对象概述
列入此次评估范围内的房屋建（构）筑物类资产，位于北京大兴亦庄开发区
西环中路北侧，账面值 221,352,984.77 元，账面净值 196,321,667.43 元。房屋建筑物，
主要包括主厂房、动力厂房、化学品库、门卫室等，总建筑面积 46687.84 平方米，
其中证载面积 44812.01 平米，另外企业在一层局部做了夹层并装修为实验室洁净
间，增加面积 1550.83 平米，已取得【2015】121175 号房产测绘成果审核通知书，
尚未取得房产证，化学品库、门卫室合计建筑面积 325 平米房产证尚在办理中；
构筑物 4 项，管道沟槽 27 项，主要包括围墙、路面硬化、中水管、雨水管、给水
管等，管道沟槽等，其账面值包含在房屋建筑物中，未单独列示。
1、建筑物、构筑物基本情况
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司申报的房屋建（构）筑
物位于北京大兴亦庄开发区西环中路北侧，主要包括主厂房、动力厂房、围墙、
路面硬化、中水管、雨水管、给水管等，主要建、构筑物概况如下：
主厂房：建成于 2011 年 7 月，为框架结构建筑，占地面积 10735.9 平方米，
建筑面积 39412.02 平方米，主体四层。一层层高 10 米，二层至四层层高 4.5 米。
建筑采用 CFG 桩复合地基承重，桩端进入⑤层砂质粉土层，处理后地基承载力为
260KPa。建筑采用独立柱基、筏板基础承重，基础埋深 4 米。建筑承重结构为柱、
梁、板，均为现浇钢筋混凝土结构，围护墙采用 240mm 厚混凝土空心砌块砌筑，
内隔墙采用 200 厚加气混凝土砌块砌筑。建筑外墙贴瓷砖，局部为玻璃幕墙，建
筑内墙刷白色乳胶漆，大厅、楼梯间、走廊等公共区域铺地砖，会议室、办公区
等局部铺地毯，顶棚为石膏板吊顶。卫生间采用防滑地砖、瓷砖墙面和 pvc 吊顶。
建筑内木门包木门套，部分设有钢防盗门，建筑内水、电、中央空调、通风、音
响、监控等系统配套设施齐备。建筑一层东部为洁净间，隔墙采用 100mm 厚岩棉
夹芯钢板墙，防静电环氧漆地面，加强型岩棉夹芯金属壁板上人吊顶。
2014 年，被评估单位在主厂房一层局部做了夹层并装修作为实验室洁净间，
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增加面积 1550.83 平米，已取得【2015】121175 号房产测绘成果审核通知书，尚未
取得房产证。
动力厂房：建于 2011 年 7 月，框架结构 2 层建筑，建筑面积 5399.99 平方米，
总高 12.7 米，层高 6 米；局部设地下泵房和检修夹层，地下泵房深 6 米。建筑采
用 CFG 桩复合地基承重，桩端进入⑤层砂质粉土层，处理后地基承载力为 240KPa。
建筑采用独立柱基、筏板基础承重，基础埋深 2.8 米。墙体采用 240mm 厚混凝土
空心砌块砌筑，外墙贴瓷砖，建筑内墙刷白色乳胶漆，环氧漆地面，顶棚刷白；
办公区铺地砖，石膏板吊顶；卫生间采用防滑地砖、瓷砖墙面和 pvc 吊顶。建筑内
水、电、中央空调、通风等系统配套设施齐备。
其他构筑物、管道沟槽概况：砖跺铁艺围墙 1200 米，混凝土路面及停车场 10000
平方米，中水管道 4321.2 米，给水管道 2337.4 米，雨水管道 1196 米。
2、权属情况
委估房屋建筑物中 44812.01 平米，已办理房屋所有权证，房产证号为“X 京房
权证开字第 013001 号”，证载所有权人为北京北方微电子基地设备工艺研究中心有
限责任公司。
委估资产已与所坐落土地一同抵押给中国民生银行股份有限公司总行营业部，
抵押期限为 2015 年 9 月 22 日至 2018 年 9 月 22 日。
3、评估方案与工作步骤
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司的房屋建筑物、构筑物
的评估工作，根据评估目的和所确定的评估范围，按照评估组的计划安排，制定
了建筑物、构筑物的评估方案与工作步骤，内容如下：
（1）评估准备阶段
商谈意图：我所的评估人员与北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责
任公司有关人员座谈，听取项目房屋建筑物、构筑物有关情况的介绍，交待评估
意图及工作程序与计划，以便共同协作做好本次评估工作。
资料准备：按照我方的资料清单，请他们协助搜集北京市的工程定额、费用
文件、2015 年第 11 期建筑材料调价信息及评估项目的工程历史资料等，为评估工
作做好资料准备。
开展自查：请委托方作好评估范围内建筑物、构筑物数量与实物的自查工作，
北京亚超资产评估有限公司 第 24 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
核实工程量等相关技术数据，填写建筑物、构筑物评估明细表与调查表。
（2）评估实施阶段
财务核对：首先根据企业提供的建筑物、构筑物评估明细表，进行账账、账
表、表图、账实核对，发现问题及时向有关人员询问，如有不实立即调整，避免
重复、遗漏现象，减少评估工作失误。
权属核实：要求企业提供申报评估的房屋产权证明或权属证明性文件及建设
档案资料，认真核实产权归属。
勘察现场：在做好上述工作的基础上，与被评估单位有关人员一起逐项进行
实地勘验，并向有关人员详细了解建筑物的使用修缮维护情况。根据建筑物、构
筑物现状及使用情况进行技术分析，判别成新率，核实建筑物的建筑面积。
评估计算：对建筑物、构筑物按工程结构类型进行分类，然后对不同类型的
建筑物、构筑物分别选取典型案例，核实工程量、直接费后，依据北京市有关取
费标准和市场材料价格，按估价规范要求与当地和行业规定的计费程序，计算重
置全价及评估值；然后以典型案例重置价为基础，将各建筑物、构筑物与典型案
例重置价进行比较，得出各自的重置价格，在确定成新率后，得到相应的评估价
格。
（3）评估说明及评估明细表提出阶段
对已取得的评估资料，反复进行综合分析，对各类建筑物、构筑物分别进行
重置与评估值计算，复核评估工作底稿，编写资产评估说明及评估明细表。
二、评估方法及过程
对本次委估资产，采用成本法评估。
本次评估将建（构）筑物按结构特征分类，为框架结构。选取有代表性的建
筑物、构筑物作为典型案例，对典型案例的评估，运用典型工程概预算调整法，
以该案例预决算资料的工程量为依据，按现行定额标准，求取直接费。然后根据
规定的取费程序计算其建安工程总造价，再加上工程建设其它费用、资金成本，
确定重置全价。
重置全价=建筑安装工程总造价 + 工程建设其它费用 + 资金成本
其它建筑物和构筑物以典型案例重置单价为基础，将各建筑物与典型案例重
置单价进行比较，并参考原概算价格及建筑估价指标得出各自的重置价格。
北京亚超资产评估有限公司 第 25 页
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成新率采用年限法与打分法综合确定建筑物成新率。
评估值=重置全价× 成新率
1、建筑安装工程总造价
根据原概预算的工程量，并根据施工图、设计变更和结算，运用典型工程概
预算法，根据《北京市工程造价信息》公布的建筑材料、人工、机械费市场价格
信息，套用现行的《北京市建设工程概算定额》（2004）和《北京市建设工程费用
定额》（2004）计算土建工程造价和安装工程造价。计算过程详见下表：
建筑工程取费计算表
编号 项目 计算公式
1 建筑工程直接费 由 2004 概算定额计算
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算
3 综合费用 (1)× 12.7%
4 利润 [(1)+(3)]× 7%
5 税金 [(1)+(3)+(4)]× 3.4%
6 建筑工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)
装饰工程取费计算表
编号 项目 计算公式
1 装饰工程直接费 由 2004 概算定额计算
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算
3 综合费用 (2)× 95%
4 利润 [(1)+(3)]× 7%
5 税金 [(1)+(3)+(4)]× 3.4%
6 装饰工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)
安装工程取费计算表
编号 项目 计算公式
1 安装工程直接费 由 2004 概算定额计算
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算
3 综合费用 (2)× 105%
4 利润 [(1)+(3)]× 7%
5 税金 [(1)+(3)+(4)]× 3.4%
6 安装工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)
2、工程建设其他费用的确定
根据国家计委、建设部、北京市颁发的规定与造价计算程序，确定本次建筑
工程建设其他费用，其规定的计算程序与数据如下：
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工程建设其它费用计算表
计费基础 费率
序号 费用名称 计算依据
研究说明 (%)
1 可行性研究费 概算投资 0.29 计价格［1999］1283 号
2 环境影响咨询费 概算投资 0.07 计价格[2002]125 号，发改价格[2011]534 号调整
3 招标代理服务费 概算投资 0.11 计价格[2002]1980 号，发改价格[2011]534 号调整
4 建设单位管理费 概算投资 0.87 财建[2002]394 号
5 勘察设计费 概算投资 3.15 计价格[2002]10 号文
6 工程监理费 概算投资 1.73 发改价格[2007]670 号
通用性收费小计 概算投资 6.22
3、资金成本的确定
资金成本按正常建设工期和评估基准日正在执行的国家同期固定资产建设贷
款利率计算。假定建设期间工程投资为均匀投入，其计算公式为：
资金成本=（建安工程造价+工程建设其它费用） 建设期贷款利率× 合理工期÷ 2
4、综合成新率的确定
房屋建筑物成新率根据房地产评估规范的规定，采用使用年限法与打分法综合
确定建筑物成新率。
综合成新率=打分法成新率×60％+年限法成新率×40％
使用年限法是以剩余使用年限（建筑物经济耐用年限-已使用年限）占建筑物
经济耐用年限的比率作为房屋建筑物的成新率。用公式表示即为：
年限法成新率=剩余使用年限÷建筑物经济耐用年限×100％。
当建筑物的尚可使用年限与已使用年限之和大于建筑物的经济耐用年限时，建
筑物的成新率用下述公式表示为：
年限法成新率=尚可使用年限÷（尚可使用年限+已使用年限）×100％
打分法是根据不同结构房屋的实际技术情况按结构、装修、设备三部分分别打
分。公式为：
打分法成新率=结构得分×G＋装修部分得分×S＋设备部分得分×B
G—结构评分修正系数；
S—装修评分修正系数；
B—设备评分修正系数。
5、评估值的确定
北京亚超资产评估有限公司 第 27 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
重置全价=建安工程总造价+工程建设其它费用+资金成本
评估值=重置全价×综合成新率
三、评估结果说明
单位：人民币元
账面价值 评估价值 增值率%
科目名称
原值 净值 原值 净值 原值 净值
房屋建筑物类合计 221,352,984.77 196,321,667.43 228,727,226.98 208,549,762.31 3.33 6.23
房屋建筑物 221,352,984.77 196,321,667.43 219,510,845.48 200,672,956.51 -0.83 2.22
构筑物及其他辅助设施 0.00 0.00 4,287,980.00 3,687,662.80
管道沟槽 0.00 0.00 4,928,401.50 4,189,143.00
房屋建筑(构)物类资产原值增值，主要是近年来材料及人工成本增长所致，净
值增值主要原因是企业提折旧年限与评估经济寿命年限不一致。
四、评估案例分析
案例一：主厂房（房屋建筑物评估明细表第 1 号）
1、概况
主厂房建成于 2011 年 7 月，为框架结构建筑，建筑面积 39412.02 平方米，主
体四层。一层层高 10 米，二层至四层层高 4.5 米。建筑采用 CFG 桩复合地基承重，
桩端进入⑤层砂质粉土层，处理后地基承载力为 260KPa。建筑采用独立柱基、筏
板基础承重，基础埋深 4 米。建筑承重结构为柱、梁、板，均为现浇钢筋混凝土
结构，围护墙采用 240mm 厚混凝土空心砌块砌筑，内隔墙采用 200 厚加气混凝土
砌块砌筑。建筑外墙贴瓷砖，局部为玻璃幕墙，建筑内墙刷白色乳胶漆，大厅、
楼梯间、走廊等公共区域铺地砖，会议室、办公区等局部铺地毯，顶棚为石膏板
吊顶。卫生间采用防滑地砖、瓷砖墙面和 pvc 吊顶。建筑内木门包木门套，部分设
有钢防盗门，建筑内水、电、中央空调、通风、音响、监控等系统配套设施齐备。
建筑一层东部为洁净间，隔墙采用 100mm 厚岩棉夹芯钢板墙，防静电环氧漆地面，
加强型岩棉夹芯金属壁板上人吊顶。
2、计算建安工程造价
根据原概预算的工程量，并根据施工图、设计变更和结算，运用典型工程概
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预算法，根据《北京市工程造价信息》公布的建筑材料、人工、机械费市场价格
信息，套用现行的《北京市建设工程概算定额》（2004）和《北京市建设工程费用
定额》（2004）计算土建工程造价、装饰工程造价和安装工程造价，具体计算过程
见下表：
建筑工程取费计算表（单位：人民币元）
编号 项目 计算公式 工程造价
1 建筑工程直接费 由 2004 概算定额计算 74,241,971.00
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算 5,825,025.00
3 综合费用 (1)× 12.7% 9,428,730.32
4 利润 [(1)+(3)]× 7% 5,856,949.09
5 差价 6,952,182.00
6 税金 [(1)+(3)+(4)+(5)]× 3.4% 3,280,314.30
7 建筑工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)+(6) 99,760,146.71
装饰工程取费计算表（单位：人民币元）
编号 项目 计算公式 工程造价
1 装饰工程直接费 由 2004 概算定额计算 43,806,378.12
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算 5,856,224.66
3 综合费用 (2)× 95% 5,563,413.43
4 利润 [(1)+(3)]× 7% 3,455,885.41
5 差价 2,903,464.00
6 税金 [(1)+(3)+(4)+(5)]× 3.4% 1,894,790.79
7 装饰工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)+(6) 57,623,931.75
安装工程取费计算表（单位：人民币元）
编
项目 计算公式 工程造价
号
1 安装工程直接费 由 2004 概算定额计算 5,031,950.00
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算 608,627.00
3 综合费用 (2)× 105% 639,058.35
4 利润 [(1)+(3)]× 7% 396,970.58
5 差价 565,321.00
6 税金 [(1)+(3)+(4)+(5)]× 3.4% 225,532.20
7 安装工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)+(6) 6,858,832.13
3、工程建设其它费用
根据当地政府规定的各类建设取费标准及建设期建设单位所支付的其它费用
计算：
工程建设其他费用计算表
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计费基础研究说
序号 费用名称 费率(%) 金额（人民币元）
明
1 可行性研究费 概算投资 0.29 476,304.44
2 环境影响咨询费 概算投资 0.07 114,970.04
3 招标代理服务费 概算投资 0.11 180,667.20
4 建设单位管理费 概算投资 0.87 1,428,913.32
5 勘察设计费 概算投资 3.15 5,173,651.68
6 工程监理费 概算投资 1.73 2,841,402.35
7 通用性收费小计 概算投资 6.22 10,215,909.04
4、资金成本
依据全国建筑安装工程工期定额，合理工期为 2 年， 资金均匀投入，以评估
基准日中国人民银行公布的 1 至 3 年期贷款利率 4.75％计算。
资金成本=（建安工程造价+工程建设其他费用）× 贷款利率× 合理工期× 0.5
5、重置全价
重置全价计算表
序号 费用名称 计算公式 金额(元)
一 建安工程总造价 164,242,910.59
二 工程建设其他费用 10,215,909.04
三 资金成本 （一+二）*合理工期*利率/2 8,286,793.93
四 重置全价 一+二+三 182,745,610.00
6、房屋成新率的确定
测算建筑物的成新率采用综合成新率法，即年限法成新率和打分法成新率的
加权平均值 ：
计算公式： 综合成新率=年限法成新率× 40％+打分法成新率× 60％
A、年限法成新率
年限法成新率=尚可使用年限/可使用年限× 100％
本案例的经济寿命年限为 50 年，已使用 4.40 年，尚可使用 45.60 年。
年限法成新率=45.60÷ 50× 100％=91％
B、技术鉴定成新率的计算
主要通过勘查房屋的使用状况和对房屋的维修保养情况及损坏程度来综合考
虑其成新率。
部件名称 标准分 具体情况 评定分
结 基础 25 有承载能力力，无不均匀沉降 23
构 承重构件 25 较好较坚固 22
部 复合板墙较完好坚固；节点较牢固；拼缝处较
分 非承重墙 15 密实 14
北京亚超资产评估有限公司 第 30 页
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复合板顶不渗漏。防水层、隔热层、保温层基
屋面 20 本完好 18
地面 15 整体面层较平整 14
综合求取时权重取为 0.7 91
门窗 25 开关灵活，基本完好 23
装 外粉饰 20 基本完好 18
修
部 内粉饰 20 基本完好 18
分 顶棚 20 基本完好 18
其他装修 15 基本完好 14
综合求取时权重取为 0.25 91
动力电照 40 电器设备、线路各种照明装置基本完好 36
设
备 给排水采暖 30 管道畅通，稍有锈蚀 28
部 其他 30 现状良好，使用正常 28
分
综合求取时权重取为 0.05 92
合计 91
C、综合成新率的确定
综合成新率＝年限法成新率× 40％+打分法成新率× 60％
＝91× 40％+91× 60％
＝91%
7、评估值的确定
评估值 =重置全价× 成新率
= 182,745,610.00× 91％
= 166,298,505.10（元）
案例二：路面及停车场（构筑物评估明细表第 2 号）
1、概况
路面及停车场建成于 2011 年 7 月，面积 10000 平方米。基层混凝土强度要求
达到 C25 以上，水灰比控制在 0.50 以下，混凝土坍落差应控制在 70-100mm，混凝
土拌合物尽量减少离析并对泌水有所控制。
2、计算建安工程造价
根据原概预算的工程量，并根据施工图、设计变更和结算，运用典型工程概
预算法，根据《北京市工程造价信息》公布的建筑材料、人工、机械费市场价格
信息，套用现行的《北京市建设工程概算定额》（2004）和《北京市建设工程费用
定额》（2004）计算工程造价，具体计算过程见下表：
北京亚超资产评估有限公司 第 31 页
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工程取费计算表
编号 项目 计算公式 工程造价
1 工程直接费 由 2004 概算定额计算 1,824,578.38
2 其中：人工费 由 2004 概算定额计算 438,423.66
3 综合费用 (1)× 12.7% 231,721.45
4 利润 [(1)+(3)]× 7% 143,940.99
5 差价 407,355.22
6 税金 [(1)+(3)+(4)+(5)]× 3.4% 88,658.27
7 工程造价合计 (1)+(3)+(4)+(5)+(6) 2,696,254.31
3、工程建设其它费用
根据当地政府规定的各类建设取费标准及建设期建设单位所支付的其它费用
计算：
工程建设其他费用计算表
计费基础研究说
序号 费用名称 费率(%) 金额
明
1 可行性研究费 概算投资 0.29 7,810.99
2 环境影响咨询费 概算投资 0.07 1,885.41
3 招标代理服务费 概算投资 0.11 2,962.79
4 建设单位管理费 概算投资 0.87 23,432.96
5 勘察设计费 概算投资 3.15 84,843.48
6 工程监理费 概算投资 1.73 46,596.58
通用性收费小计 概算投资 6.22 167,532.21
4、资金成本
依据全国建筑安装工程工期定额，合理工期为 2 年， 资金均匀投入，以评估
基准日中国人民银行公布的 1 至 3 年期贷款利率 4.75％计算。
资金成本=（建安工程造价+工程建设其他费用）× 贷款利率× 合理工期× 0.5
5、重置全价
重置全价计算表
序号 费用名称 计算公式 金额(元)
一 工程总造价 2,696,254.31
二 工程建设其他费用 167,707.02
三 资金成本 （一+二）*合理工期*利率/2 136,038.16
四 重置全价 一+二+三 3,000,000.00
6、成新率的确定
测算构筑物的成新率采用综合成新率法，即年限法成新率和打分法成新率的
加权平均值 ：
计算公式： 综合成新率=年限法成新率× 40％+打分法成新率× 60％
A、年限法成新率
年限法成新率=尚可使用年限/可使用年限× 100％
北京亚超资产评估有限公司 第 32 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
本案例的耐用寿命年限为 30 年，已使用 4.40 年，尚可使用 25.60 年。
年限法成新率=25.60÷ 30× 100％=85％
B、技术鉴定成新率的计算
主要通过勘查构筑物的使用状况和对构筑物的维修保养情况及损坏程度来综
合考虑其成新率。
现场勘查测算表
部件名称 标准分 具体情况 评定分
停 地 地基部分 35 地基良好，无不均匀下沉 31
车 面 地面 35 地面良好，基本无破损 31
场 及 排水系统 30 排水系统良好，无积水 24
合计 100 86
C、综合成新率的确定
综合成新率＝年限法成新率× 40％+打分法成新率× 60％
＝85× 40％+86× 60％
＝86%
7、评估值的确定
评估值=重置全价× 成新率
=3,000,000.00× 86％
=2,580,000.00（元）。
北京亚超资产评估有限公司 第 33 页
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设备类资产评估技术说明
一、评估范围
纳入本次评估范围的设备类资产为北京北方微电子基地设备工艺研究中心有
限责任公司（以下简称“北方微电子”）的机器设备、车辆及电子设备，账面值
如下表所示：
单位：人民币元
账面价值
科目名称
原值 净值
设备类合计 184,399,594.48 109,231,133.83
机器设备 139,707,038.03 98,560,318.06
车辆 4,034,439.28 1,346,085.03
电子设备 40,658,117.17 9,324,730.74
二、评估对象概况
1、概况
北方微电子主要致力于集成电路芯片制造工艺用的刻蚀机、PVD 和 CVD 设备
的研发、生产制造、销售与技术服务，目前主要产品为集成电路、先进封装、半
导体照明、MEMS 等领域的设备。2011 年 7 月，北方微电子厂址迁至北京市大兴区
亦庄开发区，厂房占地面积 10 万余平米，建筑面积 4.4 余万平方米，工艺试验环
境、工艺检测环境、设备研发环境和制造环境达到国际半导体行业先进水平。具
体包括工艺管路超洁净组装区（洁净度 10 级）、工艺试验检测区（洁净度 100 级）、
设备实验区（洁净度 1000 级）、零件超净清洗区（洁净度 1000 级）和设备组装区
（洁净度 10000 级）等区域。
2、主要生产工艺流程
北京亚超资产评估有限公司 第 34 页
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3、基本情况
目前公司设备分为检测设备、动力设备、制造设备三大类，主要分布在各个
洁净间、动力厂房和办公区中。
检测类设备主要有 FE-SEMS、应力测试仪、涂层测厚仪、硅片颗粒检测仪等，
其中，主要设备为进口设备。以上设备于多为 2004 年至 2015 年 11 月期间购置并
投入使用，目前均在正常使用中。
公司内所有动力设备主要分布在动力厂房和超净间内，主要包括洁净空调系
统、特气输送系统、特气泄漏检测系统、压缩空气供应系统、普通氮气供应系统、
纯水制造系统、废水处理系统、酸碱废气处理系统、工艺设备冷却系统、工艺真
空管道系统、中央监控和消防系统等，主要设备包括配电柜、高低压开关柜、螺
杆式冷水机组、FFU 循环空调机组、超纯水制备系统、酸性废水处理系统、空气压
缩机、工艺真空泵、低温液体贮槽、废气净化器、废气处理器、气源柜等和各种
类型的泵及传感器。以上设备于多为 2004 年至 2015 年期间购置并投入使用，在用
情况较好。
公司的制造设备主要包括工艺设备、辅助设备和机加工设备，其中，工艺设
备主要包括光刻机等，辅助设备主要包括无尘双梁桥式起重机、LH 型双梁桥式起
重机、单轨吊车、海斯特站驾前移式叉车等，机加工设备包括冲压机、升降机、
托盘车、起道机、磁力钻、切割机、磨削器、平口机、封口机、铣床等。以上设
备为 2003 年至今陆续购置启用，目前设备使用状况良好。
4、设备管理
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司的生产设备由设备部统
一管理，为了管理的专业性，生产技术部分设了生产专用设备、电气等专业管理，
各专业根据国家化工行业的要求，并结合专业的特点制定了设备管理制度，如安
全生产管理制度、设备检修管理制度、设备缺陷管理标准等。在这些制度中，明
北京亚超资产评估有限公司 第 35 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
确了设备的管理范围、管理职责、设备检修要求、检修范围及检修时间、修复还
原程度等。对设备的管理和使用执行“统一领导、归口管理、层层负责、优化配置、
管用结合、物尽其用”的原则，使设备得到最优化的使用和严格的管理。
5、设备运行情况
评估人员现场勘察了北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司的
设备，并与现场设备管理和操作人员进行了广泛深刻的交流，详细了解了主要生
产设备的运行情况，现场查阅了设备的运行记录。通过以上方式，评估人员了解
到了设备历史运行情况和在现场运转情况。经了解，公司操作人员持证上岗，严
格按照设备操作规程进行操作，确保设备安全运行。目前设备运行状态良好，锅
炉燃烧充分，排放量全部达到环保部门的要求。因公司对设备的管理尚好，各种
设备能较好地满足生产的需要。
6、设备维护和保养
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司常规维修和保养由公司
设备部负责，要求维修保养人员定期对设备进行除尘、检修等日常维护保养工作，
如发现小故障，由现场设备管理员进行维修。根据国家化工行业的要求，6-8 年需
进行一次大修，大修时，向全社会招标，由一些大厂的专业人员及设备生产厂负
责维修。维修后，进行全面检测和测试，然后进行正式生产。
7、车辆及电子设备概况
车辆设备主要有轿车、宇通 ZK6708DH 客车等，均为 2003 年 1 月以后购入并使
用，使用状况良好。
电子设备主要是电脑、打印机、笔记本电脑等，能够满足正常工作的需要。
三、评估依据
（一）主要法律法规
1、国务院国有资产监督管理委员会令第 12 号《企业国有资产评估管理暂行办
法》；
2、《国有资产评估管理办法》国务院 1991 年第 91 号令；
3、《国有资产评估管理办法施行细则》国资办发[1992]36 号；
北京亚超资产评估有限公司 第 36 页
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3、《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》（财政部、国家税务总局令
第 50 号，经财政部、国家税务总局令第 65 号修订）；
（二）重大合同、产权证明文件
1、企业提供的车辆行驶执照复印件；
2、企业提供的部分重要设备订货合同和发票、专家鉴定等；
3、企业提供的进口设备的合同、报关单及完税凭证等。
（三）取价标准
1、评估基准日外汇汇率；
2、银行存贷款利率；
3、进出口关税税率；
4、其他各项相关费率。
（四）参考资料及其他
1、《机动车强制报废标准规定》（商务部、发改委、公安部、环境保护部令
2012 年第 12 号）；
2、2006 年《中华人民共和国进出口税则》（国务院关税税则委员会）；
3、北京亚超资产评估有限公司价格信息资料库相关资料；
4、《北京市建设工程概算定额》（2004）
5、《北京市建设工程费用定额》（2004）
6、《2015 全球机电报价手册》；
7、《资产评估常用数据与参数手册》（第二版）；
8、向设备制造厂家询价的有关资料；
9、评估人员调查了解及查询的市场价格信息及其他与评估有关的资料。
四、评估过程
（1）清查核实
A、为保证评估结果的准确性，根据企业设备资产的构成特点，指导该公司根
据实际情况填写资产评估明细表，并以此作为评估的基础。
B、针对资产评估明细表中不同的设备资产性质及特点，采取不同的清查核实
北京亚超资产评估有限公司 第 37 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
方法进行现场勘察。做到不重不漏，并对设备的实际运行状况进行认真观察和记
录。
设备评估人员对重点设备、大型设备采取查阅设备运行记录、技术档案，了
解设备的运行状况；向现场操作、维护人员了解设备的运行检修情况、更换的主
要部件及现阶段设备所能达到的主要技术指标情况；向企业设备管理人员了解设
备的日常管理情况及管理制度的落实情况，从而比较充分地了解设备的历史变更
及运行情况；到现场察看设备外观、运行情况等。对金额较小、数量较多的小型
设备，主要核对财务明细账、固定资产卡片和企业的设备更新报废台账，以抽查
的方式对实物进行清查核实。
C、根据现场实地勘察结果，进一步完善评估明细表，要求做到“表”、“实”相符。
D、关注本次评估范围内设备的产权问题，如：抽查重大设备的购置合同、逐
一核对车辆行驶证；查阅固定资产明细账及相关财务凭证，了解设备账面原值构
成情况。
（2）评定估算
根据评估目的确定价值类型、选择评估方法，开展市场询价工作，进行评定
估算。
（3）评估汇总
对设备类资产评估的初步结果进行分析汇总，对评估结果进行必要的调整、
修改和完善。
（4）撰写评估技术说明
按财政部颁发的有关评估报告的基本内容与格式，编制“设备评估技术说明”。
五、评估方法
根据本次评估目的，按照持续使用原则，以市场价格为依据，结合委估设备
的特点和收集资料情况，主要采用重置成本法进行评估。
评估值=重置全价× 成新率
（1）机器设备
① 重置全价
北京亚超资产评估有限公司 第 38 页
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A、对于各类标准设备：
重置全价=设备购置价+国内运杂费+安装调试费 +其它费用+资金成本
a、购置价
主要通过向生产厂家或贸易公司询价、或参照《2015 全球机电报价手册》等
价格资料，以及参考近期同类设备的合同价格确定；对少数未能查询到购置价的
设备，采用同年代、同类别设备的价格变动率推算确定购置价；对于自制设备的
作价，按照自制设备所使用材料多少和工艺难易程度，按材料制作单价作价。
b、 运杂费
以设备购置价为基础，根据生产厂家与设备所在地的距离不同，按不同运杂
费率计取。当地生产设备运杂费率为 0.2—0.5%(或按公里数估算)国内外地生产设
备铁路、水路和公路运杂费率按运输距离分段计算：铁路、水路运杂费率 100km
为 1.5%，超过 100km 时每增加 100km 费率增加 0.25％，不足 100km 时按 100km 计
算；公路运杂费率 50km 为 1.06%,超过 50km 时每增加 50km 增加 0.5％，不足 50km
的按 50km 计算。委估项目中的设备大部分是采用公路运输，其运杂费率表如下：
运程 Km 取费基础 费率% 运程 Km 取费基础 费率%
100 以内 设备费 1.50% 2100 设备费 6.50%
200 设备费 1.75% 2200 设备费 6.75%
300 设备费 2.00% 2300 设备费 7.00%
400 设备费 2.25% 2400 设备费 7.25%
500 设备费 2.50% 2500 设备费 7.50%
600 设备费 2.75% 2600 设备费 7.75%
700 设备费 3.00% 2700 设备费 8.00%
800 设备费 3.25% 2800 设备费 8.25%
900 设备费 3.50% 2900 设备费 8.50%
1000 设备费 3.75% 3000 设备费 8.75%
1100 设备费 4.00% 3100 设备费 9.00%
1200 设备费 4.25% 3200 设备费 9.25%
1300 设备费 4.50% 3300 设备费 9.50%
1400 设备费 4.75% 3400 设备费 9.75%
1500 设备费 5.00% 3500 设备费 10.00%
1600 设备费 5.25% 3600 设备费 10.25%
1700 设备费 5.50% 3700 设备费 10.50%
1800 设备费 5.75% 3800 设备费 10.75%
1900 设备费 6.00% 3900 设备费 11.00%
2000 设备费 6.25% 4000 设备费 11.25%
c、安装调试费
对于安装调试费，根据《机械工业建设项目概算编制办法及各项概算指标》
(1995 年版)、设备合同中约定内容综合确定。若合同价不包含安装、调试费用，根
据决算资料统计实际安装调试费用，剔出其中非正常因素造成的不合理费用后，
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并参考《北京市建设工程概算定额》（2004）《北京市建设工程费用定额》（2004）
中有关规定，合理确定其费用；同时根据当地的工程造价信息调整人工费、机械
费和材料费。合同中若包含上述费用，则不再重复计算。
对小型、无须安装的设备，不考虑安装调试费。
d、 工程建设其它费用
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司设备的工程建设其它费
用根据现场实际情况，按原国家计委、建设部计价格[2002]10 号《工程勘察设计收
费管理规定》、国家计委办公厅、建设部办公厅关于工程勘察设计收费管理规定有
关问题的补充通知、《北京市建设工程概算定额》（2004）《北京市建设工程费用定
额》（2004）等相关规定，计取工程建设其它费用，主要包括：建设单位管理费、
环境影响评价费、勘察设计费、工程监理费等。
e、 资金成本
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司机器设备根据各类设备
不同，所参评机器设备全部工程（含房屋、构筑物、及机器设备）建设完成后才
能共同产生收益，故将北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司的工
程建设作为一整体工程，结合企业的建设情况，按目前经北京北方微电子基地设
备工艺研究中心有限责任公司的生产规模，北京北方微电子基地设备工艺研究中
心有限责任公司综合合理投产工期应为 1 年，资金成本按均匀投入计取。
资金成本=（设备购置价格+运杂费+安装调试费+其他费用）× 贷款利率× 工期
× 1/2
一年期固定资产贷款利率 4.35%。
B、对于非标类机器设备重置成本的确定
非标类设备大都采用现场制作和安装，或在生产厂家基本成型后，运抵安装
现场继续制作和安装。非标设备类资产重置成本的基本计算公式为：
重置成本=非标设备制作费+设备安装工程费+其他费用+资金成本-主材/1.17×
17%
a、非标设备制作费的确定参考《北京市建设工程概算定额》（2004）《北京市
建设工程费用定额》（2004），根据设备的重量及安装工程消耗量确定。
也可以按照设备总重量（t），并分别计算出不同材料的重量（t），以吨制造费
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
来估算。
b、非标设备安装工程费的确定
与通用设备的确定方法一致。
c、其他费用的确定
与通用设备的确定方法一致。
d、资金成本的确定
与通用设备的确定方法一致。
② 成新率的确定
对机器设备的成新率，参照设备的经济寿命年限，并通过现场勘察设备现状
及查阅有关设备运行、修理及设备管理档案资料，对设备各组成部分进行勘察，
综合判断估计其尚可使用年限，在此基础上计算成新率 N，即：
N＝尚可使用年限/（实际已使用年限＋尚可使用年限）× 100%
对价值量较小的一般设备采用年限法确定其成新率；对于超过经济使用寿命
尚可使用的设备，则其成新率一般不低于 15%。
（2）车辆
①重置全价的确定：
根据评估人员查询的近期车辆市场价格资料，确定本评估基准日的运输车辆
价格，在此基础上根据《中华人民共和国车辆购置税暂行条例》计入车辆购置税、
新车上户牌照手续费等。具体公式为：
车辆重置全价=购置价+车辆购置附加税+牌照费用
a、购置价：参照车辆所在地同类车型最新交易的市场价格确定，其它费用依
据车辆管理部门的收费标准确定。
b、车辆购置税：
根据《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》中华人民共和国财政部国
家税务总局令第 50 号的有关规定：车辆购置税应纳税额＝计税价格×10%。
c、新车上户牌照手续费等：根据车辆所在地该类费用的内容及金额确定为 500
元/辆。
另：部分车辆采用二手车市场价进行评估。
②成新率的确定
北京亚超资产评估有限公司 第 41 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
按以下方法确定成新率，即：
成新率＝Min（剩余年限成新率，行驶里程成新率）+a
剩余年限成新率＝（1－已使用年限／经济寿命年限）×100%
行驶里程成新率＝（1－已行驶里程／规定行驶里程）×100%
a:车辆特殊情况调整系数。
另：直接按二手车市场价评估的车辆，不再考虑成新率。
（3）电子设备
①重置全价的确定
根据近期当地市场价格资料，确定评估基准日的电子设备价格，一般生产厂
家提供免费运输及安装，故确定其重置全价：重置全价=购置价。
②成新率的确定
成新率=（1-已使用年限÷经济寿命年限）×100%
或成新率=[尚可使用年限÷（已使用年限+尚可使用年限）]×100%
另：直接按二手市场价评估的电子设备，无须计算成新率。
③个别电子设备采用二手市场价评估。
六、评估结果
纳入本次评估设备类资产，截止评估基准日评估结果详见下表：
账面价值 评估价值 增值率%
科目名称
原值 净值 原值 净值 原值 净值
设备类合计 184,399,594.48 109,231,133.83 219,270,351.68 174,644,687.05 18.91 59.89
机器设备 139,707,038.03 98,560,318.06 180,061,349.92 144,246,712.05 28.88 46.35
车辆 4,034,439.28 1,346,085.03 2,765,551.76 1,796,928.00 -31.45 33.49
电子设备 40,658,117.17 9,324,730.74 36,443,450.00 28,601,047.00 -10.37 206.72
具体评估结果详见各单位“机器设备评估明细表”、“车辆评估明细表”、“电子设
备评估明细表”。
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七、评估结果分析
本次评估设备类资产原值评估增值 34,870,757.20 元，增值率 18.91%，净值评估
增值 65,413,553.22 元，增值率 59.89 %，增值的原因主要为：
①机器设备：账面原值 139,707,038.03 元，评估原值 180,061,349.92 元，增值率
28.88%；账面净值 98,560,318.06 元，评估净值 144,246,712.05 元，增值率 46.35%，增
值的主要原因是，被评估单位 2015 年入账的颗粒控制技术研究平台和软件系统测
试平台，是在 2013 年 1 月年至 2015 年 9 月，实施 02 专项“90/65nm 刻蚀机研发与
产业化”项目的过程中自主研发形成的固定资产。两个测试平台分别累计投入
2,197.86 万元、2,440.6 万元，被评估单位在确认上述固定资产账面价值时，未将 2015
年 1 月 1 日之前已经费用化的构建支出确认为固定资产，仅将 2015 年 1 月 1 日之
后发生的固定资产建造费用进行了资本化，导致该等固定资产入账价值仅为 934.73
万元。被评估单位已聘请业内专家对两个平台的工艺、性能、指标等进行了鉴定。
本次评估根据被评估单位提供的原始成本资料、专家鉴定，结合市场询价资料综
合测算评估值，增值较大的原因是资产账面价值未能体现其全部成本支出故增值
较大。
②运输车辆：账面原值 4,034,439.28 元，评估原值 2,765,551.76 元，减值率 31.45%；
账面净值 1,346,085.03 元，评估净值 1,796,928.00 元，增值率 33.49%，评估原值减值
的原因是近年来随着车辆更新换代较快购置值下降所致；评估净值增值的原因是
被评估单位车辆的折旧年限小于耐用寿命所致。
③电子设备：账面原值 40,658,117.17 元，评估原值 36,443,450.00 元，减值率 10.37 %；
账面净值 9,324,730.74 元，评估净值 28,601,047.00 元，增值率 206.72%，原值的减值
原因，主要是近年电子设备价格下降所致；净值增值的主要原因是被评估单位 2015
年以前电子设备的折旧年限小于耐用寿命所致。
由于上述各项因素的综合影响，导致设备类资产评估净值增值 59.89%。
八、评估案例
案例一：Robot 显影机(机器设备评估明细表 4-6-4 序号 1164 号)
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1. 设备概述
设备名称：Robot 显影机
规格型号：ELS7604FA
生产厂家：亿力鑫系统科技股份有限公司（台湾）
启用日期：2012年4月
账面原值：1,498,114.15元
账面净值：922,157.09元
ROBOT显影装置是将 2"/4" Sapphire 进行显影(developer),软烤(Pre-Baking)之不同
制程所设计的。基板放置为手放Cassette、装置内搬送则为Robot 自动传送。其具体
参数如下：
2．重置价值的确定
该设备于2012年4月购置，生产厂家为亿力鑫系统科技股份有限公司（台湾），
经向其代理商询价，其目前的CIF价为225,000.00美元(含国内运输、安装费)，因此
该设备的重置价值计算如下：
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取费基 费率标
项目 符号 计算公式 金额
数 准
离岸价 FOB（USD) 200,000.00
外币支 到岸价 CIF（USD) A 225,000.00
付部分 基准日汇率 B USD 6.3962
折合人民币 C A× B 1,439,145.00
关税 CIF D C× 关税率 免税
-
免税或
增值税 CIF+关税 E (C+ D)× 增值税率
退税
银行财务费 FOB F FOB× B × 银行财务费率 0.50% 6,396.20
外贸手续费 CIF G C× 外贸手续费率 1.50% 21,587.18
商检费 CIF H C× 商检费率 0.50% 7,195.73
人民币 进口环节税费小
支付部 CIF I D＋E＋F＋G＋H 35,179.10
计
分
国内运杂费 J (C＋I)× 国内运杂费率 0%
-
安装调试费 K (C＋I)× 安装调试费率 0%
-
工程设计费 L (C+I+J+K)× 工程设计费率 2.73% 40,249.05
(C+I+J+K)× 建设单位管理
建设单位管理费 M 0.97%
费率 14,245.07
(C+I+J+K+L+M)× 建 设 周 期
资金成本 N 4.35% 33,251.80
/2× 同期贷款利率
重置全价 O C＋I＋J＋K＋L+M+N-E 1,562,070.01
该设备的重置价值为1,562,070.01元。
3．成新率的确定
综合成新率＝年限成新率× 40%＋现场勘查成新率× 60%
年限成新率＝（经济寿命年限－已使用年限）/经济寿命年限× 100%。
（1）年限法成新率的确定：
该设备2012年4月启用，至评估基准日已使用3.61年，经济寿命年限为10年。
年限成新率＝（经济寿命年限－已使用年限）/经济寿命年限× 100%
＝（10－3.61）/10× 100%
＝63.84%
（2）现场勘查成新率的确定：
该设备自启用之后的工作环境良好，运行状况正常，设备的日常维护较好，
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设备外表清洁，属于正常使用设备。现场勘察评估情况见下表：
序号 项目 技术状态 标准分 评估分
1 主机性能 符合设计要求。 30 20
2 显影系统 显影正常，满足工艺要求。 20 12
3 控制系统 自动化控制灵敏、可靠。 20 12
4 传送系统 工作正常 20 12
5 外观 洁净间内使用，外观较新。 10 6
合计 100 62
该设备现场勘察成新率为62%。
（3）综合成新率的确定：
综合成新率＝年限成新率× 40%＋现场勘察成新率× 60%
＝63.84%× 40%＋62%× 60%
＝63%
最终确定其综合成新率为63%。
4．评估结果的确定
评估价值＝重置价值× 综合成新率
＝1,562,070.01× 63%
＝984,104.11元
案例二：刻蚀机颗粒控制技术研究平台(机器设备评估明细表 4-6-4 序号 1607
号)
1、设备概述
设备名称：刻蚀机颗粒控制技术研究平台
生产厂家：北方微电子
启用日期：2015年9月
账面原值：2,754,965.66元
账面净值：2,717,850.15元
设备概况：
颗粒控制技术研究平台是用于进行从硅片进入刻蚀机到完成工艺离开刻蚀机
全过程中颗粒的产生源的研究，对不同尺寸颗粒在不同压力区间下运动行为进行
研究，进行硅片传输颗粒运动控制技术以及低颗粒污染表面处理技术的研究，为
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集成电路刻蚀机设备中的颗粒控制与设备维护方式及流程的制定提供实验依据，
可作为 02 专项刻蚀机产品颗粒控制技术研究的主要硬件测试环境而持续使用。
该平台由 20000 余项材料组成，共包括传输系统、工艺系统，真空系统、气路
系统、控制系统、温控设备等，具有 28nm 刻蚀工艺能力，性能与 LAM 2300Kiyo-C/X*3
相近。主要技术指标：
指标 指标值 实测值
传输腔室漏率 <20mT/min 1.7mT/min
工艺腔室漏率 <1mT/min 0.22mT/min
工艺腔温度 60± 2℃ 59.9℃
气体输送 48 路气体 48 路气体
ESC 温度均匀性 40± 1℃ 40.2℃
主刻蚀速率 >1900 /min 3198 /min
刻蚀均匀性 <3%(3σ)
2.8%
CD 均匀性 <4.5nm(3σ)
1.9nm
2、重置价值的确定
机器设备的重置全价由设备购置费、运杂费、安装调试费、前期费用及其他
费用、资金成本等部分构成。
（1） 设备购置费：
经查阅企业提供的相关资料，该设备制造材料明细如下表：
单位：人民币元
序号 子系统 合计
1 ESC 系统 846,700.00
2 传输系统 2,482,400.00
3 电源 266,700.00
4 反应腔 9,414,500.00
5 工艺系统 2,536,600.00
6 控制系统 94,000.00
7 冷却系统 480,300.00
8 气路系统 647,800.00
9 上电极 51,500.00
10 射频系统 694,200.00
11 尾气处理系统 1,272,000.00
12 温控系统 461,200.00
13 下电极 55,900.00
14 真空系统 2,273,100.00
15 整机 401,800.00
合计 21,980,000.00
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根据专家鉴定意见提及的同类产品，我们查询了国外类似产品的销售价格，
结合询价结果，最终确定设备价格为 23,665,940.00 元。
（2）运杂费：
依据设备生产厂家与需方之间的运距考虑运杂费率；详见下表一。
（3）安装调试费：
根据《机械工业建设项目概算编制办法及各项概算指标》(1995 年版)、据决算
资料统计实际安装调试费用，剔出其中非正常因素造成的不合理费用；同时根据
当地的工程造价信息调整人工费、机械费和材料费；安装费率详见表一
（4）其他费用：
其他费用包括建设单位管理费、勘察设计费、工程监理费、招标代理费、环
境评价费等，《机械设备工程建设费用定额》中的有关文件规定，结合所属项目
建设的投资规模确定。其他费计算过程详见案例一计算表
（5）资金成本：
北方微电子合理建设工期为一年，贷款利率为 4.35%
资金成本计算过程详见案例一计算表。
（6）重置全价：
重置全价=设备购置价+运杂费+安装调试费+其他费用+资金成本
重置成本计算过程详见案例如下表。
单位：人民币元
表一设备重置全价计算表
序号 项目名称 取费及计算公式 费率 金额
一 设备购价 市场询价 23,665,940.00
二 设备购价（不含税） 17% 20,227,299.15
三 运杂费 一 X 费率 2.00% 473,318.80
四 运杂费（不含税） 一×费率×（1-11%） 2.00% 421,253.73
五 设备购置费 二+四 20,648,552.88
其他费用
序号 费用名称 计费基础研究说明 费率% 取费依据
1 可行性研究费 概算投资 0.29 计价格［1999］1283 号
计价格[2002]125 号，发改价格
2 环境影响咨询费 概算投资 0.07
[2011]534 号调整
计价格[2002]1980 号，发改价格
3 招标代理服务费 概算投资 0.11
[2011]534 号调整
北京亚超资产评估有限公司 第 48 页
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4 建设单位管理费 概算投资 0.87 财建[2002]394 号
5 勘察设计费 概算投资 3.15 计价格[2002]10 号文
6 工程监理费 概算投资 1.73 发改价格[2007]670 号
合计 6.22
序号 项目名称 取费基础及计算公式 费率 金额
一 设备购置费 24,139,258.80
二 设备购置费（不含税） 20,648,552.88
三 设备安装工程费 0.00
四 设备安装基础费 0.00
设备安装工程前期费及
五 （一+二+三）X 费率% 6.22% 1,501,461.90
其他费
六 资金成本 (一+二+三+四)× 费率× 合理工期÷ 2 4.35% 557,685.68
七 设备重置成本 (二+三+四+五+六)*数量 22,707,700.00
3、成新率的确定
该设备 2015 年 9 月末开始启用，现已使用 0.18 年，根据相关规定，该设备经
济使用年限为 10 年。则：
N1=（1－实际已使用年限／经济使用年限）×100%
=（1－0.18/10）×100%
=98%
勘查法成新率 N2 的确定
经评估人员会同被评估单位设备管理人员现场勘测核实，该设备在用状态良
好，能按设计要求正常使用，未出现过较大故障，无异常现象。
现场鉴定观测分析法成新率 N2 为 98%。
将以上计算和确定出的年限法成新率 N1 和勘查法成新率 N2，代入成新率 N
计算公式得：
成新率 N=年限法成新率 N1×40%+勘查法成新率 N2×60%
=98%× 40%+98%× 60%
=98%（取整）
4、评估值计算
评估值=重置全价×成新率×数量
=22,707,700.00×98%
=22,253,546.00 元
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案例三：皇冠轿车（4-6-5 车辆评估明细表序号 2）
1、 基本概况
资产名称：皇冠轿车
型号：丰田皇冠 TV7301IROYALSLN
生产厂家：一汽丰田汽车有限公司
购入日期： 2010 年 7 月
启用日期： 2010 年 7 月
牌照号：京 NMC339
已行驶里程：76155 公里
账面原值：449,981.00 元
账面净值：208,135.67 元
主要参数：
发动机 3.0L 227 马力 V6
变速箱 6 挡手自一体
长*宽*高(mm) 5005*1810*1500
车身结构 4 门 5 座三厢车
最高车速(km/h) 230
长度(mm) 5005
宽度(mm) 1810
高度(mm) 1500
轴距(mm) 2925
前轮距(mm) 1540
后轮距(mm) 1540
最小离地间隙(mm) 130
整备质量(kg) 1700
车身结构 三厢车
车门数(个) 4
座位数(个) 5
油箱容积(L) 70
行李厢容积(L) 523
发动机型号 3GR
排量(mL) 2995
进气形式 自然吸气
气缸排列形式 V
气缸数(个) 6
每缸气门数(个) 4
压缩比 10.5
配气机构 DOHC
缸径(mm) 87.5
行程(mm) 83
最大马力(Ps) 227
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最大功率(kW) 167
最大功率转速(rpm) 6200
最大扭矩(Nm) 293
最大扭矩转速(rpm) 4400
发动机特有技术 Dual VVT-i
燃料形式 汽油
燃油标号 93 号(京 92 号)
供油方式 多点电喷
缸盖材料 铝
缸体材料 铝
环保标准 国 IV
简称 6 挡手自一体
挡位个数 6
变速箱类型 手自一体变速箱(AT)
经现场勘察，该车维护保养状况较好，投入运行以来已累计行驶近 76155 公里，
目前该车性能较好，行驶中各项性能参数正常，未发生过重大事故。
2、 重置全价的确定
重置全价=现行含税购价+车辆购置税+新车上户牌照手续费等。
1）现行含税购价
经查询近期车辆市场价格资料，该种型号汽车于评估基准日的含税售价为
393,300.00 元，不含税价格为 336,153.85 元。
2）车辆购置税
购车附加税=不含税售价×10%
=393,000.00/1.17×10%
= 33,615.00（元）
3）新车上户牌照手续费等
该车办理牌照及其他费用约需 500.00 元。
4）重置全价=现行不含税购价+车辆购置税+新车上户牌照手续费
=336,153.85 + 33,615.00 +500.00
=370,268.85（元）
3、综合成新率
成新率＝Min（剩余年限成新率，行驶里程成新率）+a
剩余年限成新率＝（1－已使用年限／经济耐用年限）×100%
行驶里程成新率＝（1－已行驶里程／规定行驶里程）×100%
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a:车辆特殊情况调整系数。
1）剩余年限成新率
剩余年限成新率=（1－已使用年限／经济耐用年限）×100%
该车于 2010 年 7 月开始使用，已使用年限为 5.41 年，经济耐用年限为 15 年，
则：
剩余年限成新率=（1－5.41/15）×100%
=64%（取整）
2）行驶里程成新率
行驶里程成新率=（1－已行驶里程／规定行驶里程）×100%
该车已行驶里程为 76155 公里，规定行驶里程 600000 公里，则：
行驶里程成新率=（1－76155／600000）× 100%
=87.3 %
该车使用、维护正常，无特殊情况，从车辆实际状况，故考虑 a=0
成新率=Min（剩余年限成新率，行驶里程成新率）+0
=Min（64%,87.3%）+0
=64%
4、评估值的确定
评估值=重置全价×成新率
=370,268.85× 64%
=236,972.00（元）
该车辆评估值为 236,972.00 元。
案例四：笔记本电脑（4-6-6 电子设备评估明细表序号 948）
1、 设备概况
资产名称：笔记本
型号：ThinkPad X240
生产厂家：联想公司
购置日期： 2014 年 12 月
启用日期： 2014 年 12 月
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
账面原值：4,700.85 元
账面净值：3,864.88 元
主要技术参数：
CPU 系列：英特尔酷睿 i3 4 代系列
CPU 型号：Intel 酷睿 i3 4030U
CPU 主频：1.9GHz
总线规格：DMI 5 GT/s
三级缓存：3MB
内存容量：4GB（4GB×1）
内存类型：DDR3L（低电压版）1600MHz
插槽数量：1xSO-DIMM
最大内存容量：8GB
硬盘容量：500GB
硬盘描述：7200 转
2、重置全价的确定
重置全价=购置价/1.17
笔记本电脑购置价确定，经市场调查及网上查询，该型号笔记本电脑评估基
准日含税售价为 4,500.00 元（含运费），则重置全价为：
重置全价=购置价/1.17
=4,500.00/1.17
=3,800.00 元
3、成新率的确定
电子设备采用年限法确定其成新率。
该笔记本电脑启用日期为 2014 年 12 月，至评估基准日已使用 0.92 年。笔记本
电脑的经济寿命年限为 5 年，其成新率计算如下：
成新率＝（1－实际已使用年限/经济使用年限）×100%
＝（1-0.92/5）×100%
＝82%
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4、评估值的确定
评估值＝重置全价× 成新率
＝3,800.00× 82%
＝3,116.00（元）
即该台笔记本电脑评估值为 3,116.00 元。
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在建工程评估技术说明
一、评估范围
列入本次评估范围内的在建工程包括 D3/D4/D5 实验室装修工程、厨房（天然
气管道）改造项目，截至评估基准日基本完工，尚待验收后投入使用，账面值为
4,301,651.56 元。
二、评估程序及方法
通过现场勘查，了解在建工程的形象进度，按现行建筑、安装工程定额标准
对在建工程中发生的各项工程支出进行核实分析，同时了解付款进度情况，并对
本在建工程所耗用的主要工程物资的国内外市场价格进行了调查，评估人员收集
了相关合同、查看了明细账、凭证，认为其账面支出金额合理、依据充分，故按
核实后的实际支付金额确定评估值。
三、评估结果
在建工程的评估值为 4,301,651.56 元，评估无增减值变化。
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土地使用权评估技术说明
一、土地使用权概况
1、土地登记状况
估价对象位于北京经济技术开发区 54 号街区，土地使用证号为开有限国用
（2006）第 53 号；土地使用权人为北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责
任公司；土地用途为工业用地；土地使用权类型为出让；土地面积为 103,603.70 平
方米。四至范围东至地泽西街，南至西环中路，西至文昌大道，北至地泽南街。
2、土地权利状况
评估对象土地所有权属国家所有，土地使用权人为北京北方微电子基地设备
工艺研究中心有限责任公司，该公司以出让的方式取得评估对象的土地使用权。
评估对象已抵押给中国民生银行股份有限公司总行营业部，抵押期限期限 2015 年
9 月 22 日至 2018 年 9 月 22 日。
3、土地利用状况
评估对象宗地已达到“七通一平”(即：通市政道路、自来水、天然气、雨水、污
水、电力、信息管线和自然地貌平整)。宗地地上一期工程规划建设主厂房、动力
厂房，建筑面积 46687.84 平方米，截至评估基准日，一期工程已投入使用，二期工
程尚未开工建设，二期土地预留。
二、评估依据及资料
(一)国务院及有关部门颁布的法律、法规
1、《中华人民共和国土地管理法》
2、《中华人民共和国城市房地产管理法》
3、《中华人民共和国耕地占用税暂行条例》
4、《中华人民共和国城镇国有土地使用权出让和转让暂行条例》
5、中华人民共和国国家标准《城镇土地估价规程》（GB/T 18508-2014）
(二)地方政府及有关部门颁布的法律、法规、通知文件
1、《北京市房屋土地管理局出让地价评估技术标准》
2、《北京市人民政府关于调整本市出让国有土地使用权基准地价的通知》京
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
政发[2014]26 号
(三)委托方提供的有关资料及评估人员现场勘察、调查、收集的相关资料
1、评估申报表
2、《国有土地使用证》证号为“开有限国用（2006）第 53 号”
3、评估人员通过市场调查收集到的相关资料
三、评估原则
根据《城镇土地估价规程》的规定和评估对象的具体情况，在本报告评估过
程中，我们遵循的主要原则有：
1、预期收益原则预期收益原则是指土地评估应以评估对象在正常利用条件下
的未来客观有效的预期收益为依据。土地价格受预期收益形成因素的变动所左右，
通过分析土地市场现状、发展趋势、政治经济形势及政策规定对土地市场的影响，
准确地预测土地现在和未来能为权利人带来的利润总和即收益价格，从而确定土
地价格。
2、替代原则替代原则是指土地评估应以相邻地区或类似地区功能相同、条件
相似的土地市场交易价格为依据，评估结果不得明显偏离具有替代性质的土地正
常价格。在完全的市场竞争中，土地的价格受其它具有相同使用价值的地块、有
替代可能的地块之间相互影响和竞争，使价格相互牵制而趋向一致。土地价格遵
循替代规律，土地价格水平是由具有相同性质的替代性土地的价格所决定的。
3、最有效利用原则最有效利用原则是指土地评估应以评估对象的最有效利用
为前提评估。土地具有用途的多样性，不同的利用方式，能为权利人带来不同的
收益，且土地权利人都期望从其所占有的土地上获得更多的收益，所以，土地价
格是以其效用最有效发挥为前提的，通过分析地产过去、现在以至将来的最佳利
用方式，考虑预期收益和变动原则，确定土地价格。
4、供需原则供需原则是指土地评估要以市场供需决定土地价格为依据，并充
分考虑土地供需的特殊性和土地市场的地域性。土地价格是由需求与供给的相互
关系决定的，在我国，土地一级市场主要由国家控制，这一因素对土地价格具有
至关重要的影响。
5、报酬递增递减原则报酬递增递减原则是指土地评估要考虑在技术条件下一
定的前提下，土地纯收益会随着土地投资的增加而出现递增到递减的特点。即土
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地纯收益在达到某一数值以后，如继续追加投资，其纯收益不再会与追加的投资
成比例增加。因此，在土地评估时，应考虑土地收益的这一特点。
6、贡献原则贡献原则是指土地总收益是由土地及其他生产要素共同作用的结
果，土地的价格可以对土地收益的贡献大小来决定。按照边际收益原则，衡量各
生产要素的价值大小，可依据其对总收益的贡献大小来决定。由于地价是在生产
经营活动之前优先支付的，故土地的贡献具有优先性和特殊性，评估时应特别考
虑。
7、变动原则变动原则是指评估人员应把握土地价格影响因素及土地价格的变
动规律，准确地评估价格。由于影响土地价格的因素经常处于变动之中，在土地
评估时，必须分析和把握各因素及其相互之间的因果关系和变动规律，以便根据
目前的地价水平对未来的土地价格变动作出准确预测，而且也要对所采用的地价
资料根据变动原则修正到评估期日标准水平，才能准确合理地评估。
四、地价定义
根据本项目的评估目的和待估地产的实际情况，我们对本项评估中的土地使
用权价格定义为：
1、土地开发程度：评估对象实际开发程度为宗地红线外达到“七通”(即“通上水、
通下水、通路、通热力、通天然气、通电、通讯”，以下同)及场地平整，本次评估
设定土地开发程度为宗地红线外“七通”及场地平整。
2、土地用途：待估土地所在宗地批准用途为工业用地，实际用途为工业，评
估设定用途为工业用地。
3、评估期日：2015 年 11 月 30 日
4、土地使用权类型：出让
5、使用年限：待估宗地土地使用权类型为出让，土地使用年限至 2056 年 12
月 29 日，剩余使用年限自评估基准日起为 41 年。
6、正常市场条件下的出让土地使用权价格。
五、评估方法的选取
土地评估选用的评估方法应符合《城镇土地估价规程》的规定和运用的条件，
并与评估目的相匹配。本评估中运用的评估方法是按照《城镇土地估价规程》的
规定，根据当地地产市场的发育状况，并结合评估对象的具体特点及特定的评估
北京亚超资产评估有限公司 第 58 页
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目的等条件来选择的。通常的评估方法有市场比较法、收益还原法、成本逼近法、
剩余法、基准地价系数修正法。经过评估人员的实地勘察及分析论证，本次评估
采用市场比较法和基准地价系数修正法进行评估。
1、基准地价系数修正法是利用当地城镇土地定级估价成果，通过实地勘察、
调查、收集得到的估价对象各宗地的区域因素和个别因素条件，根据因素条件优
劣确定各因素修正系数，求出估价对象的宗地地价，其计算公式为：
楼面熟地价＝适用的基准地价× 用途修正系数× 期日修正系数× 年期修正系数×
容积率修正系数× 因素修正系数
2、市场比较法，是根据市场中的替代原理，将评估对象与具有替代性的，且
在评估基准日近期市场上交易的类似地产进行比较，并对类似地产的成交价格作
适当修正，以此估算评估对象客观合理价格的方法。
公式：V＝VB× A× B× C× D
其中：
V——评估宗地价格;
VB——比较实例价格;
A——评估对象交易情况指数/比较实例交易情况指数;
B——评估对象估价期日地价指数/比较实例交易期日地价指数;
C——评估对象区域因素条件指数/比较实例区域因素条件指数;
D——评估对象个别因素条件指数/比较实例个别因素条件指数;
六、评估结论
宗地面积 103,603.70 平方米，容积率 1.5，楼面单价 1135 元/平方米，总价
176,385,299.25 元，较账面值 26,815,227.77 元，增值 149,570,071.48 元，增值率 557.78 %。
七、特别说明的事项
1．土地使用权的评估结果，详见评估明细表。
2．本次评估对象的土地使用权性质为出让土地使用权。本次评估涉及的评估
对象土地面积依据委托方提供的评估对象《国有土地使用证》。
3．此次评估的地价指评估对象开发程度为宗地红线外“七通”，及土地平整。
4．本次评估结果的有效性，以如下条件为前提：
(1)土地用途保持不变
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(2)评估目的保持不变
(3)土地使用者未享受特殊的土地利用政策
5．增值原因分析
委估宗地取得时间较早，取得时成本较低，至评估基准日北京经技术开发区
工业用地地价增长明显，造成本次评估增值。
八、评估案例
（一）评估对象描述
1、土地位置状况
本次评估范围内共计 1 宗地，评估对象位于北京经济技术开发区 54 号街区。
2、土地权利状况
截至评估基准日 2015 年 11 月 30 日，待估宗地土地使用权性质为出让工业用地。
3、建筑物和地上附着物状况
宗地地上一期工程规划建设主厂房、动力厂房，建筑面积 46687.84 平方米，截
至评估基准日，一期工程已投入使用。
（二）、地价影响因素分析
1、一般因素
影响地价的一般因素主要指影响城镇地价总体水平的社会、经济、政策和自
然因素等，包括城市经济发展水平、产业政策、人口聚集、城市发展、土地利用
规划、地理位置等。影响地价的一般因素较多，本报告仅说明对评估对象的地价
产生主要影响的一般因素。
1）地理位置
北京，我国的首都，是全国的政治中心和文化中心，经济上占有重要的地位。
其地理坐标，北纬 39°08′～ 40°05′，东经 115°25′～117°3′，海拔 43.71 米，南北直线
距离为 170 公里，东西直线距离为 160 公里。城区位于北纬 39°6′、东经 116°20′交
点附近出东南部与天津市接壤外，周围与河北为临。
全市总面积 16807.8 平方公里，其中山区占 9200 平方公里，丘陵面积 1200 平
方公里，平原面积占 6408 平方公里，分别占总面积的 54.74%、7.14%、38.12%。
2）自然条件
A、地形、地貌
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北京地处华北大平原西北边缘，是平原与高原、山地的交接地带。西部山地
从拒马河至南口一带总称西山，属太行山脉；北部山地统称军都山，属古老的燕
山山脉。山势陡峭，具有中山山貌，山峰一般在海拔 1000-1500 米。与山交界的山
地一般在海拔 100-500 米，主要为低山丘陵。东南部为平原，平坦开阔，与黄淮平
原连成片，海拔平均在 20-60 米之间。
B、气候、水文
北京市地处中纬度，属温带大陆性季风气候。其特点是：春季干旱多风，夏
季高温多雨，秋季天高气爽，冬季寒冷干燥。多年平均气温 12℃，冬季平均气温-4℃，
绝对最低气温-22.8℃，七月平均气温 26℃。无霜期 180-200 天。
北京市是我国东部沿海少雨区之一，多年平均降水量 640 毫米左右。降水的年
内、年际间不平均，集中于 7、8 月份。
C、行政区划
全市划分为 18 个区县，其中东城、西城、崇文、宣武、四个区习惯上成为城
区；朝阳、海淀、丰台、石景山四个区称近郊区；门头沟、房山区、通州区、和
大兴、顺义、怀柔、平谷、密云、昌平、延庆十个区县为远郊区。18 个区县总称
为北京市或全市。
3）社会经济发展状况
2014 年北京全年实现地区生产总值 21330.8 亿元，比上年增长 7.3%。其中，第
一产业增加值 159 亿元，下降 0.1%；第二产业增加值 4545.5 亿元，增长 6.9%；第
三产业增加值 16626.3 亿元，增长 7.5%。
按常住人口计算，全市人均地区生产总值达到 99995 元（按年平均汇率折合
16278 美元）。三次产业结构由上年的 0.8:21.7:77.5 调整为 0.7:21.4:77.9。
2、区域因素
影响评估对象价格水平的区域因素较多，主要指影响城镇内部各区域之间的
区域概况、交通状况、基础设施状况、相关产业聚集程度、环境条件、区域等级
等因素。本报告仅对评估对象土地价格产生影响的区域因素进行描述和分析。
北京经济技术开发区地理位置优越，地处京津高速公路起点处，环渤海经济
圈的中心，为国务院批准的“北京城市总体规划”中的重点发展地区。上高速公路驱
车一个半小时可达天津新港；西侧 8 公里有开通国际航班的南苑机场；驱车 30 分
北京亚超资产评估有限公司 第 61 页
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钟可抵达首都国际机场；北行 15 分钟可达北京火车货运站；沿三环西行 20 分钟是
中国最大的火车客运站―北京西客站。开发区与市区联系快速方便，区内的成寿寺
路与市区三环路相连，10 分钟即可抵达市区。开发区是连接京、津、塘的交通枢
纽，已形成陆路、海路、空路四通八达的交通网络。
区域内市政基础配套设施完善：
供水：由市自来水公司供水，市政管网引入，水压 1.8 公斤/平方厘米。
排水：实现雨、污分流，污水首先排入开发区污水处理厂，达标后排入凉水
河。
供电：开发区共有 110KV 变电站 4 座，220KV 变电站 1 座，全区实现 10KV 电
缆双路供电。
通讯：开发区安装程控电话交换机十几万门，通过光缆与市区联网，可提供
电话、传真、可视电话、无线通讯和数据传输等多种业务；开发区内有线电视电
缆入户。
通热力：开发区内现有热力厂 3 座，为用户提供蒸汽、采暖、生活用热水及
制冷热源等。
通天然气：与城市天然气干管连通，用户压力为 0.8 公斤/平方米。
通道路：开发区内道路均修至用户用地周边，路网完善。
3、个别因素
影响评估对象价格水平的个别因素主要指与宗地直接有关的基础设施条件、
宗地自身条件(面积、形状、规划土地用途、土地使用年限、地形地势)等，本报告
仅对评估对象产生影响的个别因素进行描述和分析。
A、面积形状
评估对象面积为 103,603.70 平方米，形状规则。
B、地形地势
评估对象宗地内已经平整，地势平坦。
C、宗地内基础设施
根据实地勘察，评估对象宗地外已达到“七通”(通市政道路、自来水、天然气、
雨水、污水、电力、信息管线)，宗地内达到“七通一平”，处于已开发建设状态，各
项基础设施能满足生产生活需要。
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D、宗地自然条件
该宗地自然条件较好，自然灾害条件危害程度较小。
E、土地使用年限
评估对象是工业出让用地，土地使用年限为 50 年，终止日期为 2056 年 12 月
29 日。
F、土地规划限制
评估对象的现用途为工业用地，建筑容积率 0.8～1.5，建筑限高 30 米，宗地
范围内用于企业内部行政办公及生活服务设施的占地面积不超过受让宗地面积的
5%，建筑面积不超过建筑面积的 10%。
（三）、评估过程
1．运用基准地价修正法测算地价
基准地价系数修正法是利用当地城镇土地定级估价成果，通过实地勘察、调
查、收集得到的评估对象各宗地的区域因素和个别因素条件，根据因素条件优劣
确定各因素修正系数，求出评估对象的宗地地价。
根据《北京市人民政府关于更新出让国有建设用地使用权基准地价的通知》
（京政发[2014]26 号）待估宗地地价计算过程如下：
①地用途类别和地价区级别的确定
根据委托方提供的资料，评估对象规划用途为工业用地，对照《北京市基准
地价表》及北京市基准地价级别（区片）范围说明，确定评估对象用途为工业类
六级用地（Ⅵ-BDA 核心），基准地价水平为楼面地价 1500 元/平方米。
②评估对象工业用地地价影响因素说明、优劣程度及修正系数表
因素修正系数是指除容积率、期日、年期、用途之外的其它地价影响因素的
综合修正系数。根据宗地各种因素情况确定每种因素的修正系数，使用下面公式
测算宗地因素修正系数:
因素修正系数＝1+∑ki
其中 ki:第 i 种因素的修正系数
根据委托方提供的及评估人员现场勘查所获取的资料，选定影响因素，参照
《北京市基准地价因素修正系数说明表》确定其修正系数。具体详见下表：
工业用途六级地基准地价因素修正系数表
北京亚超资产评估有限公司 第 63 页
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产业集聚 交通便捷 区域土地利 公共服务设 宗地形状及可 基础设施
影响因素 临路状况 环境状况
程度 度 用方向 施状况 利用程度 状况
宗地实际情况 高 便捷 工业 一般 四面临路 较好 齐备 较好
修正系数（%） 1.3 1.4 0.25 0 0.3 0.125 0.75 0.2
则：∑ki ＝4.325%。
综合以上修正系数，确定其因素修正系数 1.0435。
③使用年期修正
1
1 n
年期修正系数＝ 1 r
1
1 m
1 r
其中: r : 土地还原利率
n: 宗地剩余使用年限
m : 法定最高出让年限
评估对象用途为工业用地，基准地价工业用地的最高出让年限为 m＝50 年，
评估对象剩余使用年限为 41 年，土地还原利率取 7%（根据同期一年期贷款利率考
虑一定的风险调整确定），年期修正系数为 0.9705。
④期日修正
北京市基准地价基准日为 2014 年 1 月 1 日，而本次评估的评估基准日为 2015
年 11 月 30 日，根据城市地价动态监测系统公布的北京市地价增长率确定期日修正
系数为 1.0781。
北京市工业用地 2014 年的地价增长率为：
2014 年 1-4 季度北京市国家级监测范围地价动态监测结果
地价环比增长率（%）
时间
平均 商业 住宅 工业
2014 年 1 季度 2.97% 2.34% 3.28% 1.36%
2014 年 2 季度 2.40% 2.03% 2.59% 1.52%
2014 年 3 季度 0.83% 1.47% 0.65% 0.72%
2014 年 4 季度 0.21% 0.41% 0.12% 0.89%
北京市工业用地 2015 年的地价增长率为：
2015 年 1-3 季度北京市国家级监测范围地价动态监测结果
国家级样点地价环比增长率（%）
时间
平均 商业 居住 工业
2015 年 1 季度 0.51% 0.54% 0.48% 0.93%
北京亚超资产评估有限公司 第 64 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
2015 年 2 季度 0.77% 0.69% 0.80% 0.88%
2015 年 3 季度 1.65% 0.92% 1.88% 1.26%
⑤宗地用途修正
委估宗地为工业用地，根据北京市工业用地用途修正表，确定宗地用途修正
为 1。
用
用途类别划分 范围 用途修正系数
途
工业用地（指工业生产及直接为工业生产服务的附属设施用
比准类别 1
地）
采矿用地（指采矿、采石、采砂（沙）场，盐田，砖瓦窑等地
1
面生产设施及尾矿堆放地）
仓储用地（指用于物资储备、中转的物流仓储场所等用地） 1.5
工
业 公共设施用地（指用于城乡基础设施的用地，包括给排水、供
其他类别
电、供热、供气、邮政、电信、消防、环卫、公用设施维修等 1
用地。）
交通用地（指铁路用地、公路用地、机场用地、管道运输用地
等，包括铁路、公路、机场、管道运输的地面线路、站场等用 1
地以及城市道路、车站及其相应附属设施用地）
⑥容积率修正
北京市工业 6 级用地标准容积率为 1.2，评估对象的规划限定的容积率为 1.5，
根据北京市工业用地容积率系数修正表，容积率修正系数为 0.9056。
⑦地价测算
宗地楼面价＝适用的基准地价× 用途修正系数× 期日修正系数× 年期修正系数×
容积率修正系数× 因素修正系数
＝1483 元/平方米
2．运用市场比较法进行测算地价
①比较实例选择的影响因素分析
通过调查，选择了与评估对象用途相同或相近、在同一供需圈的比较案例，
并对各比较案例的具体情况进行比较。
北京亚超资产评估有限公司 第 65 页
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北京经济技
北京经济技 北京经济技 北京经济技
术开发区 54
术开发区路 术开发区路 术开发区路
号街区
项目 价格影响因素分析及分值 东区 E6M-1 东区 C11M-2 东区 A13M3
54M1 地块
地块工业项 地块 地块
（委估土
目（实例 A） （实例 B） （实例 C）
地）
楼面熟地价 委估资产 870.00 870.00 1000.00
剩余年期 41 49.75 49.8 48.8
土地用途 工业 工业 工业 工业
交易日期 根据北京地价增长率调整 2015/11/30 2015/7/23 2015/9/16 2014/9/5
分正常/非正常，非正常指交易
一方有特殊喜好的交易；拍
交易情况 卖；亲属之间交易；抵债；税 挂牌 挂牌 挂牌 挂牌
费非正常负担；企业关联方交
易等等。
土地使用年限 按年限系数修正 41 49.75 49.83 48.83
分繁荣、较繁荣、一般、较差、
区域繁华
差 5 个级别，每差一个级别修 一般 一般 一般 一般
度
正幅度为 2%
主干道、次干道、支路三个等
道路通达 级，以评估对象所临道路指数 主干道，交 主干道，交 主干道，交 主干道，交
度 为 100，每增加或减少一个级 通便利 通较便利 通便利 通便利
别，地价向上或向下修正 2%
距区域中心距离分为近、较
距区域中
近、较远、远四个等级；每相 近 较远 较远 较远
心距离
差一个等级修正± 2%
银行/邮电局/餐饮娱乐设施/商
场及购物中心/市场/学校的完
公共配套
备程度，分完备、较完备、一 一般 一般 一般 一般
设施
般、较差、差，每增加或减少
一个指标，修正幅度为 2%
七通以上/七通/六通/五通/四
基础设施
通及四通以下，每相差一级 宗地外七通 宗地外七通 宗地外七通 宗地外七通
状况
区 别，修正幅度为 2%
域 自然环境：优○较优○一般○较
因 劣○劣，人文环境：优○较优○
环境优劣
素 一般○较劣○劣(差异修正指 较好 一般 一般 一般
度
标：每个环境因素差一个级别
修正幅度为 2%)
位于集中工业区或经济技术
开发核心区、经济技术开发区
产业聚集 边缘或分散工业区、综合区 核心工业
新型工业区 新型工业区 新型工业区
度 域、商业/居住聚集区，差异修 园区
正指标：按照上述方向排列顺
序，级别修正幅度为 4%
用公交线路、站点分布、车流
量、及停靠次数来反映。以评
估对象临近的公交线路指数 有公交线路 有公交线路 有公交线路 有公交线路
公交便捷
为 100，每增加或减少一条公 通过，距离 通过，距离 通过，距离 通过，距离
度
交线路，地价向上或向下修正 较远 较远 较远 较远
2%，不设站点地价往下修正
5%
区域土地 与区域规划一致，基本一致，
一致 一致 一致 一致
利用方向 不一致，级别修正幅度为 4%
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
依据宗地面积大小划分为：合
适且有利于利用，较合适且比 103603.70 平 7510.83 平 6287.74 平
50085 平米，
较有利于利用，不合适或不利 米，面积适 米，面积较 米，面积较
宗地面积 面积适中，
于利用三个等级。以评估对象 中，有利于 适中，比较 适中，比较
有利于利用
为 100，每差一个级别修正幅 利用 有利于利用 有利于利用
度为 1%
分规则、较规则、不规则(差
规则，不影
宗地形状 异修正指标：每相差一级别， 较规则 较规则 较规则
响土地利用
修正幅度为 2%)
建筑容积 根据工业用地容积率修正系
1.5 2 2 1.5
率 数比较修正
地势平坦、地基承载力佳；地
势平坦、地基承载力较好；地
势较平坦、地基承载力一般；
个 地势平坦、 地势平坦、 地势平坦、 地势平坦、
宗地自然 地势较平坦，地基承载力较
别 地基承载力 地基承载力 地基承载力 地基承载力
条件 差；地势不平坦，地基承载力
因 佳 佳 佳 佳
差、沉陷区边缘（差异修正指
素
标：每相差一级别，修正幅度
为 2%)
宗地内场地平整，部分场地平
土地开发 整，场地不平整(差异修正指 宗地内七通 宗地内七通 宗地内七通 宗地内七通
程度 标：每相差一级别，修正幅度 场地平整 场地平整 场地平整 场地平整
为 3%)
规划条件 根据土地实际规划限制条件
无限制 无限制 无限制 无限制
限制 综合确定修正幅度
独立产权○共有产权○ (差异修
产权状况 正指标：每一级别修正幅度为 独立产权 独立产权 独立产权 独立产权
2%)
分不临街、一面临街、两面临
临街状况 街、三面临街、交通管制-单 四面临街 一面临街 一面临街 一面临街
行/双行(差异修正指标：每 1%)
②比较因素修正
项目 委估土地 实例 A 实例 B 实例 C
剩余年期 41 49.75 49.83 48.83
土地用途 100 100 100 100
交易日期 100 98.76 98.76 95.45
交易情况 100 100 100 100
土地使用年限 0.9705 0.9992 0.9994 0.996
区域繁华度 100 100 100 100
道路通达度 100 100 100 100
距区域中心距离 100 96 96 96
公共配套设施 100 100 100 100
区域因素 基础设施状况 100 100 100 100
环境优劣度 100 98 98 98
产业聚集度 100 96 96 96
公交便捷度 100 100 100 100
区域土地利用方向 100 100 100 100
宗地面积 100 100 99 99
宗地形状 100 98 98 98
个别因素
建筑容积率 100 90.87 90.87 100
宗地自然条件 100 100 100 100
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
土地开发程度 100 100 100 100
规划条件限制 100 100 100 100
产权状况 100 100 100 100
临街状况 100 97 97 97
③比较因素修正系数表
待估宗地及比较实例 实例 A 实例 B 实例 C
楼面熟地价 870.00 870.00 1000.00
土地用途 100/100 100/100 100/100
交易日期 100/98.76 100/98.76 100/95.45
交易情况 100/100 100/100 100/100
土地使用年限 0.9705/0.9992 0.9705/0.9994 0.9705/0.996
区域繁华度 100/100 100/100 100/100
道路通达度 100/100 100/100 100/100
距区域中心距离 100/96 100/96 100/96
公共配套设施 100/100 100/100 100/100
区域
基础设施状况 100/100 100/100 100/100
因素
环境优劣度 100/98 100/98 100/98
产业聚集度 100/96 100/96 100/96
公交便捷度 100/100 100/100 100/100
区域土地利用方向 100/100 100/100 100/100
宗地面积 100/100 100/99 100/99
宗地形状 100/98 100/98 100/98
建筑容积率 100/90.87 100/90.87 100/100
个别 宗地自然条件 100/100 100/100 100/100
因素 土地开发程度 100/100 100/100 100/100
规划条件限制 100/100 100/100 100/100
产权状况 100/100 100/100 100/100
临街状况 100/97 100/97 100/97
因素修正系数 1.2818 1.2948 1.1765
比准地价(元/平方米) 1096.81 1107.7 1201.04
最终价格(元/平方米) 1135
④因此以三个比较案例价格的简单算术平均数作为待估宗地楼面单价为 1135
元/平方米。
3．综合地价测算
根据土地评估技术规程及待估宗地的具体情况，依据评估目的，分别采用了
基准地价系数修正法和市场比较法测算待估宗地价格，运用基准地价系数修正法
测算的评估结果为 1483 元/平方米，运用市场比较法测算的评估结果为 1135 元/平
方米。
基准地价修正法(land datum value method)是我国土地评估中重要的应用评估方
北京亚超资产评估有限公司 第 68 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
法之一，它是利用城镇基准地价和基准地价修正系数等评估成果,按照替代原理，
将待估宗地的区域条件和个别条件等与其所处区域的平均条件相比较，并对照修
正系数表选取相应的修正系数对基准地价进行修正，从而求取待估宗地在评估基
准日价格的一种评估方法。基准地价是分住宅、商业、工业等不同用途，设定土
地使用条件下的区域平均价格。基准地价更新严格遵循国家规程，经样点采集、
综合评估、加权平均测算形成。而最终成交地价根据市场状况决定。
市场法适用于有充分的市场交易资料、交易实例与被评估房地产之间具有较
大的相关性或较高的可比性、交易实例资料及其来源必须翔实可靠的房地产。
综合分析本次评估对象，位于成熟的国家级经济开发区，有土地成交案例，
首先应重点选用市场比较法及其结论。因为市场法较充分考虑了在评估基准日的
近期市场上类似房地产的交易行情、市场承受能力，其测算的价格容易为买卖双
方认同和接受。而且拍卖出让宗地一般都是用于开发或再开发建设，且多为经营
性用地，因此，市场比较法往往成为首先被选用的方法。在房地产市场不发达、
缺乏交易案例，就只能选取基准地价修正法和成本法等方法来进行评估。
基准地价系数修正法和市场比较法评估结果相差较大，综合分析本次评估采
用市场比较法结果为最终评估结果，则：
宗地总价＝1135× 1.5× 103,603.70＝176,385,299.25 元
北京亚超资产评估有限公司 第 69 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
无形资产-其他无形资产评估说明
一、 其他无形资产概况
其他无形资产包括平台传输技术（非专利技术）、购买的软件系统、自主研发的
专利（包括发明、实用新型），账面余额 3,734,289.62 元。另外还包括被评估单位申报
的账外无形资产，主要包括：部分专利、专利申请（已受理未授权），软件著作权、
商标及外购的软件系统等。
二、其他无形资产评估方法及过程
针对其他无形资产评估人员收集了相关的购置合同及专利证书、专利受理通知、
专利技术摘要、软件著作权证书、商标等资料。
（一） 外购软件
外购软件的账面价值为 158.71 万元，合计 6 项目。另外有 PDM 系统、SAP A1 系统
等 5 项外购软件，被评估单位直接费用化，未在账面反映，目前均在用，使用状态良
好。
对于购买的软件通过查看购销合同、发票及财务会计记录核实其权属，通过市场
询价该软件于评估基准日的市场售价确定其评估价值；对于账面价值较小，已没有市
场交易但仍可以按原用途继续使用的软件，参考企业原始购置成本并考虑一定的贬值
因素以此测算评估价值。
经评估，外购软件的评估结果为 796.64 万元。
（二） 商标
被评估单位存在账面未反映的注册商标 11 项，明细如下：
序号 商标 注册人 注册证号码 注册类别 注册有效期限
1 爱信德 北方微电子 7246015 7 2010-8-7 至 2020-8-6
2 ESSIND 北方微电子 7246016 7 2010-8-7 至 2020-8-6
3 羲寻 北方微电子 7246013 7 2010-8-7 至 2020-8-6
4 SEEXUN 北方微电子 7246014 7 2011-7-14 至 2021-7-13
5 CLAS 北方微电子 7589859 9 2011-3-14 至 2021-3-13
6 NMC 北方微电子 4800007 7 2008-6-7 至 2018-6-6
7 ELEDE 北方微电子 9040742 7 2012-1-21 至 2022-1-20
8 exiTin 北方微电子 13011504 7 2014-12-14 至 2024-12-13
9 eVictor 北方微电子 13036631 7 2014-12-28 至 2024-12-27
10 iTops 北方微电子 13011506A 7 2015-5-21 至 2025-5-20
11 NMC 北方微电子 1686708 7 2015-1-16 至 2025-1-15
北京亚超资产评估有限公司 第 70 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
其中第 11 项为在台湾申请的商标。由于被评估单位主要从事集成电路高端设备
的生产，其拥有的注册商标对企业收益的影响微乎其微，并未形成无形资产超额收益
概念，故本次对注册商标的评估采用成本法。
例如：对于国内注册的单项商标：
（1）根据原国家计委、财政部计价格[1995]2404 号文件和国家发改委、财政部发
改价格[2015]2136 号文件，受理商标注册费 600 元、受理商标评审费 1500 元。
（2）商标设计制作费通常由双方协商定价，一般设计制作费为 3000 元左右，本
次评估对商标的设计制作费参照 3000 元计算。
（3）商标代理费：北京地区一般商标代理费 1000 元。
合计 6100 元/项。
经评估，11 项商标的评估结果为 6.60 万元。
（三） 非专利技术、专利技术，专利申请（已受理未授权）、软件著作权
对于企业自主研发的专利技术，投资转入的非专利技术，专利申请（已受理未授
权）、软件著作权，则根据其对收入贡献确定评估值。
1、主要的技术概况
北方微电子自 2002 年成立后，在“十五”期间承担了国家 863 集成电路制造装
备重大专项—“100 纳米高密度等离子刻蚀机”攻关项目，并于 2006 年通过验收，该
设备在 2007 年和 2009 年分别获得北京科技进步一等奖和国家科技进步二等奖；此后，
北方微电子连续承担了国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项（02
专项）中“90/65nm 刻蚀机研发与产业化”、“65-45nm PVD 设备研发”、“32-22nm 栅刻
蚀机产品研发及产业化”、“45-22nm 铜互连 PVD 设备研发及产业化”、“国产集成电路
装备关键零部件量产应用工程”和“14nm 立体栅刻蚀机研发及产业化”项目。
截止评估基准日，本次评估申报范围的其他无形资产中的专利技术为北方微电子
在完成国家科技部、北京市科委、北京市工业促进局以及北京市发改委等部门科研项
目工作中形成的，已经获得中国专利局授权的专利 606 项，海外已授权的专利 47 项，
明细如下：
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
1 陶瓷喷涂部件制造方法 发明 ZL200910241612.9 2013.02.06 20 年 腔室组件
2 一种四周具有导向挡板的连接器 实用新型 ZL200520136515.0 2007.03.21 10 年 辅助工具
3 一种硅片卸载工艺 发明 ZL200510126300.5 2007.10.17 20 年 卸载工艺
北京亚超资产评估有限公司 第 71 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工
4 发明 ZL200410087100.9 2007.04.11 20 年 刻蚀工艺
艺
5 一种用于半导体处理的反应室 发明 ZL200510126373.4 2008.03.26 20 年 进气装置
6 控制静电卡盘温度系统 发明 ZL200510126350.3 2008.01.09 20 年 静电卡盘
减少薄膜式电容真空规零点漂移
7 发明 ZL200510126344.8 2008.01.16 20 年 真空气路
的装置及其方法
8 静电卡盘 发明 ZL200510126348.6 2008.01.16 20 年 静电卡盘
9 一种硅片工艺试验方法 发明 ZL200510126382.3 2008.01.16 20 年 辅助工具
10 下抽气式刻蚀装置 发明 ZL200510126353.7 2008.01.16 20 年 排气装置
一种控制晶片上的直流偏压的装
11 发明 ZL200510130653.2 2008.01.16 20 年 直流偏压
置
12 顶针装置 发明 ZL200510126355.6 2008.01.16 20 年 举升装置
一种等离子体刻蚀工艺的终点检
13 发明 ZL200510002965.5 2008.01.02 20 年 终点检测
测方法
一种半导体刻蚀前去除颗粒的工
14 发明 ZL200510126285.4 2008.03.26 20 年 干法清洗
艺
15 气体注入及扩散系统 发明 ZL200510126378.7 2008.03.26 20 年 喷嘴
一种刻蚀设备的射频起辉控制方
16 发明 ZL200510126351.8 2008.03.26 20 年 控制软件
法
一种去除刻蚀工艺后硅片表面颗
17 发明 ZL200510126280.1 2008.01.16 20 年 干法清洗
粒的等离子体清洗方法
18 半导体加工系统反应腔室 发明 ZL200510130734.2 2008.02.13 20 年 内衬
一种去除暴露区域聚合物的解吸
19 发明 ZL200510126279.9 2008.02.13 20 年 卸载工艺
附工艺
20 一种栅刻蚀的方法 发明 ZL200510126266.1 2008.02.13 20 年 刻蚀工艺
21 一种等离子体激励方法 发明 ZL200510126395.0 2008.02.06 20 年 匹配
一种多晶硅栅刻蚀终点的检测
22 发明 ZL200510002964.0 2008.01.30 20 年 终点检测
装置
23 静电卡盘 发明 ZL200510126383.8 2008.02.20 20 年 静电卡盘
24 促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘 发明 ZL200510130651.3 2008.02.20 20 年 静电卡盘
25 一种半导体晶片加工的传输平台 发明 ZL200510130649.6 2008.04.23 20 年 平台
26 气动式平台开盖机构 发明 ZL200510126403.1 2008.04.23 20 年 平台
用于半导体设备具有调节长度功
27 发明 ZL200510126387.6 2008.04.23 20 年 举升装置
能的举升装置
一种能够消除残气影响的多晶硅
28 发明 ZL200510126340.X 2008.04.23 20 年 刻蚀工艺
刻蚀工艺
29 真空机械手 发明 ZL200510126404.6 2008.05.14 20 年 机械手
30 平台开盖机构 发明 ZL200510126402.7 2008.04.23 20 年 平台
一种减少颗粒产生的多晶硅栅极
31 发明 ZL200510126381.9 2008.04.23 20 年 刻蚀工艺
刻蚀工艺
32 等离子体刻蚀装置排气环 发明 ZL200510126354.1 2008.09.03 20 年 排气环
一种在晶片刻蚀设备中彻底释放
33 发明 ZL200510126454.4 2008.09.03 20 年 卸载工艺
静电卡盘静电的方法
34 等离子体刻蚀装置 发明 ZL200510126304.3 2008.09.03 20 年 喷嘴
35 静电卡盘安装拆卸工具 发明 ZL200510126277.X 2008.03.05 20 年 辅助工具
一种防止多晶硅刻蚀中器件等离
36 发明 ZL200510126275.0 2008.03.05 20 年 刻蚀工艺
子损伤的刻蚀工艺
37 用于半导体设备的下电极组件 发明 ZL200510126388.0 2008.03.05 20 年 下电极
一种半导体设备中的工艺过程的
38 发明 ZL200510126448.9 2008.03.05 20 年 故障检测
异常监测方法
避免沟槽底部毛边生成的多晶硅
39 发明 ZL200410087099.X 2008.02.27 20 年 刻蚀工艺
刻蚀工艺
40 一种电感耦合等离子体装置 发明 ZL200510064592.4 2008.02.27 20 年 线圈
提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀
41 发明 ZL200410062489.1 2008.03.26 20 年 刻蚀工艺
性的方法
北京亚超资产评估有限公司 第 72 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
42 一种栅刻蚀工艺 发明 ZL200510126265.7 2008.06.25 20 年 刻蚀工艺
具有视觉传感器的硅片传输系统
43 发明 ZL200510126437.0 2008.06.11 20 年 平台传输
及传输方法
一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工
44 发明 ZL200510126458.2 2008.06.11 20 年 干法清洗
艺
一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留
45 发明 ZL200510126276.5 2008.03.26 20 年 干法清洗
聚合物的方法
46 增进流场均匀性的屏蔽板 发明 ZL200510126394.6 2008.03.26 20 年 进气装置
47 一种石英盖定位保护装置 发明 ZL200510126297.7 2008.03.26 20 年 腔室组件
48 一种硅栅刻蚀的方法 发明 ZL200510126288.8 2008.03.26 20 年 刻蚀工艺
49 一种减小等离子损伤的刻蚀工艺 发明 ZL200510126287.3 2008.03.26 20 年 刻蚀工艺
一种消除刻蚀工艺过程中残余气
50 发明 ZL200510126380.4 2008.03.26 20 年 排气装置
体的控制方法
一种减少干法清洗工艺对刻蚀均
51 发明 ZL200510126286.9 2008.07.02 20 年 干法清洗
匀性影响的方法
52 等离子反应室 发明 ZL200510126278.4 2008.06.25 20 年 腔室组件
53 一种硅片卸载工艺 发明 ZL200510126284.X 2008.07.02 20 年 卸载工艺
一种减少等离子损伤的硅片卸载
54 发明 ZL200510126273.1 2008.06.25 20 年 卸载工艺
工艺
一种气体温度可控的等离子体刻
55 发明 ZL200510126272.7 2008.06.11 20 年 进气装置
蚀装置
一种提高各向异性的多晶硅脉冲
56 发明 ZL200510126274.6 2008.06.25 20 年 刻蚀工艺
刻蚀工艺
一种能够避免微沟槽现象的硅栅
57 发明 ZL200510126299.6 2008.06.25 20 年 刻蚀工艺
刻蚀工艺
一种在晶片刻蚀工艺中控制关键
58 发明 ZL200510126450.6 2008.07.23 20 年 APC
尺寸偏差的方法
59 等离子体刻蚀装置 发明 ZL200510126341.4 2008.07.23 20 年 线圈
具有流量控制的平台真空气路系
60 发明 ZL200510126401.2 2008.06.11 20 年 平台
统及其控制方法
61 气流分布均匀的刻蚀装置 发明 ZL200510130652.8 2008.07.02 20 年 腔室组件
62 一种静电卡盘 发明 ZL200510126384.2 2008.05.14 20 年 静电卡盘
63 一种真空锁过渡腔室 发明 ZL200510126399.9 2008.05.14 20 年 平台
64 等离子体反应装置 发明 ZL200510126346.7 2008.07.23 20 年 腔室组件
一种将硅片的中心放置在静电卡
65 发明 ZL200510126439.X 2008.09.03 20 年 腔室组件
盘中心的方法
等离子体反应室温控系统在线故
66 发明 ZL200510126268.0 2008.08.20 20 年 温度控制
障检测装置及其方法
一种能够防止器件等离子体损伤
67 发明 ZL200510126369.8 2008.08.20 20 年 刻蚀工艺
的多晶硅刻蚀工艺
一种检测刻蚀机气路柜漏率的方
68 发明 ZL200510126444.0 2008.09.03 20 年 控制软件
法
69 静电卡盘 发明 ZL200510126302.4 2008.09.17 20 年 静电卡盘
70 一种等离子处理线圈 发明 ZL200510126379.1 2008.09.17 20 年 线圈
71 一种硅片脱附工艺 发明 ZL200510126377.2 2008.10.01 20 年 卸载工艺
72 单进气双区可调喷嘴 发明 ZL200510126442.1 2008.10.01 20 年 喷嘴
一种晶片刻蚀工艺中的故障检测
73 发明 ZL200510126441.7 2008.10.01 20 年 故障检测
方法
74 晶片举升装置及举升方法 发明 ZL200510126436.6 2008.10.01 20 年 举升装置
一种可调整局部耦合强度的 ICP
75 发明 ZL200510126283.5 2008.10.29 20 年 线圈
线圈
半导体制造设备控制系统及其方
76 发明 ZL200510126398.4 2008.10.29 20 年 系统控制
法
刻蚀机集群控制器与工艺模块控
77 发明 ZL200610011316.6 2008.10.29 20 年 系统控制
制器通讯系统及方法
78 光刻胶修整方法 发明 ZL200410062491.9 2008.12.17 20 年 刻蚀工艺
北京亚超资产评估有限公司 第 73 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
79 电感耦合线圈 发明 ZL200510126298.1 2008.11.26 20 年 线圈
用于半导体抽真空设备拆装的装
80 发明 ZL200510126308.1 2008.11.26 20 年 辅助工具
置及其方法
81 刻蚀机集群控制器 发明 ZL200610011922.8 2008.11.26 20 年 系统控制
82 可分区控温的静电卡盘系统 发明 ZL200510126349.0 2008.11.26 20 年 静电卡盘
一种质量流量控制器在线校验的
83 发明 ZL200510126345.2 2008.12.17 20 年 真空气路
方法
一种半导体刻蚀设备中控制分子
84 发明 ZL200510126375.3 2008.12.17 20 年 控制软件
泵的方法
基于 Web 服务的工厂主机与集群
85 发明 ZL200510126386.1 2008.12.17 20 年 系统控制
控制器系统的控制方法
86 一种半导体加工数据的处理方法 发明 ZL200510126371.5 2008.12.17 20 年 控制软件
一种半导体刻蚀工艺中控制反应
87 发明 ZL200510126376.8 2008.10.17 20 年 控制软件
腔室晶片温度的方法
具有 CCD 传感器的硅片传输系统
88 发明 ZL200510126438.5 2008.12.24 20 年 平台传输
及传输方法
89 一种利用滤波器抑制抖振的方法 发明 ZL200510126385.7 2008.12.17 20 年 滤波器
90 气体流量控制装置校验的方法 发明 ZL200610114468.9 2009.03.11 20 年 真空气路
91 一种半导体刻蚀装置 发明 ZL200510126390.8 2009.01.28 20 年 APC
一种晶片刻蚀设备的取片传输方
92 发明 ZL200510126440.2 2009.01.28 20 年 控制软件
法
93 一种控制半导体刻蚀设备的方法 发明 ZL200510126445.5 2009.01.28 20 年 控制软件
一种晶片刻蚀设备的气路控制方
94 发明 ZL200510126455.9 2009.01.28 20 年 控制软件
法
刻蚀设备的控温装置及其控制晶
95 发明 ZL200610112568.8 2009.03.11 20 年 温度控制
片温度的方法
96 气体流量校准的方法 发明 ZL200610114417.6 2009.04.01 20 年 真空气路
97 定位校准装置及定位校准系统 发明 ZL200610112569.2 2009.04.01 20 年 平台传输
98 一种真空腔室的充气系统 发明 ZL200510126400.8 2009.03.04 20 年 进气装置
99 真空获得系统 发明 ZL200610112748.6 2009.04.01 20 年 腔室组件
一种硅片刻蚀工艺处方的控制方
100 发明 ZL200510126446.X 2009.04.15 20 年 控制软件
法
101 用于静电卡盘的信号传输装置 发明 ZL200510126443.6 2009.06.10 20 年 腔室组件
一种等离子体反应室控制系统组
102 发明 ZL200510126338.2 2009.06.10 20 年 辅助工具
装箱
103 一种抽真空阀门控制装置 发明 ZL200510126264.2 2009.06.10 20 年 真空气路
104 个性化工厂设备控制系统 发明 ZL200510126452.5 2009.06.10 20 年 系统控制
一种半导体设备中气体校准的方
105 发明 ZL200510126453.X 2009.06.10 20 年 控制软件
法
一种半导体刻蚀设备的腔室清洗
106 发明 ZL200510126307.7 2009.06.10 20 年 干法清洗
方法
107 蚀刻设备在线故障诊断的方法 发明 ZL200610112567.3 2009.07.01 20 年 故障诊断
108 一种设备报警与互锁处理方法 发明 ZL200510126296.2 2009.07.08 20 年 故障检测
109 一种多晶硅刻蚀的方法 发明 ZL200610165336.9 2009.07.22 20 年 刻蚀工艺
110 硅片刻蚀方法 发明 ZL200610113756.2 2009.07.22 20 年 刻蚀工艺
111 气体注射装置 发明 ZL200610113334.5 2009.07.22 20 年 喷嘴
举升装置及调整举升装置平面度
112 发明 ZL200610113333.0 2009.07.22 20 年 举升装置
的方法
113 一种半导体刻蚀设备的控制方法 发明 ZL200610113203.7 2009.07.29 20 年 控制软件
114 传输腔室 发明 ZL200610112977.8 2009.07.29 20 年 平台
115 气体注射装置 发明 ZL200610112976.3 2009.07.29 20 年 喷嘴
116 多晶硅刻蚀的方法 发明 ZL200610165226.2 2009.07.29 20 年 刻蚀工艺
一种去除附着于石英零件表面聚
117 发明 ZL200510126270.8 2009.07.08 20 年 精密清洗
合物薄膜的清洗方法
北京亚超资产评估有限公司 第 74 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
一种去除附着于氧化钇零件表面
118 发明 ZL200510126271.2 2009.07.08 20 年 精密清洗
聚合物薄膜的清洗方法
电感耦合线圈及其电感耦合等离
119 发明 ZL200510002966.X 2009.08.12 20 年 线圈
子体装置
电感耦合线圈及其电感耦合等离
120 发明 ZL200510008776.9 2009.08.12 20 年 线圈
子体装置
去除刻蚀后聚合物的单片清洗装
121 发明 ZL200510126305.8 2009.08.12 20 年 精密清洗
置及清洗方法
122 气体注射装置 发明 ZL200610114205.8 2009.09.16 20 年 喷嘴
123 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 发明 ZL200610114322.4 2009.08.12 20 年 刻蚀工艺
124 硅片加工过程中的调度方法 发明 ZL200610114469.3 2009.08.12 20 年 控制软件
125 开盖装置 发明 ZL200610164849.8 2009.08.12 20 年 平台
126 气体分布装置 发明 ZL200610164845.X 2009.08.12 20 年 进气装置
127 硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法 发明 ZL200610165127.4 2009.09.16 20 年 刻蚀工艺
一种消除双作用气缸换向抖动的
128 发明 ZL200610165298.7 2009.08.12 20 年 辅助工具
控制装置
129 硅化钨硅片刻蚀的方法 发明 ZL200610165407.5 2009.08.12 20 年 刻蚀工艺
气体分布控制系统及多晶硅栅极
130 刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方 发明 ZL200610162288.8 2009.09.16 20 年 进气装置
法
131 压力控制系统 发明 ZL200610113002.7 2009.09.16 20 年 腔室组件
132 PCB 板卡固定装置及 PCB 板卡 实用新型 ZL200820123586.0 2009.09.23 10 年 辅助工具
133 气体注射装置 发明 ZL200610164848.3 2009.09.16 20 年 喷嘴
一种新型质量流量控制器在线校
134 发明 ZL200510126343.3 2009.09.23 20 年 真空气路
验设备
一种半导体制造工艺事件的自动
135 发明 ZL200510126372.X 2009.09.23 20 年 控制软件
处理装置和方法
一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控
136 发明 ZL200510126370.0 2009.09.23 20 年 干法清洗
制方法
工厂设备子系统通信方法及其装
137 发明 ZL200510126451.0 2009.09.23 20 年 系统控制
置
138 基片缓冲器及半导体加工设备 实用新型 ZL200820124223.9 2009.10.28 10 年 平台传输
一种等离子刻蚀设备的刻蚀终点
139 发明 ZL200710062687.1 2009.12.09 20 年 终点检测
检测装置与方法
一种反应腔室压力控制的装置和
140 发明 ZL200610114244.8 2009.10.28 20 年 控制软件
方法
等离子体处理设备、气体分配装
141 发明 ZL200810118805.0 2009.12.09 20 年 气体分配装置
置以及气体输送方法
142 进气喷嘴 发明 ZL200510126347.1 2009.12.09 20 年 喷嘴
一种去除附着于阳极氧化铝零件
143 发明 ZL200510126269.5 2009.12.09 20 年 精密清洗
表面聚合物薄膜的清洗方法
一种阳极氧化零件表面的清洗方
144 发明 ZL200610165559.5 2009.12.23 20 年 精密清洗
法
145 清洗硅片刻蚀腔室的方法 发明 ZL200610165562.7 2009.12.23 20 年 干法清洗
反应腔室内衬及包含该内衬的反
146 发明 ZL200610164847.9 2009.12.23 20 年 内衬
应腔室
一种射频系统的控制方法及其射
147 发明 ZL200510126449.3 2009.12.09 20 年 匹配
频匹配器
148 晶圆承载料盒及半导体加工设备 实用新型 ZL200920105579.2 2009.12.30 10 年 辅助工具
149 一种石英材料零件的清洗方法 发明 ZL200610165561.2 2009.12.23 20 年 精密清洗
半导体刻蚀设备中传输模块实现
150 发明 ZL200610114204.3 2009.12.23 20 年 控制软件
告警的方法及装置
一种微电子刻蚀系统中受控部件
151 发明 ZL200610113335.X 2009.12.23 20 年 故障检测
的异常监测装置及方法
152 气体注入装置 发明 ZL200710063311.2 2009.12.23 20 年 喷嘴
153 硅片刻蚀设备 发明 ZL200710063394.5 2009.12.23 20 年 腔室组件
154 硅片传输设备的控制系统及方法 发明 ZL200710062729.1 2009.12.23 20 年 控制软件
北京亚超资产评估有限公司 第 75 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
网络交换器保护装置及半导体加
155 实用新型 ZL200920106507.X 2009.12.30 10 年 辅助工具
工控制系统
156 一种举升装置 发明 ZL200710121869.1 2009.12.30 20 年 举升装置
157 一种晶片夹持装置 发明 ZL200710121040.1 2009.12.30 20 年 静电卡盘
干涉光检测装置及校准该装置的
158 发明 ZL200610169567.7 2010.02.03 20 年 APC
方法
一种阻抗匹配的方法及阻抗匹配
159 发明 ZL200710062686.7 2010.02.03 20 年 匹配
装置
一种检测半导体晶片从静电卡盘
160 发明 ZL200710062688.6 2010.02.03 20 年 静电卡盘
上释放程度的方法
一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料
161 发明 ZL200710062733.8 2010.02.03 20 年 精密清洗
零件表面的清洗方法
一种等离子刻蚀工艺的预测与监
162 发明 ZL200710062847.2 2010.02.03 20 年 APC
控方法
反应腔室内衬及包含该内衬的反
163 发明 ZL200610164984.2 2010.02.03 20 年 内衬
应腔室
164 在线预测刻蚀设备维护的方法 发明 ZL200610113143.9 2010.02.03 20 年 APC
165 硅片传输过程的调度方法 发明 ZL200710062728.7 2010.03.24 20 年 控制软件
166 反应腔室清洗的方法 发明 ZL200610164902.4 2010.03.24 20 年 干法清洗
检测反应腔室内等离子体分布密
167 发明 ZL200610169568.1 2010.03.24 20 年 APC
度的方法
多芯电缆检测装置及检测多芯电
168 发明 ZL200710062685.2 2010.03.24 20 年 电气
缆的方法
一种互锁和报警的处理方法和系
169 发明 ZL200710175448.7 2010.03.24 20 年 控制软件
统
170 等离子体处理装置及其介质窗 发明 ZL200710179806.1 2010.03.24 20 年 介质窗
171 一种用于半导体设备的直流电极 发明 ZL200710175746.6 2010.03.24 20 年 直流电极
172 一种控制晶片偏压的装置和方法 发明 ZL200710121395.0 2010.03.24 20 年 直流偏压
173 一种静电卡盘 发明 ZL200710121039.9 2010.03.24 20 年 静电卡盘
排气装置及包含该排气装置的反
174 发明 ZL200610169563.9 2010.05.19 20 年 排气装置
应腔室
175 电感耦合源 发明 ZL200510126396.5 2010.05.12 20 年 线圈
晶片处理室的内衬及包含该内衬
176 发明 ZL200610113918.2 2010.05.12 20 年 内衬
的晶片处理室
电感耦合线圈及电感耦合等离子
177 发明 ZL200610112658.7 2010.05.12 20 年 线圈
体装置
178 硅片蚀刻方法 发明 ZL200610113204.1 2010.05.12 20 年 刻蚀工艺
搬运校准装置及应用该装置的晶
179 发明 ZL200610113367.X 2010.05.12 20 年 平台传输
片传输系统
一种促进半导体晶片上静电电荷
180 发明 ZL200710062689.0 2010.05.19 20 年 静电卡盘
消散的方法
一种去除半导体零件表面污染物
181 发明 ZL200710063226.6 2010.05.19 20 年 精密清洗
的方法
182 硅片刻蚀的方法 发明 ZL200610164844.5 2010.05.19 20 年 刻蚀工艺
腔室上盖及包含该上盖的反应腔
183 发明 ZL200610165461.X 2010.05.19 20 年 腔室组件
室
一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移
184 发明 ZL200710063232.1 2010.05.19 20 年 刻蚀工艺
的方法
185 内衬及包含该内衬的反应腔室 发明 ZL200610165334.X 2010.05.19 20 年 内衬
一种气体分配装置及应用该分配
186 发明 ZL200810118448.8 2010.06.02 20 年 气体分配装置
装置的等离子体处理设备
一种气体分配装置及应用该气体
187 发明 ZL200810116796.1 2010.06.02 20 年 气体分配装置
装置的等离子体处理设备
188 硅片脱附的方法 发明 ZL200710062731.9 2010.07.21 20 年 卸载工艺
一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化
189 发明 ZL200710063231.7 2010.07.21 20 年 精密清洗
零件表面的清洗方法
控制双作用气缸活塞移动速度的
190 发明 ZL200710063228.5 2010.07.21 20 年 辅助工具
装置
北京亚超资产评估有限公司 第 76 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
一种光电开关动态调整硅片偏差
191 发明 ZL200710063221.3 2010.07.21 20 年 平台传输
的方法及装置
一种气体分配装置及应用该分配
192 发明 ZL200810057524.9 2010.07.28 20 年 气体分配装置
装置的半导体处理设备
193 一种气路控制方法和装置 发明 ZL200710176552.8 2010.08.11 20 年 控制软件
电感耦合线圈及其电感耦合等离
194 发明 ZL200510093733.5 2010.08.11 20 年 线圈
子体装置
一种用于集成电路加工设备的晶
195 实用新型 ZL200920246446.7 2010.08.11 10 年 载板
片载台和反应腔室
196 一种等离子刻蚀设备的维护方法 发明 ZL200710063229.X 2010.09.01 20 年 APC
等离子体处理设备及其气体分配
197 发明 ZL200810056179.7 2010.09.01 20 年 气体分配装置
装置
198 干法刻蚀方法以及硅片刻蚀方法 发明 ZL200810104178.5 2010.09.01 20 年 刻蚀工艺
一种去除腔室副产物的等离子清
199 发明 ZL200910082929.2 2010.09.01 20 年 干法清洗
洗方法和等离子处理系统
一种半导体刻蚀设备腔室的清洗
200 发明 ZL200710063224.7 2010.09.01 20 年 干法清洗
方法
减少半导体基片颗粒污染的方法
201 发明 ZL200810057751.1 2010.09.01 20 年 平台
及系统
202 一种快速 RF 自动阻抗匹配方法 发明 ZL200710063223.2 2010.09.08 20 年 匹配
基片承载装置和等离子体加工设
203 发明 ZL200810224714.5 2010.09.15 20 年 载板
备
204 质量流量控制器的在线校验方法 发明 ZL200810227447.7 2010.09.15 20 年 真空气路
一种射频匹配器的传感器的鉴相
205 发明 ZL200710063284.9 2010.09.15 20 年 传感器
装置和方法
一种内衬及应用该内衬的等离子
206 实用新型 ZL200920246343.0 2010.09.15 10 年 内衬
装置
晶片处理室的内衬及包含该内衬
207 发明 ZL200610169565.8 2010.10.06 20 年 内衬
的晶片处理室
208 硅片角度定位装置及反应腔室 发明 ZL200710120493.2 2010.10.06 20 年 平台传输
一种射频匹配器的传感器的鉴相
209 发明 ZL200710063392.6 2010.10.06 20 年 传感器
装置和方法
一种双输出匹配器及一种等离子
210 实用新型 ZL200920278357.0 2010.10.06 10 年 匹配
体发生装置
211 一种铝材料零件的清洗方法 发明 ZL200610165560.8 2010.10.06 20 年 精密清洗
一种用于半导体制造工艺中的边
212 发明 ZL200810103065.3 2010.11.03 20 年 边缘环
缘环机构
213 双电极静电卡盘 发明 ZL200710121131.5 2010.11.03 20 年 静电卡盘
214 一种陶瓷零件表面的清洗方法 发明 ZL200610113455.X 2010.11.03 20 年 精密清洗
半导体生产设备中的功率控制装
215 发明 ZL200610114418.0 2010.11.03 20 年 控制软件
置及方法
摆阀及等离子体加工装置及其控
216 发明 ZL200710178736.8 2010.11.03 20 年 真空气路
制反应腔室内压力的方法
一种取值互锁报警的处理方法和
217 发明 ZL200910076959.2 2010.11.03 20 年 控制软件
装置
门盖装置和具有门盖装置的真空
218 发明 ZL200810226416.X 2010.11.10 20 年 腔室组件
设备
一种带有连接层的卡盘装置及其
219 发明 ZL200810055963.6 2010.11.10 20 年 静电卡盘
制造方法
220 一种工艺控制方法和装置 发明 ZL200710178095.6 2010.11.24 20 年 APC
221 进气装置及反应腔室 发明 ZL200710119581.0 2010.11.24 20 年 进气装置
222 精密零件的清洗方法 发明 ZL200710121340.X 2010.12.01 20 年 精密清洗
被处理体的保持装置及其温度控
223 发明 ZL200710119106.3 2010.12.01 20 年 静电卡盘
制方法
一种气体分配装置及应用该分配
224 发明 ZL200810103727.7 2010.12.01 20 年 气体分配装置
装置的半导体处理设备
一种气体分配装置及应用该分配
225 发明 ZL200810104664.7 2010.12.01 20 年 气体分配装置
装置的半导体处理设备
226 等离子体处理设备及其基片载板 发明 ZL200810117010.8 2010.12.01 20 年 载板
北京亚超资产评估有限公司 第 77 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
227 半导体加工工艺控制方法 发明 ZL200710121570.6 2010.12.08 20 年 APC
228 晶片传输系统 发明 ZL200710121341.4 2010.12.08 20 年 平台传输
一种晶片夹持系统及应用该夹持
229 发明 ZL200810056386.2 2010.12.08 20 年 静电卡盘
系统的半导体处理设备
一种用于半导体加工反应腔室的
230 发明 ZL200810057930.5 2010.12.08 20 年 腔室组件
密封结构
一种等离子体内电子温度测量装
231 发明 ZL200510126389.5 2010.12.08 20 年 APC
置
232 连接装置 发明 ZL200610112711.3 2011.01.12 20 年 腔室组件
233 静电卡盘装置 发明 ZL200610171547.3 2011.01.12 20 年 静电卡盘
一种工厂自动化接口的实现方法
234 发明 ZL200710176251.5 2011.01.12 20 年 系统控制
和系统
等离子体约束装置及应用该约束 等离子体约束装
235 发明 ZL200710177831.6 2011.01.12 20 年
装置的半导体处理设备 置
236 静电卡盘的测温装置 发明 ZL200710179699.2 2011.01.12 20 年 静电卡盘
一种在线机台异常处理的方法和
237 发明 ZL200910088869.5 2011.01.12 20 年 故障诊断
系统
一种消除设备模拟量干扰的监测
238 发明 ZL200710063230.2 2011.01.12 20 年 控制软件
方法和装置
239 等离子体处理设备 发明 ZL200810115629.5 2011.01.12 20 年 气体分配装置
240 一种 PECVD 设备 实用新型 ZL201020215854.9 2011.01.12 10 年 腔室组件
一种工艺过程参数的可视化装置
241 发明 ZL200810240097.8 2011.01.12 20 年 控制软件
和方法
242 一种故障检测的方法和系统 发明 ZL200710304377.6 2011.02.16 20 年 故障诊断
一种阳极氧化零件表面的清洗方
243 发明 ZL200610113529.X 2011.02.16 20 年 精密清洗
法
一种生产线设备的控制装置及控
244 发明 ZL200910076960.5 2011.04.06 20 年 控制软件
制系统
245 一种半导体传输系统中的真空锁 发明 ZL200810222415.8 2011.04.06 20 年 真空气路
246 静电卡盘 发明 ZL200710118502.4 2011.04.06 20 年 静电卡盘
电感耦合线圈及应用该线圈的电
247 发明 ZL200610171549.2 2011.04.06 20 年 线圈
感耦合等离子体装置
半导体加工系统及其保护真空压
248 发明 ZL200710122007.0 2011.04.06 20 年 真空气路
力敏感原件的方法
249 一种被处理体的保持装置 发明 ZL200710304242.X 2011.04.06 20 年 静电卡盘
250 等离子体处理设备及其基片载板 发明 ZL200810226608.0 2011.04.27 20 年 载板
深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备的
251 发明 ZL200910091856.3 2011.04.27 20 年 进气装置
进气系统
252 腔室内衬及反应腔室 发明 ZL200710120745.1 2011.04.27 20 年 内衬
一种半导体刻蚀工艺的终点控制
253 发明 ZL200910076958.8 2011.04.27 20 年 终点检测
方法和装置
大气传输单元及具有该大气传输
254 实用新型 ZL201020538674.4 2011.04.27 10 年 平台
单元的晶片传输系统
255 一种阻抗匹配器 发明 ZL200810056600.4 2011.05.25 20 年 匹配
256 一种工艺终点控制方法和装置 发明 ZL200810056599.5 2011.05.25 20 年 终点检测
等离子体约束装置和等离子加工 等离子体约束装
257 发明 ZL200810224814.8 2011.05.25 20 年
设备 置
258 一种控制实现方法和系统 发明 ZL200710176653.5 2011.05.25 20 年 控制软件
259 一种数据调度方法及装置 发明 ZL200710179792.3 2011.05.25 20 年 控制软件
电感耦合线圈及采用该电感耦合
260 发明 ZL200810117298.9 2011.06.15 20 年 线圈
线圈的等离子体处理装置
大马士革互连工艺中铜金属填充
261 发明 ZL200810118423.8 2011.06.15 20 年 工艺
方法
电感耦合线圈及电感耦合等离子
262 发明 ZL200810057125.2 2011.06.15 20 年 线圈
体发生装置
一种补偿直流自偏压的方法及系
263 发明 ZL200710304751.2 2011.06.15 20 年 直流偏压
统、半导体处理设备
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
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专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
264 硅浅槽刻蚀工艺 发明 ZL200710175213.8 2011.06.15 20 年 刻蚀工艺
气体控温的静电卡盘及其控制基
265 发明 ZL200710176651.6 2011.06.15 20 年 静电卡盘
片温度的方法
一种半导体制程设备零部件的清
266 发明 ZL200710177627.4 2011.06.15 20 年 精密清洗
洗方法
267 刻蚀机及其开盖装置 实用新型 ZL201020612990.1 2011.06.15 10 年 腔室组件
等离子体处理设备、其气体分配
268 发明 ZL200810056178.2 2011.07.06 20 年 气体分配装置
装置及工艺气体提供方法
驱动器连接部件和具有它的压环
269 实用新型 ZL201020613658.7 2011.07.06 10 年 腔室组件
升降机构
一种降低基板处理设备能耗的方
270 发明 ZL200910088733.4 2011.07.06 20 年 控制软件
法和系统
传输系统及包含该传输系统的等
271 实用新型 ZL201020631224.X 2011.07.06 10 年 传输
离子体加工设备
线圈连接组件，上电极装置和 LED
272 实用新型 ZL201020602912.3 2011.07.06 10 年 线圈
刻蚀机
273 一种射频阻抗自动匹配的方法 发明 ZL200810056648.5 2011.07.06 20 年 匹配
274 控制和促进等离子体起辉的方法 发明 ZL200710175815.3 2011.07.27 20 年 APC
实现射频阻抗匹配的方法及射频
275 发明 ZL200710120494.7 2011.07.27 20 年 匹配
阻抗匹配系统
276 一种举升装置 发明 ZL200710121870.4 2011.07.27 20 年 举升装置
开盖机构及半导体加工设备及其
277 发明 ZL200710120746.6 2011.07.27 20 年 腔室组件
开盖控制方法
射频自动阻抗匹配方法及射频自
278 发明 ZL200810056157.0 2011.07.27 20 年 匹配
动阻抗匹配器
一种用于半导体处理设备的维护
279 发明 ZL200810115660.9 2011.07.27 20 年 控制软件
控制方法及系统
用于减少腔室颗粒沉积的方法、
280 发明 ZL200810115418.1 2011.07.27 20 年 真空气路
系统及半导体处理设备
一种多路温控通道控制系统及控
281 发明 ZL200810101811.5 2011.07.13 20 年 进气装置
制方法
282 等离子体处理设备 发明 ZL200810222421.3 2011.08.17 20 年 腔室组件
等离子体处理设备及其气体分配
283 发明 ZL200910076481.3 2011.08.17 20 年 气体分配装置
装置
284 平板加热器及等离子体加工设备 发明 ZL200810119172.5 2011.08.17 20 年 温度控制
285 反应腔室 发明 ZL200710120361.X 2011.08.17 20 年 进气装置
286 匹配器及其实现匹配控制的方法 发明 ZL200710119105.9 2011.08.17 20 年 匹配
287 反应腔室 发明 ZL200710121288.8 2011.08.17 20 年 内衬
静电卡盘电源电流采样装置及方
288 发明 ZL200810118186.5 2011.08.17 20 年 传感器
法及等离子体装置
一种控制射频放电系统直流偏压
289 发明 ZL200710178857.2 2011.09.14 20 年 直流偏压
的装置和方法
电感耦合线圈及应用该线圈的电
290 发明 ZL200710118653.X 2011.09.14 20 年 线圈
感耦合等离子体装置
291 提升装置 发明 ZL200610171548.8 2011.09.14 20 年 辅助工具
一种镀膜工艺控制方法及控制系
292 发明 ZL200910087670.0 2011.09.14 20 年 工艺
统
293 等离子体处理装置及其屏蔽环 发明 ZL200710178984.2 2011.09.14 20 年 屏蔽环
一种等离子腔室及其温度控制方
294 发明 ZL200810118767.9 2011.09.14 20 年 温度控制
法
一种腔室压力控制方法、装置及
295 发明 ZL200810224273.9 2011.09.14 20 年 控制软件
控制系统
密封圈及应用该密封圈的等离子
296 实用新型 ZL201120096149.6 2011.09.14 10 年 腔室组件
体加工设备
一种喷嘴装置及应用该喷嘴装置
297 发明 ZL200710176946.3 2011.09.14 20 年 喷嘴
的半导体处理设备
一种反应室及应用该反映腔室的
298 发明 ZL200810119319.0 2011.09.14 20 年 腔室组件
等离子体处理设备
299 抽气装置及半导体加工装置 发明 ZL200810225188.4 2011.09.14 20 年 排气装置
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
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专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
鉴幅传感器及射频传输系统及其
300 发明 ZL200710176232.2 2011.09.14 20 年 传感器
对负载阻抗进行鉴幅的方法
等离子体处理设备及向其静电卡
301 发明 ZL200910082458.5 2011.09.14 20 年 静电卡盘
盘上放置代加工件的方法
一种生产线设备的监控方法及系
302 发明 ZL200910235581.6 2011.11.02 20 年 控制软件
统
一种工艺过程参数的采集方法及
303 发明 ZL200910236047.7 2011.11.02 20 年 控制软件
系统
304 基底固定组件 实用新型 ZL201120104130.1 2011.11.02 10 年 腔室组件
305 硅太阳能电池的制造方法 发明 ZL200810225491.4 2011.11.02 20 年 工艺
306 刻蚀装置 发明 ZL200710119400.4 2011.11.02 20 年 排气装置
307 一种太阳能电池制造方法及设备 发明 ZL200810240163.1 2011.11.02 20 年 工艺
一种工艺过程参数的可视化处理
308 发明 ZL200910082770.4 2011.11.02 20 年 控制软件
方法和装置
成膜载板及太阳能电池的生产方
309 发明 ZL200810239693.4 2011.12.07 20 年 载板
法
基片传输装置及其控制系统和控
310 发明 ZL200810117610.4 2011.12.07 20 年 平台传输
制方法
电感耦合线圈及电感耦合等离子
311 发明 ZL200610112570.5 2011.12.07 20 年 线圈
体装置
铜阻挡层－籽晶层薄膜制备的方
312 发明 ZL200810240829.3 2011.12.07 20 年 工艺
法
一种监控工艺过程中的异常的方
313 发明 ZL200910236037.3 2011.11.02 20 年 控制软件
法和系统
314 基底支撑组件 实用新型 ZL201120107777.X 2011.12.07 10 年 腔室组件
基片偏移的诊断及校正方法和诊
315 发明 ZL200710179912.X 2011.12.07 20 年 平台传输
断及校正装置
316 一种腔室的衬 发明 ZL200710175533.3 2011.12.07 20 年 内衬
托盘组件和具有该托盘组件的基
317 实用新型 ZL201120140728.6 2011.12.07 10 年 腔室组件
片处理设备
生产线设备的控制装置、方法及
318 发明 ZL200910089918.7 2011.12.21 20 年 控制软件
一种工控机
319 反应腔室及半导体加工设备 发明 ZL200810227439.2 2011.12.21 20 年 腔室组件
一种射频自动阻抗匹配器及其实
320 发明 ZL200810055642.6 2011.12.07 20 年 匹配
现方法
321 腔室环境的控制方法 发明 ZL200910084869.8 2011.12.21 20 年 工艺
一种腔室状态监控系统、方法以
322 发明 ZL200810105427.2 2011.12.21 20 年 APC
及半导体处理设备
323 电镀装置 实用新型 ZL201120122439.3 2012.01.11 10 年 工艺
一种改善半导体制程中加工件背
324 发明 ZL200710178286.2 2012.01.11 20 年 聚焦环
面污染的方法
等离子体刻蚀装置及栅极的刻蚀
325 发明 ZL200910076699.9 2012.01.11 20 年 刻蚀工艺
方法
吹扫装置和具有它的等离子体增
326 实用新型 ZL201120173291.6 2012.01.11 10 年 腔室组件
强化学气相沉积设备
327 一种匹配器及其匹配方法 发明 ZL200710177433.4 2012.01.11 20 年 匹配
328 等离子体处理设备及其过渡腔室 发明 ZL200810117009.5 2012.01.11 20 年 载板
329 一种传动设备和载板 实用新型 ZL201120203644.2 2012.01.11 10 年 载板
330 一种半导体加工设备 实用新型 ZL201120195588.2 2012.03.14 10 年 腔室组件
一种电感耦合线圈及等离子体装
331 发明 ZL200710179698.8 2012.03.07 20 年 线圈
置
干法清洗时间的确定方法、装置
332 发明 ZL200910081451.1 2012.03.07 20 年 干法清洗
及等离子体处理设备
气体分配系统和应用该气体分配
333 发明 ZL200710179336.9 2012.03.07 20 年 气体分配装置
系统的半导体处理设备
334 机械手及晶片处理系统 发明 ZL200810222607.9 2012.03.07 20 年 机械手
硅栅极的刻蚀方法及提高硅栅极
335 发明 ZL200810227314.X 2012.03.07 20 年 刻蚀工艺
线宽腔室匹配的方法
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
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专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
336 背接触太阳能电池的制造方法 发明 ZL200910076264.4 2012.03.07 20 年 工艺
一种举升装置及应用该举升装置
337 发明 ZL200910082619.0 2012.03.07 20 年 举升装置
的等离子体处理设备
338 气体注射装置 发明 ZL200610112659.1 2012.04.11 20 年 喷嘴
一种机械手调度方法、装置及等
339 发明 ZL200810225524.5 2012.04.11 20 年 控制软件
离子体处理设备
接线诊断及纠错方法、装置和多
340 发明 ZL200810223588.1 2012.04.11 20 年 辅助工具
路温控通道控制系统
341 基片支承装置及其静电释放方法 发明 ZL200810223308.7 2012.04.11 20 年 静电卡盘
等离子体设备腔室维护前预处理
342 发明 ZL200910077872.7 2012.04.11 20 年 工艺
的方法
等离子体约束装置及等离子体处
343 发明 ZL200710176174.3 2012.04.25 20 年 腔室组件
理装置
344 一种在线处理设备 发明 ZL201010198050.7 2012.04.11 20 年 腔室组件
一种反应腔室及应用该反应腔室
345 实用新型 ZL201120278957.4 2012.04.25 10 年 腔室组件
的等离子体加工设备
346 一种工艺控制方法及控制系统 发明 ZL200910084136.4 2012.04.25 20 年 APC
347 等离子体处理设备 发明 ZL200910076479.6 2012.04.25 20 年 腔室组件
348 一种半导体等离子刻蚀工艺 发明 ZL200910090173.6 2012.04.25 20 年 刻蚀工艺
一种集簇设备控制系统和工艺控
349 发明 ZL200810056107.2 2012.06.06 20 年 系统控制
制系统之间通信的方法
一种射频传输中实现阻抗匹配的
350 发明 ZL200910243877.2 2012.04.25 20 年 匹配
方法和一种阻抗匹配装置
351 加热腔室及半导体加工设备 发明 ZL200910081053.X 2012.06.06 20 年 温度控制
一种电感耦合线圈及采用该耦合
352 发明 ZL200810106283.2 2012.06.06 20 年 线圈
线圈的等离子体处理设备
353 料盒传输系统 实用新型 ZL201120268717.6 2012.06.06 10 年 传输
一种装载装置及应用该装载装置
354 实用新型 ZL201120354206.6 2012.06.06 10 年 托盘
的等离子体加工设备
355 一种硅片优化调度的方法和装置 发明 ZL200810239832.3 2012.06.06 20 年 控制软件
356 一种硅片优化调度的方法和装置 发明 ZL200910243876.8 2012.06.06 20 年 控制软件
基板冷却方法、基板冷却系统以
357 发明 ZL200910085514.0 2012.06.06 20 年 温度控制
及基板处理设备
半导体装置及其制造方法和发光
358 发明 ZL201010225103.X 2012.07.04 20 年 工艺
器件
359 带有辅助进给装置的进给机构 发明 ZL200710118547.1 2012.07.04 20 年 平台传输
一种温度监控装置及等离子体加
360 实用新型 ZL201120395484.6 2012.07.04 10 年 温度控制
工设备
一种进气装置及应用该进气装置
361 发明 ZL200710179911.5 2012.07.04 20 年 进气装置
的半导体处理设备
362 一种气相沉积设备 实用新型 ZL201120351150.9 2012.07.25 10 年 腔室组件
363 一种晶片优化调度的方法和装置 发明 ZL200710179612.1 2012.07.04 20 年 控制软件
气体分配装置及等离子体加工设
364 实用新型 ZL201120446208.8 2012.07.25 10 年 上电极
备
365 等离子体处理设备及其射频装置 发明 ZL200810240279.5 2012.07.25 20 年 射频
一种阻抗匹配器、阻抗匹配方法
366 发明 ZL200810239148.5 2012.07.25 20 年 匹配
和等离子体处理系统
367 一种报警处理方法及装置 发明 ZL200910243438.1 2012.07.25 20 年 控制软件
368 在线式基板处理系统 发明 ZL200910086527.X 2012.07.25 20 年 进气装置
一种电机组件及应用该电机组件
369 发明 ZL200810227983.7 2012.07.25 20 年 腔室组件
的等离子体处理设备
370 等离子体装置排气环 发明 ZL200710179040.7 2012.08.22 20 年 排气装置
等离子体化学气相沉积设备的载
371 发明 ZL201010195683.2 2012.08.22 20 年 传输
板传输控制方法及系统
一种生产线设备的计时控制方法
372 发明 ZL201010161304.8 2012.08.22 20 年 控制软件
及装置
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
373 一种晶体硅太阳能电池 发明 ZL200910090149.2 2012.08.22 20 年 工艺
374 等离子装置工艺腔预处理的方法 发明 ZL200810240867.9 2012.08.22 20 年 工艺
薄膜太阳能电池吸收层的制备方
375 发明 ZL200910079876.9 2012.08.22 20 年 工艺
法
匹配方法及应用该匹配方法的等
376 发明 ZL200810117344.5 2012.09.05 20 年 匹配
离子体装置
一种加热方法、装置及基片处理
377 发明 ZL200910087117.7 2012.09.05 20 年 温度控制
设备
378 反应腔室和内衬装置 发明 ZL200910087929.1 2012.08.22 20 年 腔室组件
379 一种等离子体处理设备及方法 发明 ZL200910093054.6 2012.09.05 20 年 腔室组件
一种阻抗匹配器及等离子体处理
380 发明 ZL200910089112.8 2012.09.05 20 年 匹配
设备
381 硅太阳能电池的制造方法 发明 ZL200810225065.0 2012.09.05 20 年 工艺
382 等离子体处理装置及其屏蔽环 发明 ZL200810102094.8 2012.09.05 20 年 屏蔽环
一种基片处理设备及其顶针升降
383 发明 ZL200910088744.2 2012.09.05 20 年 举升装置
装置
一种基片处理系统及其机械手臂
384 发明 ZL200910242381.3 2012.09.05 20 年 传输
装置
385 一种半导体程中的干法清洗方法 发明 ZL200710178788.5 2012.09.05 20 年 干法清洗
一种基片处理设备及其顶针升降
386 发明 ZL200910089525.6 2012.09.05 20 年 举升装置
装置
生产线设备的加热控制方法及装
387 发明 ZL200910241956.X 2012.09.05 20 年 温度控制
置
一种生产线设备的工艺任务调度
388 发明 ZL201010184990.0 2012.09.05 20 年 控制软件
方法及装置
一种阻抗调节装置和包含该装置
389 发明 ZL200910238279.6 2012.10.31 20 年 匹配
的阻抗匹配系统
射频匹配方法及等离子体处理设
390 发明 ZL200810116573.5 2012.10.31 20 年 匹配
备
391 磁控管装置 发明 ZL200910091688.8 2012.10.31 20 年 磁控溅射
392 一种工艺终点控制方法和装置 发明 ZL201010584634.8 2012.10.31 20 年 终点检测
393 一种硅片的刻蚀方法 发明 ZL200910236244.9 2012.10.31 20 年 刻蚀工艺
一种步进电机的丢步检验方法、
394 发明 ZL200910243636.8 2012.10.31 20 年 匹配
装置及一种阻抗匹配器
用于等离子体加工设备的反应腔
395 发明 ZL200910242826.8 2012.10.31 20 年 腔室组件
室和等离子体加工设备
396 一种深硅刻蚀工艺 发明 ZL200910089819.9 2012.12.26 20 年 刻蚀工艺
一种用于半导体工艺设备的衬套
397 发明 ZL200810100895.0 2012.12.26 20 年 腔室组件
机构及其制造方法
398 工艺数据监控方法、装置及系统 发明 ZL201010278844.4 2012.12.26 20 年 APC
399 一种工艺控制的方法和装置 发明 ZL200810239833.8 2012.12.26 20 年 APC
一种用于中、低频等离子体加工
400 发明 ZL200910238675.9 2012.12.26 20 年 腔室组件
设备的电极板和反应腔室
生产线设备载板数量的配置方法
401 发明 ZL200910238730.4 2012.12.26 20 年 控制软件
及装置
402 等离子体增强化学气相沉积装置 发明 ZL201010225093.X 2012.12.26 20 年 干法清洗
403 等离子体刻蚀设备 实用新型 ZL201220224678.4 2012/12/26 10 年 真空气路
具有故障诊断功能的控制系统和
404 发明 ZL200910079035.8 2013/2/6 20 年 故障诊断
方法
防腐防沉积的真空管道和具有它
405 实用新型 ZL201220214877.7 2013/2/6 10 年 真空气路
的微电子设备
一种等离子体处理设备、方法及
406 发明 ZL200910090764.3 2013/2/6 20 年 干法清洗
腔室清洗方法
一种补偿直流自偏压的系统和方
407 发明 ZL200910077914.7 2013/2/6 20 年 直流偏压
法
408 一种减反射膜及其制备方法 发明 ZL200910082424.6 2013/2/6 20 年 工艺
一种基片处理系统及其机械手臂
409 发明 ZL200910241497.5 2013/2/6 20 年 传输
装置
北京亚超资产评估有限公司 第 82 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
升降装置及具有该装置的半导体
410 发明 ZL201010110583.5 2013/2/6 20 年 腔室组件
器件加工设备
411 喷嘴及反应腔室 发明 ZL200710178735.3 2013/2/27 20 年 喷嘴
412 预清洗工艺腔室 实用新型 ZL201220282730.1 2013/2/6 10 年 腔室组件
一种靶材及应用该靶材的半导体
413 发明 ZL201010177298.5 2013/2/27 20 年 靶材
器件加工设备
414 气体输入装置和半导体加工设备 发明 ZL200910086605.6 2013/2/27 20 年 进气装置
一种等离子体处理设备及其顶针
415 发明 ZL200910085515.5 2013/2/27 20 年 举升装置
升降装置
一种加热装置及应用该加热装置
416 发明 ZL200910087118.1 2013/2/27 20 年 温度控制
的等离子体处理设备
417 静电卡盘装置及其温度控制方法 发明 ZL200810224801.0 2013/2/27 20 年 静电卡盘
一种位置校准系统及等离子体处
418 发明 ZL201010125243.X 2013/3/27 20 年 传输
理装置
一种选择性发射极太阳能电池的
419 发明 ZL200910237945.4 2013/3/27 20 年 工艺
制备方法
一种静电卡盘及其残余电荷的消
420 发明 ZL200910235680.4 2013/3/27 20 年 静电卡盘
除方法
421 腔室窗及等离子体工艺腔室 发明 ZL200810226478.0 2013/3/27 20 年 腔室组件
一种电感耦合装置及应用该装置
422 发明 ZL201010216936.X 2013/3/27 20 年 射频偏压
的等离子体处理设备
一种半导体加工装置以及用于该
423 发明 ZL200810111922.4 2013/3/27 20 年 喷嘴
装置中的喷嘴结构
耦合窗温度测量装置、等离子体
424 发明 ZL201010221045.3 2013/4/24 20 年 温度控制
设备及温度测量方法
一种阻抗匹配方法及等离子体处
425 发明 ZL200910089815.0 2013/4/24 20 年 匹配
理设备
一种匹配器及等离子体加工设
426 实用新型 ZL201220524313.3 2013/4/24 10 年 匹配
备
大气传输腔室及其内部气流改变
427 发明 ZL200910238402.4 2013/4/24 20 年 平台传输
方法、等离子体处理设备
等离子体处理设备及其静电卡盘
428 发明 ZL200910076480.9 2013/4/24 20 年 静电卡盘
装置
429 机械手装置和装卸载系统 实用新型 ZL201220569790.1 2013/6/5 10 年 传输
半导体加工设备的供气系统及其
430 发明 ZL200710120360.5 2013/6/5 20 年 真空气路
气体流量校准的方法
一种非晶硅薄膜太阳能电池及制
431 发明 ZL200910237865.9 2013/6/5 20 年 工艺
备方法
深刻蚀方法、等离子体加工方法
432 发明 ZL200910089174.9 2013/6/5 20 年 刻蚀工艺
和系统
433 一种等离子体加工设备 发明 ZL200810240162.7 2013/6/5 20 年 腔室组件
一种等离子体加工设备及用于该
434 发明 ZL200910243530.8 2013/6/5 20 年 温度控制
设备中反应腔室的加热装置
435 一种排气板及等离子体处理设备 发明 ZL201010159101.5 2013/6/5 20 年 排气装置
一种生产线设备的温度监控方法
436 发明 ZL200910090172.1 2013/7/17 20 年 控制软件
及装置
437 一种半导体晶片举升装置 发明 ZL200810057403.4 2013/7/17 20 年 举升装置
传输腔室的压强控制方法、装置
438 发明 ZL201010530089.4 2013/7/17 20 年 控制软件
及等离子体设备
439 等离子体加工设备 发明 ZL201010178125.5 2013/7/17 20 年 腔室组件
440 一种 PECVD 系统 发明 ZL200910241478.2 2013/7/17 20 年 腔室组件
一种载板回收控制方法、系统及
441 发明 ZL201010234877.9 2013/7/17 20 年 控制软件
一种薄膜沉积设备、方法
442 光刻胶的去除方法 发明 ZL200910241611.4 2013/7/17 20 年 刻蚀工艺
半导体工艺中的过程控制方法及
443 发明 ZL201010540104.3 2013/9/11 20 年 控制软件
系统
444 电极结构及等离子体设备 发明 ZL200910086630.4 2013/9/11 20 年 电极
445 具有穿孔零件的镀膜工艺及设备 发明 ZL200910235662.6 2013/9/11 20 年 工艺
北京亚超资产评估有限公司 第 83 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
一种中、低频等离子体加工设备
446 发明 ZL201010197959.0 2013/9/11 20 年 电极
和电极板
用于等离子体加工设备的电极板
447 发明 ZL200910242684.5 2013/9/11 20 年 电极
和清除工艺沉积物的方法
一种接地/支撑装置及应用该装置
448 发明 ZL200910241850.X 2013/9/10 20 年 腔室组件
的等离子体处理设备
功率比例调节器和调节方法、电
449 发明 ZL201010195786.9 2013/9/11 20 年 射频
感耦合等离子体发生装置
450 工艺数据分析方法和系统 发明 ZL201010520658.7 2013-10-30 20 年 APC
PVD 设备及采用该 PVD 设备进行
451 发明 ZL201010606451.1 2013-10-30 20 年 上电极
晶片处理的方法
升降装置及具有该装置的半导体
452 发明 ZL200910243966.7 2013-10-30 20 年 腔室组件
器件加工设备
真空加工设备及其温度控制方
453 发明 ZL201010258020.0 2013-10-30 20 年 温度控制
法、半导体器件加工方法
一种调整电流分配的方法、装置
454 发明 ZL200910084461.0 2013-10-30 20 年 功率分配
及等离子体处理设备
455 一种单晶硅绒面结构的制备方法 发明 ZL201010154626.X 2013.11.13 20 年 工艺
工厂自动化系统的数据同步方法
456 发明 ZL201010586293.8 2013.11.13 20 年 操作软件
和工厂自动化系统
电机控制装置、方法、阻抗匹配
457 发明 ZL200910241940.9 2013.11.13 20 年 匹配
器及等离子体处理设备
均热板及应用该均热板的基片处
458 发明 ZL201010585727.2 2013.11.13 20 年 温度控制
理设备
流量比例控制器在线校准方法、
459 发明 ZL200910235889.0 2013.11.13 20 年 真空气路
系统及等离子体处理设备
自动化机台的控制方法、装置及
460 发明 ZL201010593175.X 2013.12.11 20 年 操作软件
系统
一种太阳能电池结构及其制备方
461 发明 ZL201010218131.9 2013.12.11 20 年 工艺
法
一种电感耦合线圈及采用该耦合
462 发明 ZL200810057830.2 2013.12.11 20 年 线圈
线圈的等离子体处理设备
463 一种卡盘和半导体处理装置 发明 ZL201010547533.3 2013.12.11 20 年 静电卡盘
磁控源和磁控溅射设备、以及磁
464 发明 ZL201010590171.6 2013.12.11 20 年 磁控溅射
控溅射方法
装卸料机构、CVD 设备和该 CVD
465 发明 ZL201110066938.X 2013.12.11 20 年 传输
设备的控制方法
466 静电卡盘 实用新型 ZL201320421139.4 2014.02.12 10 年 ESC
透明导电膜及其制造方法、太阳
467 发明 ZL200810226995.8 2014.02.12 20 年 工艺
能电池及平板显示装置
密封结构、反应腔室和半导体处
468 实用新型 ZL201320425745.3 2014.02.12 10 年 腔室组件
理设备
469 升针机构和升举装置 实用新型 ZL201320422723.1 2014.02.12 10 年 腔室组件
470 等离子体加工设备 发明 ZL200810224715.X 2014.02.19 20 年 腔室组件
471 偏移量的生成方法和装置 发明 ZL201010610911.8 2014.03.19 20 年 传输
472 载板及连续等离子体镀膜装置 发明 ZL200910086881.2 2014.03.19 20 年 载板
一种提高电动缸运行精度的方
473 发明 ZL201010220962.X 2014.04.09 20 年 腔室组件
法、装置及电动缸
静电卡盘和具有它的等离子体装
474 发明 ZL201010577917.X 2014.03.19 20 年 静电卡盘
置
顶针及具有该顶针的等离子体刻
475 发明 ZL201010219614.0 2014.03.19 20 年 制造技术
蚀装置
476 偏移量的生成方法和装置 发明 ZL201010610648.2 2014.04.09 20 年 传输
CVD 设备和该 CVD 设备的控制方
477 发明 ZL201110141318.8 2014.05.28 20 年 上电极
法
反应腔装置及具有其的基片处理
478 发明 ZL201110141309.9 2014.05.28 20 年 腔室组件
设备
磁控源和磁控溅射设备、以及磁
479 发明 ZL201010583271.6 2014.05.28 20 年 磁控溅射
控溅射方法
一种磁控管及应用该磁控管的薄
480 发明 ZL201010224956.1 2014.07.30 20 年 磁控溅射
膜沉积处理设备
北京亚超资产评估有限公司 第 84 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
工艺数据的获取方法和装置、设
481 发明 ZL201010583993.1 2014.05.28 20 年 控制软件
备控制系统
482 一种气相沉积设备 发明 ZL201010599935.8 2014.07.16 20 年 温度控制
磁控源，磁控溅射设备和磁控溅
483 发明 ZL201010613102.2 2014.07.16 20 年 磁控溅射
射方法
物理气相沉积设备及磁控溅射方
484 发明 ZL201010528478.3 2014.07.16 20 年 射频匹配
法
刻蚀残留的检测方法和系统、谱
485 发明 ZL201010532664.4 2014.07.16 20 年 控制软件
线模型的建立方法和系统
486 机械卡盘及刻蚀机 发明 ZL201010284754.6 2014.07.16 20 年 机械卡盘
薄膜加工设备的下极板及应用该
487 发明 ZL201010230733.6 2014.07.16 20 年 电极
下极板的等离子体加工设备
一种气体输送系统及应用该系统
488 发明 ZL201110004923.0 2014.07.16 20 年
的半导体处理设备 进气装置
489 加热腔室以及半导体加工设备 实用新型 ZL201320891017.1 2014.07.16 10 年 腔室组件
射频匹配方法及装置、等离子体
490 发明 ZL201010585583.0 2014.07.30 20 年 射频传感器
设备
491 用于晶片的测试分选设备 发明 ZL201110132754.9 2014.07.30 20 年 分选
492 托盘装置及结晶膜生长设备 发明 ZL201110059870.2 2014.07.30 20 年 腔室组件
493 腔室装置和基片处理设备 发明 ZL201110147138.0 2014.07.16 20 年 温度控制
494 一种基片处理设备 发明 ZL201110171217.5 2014.07.30 20 年 温度控制
495 设备控制装置和方法 发明 ZL201010584081.6 2014.08.27 20 年 操作软件
溅射腔室、预清洗腔室以及等离
496 发明 ZL201110099424.4 2014.07.30 20 年 腔室组件
子体加工设备
497 一种埋栅太阳能电池的制备方法 发明 ZL201010154631.0 2014.08.27 20 年 工艺
进气环、进气组件、工艺腔装置
498 发明 ZL201110118979.9 2014.07.30 20 年 真空气路
和 CVD 设备
499 半导体设备 发明 ZL201010610649.7 2014.08.27 20 年 整机
步进电机的控制方法、装置及阻
500 发明 ZL201110021619.7 2014.08.27 20 年 射频匹配
抗匹配器
控制传送的方法和装置、以及传
501 发明 ZL201010591792.6 2014.08.27 20 年 传输
送装置和加工设备
502 托盘及具有其的晶片处理设备 发明 ZL201010291676.2 2014.09.24 20 年 机械卡盘
化学气相沉积反应腔装置及具有
503 发明 ZL201110120569.8 2014.08.27 20 年 腔室组件
其的化学气相沉积设备
一种静电吸附载板、制膜设备及
504 发明 ZL201110078433.5 2014.08.27 20 年 工艺
薄膜制备工艺
505 界面编辑方法及装置 发明 ZL201010594583.7 2014.08.27 20 年 操作软件
一种均光板及应用该均光板的基
506 发明 ZL201010248253.2 2014.08.27 20 年 腔室组件
片加工设备
一种直线驱动装置及应用该装置
507 发明 ZL201010532049.3 2014.09.24 20 年 腔室组件
的半导体处理设备
508 电感耦合等离子体装置 发明 ZL200710120362.4 2014.08.27 20 年 线圈
步进电机的控制方法和装置、匹
509 发明 ZL201010600930.2 2014.09.24 20 年 射频匹配
配器及等离子体加工设备
金属有机化合物化学气相沉积设
510 发明 ZL201010586605.5 2014.10.22 20 年 温度控制
备
511 反应腔室及化学气相沉积设备 发明 ZL200910086629.1 2014.11.5 20 年 腔室组件
一种载板清洗方法、装置及基片
512 发明 ZL201010579610.3 2014.11.5 20 年 清洗
镀膜设备
513 感应耦合等离子体装置 发明 ZL201010590661.6 2014.11.5 20 年 腔室组件
514 等离子体增强化学气相沉积设备 发明 ZL201010616317.X 2014.12.17 20 年 上电极
磁极组件及具有它的磁控管、溅
515 发明 ZL201110084073.X 2014.12.17 20 年 磁控溅射
射室装置和基片处理设备
基片加热腔室、使用基片加热腔
516 发明 ZL201010606908.9 2014.12.17 20 年 腔室组件
室的方法及基片处理设备
517 执行装置和机械手 发明 ZL201110082395.0 2014.12.17 20 年 传输
北京亚超资产评估有限公司 第 85 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
518 磁控源和磁控溅射设备 发明 ZL201110343552.9 2014.12.17 20 年 磁控溅射
托盘及具有其的化学气相沉积设
519 发明 ZL201110094076.1 2014.12.17 20 年 真空气路
备
腔室装置和具有它的基片处理设
520 发明 ZL201110088702.6 2014.12.17 20 年 温度控制
备
片盒定位机构和具有该片盒定位
521 发明 ZL201110115912.X 2014.12.17 20 年 传输
机构的腔室装置
一种上电极及应用该上电极的等
522 发明 ZL201110303332.3 2014.12.17 20 年 上电极
离子体加工设备
用于驱动磁控管的扫描机构、磁
523 发明 ZL201110452828.7 2014.12.17 20 年 磁控溅射
控源和磁控溅射设备
524 一种磁控溅射源及磁控溅射设备 发明 ZL201010614069.5 2014.12.17 20 年 磁控溅射
525 刻蚀方法 发明 ZL200910076643.3 2015.01.14 20 年 刻蚀工艺
526 等离子体加工装置 发明 ZL200910243830.6 2015.01.14 20 年 腔室组件
527 托盘组件和刻蚀设备 实用新型 ZL201420467560.3 2015.01.14 10 年 腔室组件
528 传送装置及系统 发明 ZL201010523079.8 2015.01.14 20 年 机械手
基片上料组件、基片装卸载装置
529 发明 ZL201110393737.0 2015.01.14 20 年 传输
和 PECVD 设备
530 硅片的制绒处理方法 发明 ZL201110152787.X 2015.01.14 20 年 制绒工艺
加热控制方法、装置和系统，加
531 发明 ZL201010604798.2 2015.01.14 20 年 温度控制
热腔及等离子体设备
反应腔及具有其的化学气相沉积
532 发明 ZL201110093517.6 2015.01.14 20 年 腔室组件
设备
工艺腔室装置和具有该工艺腔室
533 发明 ZL201110069879.1 2015.01.14 20 年 温度控制
装置的外延设备
磁控源和磁控溅射设备、以及磁
534 发明 ZL201010538417.5 2015.01.14 20 年 磁控溅射
控溅射方法
535 半导体处理设备 发明 ZL201110097992.0 2015.01.14 20 年 真空气路
一种用于驱动磁控管的驱动机构
536 发明 ZL201110356144.7 2015.02.25 20 年 磁控溅射
及磁控溅射设备
腔室装置及具有该腔室装置的基
537 发明 ZL201110267850.4 2015.01.14 20 年 腔室组件
片处理设备
腔室装置和具有它的基片处理设
538 发明 ZL201110273597.3 2015.01.14 20 年 腔室组件
备
539 磁控管和半导体处理设备 发明 ZL201110027343.3 2015.01.14 20 年 磁控溅射
工艺数据的获取、存储方法和装
540 发明 ZL201010608964.6 2015.02.25 20 年 操作软件
置以及工艺数据处理系统
金属有机化学气相沉积设备及其
541 发明 ZL201010599492.2 2015.02.25 20 年 腔室组件
腔室组件
加热装置及应用该加热装置的基
542 发明 ZL201010591783.7 2015.02.25 20 年 温度控制
片处理设备
一种基片承载装置及应用该装置
543 发明 ZL201010600276.5 2015.02.25 20 年 腔室组件
的基片处理设备
544 热反射装置及半导体处理设备 发明 ZL201110156346.7 2015.02.25 20 年 腔室组件
545 静电卡盘和半导体设备 发明 ZL201110220269.7 2015.02.25 20 年 静电卡盘
546 一种线圈固定结构 实用新型 ZL201420675838.6 2015.02.25 10 年 机械
在基板上形成减反射膜的方法、
547 发明 ZL201010616540.4 2015.02.25 20 年 工艺
太阳能电池片及制备方法
一种排气方法、装置及基片处理
548 发明 ZL201110158466.0 2015.02.25 20 年 排气装置
设备
扫描机构、磁控源和磁控溅射设
549 发明 ZL201110275874.4 2015.02.25 20 年 磁控溅射
备
550 托盘装置及结晶膜生长设备 发明 ZL201110126511.4 2015.02.25 20 年 腔室组件
551 机械手定位装置及传送系统 发明 ZL201010605695.8 2015.04.15 20 年 传输
552 一种压环 实用新型 ZL201420674496.6 2015.04.15 10 年 机械
553 单臂升降装置和双臂升降装置 发明 ZL201110156393.1 2015.04.15 20 年 传输
吸盘、吸盘系统及具有该吸盘的
554 发明 ZL201110102222.0 2015.04.15 20 年 传输
传输系统
北京亚超资产评估有限公司 第 86 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
用于 PVD 工艺的反应腔室和 PVD
555 发明 ZL201010603748.2 2015.04.15 20 年 等离子体
系统
556 一种工件定位系统 发明 ZL201110412212.7 2015.04.15 20 年 传输
557 磁控溅射源及磁控溅射设备 发明 ZL201010621854.3 2015.04.15 20 年 磁控溅射
558 法拉第屏蔽及等离子体加工设备 发明 ZL201010622211.0 2015.04.15 20 年 腔室组件
559 一种磁控溅射设备及其工艺方法 发明 ZL201110439653.6 2015.04.15 20 年 传输
遮蔽装置及具有其的半导体处理
560 发明 ZL201110234741.2 2015.04.15 20 年 腔室组件
设备
进气装置和具有它的等离子体化
561 发明 ZL201010562586.2 2015.04.15 20 年 气体分配
学气相沉积设备
晶圆承载装置及具有它的半导体
562 发明 ZL201110338680.4 2015.04.15 20 年 静电卡盘
处理设备
563 CVD 反应腔及 CVD 设备 发明 ZL201110249627.7 2015.04.15 20 年 温度控制
传输控制方法和装置、及传输装
564 发明 ZL201010593718.8 2015.04.15 20 年 传输
置和电池片加工设备
565 等离子体加工设备及其工作方法 发明 ZL201110095456.7 2015.07.01 20 年 上电极
566 法拉第屏蔽及等离子体加工设备 发明 ZL201010603743.X 2015.07.01 20 年 腔室附件
磁控管、溅射腔室装置和溅射设
567 发明 ZL201110233023.3 2015.07.01 20 年 磁控溅射
备
一种进气装置、反应腔室以及等
568 发明 ZL201210094362.2 2015.07.01 20 年 真空气路
离子体加工设备
一种图形化蓝宝石衬底的方法和
569 发明 ZL201110225921.4 2015.07.01 20 年 工艺
装置
570 工艺数据采集方法、装置及系统 发明 ZL201010582567.6 2015.07.01 20 年 操作软件
组件开发方法和装置、模拟设备
571 发明 ZL201010552612.3 2015.07.01 20 年 CTC
动作的动画显示方法和装置
572 基片装载装置和 PECVD 设备 发明 ZL201210171062.X 2015.07.01 20 年 传输
573 一种静电卡盘系统 实用新型 ZL201520103626.5 2015.07.01 10 年 电气
气流均衡板、腔室装置和基片处
574 发明 ZL201110281846.3 2015.09.02 20 年 腔室组件
理设备
一种静电卡盘及等离子体加工设
575 发明 ZL201110175009.2 2015.07.08 20 年 静电卡盘
备
一种加热装置及应用该加热装置
576 发明 ZL201110216867.7 2015.07.08 20 年 温度控制
的等离子体加工设备
577 一种等离子体预清洗装置 发明 ZL201110299536.4 2015.07.08 20 年 腔室组件
工艺数据的传送方法、装置和系
578 发明 ZL201010537614.5 2015.07.08 20 年 数据传输
统
一种磁控管、磁控管的制造方法
579 发明 ZL201110128880.7 2015.07.08 20 年 磁控溅射
及物理沉积室
监测报警处理方法、装置及等离
580 发明 ZL201010610650.X 2015.07.08 20 年 操作软件
子体加工设备
581 卡盘和半导体处理装置 发明 ZL201010547525.9 2015.07.08 20 年 静电卡盘
582 密封圈 实用新型 ZL201520089078.5 2015.07.08 10 年 机械
583 一种溅射工艺反应腔的内衬结构 实用新型 ZL201520094946.9 2015.07.08 10 年 机械
腔室装置及具有该腔室装置的等
584 发明 ZL201110207202.X 2015.09.02 20 年 整机
离子体处理设备
遮蔽装置、具有其的 PVD 设备及
585 发明 ZL201110294891.2 2015.09.02 20 年 腔室组件
PVD 设备的控制方法
PVD 设备工艺控制方法和 PVD 设
586 发明 ZL201110439122.7 2015.09.02 20 年 软件
备工艺控制装置
基板卸载装置和具有它的 PECVD
587 发明 ZL201110327256.X 2015.09.02 20 年 传输
设备
588 一种磁控管及磁控溅射设备 发明 ZL201110430322.6 2015.09.02 20 年 磁控溅射
机械手、大气传输单元和晶片传
589 发明 ZL201110116788.9 2015.09.02 20 年 传输
输方法
590 托盘、腔室装置和外延设备 发明 ZL201110066937.5 2015.09.02 20 年 温度控制
591 电感耦合等离子体装置 发明 ZL201010532812.2 2015.09.02 20 年 真空气格
北京亚超资产评估有限公司 第 87 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序
专利名称 专利性质 专利号 专利授予日期 专利期限 技术领域
号
一种磁控溅射源及磁控溅射设
592 发明 ZL201210038271.7 2015.09.02 20 年 磁控溅射
备
抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀
593 发明 ZL201210195700.1 2015.09.02 20 年 材料
涂层、等离子体加工设别
反应腔装置及具有其的基片处理
594 发明 ZL201110303918.X 2015.10.21 20 年 真空气路
设备
下电极机构和具有其的等离子体
595 发明 ZL201110427322.0 2015.10.21 20 年 下电极
处理设备
一种磁控管以及应用该磁控管的
596 发明 ZL201110433434.7 2015.10.21 20 年 磁控溅射
磁控溅射设备
静电夹持装置、减少残余电荷的
597 发明 ZL200910243700.2 2015.07.06 20 年 静电卡盘
方法及等离子体处理设备
用于等离子体设备的下电极等离
598 发明 ZL201010274284.5 2015.08.27 20 年 下电极
子体设备
工艺腔室及应用该工艺腔室的等
599 发明 ZL201010282719.0 2015.06.02 20 年 腔室组件
离子体处理设备
设备控制软件的帮助系统及其实
600 发明 ZL201010534560.7 2015.05.29 20 年 控制软件
现方法
屏蔽装置、加工方法及设备、半
601 发明 ZL201010588211.3 2015.05.20 20 年 腔室组件
导体设备
太阳能电池组件、太阳能电池片
602 发明 ZL201110115927.6 2015.08.18 20 年 工艺
的上转换件及其制备方法
一种反应腔室以及应用该反应腔
603 发明 ZL201110424577.1 2015.08.07 20 年 腔室组件
室的等离子体加工设备
604 加热基座 实用新型 ZL201520248548.8 2015.07.16 10 年 腔室组件
卡环、承载装置及半导体加工设
605 实用新型 ZL201520377875.3 2015.08.28 10 年 腔室组件
备
606 一种托盘 实用新型 ZL201520411273.5 2015.08.17 10 年 腔室组件
海外授权的专利
NMC 国家阶段 技术领 进入国 海外国家
序号 优先权 发明名称 状态
案号 域 家 专利号
电感耦合线圈及电感耦合等离
1 TW20070001 线圈 台湾 授权 TW I368462
子体装置
控温装置及其控制晶片温度的 静电卡
2 TW20070002 台湾 授权 TW I340988
方法 盘
电感耦合线圈及采用该电感耦
复审
3 JP200901 PCT/CN2007/000309 合线圈的电感耦合等离子体装 线圈 日本 JP5315243
授权
置
电感耦合线圈及采用该电感耦
复审
4 KR200902 PCT/CN2007/000309 合线圈的电感耦合等离子体装 线圈 韩国 KR10-1048245
授权
置
腔室组
5 SG200901 PCT/CN2007/000543 半导体处理设备 新加坡 授权 SG150168
件
电感耦合线圈及采用该电感耦
6 KR200903 PCT/CN2007/002450 线圈 韩国 授权 KR10-1068746
合线圈的等离子体装置
7 USA200901 PCT/CN2007/002654 一种在线预测设备维护的方法 软件 美国 授权 US8154721
腔室组
8 SG200901 分案 PCT/CN2007/000543 半导体处理设备 新加坡 授权 SG160413
件
一种控制射频放电系统直流偏
9 US201001 PCT/CN2008/070261 射频 美国 授权 US8217579
压的装置和方法
一种控制射频放电系统直流偏
10 SG201001 PCT/CN2008/070262 射频 新加坡 授权 SG162144
压的装置和方法
北京亚超资产评估有限公司 第 88 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
NMC 国家阶段 技术领 进入国 海外国家
序号 优先权 发明名称 状态
案号 域 家 专利号
腔室组
11 SG201002 PCT/CN2008/073885 等离子体处理装置 新加坡 授权 SG162530
件
等离子体处理设备及其气体分 气体分
12 US201003 PCT/CN2009/070091 美国 授权 US8888949
配装置 配装置
等离子体处理设备及其气体分 气体分
13 SG201003 PCT/CN2009/070092 新加坡 授权 SG162576
配装置 配装置
等离子体处理设备及其气体分 气体分 复审
14 JP201001 PCT/CN2009/070093 日本 JP5184649
配装置 配装置 授权
20101029 4210.8
溅射腔室、预清洗腔室以及等
15 TW201101 腔室组 台湾 授权 TW I436407
20111009 9424.4 离子体加工设备
件
腔室组
16 SG201101 PCT/CN2009/073715 等离子体处理设备 新加坡 授权 SG169732
件
腔室组
17 KR201101 PCT/CN2009/073716 等离子体处理设备 韩国 授权 KR10-1203619
件
腔室组
18 US201102 PCT/CN2009/074532 等离子体加工设备 美国 授权 US8547021
件
腔室组
19 SG201102 PCT/CN2009/074533 等离子体加工设备 新加坡 授权 SG171466
件
电感耦合线圈及采用该电感耦
20 KR200902 分案 PCT/CN2007/000309 合线圈的电感耦合等离子体装 线圈 韩国 授权 KR10-1104571
置
电感耦合线圈及采用该电感耦
21 SG200902 分案 PCT/CN2007/002451 线圈 新加坡 授权 SG173346
合线圈的等离子体装置
一种靶材功率加载方法、靶材 磁控溅
22 TW201102 20101029 1502.6 台湾 授权 TWI449114
电源及半导体处理设备 射
一种靶材功率加载方法、靶材 磁控溅
23 SG201103 PCT/CN2010/079951 新加坡 授权 SG175435
电源及半导体处理设备 射
均热板及应用该均热板的基片 腔室组
24 TW201104 201010585727.2 台湾 授权 TW I468637
处理设备 件
一种基片承载装置及应用该装 腔室组
25 TW201106 201010603749.7 台湾 授权 TW I484587
置的基片处理设备 件
金属有机化学气相沉积设备及 腔室组
26 TW201107 201010599492.2 台湾 授权 TW I484585
其腔室组件 件
深硅刻蚀装置和深硅刻蚀设备 腔室组
27 KR201201 PCT/CN2010/076152 韩国 授权 KR10-1322545
的进气系统 件
一种磁控管、磁控管的制造方 磁控溅
28 TW201201 20111012 9406.6 台湾 授权 TWI450310
法及物理沉积室 射
一种静电卡盘及其残余电荷的 静电卡
29 SG201201 PCT/CN2010/076158 新加坡 授权 SG180354
消除方法 盘
30 TW201202 201110424013.8 基片刻蚀方法及基片处理设备 工艺 台湾 授权 TW I458015
晶圆承载装置及具有它的半导 腔室组
31 TW201204 20111033 8680.4 台湾 授权 TW I449115
体处理设备 件
腔室组
32 KR201301 PCT/CN2010/080121 等离子体加工设备 韩国 授权 KR10-1456810
件
北京亚超资产评估有限公司 第 89 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
NMC 国家阶段 技术领 进入国 海外国家
序号 优先权 发明名称 状态
案号 域 家 专利号
磁控源，磁控溅射设备和磁控 磁控溅
33 SG201302 PCT/CN2011/080419 新加坡 授权 SG191806
溅射方法 射
均热板及应用该均热板的基片 腔室组
34 SG201303 PCT/CN2011/082730 新加坡 授权 SG191024
处理设备 件
均热板及应用该均热板的基片 腔室组
35 KR201303 PCT/CN2011/082730 韩国 授权 KR10-1510577
处理设备 件
进气环、进气组件、工艺腔装 进气装
36 SG201305 PCT/CN2011/079857 新加坡 授权 SG194576
置和 CVD 设备 置
腔室组
37 TW201311 201310335774.5 反应腔和 MOCVD 设备 台湾 授权 TW I486484
件
腔室组
38 TW201314 201210495442.9 物理气相沉积装置 台湾 授权 TW I480405
件
腔室组
39 TW201316 201210464900.2 一种反应腔室和 MOCVD 设备 台湾 授权 TW I486480
件
氧化铟锡薄膜溅镀方法及氧化
40 TW201319 201310023126.6 工艺 台湾 授权 TW I496915
铟锡薄膜溅镀设备
腔室组件和具有它的金属有机 腔室组
41 TW201105 201010586605.5 台湾 授权 TW I503869
化合物化学气相沉积设备 件
腔室组
42 SG201301 PCT/CN2010/080121 等离子体加工设备 新加坡 授权 SG189129
件
腔室组
43 SG201306 PCT/CN2011/082438 热反射装置及半导体处理设备 新加坡 授权 SG195265
件
SG1120140401
44 SG201402 PCT/CN2012/076427 基片刻蚀方法及基片处理设备 工艺 新加坡 授权
5T
45 US201401 PCT/CN2012/076427 基片刻蚀方法及基片处理设备 工艺 美国 授权 US9187319
46 TW201302 201210482401.6 基片刻蚀方法 工艺 台湾 授权 TW I506692
晶圆承载装置及具有它的半导 腔室组 SG1120140195
47 SG201401 PCT/CN2012/075649 新加坡 授权
体处理设备 件 5Y
正在申请阶段（已受理未授权）
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
1 下电极装置和半导体设备 发明 201010591768.2 实质审查 下电极
2 真空机械手和晶片处理系统 发明 201010610647.8 实质审查 传输
3 扫描装置及等离子体加工设备 发明 201110002687.9 实质审查 传输
等离子体点火的装置、方法和半导体
4 发明 201110043757.5 实质审查 匹配
设备
5 电池片传输装置 发明 201110122886.3 实质审查 传输
用于等离子体设备腔室的等离子清洗
6 发明 201110126645.6 实质审查 静电卡盘
方法
从料盒中取晶片的装置、晶片上料设
7 发明 201110137026.7 实质审查 传输
备和晶片上料系统
用于抓取晶片的抓取组件和具有它的
8 发明 201110139503.3 实质审查 传输
抓取装置
反应腔室控温装置及应用该控温装置
9 发明 201110227394.0 实质审查 温度控制
的半导体处理设备
10 腔室装置和具有它的基片处理设备 发明 201110253040.3 实质审查 温度控制
MOCVD 设备和利用该 MOCVD 形成白
11 发明 201110274573.X 实质审查 整机
光 LED 的方法
北京亚超资产评估有限公司 第 90 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
滤波电路和具有其的双频等离子处理
12 发明 201110281850.X 实质审查 射频
装置
13 一种预清洗方法及等离子体设备 发明 201110299315.7 实质审查 整机
基片处理设备及其腔室装置和基片加
14 发明 201110349863.6 实质审查 温度控制
热方法
一种夹持装置及应用该夹持装置的
15 发明 201110350125.3 实质审查 托盘
等离子体加工设备
一种电流传感器、阻抗匹配器以及等
16 发明 201110358825.7 实质审查 射频
离子体加工设备
阻抗匹配器、半导体设备和阻抗匹配
17 发明 201110409326.6 实质审查 匹配
方法
半导体设备安全检测系统和半导体设
18 发明 201110409327.0 实质审查 软件
备安全检测方法
一种用于感应加热的托盘及等离子体
19 发明 201110412838.8 实质审查 温度控制
加工设备
20 进气系统、腔室装置和基片处理设备 发明 201110420762.3 实质审查 真空气路
21 基片刻蚀方法及基片处理设备 发明 201110424013.8 实质审查 工艺
下电极组件及具有其的化学气相沉积
22 发明 201110424005.3 实质审查 下电极
设备
23 一种磁控管及等离子体加工设备 发明 201110448612.3 实质审查 磁控溅射
一种加热装置、加热方法及半导体加
24 发明 201110448615.7 实质审查 温度控制
工设备
晶片固定装置、半导体设备和晶片固
25 发明 201110458094.3 实质审查 静电卡盘
定方法
26 集群设备控制系统及其调度方法 发明 201110459173.6 实质审查 软件
基板处理设备的放电组件、腔室装置
27 发明 201110460216.2 实质审查 上电极
和 PECVD 设备
28 托盘装置、托盘及半导体处理设备 发明 201110458095.8 实质审查 托盘
半导体设备工艺控制方法和半导体设
29 发明 201210019265.7 实质审查 软件
备工艺控制装置
30 一种等离子体加工设备 发明 201210028082.1 实质审查 腔室组件
基板传输机构和具有它的基板传输系
31 发明 201210045987.X 实质审查 传输
统
32 TSV 转接板的制作方法及 TSV 转接板 发明 201210055246.X 实质审查 工艺
33 一种磁控溅射设备 发明 201210065131.9 实质审查 射频
Recipe 管理方法和系统以及半导体设
34 发明 201210101132.4 实质审查 软件
备控制系统
阻抗匹配方法、阻抗匹配系统及等离
35 发明 201210110740.1 实质审查 匹配
子体加工设备
36 加热腔室以及等离子体加工设备 发明 201210120003.X 实质审查 温度控制
37 工件定位装置和皮带传输系统 发明 201210140823.5 实质审查 传输
38 工厂自动化验证系统及方法 发明 201210148168.8 实质审查 软件
39 磁控溅射设备及磁控管控制方法 发明 201210152625.0 实质审查 磁控溅射
40 等离子体加工设备 发明 201210155233.X 实质审查 传输
41 软件断联监控系统及方法 发明 201210155016.0 实质审查 软件
用于感应加热的的托盘及等离子体加
42 发明 201210163625.0 实质审查 托盘
工设备
43 用于硅片刻蚀的方法及设备 发明 201210169710.8 实质审查 工艺
44 MOCVD 反应腔及工艺设备 发明 201210183185.5 实质审查 温度控制
用于整理料盒内晶片的整理装置及具
45 发明 201210200625.3 实质审查 传输
有其的半导体设备
顶针装置、下电机组件及其安装和拆
46 发明 201210200446.X 实质审查 腔室组件
卸方法
47 一种暖机方法及刻蚀方法 发明 201210204132.7 实质审查 工艺
反应腔室、基片加工设备及其温度控
48 发明 201210207761.5 实质审查 温度控制
制方法
49 等离子体反应室及具有其的等离子体 发明 201210220530.8 实质审查 温度控制
北京亚超资产评估有限公司 第 91 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
装置
50 等离子体反应装置和石英窗加热方法 发明 201210236561.2 实质审查 温度控制
51 静电卡盘组件和具有它的等离子装置 发明 201210237040.9 实质审查 静电卡盘
用于电池片的取片机构及具有其的传
52 发明 201210248447.1 实质审查 传输
输系统
53 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 发明 201210250738.4 实质审查 腔室组件
加热装置及具有其的 CVD 设备的反应
54 发明 201210259410.9 实质审查 温度控制
腔、CVD 设备
55 料盒更换装置、插片机和半导体设备 发明 201210261595.7 实质审查 传输
56 电感耦合等离子体处理设备 发明 201210265954.6 实质审查 腔室组件
物理气相沉积设备及物理气相沉积工
57 发明 201210269186.1 实质审查 腔室组件
艺
58 一种等离子体加工设备 发明 201210291146.7 实质审查 ESC
气体分配装置及具有其的等离子体处
59 发明 201210289028.2 实质审查 上电极
理设备
60 片盒传输装置及具有其的半导体设备 发明 201210290300.9 实质审查 传输
一种托盘紧固装置及等离子体加工设
61 发明 201210298574.2 实质审查 托盘
备
62 一种等离子刻蚀方法 发明 201210302440.3 实质审查 工艺
63 MOCVD 反应腔及 MOCVD 设备 发明 201210309078.2 实质审查 腔室组件
64 MOCVD 设备和 MOCVD 加热方法 发明 201210310166.4 实质审查 温度控制
基片装卸装置、等离子体设备和机械
65 发明 201210313077.5 实质审查 传输
手坐标零点定位方法
66 等离子体处理装置 发明 201210315231.2 实质审查 温度控制
67 去气腔室及物理气相沉积设备 发明 201210320100.3 实质审查 温度控制
68 升降机构和具有其的基片装载设备 发明 201210321348.1 实质审查 传输
69 等离子体设备及其载板回收装置 发明 201210325744.1 实质审查 传输
70 加热装置及等离子体加工设备 发明 201210325724.4 实质审查 温度控制
一种等离子体刻蚀方法及硅浅沟槽隔
71 发明 201210345242.5 实质审查 工艺
离方法
阻抗匹配装置、阻抗匹配方法及基片
72 发明 201210343983.X 实质审查 射频
加工设备
73 一种反应腔室 发明 201210381276.X 实质审查 托盘
74 一种调节装置及等离子体加工设备 发明 201210394979.6 实质审查 传输
75 等离子体设备及工件位置检测方法 发明 201210401876.8 实质审查 ESC
76 等离子体处理方法 发明 201210420577.9 实质审查 工艺
77 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底 发明 201210424784.1 实质审查 工艺
78 半导体加工设备 发明 201210423901.2 实质审查 托盘
料盒传出装置、等离子体设备和料盒
79 发明 201210430746.7 实质审查 传输
传出控制方法
80 一种衬底的刻蚀方法 发明 201210433685.X 实质审查 工艺
81 等离子体反应腔 发明 201210438566.3 实质审查 腔室组件
用于承载晶片的静电卡盘以及等离子
82 发明 201210439837.7 实质审查 静电卡盘
体加工设备
用于加热静电卡盘上晶片的方法、系
83 发明 201210441099.X 实质审查 温度控制
统及 CVD 设备
84 外延生长设备 发明 201210444086.8 实质审查 温度控制
85 一种硅片制绒方法及硅片植绒装置 发明 201210449233.0 实质审查 工艺
阀门连接组件、门阀装置及等离子体
86 发明 201210455667.1 实质审查 传输
加工设备
半导体制造工艺中控制系统仿真测试
87 发明 201210458858.3 实质审查 软件
方法和系统及装置
88 加热装置及等离子体加工设备 发明 201210457542.2 实质审查 温度控制
北京亚超资产评估有限公司 第 92 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
偏差监测系统及偏差监测方法、等离
89 发明 201210465432.0 实质审查 传输
子体加工设备
90 一种反应腔室和 MOCVD 设备 发明 201210464900.2 实质审查 托盘
91 一种反应腔室 发明 201210469162.0 实质审查 静电卡盘
92 物理气象沉积装置 发明 201210466913.3 实质审查 腔室组件
93 升降装置及具有其的半导体设备 发明 201210472425.3 实质审查 腔室组件
94 一种 PSS 图形化衬底刻蚀方法 发明 201210478543.5 实质审查 工艺
片盒升降装置及具有其的片盒传输系
95 发明 201210483285.X 实质审查 传输
统
96 基片刻蚀方法 发明 201210482401.6 实质审查 工艺
97 一种衬底处理系统 发明 201210480416.9 实质审查 腔室组件
半导体加工设备及其去气腔室和加热
98 发明 201210483509.7 实质审查 腔室组件
组件
99 一种衬底处理系统 发明 201210483470.9 实质审查 腔室组件
100 LED 外延片及其制造方法 发明 201210486695.X 实质审查 工艺
101 反应腔室烘烤的实时控制方法及装置 发明 201210495300.2 实质审查 工艺
102 物理气相沉积装置 发明 201210495442.9 实质审查 射频
103 基片刻蚀方法 发明 201210509752.1 实质审查 工艺
托盘升降装置、预热设备及高温托盘
104 发明 201210513847.0 实质审查 腔室组件
的冷却方法
工件定位系统、装载系统及等离子体
105 发明 201210516776.X 实质审查 传输
加工设备
106 等离子体设备及其反应腔室 发明 201210516399.X 实质审查 腔室组件
107 等离子体设备及其反应腔室 发明 201210516454.5 实质审查 腔室组件
108 静电卡盘以及等离子体加工设备 发明 201210520972.4 实质审查 ESC
109 物理气相沉积设备 发明 201210520225.0 实质审查 腔室组件
110 反应腔室的清洗方法及基片刻蚀方法 发明 201210535225.8 实质审查 工艺
111 等离子体增强化学气相沉积设备 发明 201210537698.1 实质审查 上电极
112 一种堆叠-插片转换系统和方法 发明 201210540970.1 实质审查 传输
磁控溅射源驱动装置及磁控溅射加工
113 发明 201210539550.1 实质审查 磁控溅射
设备
114 等离子体处理设备及其下电极机构 发明 201210538842.3 实质审查 下电极
115 铜刻蚀方法 发明 201210548724.0 实质审查 工艺
116 PECVD 设备 发明 201210543858.3 实质审查 设备
117 夹持装置及等离子体加工设备 发明 201210544755.9 实质审查 托盘
118 半导体设备及其加热器 发明 201210544030.X 实质审查 温度控制
用于匹配器的传感器及具有其的匹配
119 发明 201210548863.3 实质审查 传感器
器、等离子体设备
120 一种深硅刻蚀方法 发明 201210558737.6 实质审查 工艺
121 反应腔室及磁控溅射设备 发明 201210558373.1 实质审查 腔室组件
磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射
122 发明 201210562303.3 实质审查 磁控溅射
设备
123 一种 PSS 图形化衬底刻蚀方法 发明 201210562272.1 实质审查 工艺
124 反应腔室及具有其的等离子体设备 发明 201210563098.2 实质审查 腔室组件
125 工艺反应腔及工艺设备 发明 201210579059.1 实质审查 托盘
用于调节托盘温度的腔室及半导体加
126 发明 201210579074.6 实质审查 温度控制
工设备
用于调节托盘温度的腔室及半导体加
127 发明 201210578449.7 实质审查 温度控制
工设备
128 阻抗匹配系统及阻抗匹配方法 发明 201210585203.2 实质审查 匹配
129 静电卡盘和反应腔室 发明 201210590493.X 实质审查 ESC
北京亚超资产评估有限公司 第 93 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
130 一种等离子体装置 发明 201210590619.3 实质审查 工艺
微电子工艺处理设备和用于其的反应
131 发明 201210592823.9 实质审查 进气
腔室
132 基片刻蚀方法 发明 201310007774.2 实质审查 IC-ETCH
对硅片表面进行制绒的方法、硅片以
133 发明 201310011065.1 实质审查 工艺
及太阳能电池
134 进气系统及基片处理设备 发明 201310018695.1 实质审查 工艺
135 机械手和半导体设备 发明 201310022780.5 实质审查 传输
136 一种冷泵的加热系统 发明 201310025739.3 实质审查 其他
ITO 薄膜溅射工艺方法及 ITO 薄膜溅射
137 发明 201310023126.6 实质审查 工艺
设备
138 托盘、MOCVD 反应腔和 MOCVD 设备 发明 201310024810.6 实质审查 腔室组件
139 磁控管组件及磁控溅射设备 发明 201310029452.8 实质审查 磁控溅射
140 反应腔室及具有它的等离子体设备 发明 201310029533.8 实质审查 腔室组件
ITO 薄膜溅射工艺方法及 ITO 薄膜溅射
141 发明 201310045824.6 实质审查 工艺
设备
142 工艺控制方法、系统和半导体设备 发明 201310045990.6 实质审查 软件
143 太阳能电池 发明 201310075253.0 实质审查 工艺
太阳能电池及其制造方法、单面抛光
144 发明 201310075061.X 实质审查 工艺
设备
145 等离子体处理装置 发明 201310077674.7 实质审查 进气
146 硅片表面处理装置 发明 201310078834.X 实质审查 工艺
147 载体清洗装置和载体清洗方法 发明 201310078835.4 实质审查 其他
148 太阳能电池的制备方法 发明 201310081637.3 实质审查 工艺
湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及
149 发明 201310081791.0 实质审查 工艺
其制造方法
150 基片装卸机构和基片上下料方法 发明 201310084107.4 实质审查 传输
电流传感器、匹配器、以及等离子体
151 发明 201310088040.1 实质审查 匹配
装置
152 Ⅲ族化合物衬底的刻蚀方法 发明 201310090375.7 实质审查 工艺
晶片的辅助取片机构、取片系统及取
153 发明 201310095195.8 实质审查 传输
片方法
154 反应腔室以及等离子体加工设备 发明 201310097011.1 实质审查 其他
155 MOCVD 设备的互锁控制方法及系统 发明 201310102920.X 实质审查 软件
进气装置、反应腔室以及等离子体加
156 发明 201310105178.8 实质审查 进气
工设备
传输装置、传输方法、传输系统及等
157 发明 201310107908.8 实质审查 传输
离子体加工设备
158 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310116317.7 实质审查 温度控制
一种半导体设备的故障排查方法及故
159 发明 201310119811.9 实质审查 电气
障排查装置
160 真空抽气装置和刻蚀设备 发明 201310118631.9 实质审查 真空气路
一种进气装置、反应腔室及等离子体
161 发明 201310121123.6 实质审查 进气
加工设备
162 摆片装置及其调整方法 发明 201310122693.7 实质审查 传输
163 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310123128.2 实质审查 进气
164 一种进气装置及等离子体加工设备 发明 201310122615.7 实质审查 进气
半导体生产设备的数据传输处理方法
165 发明 201310127777.X 实质审查 FA
和系统
半导体制造设备的工艺任务配置处理
166 发明 201310126410.6 实质审查 软件
系统及方法
167 一种基片传输方法和系统 发明 201310129916.2 实质审查 传输
168 插片装置 发明 201310131668.5 实质审查 传输
169 一种磁控溅射设备及磁控溅射方法 发明 201310131017.6 实质审查 腔室组件
北京亚超资产评估有限公司 第 94 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
170 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310131016.1 实质审查 腔室组件
171 一种进气系统及等离子体加工设备 发明 201310133353.4 实质审查 进气
172 颗粒收集装置及尾气处理系统 发明 201310141393.3 实质审查 真空气路
用于驱动磁控管的驱动机构及磁控溅
173 发明 201310145279.8 实质审查 磁控溅射
射加工设备
174 等离子设备及其控制方法 发明 201310145960.2 实质审查 温度控制
175 晶片盖板和晶片加工设备 发明 201310150818.7 实质审查 腔室组件
176 一种承载装置及等离子体加工设备 发明 201310150109.9 实质审查 腔室组件
177 托盘及等离子体加工设备 发明 201310152358.1 实质审查 腔室组件
178 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310153865.7 实质审查 腔室组件
179 托盘及等离子体加工设备 发明 201310158104.0 实质审查 下电极
180 分区域加热方法、装置和半导体设备 发明 201310159656.3 实质审查 温度控制
181 一种片盒垂直升降装置 发明 201310168503.5 实质审查 传输
实现设备自动化控制的 PLC 程序设计
182 发明 201310162956.7 实质审查 软件
架构
半导体设备的工艺任务处理方法及系
183 发明 201310163724.3 实质审查 软件
统
184 进气系统及基片处理设备 发明 201310177549.3 实质审查 气路
185 密封转接件及半导体工艺设备 发明 201310179631.X 实质审查 腔室组件
186 一种磁控溅射设备及方法 发明 201310185242.8 实质审查 工艺
托盘冷却装置、方法、装载腔和半导
187 发明 201310185816.1 实质审查 温度控制
体设备
188 一种传输装置及等离子体加工设备 发明 201310196971.3 实质审查 传输
电磁铁线圈组件、半导体加工设备及
189 发明 201310203813.6 实质审查 磁控溅射
其控制方法
半导体设备制造中控制气体输入的方
190 发明 201310214105.2 实质审查 进气
法及系统
191 一种传感器安装装置 发明 201310218263.5 实质审查 电气
192 加热腔室及等离子体加工设备 发明 201310228234.7 实质审查 腔室组件
反应腔室及设置有该反应腔室的
193 发明 201310231995.8 实质审查 腔室组件
MOCVD 设备
194 一种原子层沉积设备 发明 201310232175.0 实质审查 设备
片盒腔室、等离子体加工设备及片盒
195 发明 201310239693.5 实质审查 传输
腔室的吹扫方法
反应腔室以及设置有该反应腔室的半
196 发明 201310239143.3 实质审查 腔室组件
导体处理设备
197 承载装置及等离子体加工设备 发明 201310244395.5 实质审查 ESC
198 进气装置及等离子体加工设备 发明 201310253092.X 实质审查 进气
199 反应腔室及外延生长设备 发明 201310252607.4 实质审查 温度控制
200 反应腔室及外延生长设备 发明 201310256108.2 实质审查 腔室组件
201 预沉积工艺、扩散工艺及扩散设备 发明 201310259686.1 实质审查 工艺
202 基片刻蚀方法 发明 201310271160.5 实质审查 工艺
203 基片刻蚀方法 发明 201310262527.7 实质审查 工艺
204 承载装置及等离子体加工设备 发明 201310275283.6 实质审查 腔室组件
205 一种工艺气体互锁的控制方法和系统 发明 201310279777.1 实质审查 软件
206 一种冷泵再生的控制方法和系统 发明 201310279718.4 实质审查 软件
工艺腔室传片位置调试方法、装置及
207 发明 201310284889.6 实质审查 传输
系统
208 玻璃衬底的工艺方法 发明 201310291272.7 实质审查 工艺
射频控制系统及方法、反应腔室、等
209 发明 201310293564.4 实质审查 射频
离子体加工设备
210 一种原子层沉积设备 发明 201310302626.3 实质审查 设备
北京亚超资产评估有限公司 第 95 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
一种线圈支撑装置及等离子体加工设
211 发明 201310302887.5 实质审查 射频
备
212 压环及等离子体加工设备 发明 201310313552.3 实质审查 腔室组件
213 电感耦合线圈及等离子体加工设备 发明 201310313819.9 实质审查 线圈
214 磁场调节装置及等离子体加工设备 发明 201310316327.5 实质审查 腔室组件
转轴装置、托盘旋转机构及托盘传输
215 发明 201310316519.6 实质审查 腔室组件
方法
216 一种原子层沉积设备 发明 201310319730.3 实质审查 设备
217 刻蚀机和利用刻蚀机刻蚀晶片的方法 发明 201310319768.0 实质审查 设备
射频电源系统和利用射频电源系统进
218 发明 201310322341.6 实质审查 射频
行阻抗匹配的方法
219 一种铰链及应用该铰链的腔室 发明 201310326939.2 实质审查 腔室组件
一种盖板、承载装置及等离子体加工
220 发明 201310333783.0 实质审查 腔室组件
设备
221 反应腔和 MOCVD 设备 发明 201310335774.5 实质审查 腔室组件
222 一种等离子体加工设备 发明 201310342269.3 实质审查 ESC
223 预清洗腔室及等离子体加工设备 发明 201310341787.3 实质审查 进气
224 一种感应加热分区控温实现方法 发明 201310348967.4 实质审查 温度控制
225 CVD 反应腔及 CVD 设备 发明 201310349288.9 实质审查 温度控制
226 静电卡盘以及等离子体加工设备 发明 201310354114.1 实质审查 ESC
一种用于转盘的定位装置、转盘机构
227 发明 201310353744.7 实质审查 腔室组件
及刻蚀设备
228 基片刻蚀方法 发明 201310359176.1 实质审查 工艺
229 基片刻蚀方法 发明 201310364428.X 实质审查 工艺
片盒装载装置、装载腔室、传输系统
230 发明 201310373045.9 实质审查 传输
及半导体加工设备
231 阻抗匹配方法及阻抗匹配系统 发明 201310388807.2 实质审查 RF
电气设备的模拟通道参数配置方法及
232 发明 201310390566.5 实质审查 软件
系统
233 Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法 发明 201310392230.2 实质审查 工艺
234 基片刻蚀方法 发明 201310399619.X 实质审查 工艺
235 一种进气装置及反应腔室 发明 201310399783.0 实质审查 进气
236 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310404873.4 实质审查 温度控制
托盘原点定位系统及托盘原点定位方
237 发明 201310404044.6 实质审查 传输
法
238 晶片位置检测装置 发明 201310407311.5 实质审查 传输
转盘定位装置、装载传输系统及等离
239 发明 201310406341.4 实质审查 腔室组件
子体加工设备
240 夹持装置及等离子体加工设备 发明 201310411015.2 实质审查 腔室组件
241 一种阻抗匹配方法 发明 201310412111.9 实质审查 射频
载台升降装置、反应腔室及等离子体
242 发明 201310426144.9 实质审查 腔室组件
加工设备
一种片盒升降装置、传输系统及半导
243 发明 201310428249.8 实质审查 传输
体加工设备
载台升降装置、反应腔室及等离子体
244 发明 201310431952.4 实质审查 腔室组件
加工设备
一种射频脉冲系统的阻抗匹配方法及
245 发明 201310438823.8 实质审查 RF
射频脉冲系统
246 一种反应腔室的预处理控制方法 发明 201310441608.3 实质审查 软件
托盘原点定位系统及托盘原点定位方
247 发明 201310461739.8 实质审查 腔室组件
法
248 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310455870.3 实质审查 温度控制
一种用于真空腔室的片盒状态检测装
249 发明 201310475803.8 实质审查 传输
置
北京亚超资产评估有限公司 第 96 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
250 半导体设备中的托盘结构 发明 201310475745.9 实质审查 腔室组件
一种水平度调节结构、升降装置以及
251 发明 201310490338.5 实质审查 腔室组件
腔室
252 一种顶针升降装置和反应腔室 发明 201310484481.3 实质审查 腔室组件
253 一种加热腔室 发明 201310526264.6 实质审查 腔室组件
254 一种用于反应腔的屏蔽结构 发明 201310533349.7 实质审查 腔室组件
255 一种等离子体加工设备 发明 201310537376.1 实质审查 腔室组件
256 等离子体刻蚀设备及方法 发明 201310541608.0 实质审查 工艺
257 温度监控装置及等离子体加工设备 发明 201310547435.3 实质审查 温度控制
258 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310572242.3 实质审查 腔室组件
259 晶圆传输系统的支撑结构 发明 201310581032.0 实质审查 IC-PVD
260 ITO 薄膜的制备方法 发明 201310581087.1 实质审查 LED-PVD
261 顶针机构及等离子体加工设备 发明 201310581074.4 实质审查 传输
262 一种磁控管的磁场强度的调节方法 发明 201310583353.4 实质审查 磁控溅射
一种支持腔室中同时加工多片物料的
263 发明 201310578182.6 实质审查 软件
物料路由控制方法和物料标记方法
264 一种装载器缺片的处理方法和装置 发明 201310581779.6 实质审查 软件
一种半导体设备异常时的物料处理方
265 发明 201310577369.4 实质审查 软件
法和装置
一种上位机与下位机的通信方法和系
266 发明 201310579208.9 实质审查 软件
统
267 一种气路系统的显示方法和装置 发明 201310581737.2 实质审查 软件
268 ITO 薄膜的制备方法 发明 201310582867.8 实质审查 工艺
269 反应腔室及半导体加工设备 发明 201310587135.8 实质审查 进气
一种新型的 PVD 磁控溅射腔室托盘检
270 发明 201310595515.6 实质审查 IC-PVD
测装置
271 一种进气装置及反应腔室 发明 201310595292.3 实质审查 进气
控制浅沟槽深度微负载效应的刻蚀方
272 发明 201310606952.3 实质审查 工艺
法
一种改进的上位机程序与多个下位机
273 发明 201310632206.1 实质审查 软件
程序连接方法
一种进气装置、反应腔室及等离子体
274 发明 201310641553.0 实质审查 IC-ETCH
加工设备
275 深硅刻蚀方法 发明 201310643211.2 实质审查 工艺
276 介质窗密封结构及 PVD 设备 发明 201310641972.4 实质审查 腔室组件
277 一种加热腔室 发明 201310685118.8 实质审查 腔室组件
278 离化率检测装置及方法 发明 201310695110.X 实质审查 其他
279 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310697812.1 实质审查 腔室组件
280 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310705296.2 实质审查 腔室组件
一种边沿保护装置及等离子体加工设
281 发明 201310697507.2 实质审查 腔室组件
备
282 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310700822.6 实质审查 射频
283 一种加热灯的监控方法 发明 201310698072.3 实质审查 温度控制
284 纳米尺寸图形化衬底的制备方法 发明 201310705579.7 实质审查 工艺
285 DBR 用薄膜制备方法 发明 201310704877.4 实质审查 工艺
286 透明窗的密封装置及反应腔室 发明 201310704265.5 实质审查 腔室组件
287 等离子体工艺设备 发明 201310705680.2 实质审查 下电极
288 静电卡盘电源电压控制的方法及系统 发明 201310722333.0 实质审查 ESC
半导体加工设备中气路控制的方法及
289 发明 201310722602.3 实质审查 软件
系统
半导体加工设备中气体切换的装置、
290 发明 201310723818.1 实质审查 软件
方法及系统
北京亚超资产评估有限公司 第 97 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
291 上电极组件进气装置及上电极组件 发明 201310724226.1 实质审查 进气
292 硅片加工处理的系统及方法 发明 201310724302.9 实质审查 软件
半导体制造设备的状态控制系统及方
293 发明 201310724141.3 实质审查 软件
法
294 化学气相沉积方法和装置 发明 201310731247.6 实质审查 工艺
295 基片刻蚀方法 发明 201310730963.2 实质审查 工艺
296 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310730743.X 实质审查 腔室组件
297 一种密封装置及等离子体加工设备 发明 201310731490.8 实质审查 腔室组件
298 片盒定位装置以及半导体加工设备 发明 201310737644.4 实质审查 传输
299 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310737135.1 实质审查 进气
真空腔室的上盖驱动机构及应用其的
300 发明 201310739711.6 实质审查 腔室组件
真空腔室
301 冷却装置及等离子体加工设备 发明 201310739828.4 实质审查 腔室组件
302 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310738635.7 实质审查 温度控制
303 溅射装置 发明 201310738144.2 实质审查 温度控制
用于检测绝缘环的检测装置及等离子
304 发明 201310738716.7 实质审查 IC-PVD
体加工设备
305 基片刻蚀方法 发明 201310738381.9 实质审查 LED-ETCH
306 薄膜沉积设备 发明 201310738693.X 实质审查 LED-PVD
ITO 薄膜及其制备方法、LED 芯片及其
307 发明 201310737277.8 实质审查 LED-PVD
制备方法
308 一种溅射系统 发明 201310737548.X 实质审查 LED-PVD
309 磁控组件和磁控溅射设备 发明 201310739572.7 实质审查 磁控溅射
310 一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置 发明 201310737928.3 实质审查 工艺
防止反应腔室内发生打火的沉积方法
311 发明 201310738004.5 实质审查 工艺
及反应腔室
312 基片刻蚀方法 发明 201310738342.9 实质审查 工艺
313 基片刻蚀方法 发明 201310737668.X 实质审查 工艺
314 深硅刻蚀方法和用于深硅刻蚀的设备 发明 201310738735.X 实质审查 腔室组件
315 反应腔和 MOCVD 设备 发明 201310737448.7 实质审查 腔室组件
316 工艺腔室以及半导体加工设备 发明 201310737531.4 实质审查 腔室组件
317 原子层沉积设备 发明 201310739361.3 实质审查 设备
318 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310740116.4 实质审查 射频
319 玻璃衬底的工艺方法 发明 201310742931.4 实质审查 工艺
320 一种射频脉冲系统及其阻抗匹配方法 发明 201310746422.9 实质审查 射频
321 晶圆吹扫装置、系统及方法 发明 201310750169.4 实质审查 传输
位置监测装置、等离子体加工设备及
322 发明 201310742986.5 实质审查 传输
工件的装卸方法
323 托盘装卸手 发明 201310744436.7 实质审查 传输
324 硅深刻蚀方法 发明 201310746215.3 实质审查 工艺
325 一种基座支撑结构以及腔室 发明 201310747095.9 实质审查 腔室组件
326 去气腔室 发明 201310745435.4 实质审查 腔室组件
327 可兼容多尺寸晶片的托盘结构 发明 201310744959.1 实质审查 腔室组件
328 托盘组件和刻蚀设备 发明 201310742963.4 实质审查 腔室组件
半导体设备工艺加工调度的方法及系
329 发明 201310746268.5 实质审查 软件
统
半导体制造的工艺任务处理方法及系
330 发明 201310744720.4 实质审查 软件
统
ITO-PVD 设备抽真空控制的方法及系
331 发明 201310745230.6 实质审查 软件
统
北京亚超资产评估有限公司 第 98 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
332 深硅刻蚀工艺控制的方法及系统 发明 201310744191.8 实质审查 软件
333 半导体工艺配方加载方法及系统 发明 201310744273.2 实质审查 软件
334 静电卡盘及反应腔室 发明 201310750325.7 实质审查 ESC
335 一种静电卡盘以及腔室 发明 201310750732.8 实质审查 ESC
336 位置检测装置和传输系统 发明 201310749750.4 实质审查 传输
337 传输系统及半导体加工设备 发明 201310750274.8 实质审查 传输
338 升降针装置和半导体刻蚀设备 发明 201310752159.4 实质审查 传输
339 晶片检测方法及设备 发明 201310752625.9 实质审查 传输
静电卡盘电源的电流检测装置和电流
340 发明 201310751989.5 实质审查 电气
检测方法
341 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310750911.1 实质审查 工艺
342 调节 TiW 薄膜应力的 PVD 制备工艺 发明 201310752241.7 实质审查 工艺
343 基片刻蚀方法 发明 201310750556.8 实质审查 工艺
344 在氮化镓层上刻蚀隔离槽的处理方法 发明 201310751004.9 实质审查 工艺
345 硅通孔深孔填充工艺 发明 201310750385.9 实质审查 工艺
346 反应腔室的清洗方法 发明 201310752377.8 实质审查 工艺
347 安装辅助工具 发明 201310752050.0 实质审查 其他
348 反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310749858.3 实质审查 腔室组件
349 一种隔离窗固定结构以及腔室 发明 201310750685.7 实质审查 腔室组件
350 一种隔离窗固定结构以及腔室 发明 201310749675.1 实质审查 腔室组件
351 多频匹配器及等离子体装置 发明 201310751652.4 实质审查 腔室组件
352 PVD 腔室遮挡盘检测装置和 PVD 腔室 发明 201310751929.3 实质审查 腔室组件
一种遮挡盘传输装置、反应腔室及等
353 发明 201310750950.1 实质审查 腔室组件
离子体加工设备
354 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310750712.0 实质审查 腔室组件
遮挡盘检测装置、检测方法、反应腔
355 发明 201310750296.4 实质审查 腔室组件
室及半导体加工设备
356 一种传输装置及等离子体加工设备 发明 201310750803.4 实质审查 腔室组件
357 升降系统及等离子体加工设备 发明 201310750767.1 实质审查 腔室组件
358 PVD 设备 发明 201310752085.4 实质审查 腔室组件
359 一种旋转电机的运行控制方法和装置 发明 201310753314.4 实质审查 软件
一种质量流量控制器的校准方法及装
360 发明 201310753073.3 实质审查 软件
置
361 调控等离子体反应腔室环境的方法 发明 201310752645.6 实质审查 软件
一种半导体工艺配方的加载方法与系
362 发明 201310752985.9 实质审查 软件
统
363 腔室压力读取方法及设备 发明 201310750473.9 实质审查 软件
364 PVD 设备冷泵再生控制方法及装置 发明 201310751078.2 实质审查 软件
物理气相沉积设备的产能计算方法及
365 发明 201310750694.6 实质审查 软件
系统
半导体设备的氦漏告警处理方法及系
366 发明 201310751411.X 实质审查 软件
统
半导体制造中气路配置处理的方法及
367 发明 201310751394.X 实质审查 软件
系统
半导体工艺设备中物料移动控制的方
368 发明 201310752193.1 实质审查 软件
法及系统
369 反应室定位结构及反应室 发明 201310750318.7 实质审查 上电级
370 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201310750632.5 实质审查 射频
371 PVD 去气加热腔 发明 201310750635.9 实质审查 射频
372 一种射频滤波器及半导体加工设备 发明 201310752343.9 实质审查 射频
北京亚超资产评估有限公司 第 99 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
373 深硅刻蚀工艺匹配方法、系统和设备 发明 201310752831.X 实质审查 射频
374 反应腔加热控制方法及装置 发明 201310753142.0 实质审查 温度控制
可实时监控晶片温度的升降针系统及
375 发明 201310753030.5 实质审查 温度控制
磁控溅射设备
可实时监控晶片温度的压环系统及磁
376 发明 201310753210.3 实质审查 温度控制
控溅射设备
377 一种顶针机构的定位装置及反应腔室 发明 201310750969.6 实质审查 下电极
一种举升装置、反应腔室及等离子体
378 发明 201310749800.9 实质审查 下电极
加工设备
379 晶圆支撑装置和去气工艺腔室 发明 201410031011.6 实质审查 腔室组件
380 螺旋形磁控管及磁控溅射设备 发明 201410032274.9 实质审查 磁控溅射
381 继电器互锁板 发明 201410031285.5 实质审查 电气
382 匀气结构及等离子体系统 发明 201410032672.0 实质审查 进气
常压化学气相淀积中的工艺流程控制
383 发明 201410033290.X 实质审查 软件
方法及系统
自动化系统数据库文件有效性验证的
384 发明 201410031059.7 实质审查 软件
方法、装置及系统
385 FA 系统消息处理的方法及系统 发明 201410032333.2 实质审查 软件
386 晶圆图参数调整方法及系统 发明 201410031191.8 实质审查 软件
387 立体等离子源介质桶温控设计 发明 201410031296.3 实质审查 温度控制
一种固定装置、反应腔室及等离子体
388 发明 201410054721.0 实质审查 腔室组件
加工设备
389 晶片提升方法 发明 201410059828.4 实质审查 下电极
390 承载装置及等离子体加工设备 发明 201410061908.3 实质审查 腔室组件
391 一种反应腔室及等离子体加工设备 发明 201410063219.6 实质审查 射频
392 机械卡盘及等离子体加工设备 发明 201410072321.2 实质审查 腔室组件
承载装置、反应腔室和半导体加工设
393 发明 201410074538.7 实质审查 腔室组件
备
394 一种托盘以及腔室 发明 201410076411.9 实质审查 腔室组件
395 一种腔室 发明 201410079630.2 实质审查 腔室组件
晶片检测系统、反应腔室及晶片检测
396 发明 201410088774.4 实质审查 腔室组件
方法
铝互连层的工艺方法、清洗腔室及等
397 发明 201410090230.1 实质审查 工艺
离子体加工设备
398 反应腔室以及等离子体加工设备 发明 201410092873.X 实质审查 腔室组件
399 斜孔刻蚀方法 发明 201410095205.2 实质审查 工艺
400 一种承载装置及等离子体加工设备 发明 201410095026.9 实质审查 腔室组件
401 二氧化硅的刻蚀方法 发明 201410101007.2 实质审查 工艺
传输系统、反应腔室及半导体加工设
402 发明 201410100290.7 实质审查 传输
备
调节装置、反应腔室及半导体加工设
403 发明 201410099577.2 实质审查 腔室组件
备
404 磁控溅射腔室及磁控溅射设备 发明 201410107896.3 实质审查 腔室组件
405 冷泵以及半导体加工设备 发明 201410108669.2 实质审查 腔室组件
406 一种等离子体装置 发明 201410107906.3 实质审查 软件
407 一种射频传感器及阻抗匹配装置 发明 201410108699.3 实质审查 射频
408 一种进气装置及半导体加工设备 发明 201410112495.7 实质审查 腔室组件
409 隔热挡板及反应腔室 发明 201410111411.8 实质审查 腔室组件
410 一种漏率检测方法及系统 发明 201410110952.9 实质审查 软件
411 共享干泵的处理方法及系统 发明 201410116443.7 实质审查 软件
412 一种斜孔刻蚀方法 发明 201410119631.5 实质审查 工艺
413 半导体设备工艺加工异常处理的方法 发明 201410119427.3 实质审查 软件
北京亚超资产评估有限公司 第 100 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
及系统
414 冷却腔室及半导体加工设备 发明 201410121213.X 实质审查 温度控制
一种晶片位置检测方法和装置及处理
415 发明 201410130736.0 实质审查 传输
晶片的设备
工艺过程中设备离线检测的方法及系
416 发明 201410123091.8 实质审查 软件
统
417 工艺控制的方法及系统 发明 201410123750.8 实质审查 软件
418 半导体工艺配方的配置方法及系统 发明 201410125776.6 实质审查 软件
419 一种反应腔室 发明 201410128298.4 实质审查 腔室组件
420 一种承载装置及等离子体加工设备 发明 201410130698.9 实质审查 腔室组件
421 工艺制程处理方法及系统 发明 201410134092.2 实质审查 软件
422 调节 PIN 升降机构水平度的方法 发明 201410136482.3 实质审查 腔室组件
423 增加数据采集项的方法及系统 发明 201410135725.1 实质审查 软件
薄膜厚度的控制方法以及半导体加工
424 发明 201410145928.9 实质审查 工艺
设备
425 进气装置以及半导体加工设备 发明 201410150203.9 实质审查 腔室组件
426 半导体加工设备 发明 201410146642.2 实质审查 腔室组件
427 一种真空锁定腔室 发明 201410150611.4 实质审查 传输
衬底上的孔隙沉积工艺及半导体加工
428 发明 201410150706.6 实质审查 工艺
设备
429 晶片校准装置以及半导体加工设备 发明 201410150663.1 实质审查 腔室组件
430 晶片校准装置以及半导体加工设备 发明 201410154937.4 实质审查 腔室组件
431 一种半导体设备 发明 201410156195.9 实质审查 腔室组件
432 腔室组件 发明 201410160410.2 实质审查 腔室组件
433 下电极装置以及等离子体加工设备 发明 201410163430.5 实质审查 下电极
434 顶盖装置及工艺设备 发明 201410174353.3 实质审查 腔室组件
435 工艺腔室共享电源方法及设备 发明 201410178128.7 实质审查 电气
436 工艺腔室及检测其工艺环境的方法 发明 201410180605.3 实质审查 射频
437 一种基片承载装置及基片处理设备 发明 201410187037.X 实质审查 托盘
438 等离子反应设备及其温度监控方法 发明 201410184127.3 实质审查 温度控制
439 工艺腔室 发明 201410186979.6 实质审查 ESC
440 腔室环境调控方法 发明 201410186830.8 实质审查 软件
441 刻蚀方法 发明 201410192690.5 实质审查 工艺
442 一种反应腔室及半导体加工设备 发明 201410202122.9 实质审查 腔室组件
443 承载装置以及等离子刻蚀设备 发明 201410203718.0 实质审查 下电极
444 刻蚀的方法 发明 201410206633.8 实质审查 工艺
445 硅片刻蚀方法 发明 201410208594.5 实质审查 工艺
446 一种晶圆背面减薄工艺 发明 201410208438.9 实质审查 工艺
447 一种传输装置及半导体加工设备 发明 201410210337.5 实质审查 传输
448 一种阻抗匹配装置及半导体加工设备 发明 201410211047.2 实质审查 射频
449 一种遮挡盘及反应腔室 发明 201410213271.5 实质审查 腔室组件
承载装置、反应腔室及半导体加工设
450 发明 201410213132.2 实质审查 腔室组件
备
451 一种预清洗腔室及半导体加工设备 发明 201410213303.1 实质审查 射频
452 阻抗匹配器的测试系统及方法 发明 201410216819.1 实质审查 射频
一种顶针机构、反应腔室及半导体加
453 发明 201410218361.3 实质审查 传输
工设备
454 一种反应腔室及其清洗方法 发明 201410218921.5 实质审查 腔室组件
455 上盖控制装置及半导体加工设备 发明 201410218803.4 实质审查 腔室组件
北京亚超资产评估有限公司 第 101 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
456 阻抗匹配装置及半导体加工设备 发明 201410218675.3 实质审查 射频
457 温度校准方法及系统 发明 201410225411.0 实质审查 温度控制
晶片边缘的保护机构、反应腔室及半
458 发明 201410227638.9 实质审查 腔室组件
导体加工设备
459 终点检测系统及其运行状态监测方法 发明 201410231985.9 实质审查 软件
460 一种新型冷却水盘结构 发明 201410230721.1 实质审查 温度控制
461 承载平台以及晶片厚度检测装置 发明 201410234654.0 实质审查 腔室组件
一种用于真空镀膜设备中的顶针升降
462 发明 201410241015.7 实质审查 腔室组件
机构
耦合窗的加热装置及应用其的反应腔
463 发明 201410244309.5 初审合格 电气
室
464 一种反应腔 发明 201410243520.5 初审合格 腔室组件
465 一种阻抗匹配装置 发明 201410245562.2 初审合格 射频
466 一种反应腔室及半导体加工设备 发明 201410247069.4 初审合格 腔室组件
467 一种传输装置及半导体加工设备 发明 201410245723.8 初审合格 腔室组件
468 下电极装置和薄膜沉积设备 发明 201410253075.0 初审合格 电气
469 一种半导体加工设备 发明 201410260382.1 初审合格 电气
470 一种承载装置及半导体加工设备 发明 201410259553.9 初审合格 腔室组件
471 斜孔刻蚀方法 发明 201410268396.8 初审合格 工艺
472 一种半导体加工设备 发明 201410267350.4 初审合格 腔室组件
473 一种反应腔室和反应设备 发明 201410269591.2 初审合格 腔室组件
ITO 薄膜的沉积方法及 GaN 基 LED 芯
474 发明 201410272974.5 初审合格 工艺
片
475 一种反应腔室及半导体加工设备 发明 201410272545.8 初审合格 腔室组件
476 传输定位系统及半导体加工设备 发明 201410273662.6 初审合格 腔室组件
477 托盘组件和刻蚀设备 发明 201410273661.1 初审合格 腔室组件
脉冲射频电源的阻抗匹配方法及等离
478 发明 201410272429.6 初审合格 射频
子体设备的匹配方法
479 半导体加工设备 发明 201410277390.7 初审合格 腔室组件
一种水槽密封结构、水槽及硅外延设
480 发明 201410282566.8 初审合格 腔室组件
备
481 反应腔室和半导体设备 发明 201410279294.6 初审合格 腔室组件
482 加热控制装置及物理气相沉积设备 发明 201410286251.0 初审合格 腔室组件
483 水箱控制方法及系统 发明 201410289463.4 初审合格 电气
484 沉积薄膜的磁控溅射方法 发明 201410290816.2 初审合格 工艺
485 半导体设备的数据处理方法及系统 发明 201410294394.6 初审合格 软件
486 界面显示方法及系统 发明 201410293373.2 初审合格 软件
487 动态加载界面导航的方法及系统 发明 201410295287.5 初审合格 软件
488 硅片传输控制方法及系统 发明 201410295422.6 初审合格 软件
489 晶片传输装置和工艺腔室 发明 201410305032.2 初审合格 传输
一种反应腔室、晶片传输方法及等离
490 发明 201410309144.5 初审合格 传输
子体加工设备
491 工艺加工气路流量控制的方法及系统 发明 201410309056.5 初审合格 软件
492 内衬、内衬的制备方法及反应腔室 发明 201410331091.7 初审合格 腔室组件
493 氮化镓基 LED 芯片的隔离槽刻蚀方法 发明 201410333572.1 初审合格 工艺
494 基片刻蚀方法 发明 201410333557.7 初审合格 工艺
495 硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法 发明 201410336706.5 初审合格 工艺
496 控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法 发明 201410337031.6 初审合格 工艺
497 一种加热腔室及半导体加工设备 发明 201410335948.2 初审合格 腔室组件
北京亚超资产评估有限公司 第 102 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
498 一种加热腔室及半导体加工设备 发明 201410335083.X 初审合格 温度控制
499 黑硅制备方法 发明 201410339411.3 初审合格 工艺
500 一种反应腔室的上盖开启机构 发明 201410348775.8 初审合格 腔室组件
501 铝薄膜制备方法 发明 201410350029.2 初审合格 工艺
502 晶片的调度方法及系统 发明 201410352850.8 初审合格 传输
503 进气装置以及半导体加工设备 发明 201410351835.1 初审合格 进气
504 进气装置以及半导体加工设备 发明 201410352844.2 初审合格 进气
半导体设备的工艺加工控制方法、系
505 发明 201410353986.0 初审合格 软件
统及半导体设备
半导体设备腔室状态显示控制的方法
506 发明 201410352900.2 初审合格 软件
及装置
507 刻蚀装置及刻蚀方法 发明 201410356255.1 初审合格 工艺
用于在衬底上沉积金属膜的方法及
508 发明 201410356230.1 初审合格 工艺
LED 器件
用于半导体设备的进气装置及应用其
509 发明 201410359381.2 初审合格 腔室组件
的反应腔室
510 反应腔室的清洗方法 发明 201410369481.3 初审合格 工艺
灵活配置寄存器的半导体工艺方法及
511 发明 201410372901.3 初审合格 软件
系统
512 半导体设备报警处理的方法及装置 发明 201410373642.6 初审合格 软件
513 进气系统及等离子体加工设备 发明 201410372913.6 初审合格 温度控制
一种半导体加工设备的监控方法及系
514 发明 201410392280.5 初审合格 软件
统
515 气路界面显示方法和系统 发明 201410393050.0 初审合格 软件
516 一种物理气相沉积方法 发明 201410396397.0 初审合格 工艺
517 片盒定位装置以及半导体加工设备 发明 201410398681.1 初审合格 机械
518 片盒定位装置以及半导体加工设备 发明 201410398207.9 初审合格 机械
519 一种托盘及承载装置 发明 201410396504.X 初审合格 腔室组件
520 一种反应腔室及半导体加工设备 发明 201410401111.3 初审合格 腔室组件
一种反应腔室、半导体加工设备及被
521 发明 201410409059.6 初审合格 腔室组件
加工工件的传输方法
522 一种刻蚀方法 发明 201410413794.4 初审合格 工艺
静电卡盘装置及晶片或托盘的固定方
523 发明 201410421884.8 初审合格 ESC
法
524 腔室维护后的恢复方法 发明 201410428959.5 初审合格 工艺
原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻
525 发明 201410433208.2 初审合格 工艺
蚀方法
526 一种腔室环境的控制方法 发明 201410431127.9 初审合格 工艺
527 工艺腔室以及半导体加工设备 发明 201410432414.1 初审合格 腔室组件
528 工艺腔室以及半导体加工设备 发明 201410431336.3 初审合格 腔室组件
529 一种等离子体加工设备 发明 201410438682.4 初审合格 腔室组件
530 一种薄膜沉积设备 发明 201410443115.8 初审合格 腔室组件
外延装置和外延过程中外延层的测量
531 发明 201410445791.9 初审合格 其他
方法
532 一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法 发明 201410449745.6 初审合格 工艺
晶片升起组件及用于从晶片升起组件
533 发明 201410452559.8 初审合格 腔室组件
上取放晶片的机械手
534 金属钼材料的刻蚀方法 发明 201410456704.X 初审合格 工艺
535 刻蚀方法 发明 201410456701.6 初审合格 工艺
536 图形化衬底的制备方法 发明 201410459272.8 初审合格 工艺
537 一种压环压紧机构 发明 201410456764.1 初审合格 腔室组件
538 晶片预清洗腔室及半导体加工设备 发明 201410455191.0 初审合格 射频
北京亚超资产评估有限公司 第 103 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
539 晶片牺牲层刻蚀方法 发明 201410458058.0 初审合格 工艺
540 一种遮蔽盘传输装置及反应腔室 发明 201410459629.2 初审合格 腔室组件
541 阻抗匹配网络及等离子体处理设备 发明 201410460933.9 初审合格 射频
542 一种反应腔室 发明 201410471424.6 初审合格 腔室组件
543 预清洗腔室及半导体加工设备 发明 201410476179.8 初审合格 射频
544 承载装置以及半导体加工设备 发明 201410484756.8 初审合格 腔室组件
545 刻蚀方法 发明 201410486071.7 初审合格 工艺
546 承载装置及半导体加工设备 发明 201410490306.X 初审合格 工艺
547 一种表面波等离子体设备 发明 201410489693.5 初审合格 射频
托盘的旋转连接组件以及应用其的反
548 发明 201410527512.3 初审合格 机械
应腔室
549 一种测温晶片及测温晶片的制备方法 发明 201410529467.5 初审合格 温度控制
550 一种盖板及承载装置 发明 201410532503.3 初审合格 腔室组件
551 斜孔刻蚀方法 发明 201410538323.6 初审合格 工艺
552 一种物理气相沉积方法 发明 201410542012.7 初审合格 工艺
553 压环机构及半导体加工设备 发明 201410555654.0 初审合格 腔室组件
554 一种压环组件及物理气相沉积设备 发明 201410548398.2 初审合格 腔室组件
555 一种图形化衬底的方法 发明 201410559500.9 初审合格 工艺
556 一种承载装置及物理气相沉积设备 发明 201410559698.0 初审合格 射频
557 一种机械手偏移监测系统 发明 201410572182.X 初审合格 电气
558 承载装置和反应腔室 发明 201410583010.2 初审合格 工艺
反应腔室的观察窗组件及应用其的反
559 发明 201410583803.4 初审合格 腔室组件
应腔室
560 一种磁控管及磁控溅射设备 发明 201410593234.1 初审合格 机械
561 半导体加工设备 发明 201410593281.6 初审合格 机械
562 一种加热腔室及物理气相沉积设备 发明 201410591738.X 初审合格 腔室组件
563 一种支撑装置以及等离子刻蚀设备 发明 201410588119.5 初审合格 下电极
564 半导体加工设备 发明 201410593283.5 初审合格 工艺
565 一种半导体加工设备 发明 201410596536.4 初审合格 机械
566 工艺腔室和半导体加工设备 发明 201410599158.5 初审合格 工艺
一种真空腔室的充气气路及半导体加
567 发明 201410604096.2 初审合格 机械
工设备
568 一种硅片刻蚀方法 发明 201410602761.4 初审合格 工艺
569 衬底刻蚀方法 发明 201410604591.3 初审合格 工艺
570 等离子体加工设备 发明 201410604520.3 初审合格 射频
571 一种反应腔室及半导体加工设备 发明 201410608051.2 初审合格 射频
572 反应腔室及半导体加工设备 发明 201410613746.X 初审合格 机械
573 阻抗匹配系统 发明 201410613908.X 初审合格 射频
574 半导体加工设备 发明 201410637359.X 初审合格 射频
一种刻蚀用掩膜组及应用其的衬底刻
575 发明 201410639934.X 初审合格 工艺
蚀方法
一种刻蚀用掩膜组及应用其的衬底刻
576 发明 201410639922.7 初审合格 工艺
蚀方法
577 高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法 发明 201410640555.2 初审合格 工艺
578 高压 LED 芯片的钝化层沉积方法 发明 201410639894.9 初审合格 工艺
579 进气系统及半导体加工设备 发明 201410639810.1 初审合格 机械
580 压环、承载装置及半导体加工设备 发明 201410640138.8 初审合格 机械
581 反应腔室及半导体加工设备 发明 201410643273.8 初审合格 腔室组件
北京亚超资产评估有限公司 第 104 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
582 一种耦合窗加热组件 发明 201410639759.4 初审合格 温度控制
583 微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构 发明 201410648558.0 初审合格 工艺
584 承载装置及半导体加工设备 发明 201410650197.3 初审合格 机械
基片固定方法及装置、半导体加工设
585 发明 201410648459.2 初审合格 机械
备
586 基座系统及半导体加工设备 发明 201410647993.1 初审合格 机械
587 一种斜孔刻蚀方法 发明 201410652377.5 初审合格 工艺
588 工艺数据的处理方法和装置 发明 201410654414.6 初审合格 软件
589 衬底刻蚀方法 发明 201410658012.3 初审合格 工艺
590 反应腔室 发明 201410655635.5 初审合格 软件
591 硅深孔刻蚀方法 发明 201410676110.X 初审合格 工艺
592 一种半导体加工设备 发明 201410675121.6 初审合格 温度控制
593 基片承载装置和刻蚀设备 发明 201410682769.6 初审合格 工艺
594 晶片承载装置 发明 201410709522.9 初审合格 电气
595 预清洗腔室及等离子体加工设备 发明 201410696531.9 初审合格 腔室组件
596 一种加热异常检测方法 发明 201410705019.6 初审合格 电气
597 一种用于图形化衬底的掩膜 发明 201410706301.6 初审合格 工艺
598 刻蚀方法 发明 201410708652.0 初审合格 工艺
599 反应腔室的上盖结构和反应腔室 发明 201410705206.4 初审合格 机械
600 进气装置及半导体加工设备 发明 201410709297.9 初审合格 工艺
601 衬底刻蚀方法 发明 201410718770.X 初审合格 工艺
602 反应腔室 发明 201410717031.9 初审合格 机械
603 反应腔室 发明 201410718474.X 初审合格 温度控制
604 基片校准装置及半导体加工设备 发明 201410728881.9 初审合格 电气
605 斜孔刻蚀方法 发明 201410727656.3 初审合格 工艺
606 深硅孔刻蚀方法 发明 201410728832.5 初审合格 工艺
硅衬底上外延氮化镓薄膜及制备
607 发明 201410733895.X 初审合格 工艺
HEMT 器件的方法
608 压印模板的制作方法 发明 201410731598.1 初审合格 工艺
609 二氧化硅基片的刻蚀方法和刻蚀设备 发明 201410742698.4 初审合格 工艺
610 斜槽刻蚀方法 发明 201410737528.7 初审合格 工艺
611 反应腔室和半导体加工设备 发明 201410732563.X 初审合格 温度控制
降低磁控溅射设备沉积速率的方法及
612 发明 201410757732.5 初审合格 工艺
磁控溅射设备
613 工艺腔室 发明 201410760665.2 初审合格 电气
一种 AlGaInP 基多层结构的深槽刻蚀
614 发明 201410759494.1 初审合格 工艺
方法
半导体设备中实时数据的存储方法及
615 发明 201410767509.9 初审合格 软件
系统
616 基片处理腔室及半导体加工设备 发明 201410768999.4 初审合格 温度控制
基座旋转是否正常的监测方法及装卸
617 发明 201410785497.2 初审合格 电气
载基片的方法
618 一种半导体加工设备 发明 201410781221.7 初审合格 电气
工艺腔室及判断托盘上的晶片位置是
619 发明 201410787483.4 初审合格 电气
否异常的方法
620 薄膜沉积方法 发明 201410779568.8 初审合格 工艺
621 转盘系统及半导体加工设备 发明 201410788977.4 初审合格 电气
622 传片系统及半导体加工设备 发明 201410784454.2 初审合格 电气
623 一种二氧化硅的刻蚀方法 发明 201410788078.4 初审合格 工艺
北京亚超资产评估有限公司 第 105 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
624 夹持装置及半导体加工设备 发明 201410784478.8 初审合格 腔室组件
625 加热腔室以及半导体加工设备 发明 201410788850.2 初审合格 腔室组件
626 用于真空加工设备的基片传输方法 发明 201410789876.9 初审合格 软件
627 界面控件属性的配置方法和装置 发明 201410790600.2 初审合格 软件
628 反应腔室及半导体加工设备 发明 201410802473.3 初审合格 机械
晶片位置偏差的检测和调整方法以及
629 发明 201410792268.3 初审合格 腔室组件
半导体加工设备
630 边磁铁框架及磁控溅射设备 发明 201410795295.6 初审合格 工艺
631 沉积组件及半导体加工设备 发明 201410805258.9 初审合格 机械
632 晶片定位装置及方法 发明 201410799981.0 初审合格 软件
半导体设备中工艺配方的管理方法、
633 发明 201410808882.4 初审合格 软件
管理装置
半导体工艺设备中服务端与工控机的
634 发明 201410806604.5 初审合格 软件
通信系统
635 对 BiSbTe 基片进行刻蚀的刻蚀方法 发明 201410815145.7 初审合格 工艺
636 磁控管组件及磁控溅射设备 发明 201410826533.5 初审合格 机械
637 一种基座及等离子体加工设备 发明 201410829100.5 初审合格 工艺
用于处理腔室的工艺内衬和物理气相
638 发明 201410835741.1 初审合格 机械
沉积设备
PVD 腔室、半导体加工设备及 PVD 工
639 发明 201410831338.1 初审合格 腔室组件
艺
用于等离子刻蚀设备的上盖和等离子
640 发明 201410824996.8 初审合格 腔室组件
刻蚀设备
半导体工艺控制方法及半导体工艺控
641 发明 201410853024.1 初审合格 软件
制系统
针对脉冲射频电源的阻抗匹配方法及
642 发明 201510004040.8 初审合格 射频
装置
643 托盘、承载装置及半导体加工设备 发明 201510039514.2 初审合格 机械
644 顶针机构和除气腔室 发明 201510045397.0 初审合格 腔室组件
等离子体产生装置和具有其的半导体
645 发明 201510053670.4 初审合格 机械
设备
646 夹持装置及半导体加工设备 发明 201510053440.8 初审合格 机械
聚焦环、下电极机构及半导体加工设
647 发明 201510093056.0 初审合格 机械
备
648 盖板、承载装置及半导体加工设备 发明 201510093897.1 初审合格 机械
649 靶材组件及物理气相沉积设备 发明 201510106297.4 初审合格 机械
650 磁控管组件及磁控溅射设备 发明 201510108417.4 初审合格 机械
651 加热腔室及半导体加工设备 发明 201510109305.0 初审合格 机械
652 机械卡盘及半导体加工设备 发明 201510148869.5 初审合格 机械
653 检测装置及半导体加工设备 发明 201510169435.3 初审合格 电气
654 机械卡盘及半导体加工设备 发明 201510194425.5 初审合格 工艺
655 压环组件及半导体加工设备 发明 201510200332.9 初审合格 机械
656 一种生产线设备的控制方法和装置 发明 201510204735.0 初审合格 软件
657 压环装置及反应腔室 发明 201510214695.8 初审合格 机械
658 反应腔室及半导体加工设备 发明 201510246785.5 初审合格 机械
659 加热腔室以及半导体加工设备 发明 201510251571.7 初审合格 机械
660 一种深度负载可调的刻蚀方法 发明 201510263208.7 初审合格 工艺
661 下电极以及半导体加工设备 发明 201510266517.X 初审合格 机械
静电卡盘、反应腔室及半导体加工设
662 发明 201510283132.4 初审合格 射频
备
663 机械卡盘及半导体加工设备 发明 201510281816.0 初审合格 机械
664 腔室及半导体加工设备 发明 201510300669.7 初审合格 机械
北京亚超资产评估有限公司 第 106 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
665 一种工艺腔室的压力控制方法和装置 发明 201510309750.1 初审合格 软件
666 顶针托架及工艺腔室 发明 201510330005.5 初审合格 机械
667 一种生产线设备的控制方法和装置 发明 201510338942.5 初审合格 软件
668 一种晶片传输方法和装置 发明 201510354973.X 初审合格 软件
669 晶片传输装置 发明 201510363675.7 初审合格 机械
670 反应腔室及半导体加工设备 发明 201510367794.X 初审合格 射频
671 一种工艺方法和装置 发明 201510379344.2 初审合格 软件
672 等离子体产生装置和半导体加工设备 发明 201510381779.0 初审合格 射频
673 工艺腔室及半导体加工设备 发明 201510415835.8 初审合格 机械
674 反应腔室及半导体加工设备 发明 201510418680.3 初审合格 电气
阻抗匹配器、阻抗匹配方法及半导体
675 发明 201510427518.8 初审合格 射频
加工设备
676 一种基片的刻蚀方法 发明 201510563998.0 初审合格 工艺
677 一种二氧化硅的刻蚀方法 发明 201510564878.2 初审合格 工艺
678 暖机方法及基片的刻蚀方法 发明 201510564602.4 初审合格 工艺
679 一种基片的刻蚀方法 发明 201510564304.5 初审合格 工艺
680 二氧化硅基片的刻蚀方法 发明 201510566883.7 初审合格 工艺
681 承载装置及反应腔室 发明 201510577483.6 初审合格 工艺
682 一种控压方法和装置 发明 201510574343.3 初审合格 软件
工艺腔室、半导体加工设备及去气和
683 发明 201510596023.8 初审合格 机械
预清洗的方法
684 一种带排水孔的旋转密封装置 发明 201510593964.6 初审合格 机械
685 承载装置以及半导体加工设备 发明 201510597182.X 初审合格 机械
686 夹持装置及半导体加工设备 发明 201510606839.4 初审合格 机械
687 一种金属层的刻蚀方法 发明 201510614154.4 初审合格 工艺
688 一种刻蚀工艺 发明 201510610940.7 初审合格 工艺
689 反应腔室的清洗方法 发明 201510611976.7 初审合格 工艺
一种膜层的刻蚀方法和 GaN 基 LED 的
690 发明 201510614153.X 初审合格 工艺
制作方法
691 升降装置及半导体加工设备 发明 201510613161.2 初审合格 机械
692 反应腔室以及半导体加工设备 发明 201510611653.8 初审合格 机械
693 卡盘及承载装置 发明 201510621192.2 初审合格 机械
694 一种基片的加热设备及加热方法 发明 201510628018.0 初审合格 机械
695 一种双托盘工位的晶片传输系统设计 发明 201510632068.6 初审合格 机械
696 薄膜制备腔室及薄膜制备方法 发明 201510643758.1 初审合格 电气
697 一种深硅刻蚀方法 发明 201510646129.4 初审合格 工艺
698 盖板、承载装置及等离子体加工设备 发明 201510643734.6 初审合格 腔室组件
遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工
699 发明 201510648991.9 初审合格 电气
设备
700 一种硅片刻蚀方法 发明 201510648684.0 初审合格 工艺
701 一种图形转移方法 发明 201510648838.6 初审合格 工艺
702 一种晶片粘片处理方法和装置 发明 201510650673.6 初审合格 软件
703 一种晶片粘片处理方法和装置 发明 201510650674.0 初审合格 软件
704 一种机台设备的硬件测试方法和硬件 发明 201510650263.1 初审合格 软件
705 加热装置以及加热腔室 发明 201510648731.1 初审合格 温度控制
706 制造图形化蓝宝石衬底的方法 发明 201510654220.0 初审合格 工艺
707 一种离化率检测装置及方法 发明 201510671954.X 初审合格 工艺
北京亚超资产评估有限公司 第 107 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
708 传感器的安装机构及半导体加工设备 实用新型 201520802641.9 初审合格 机械
709 一种收放片方法 发明 201510674139.9 初审合格 软件
710 进气机构及反应腔室 发明 201510685731.9 初审合格 进气
711 上电极机构及半导体加工设备 发明 201510679475.2 初审合格 腔室组件
712 一种片盒 实用新型 201520814022.1 初审合格 机械
713 一种压环 实用新型 201520814180.7 初审合格 机械
714 顶针机构及半导体加工设备 发明 201510689185.6 初审合格 腔室组件
立体线圈、反应腔室及半导体加工设
715 发明 201510699171.2 初审合格 射频
备
716 上电极组件及反应腔室 发明 201510701261.0 初审合格 电气
717 一种压环装置 发明 201510703328.4 初审合格 机械
718 一种刻蚀方法和装置 发明 201510703028.6 初审合格 软件
一种刻蚀设备及结束其自动任务的处
719 发明 201510703326.5 初审合格 软件
理方法和处理装置
720 调整电源输出电流的方法和装置 发明 201510701290.7 初审合格 软件
721 溅射装置及其操作方法 发明 201510711965.6 初审合格 工艺
722 反应腔室及半导体加工设备 发明 201510706624.X 初审合格 工艺
723 反应腔室及半导体加工设备 发明 201510705768.3 初审合格 腔室组件
724 检测托盘是否搭边的方法 发明 201510733253.4 初审合格 传输
725 测温装置、基座及反应腔室 发明 201510715502.7 初审合格 机械
726 晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法 发明 201510718485.2 初审合格 腔室组件
点对点通信设备的监控装置和具有其
727 发明 201510719139.6 初审合格 软件
的监控系统
728 一种工艺参数的处理方法和装置 发明 201510718238.2 初审合格 软件
729 日志文件的分析方法和系统 发明 201510717767.0 初审合格 软件
用于物理气相沉积的沉积环和物理气
730 发明 201510728965.7 初审合格 工艺
相沉积设备
731 一种设备模拟运行控制方法和装置 发明 201510729428.4 初审合格 软件
732 承载装置及半导体加工设备 发明 201510742167.X 初审合格 腔室组件
733 承载装置及半导体加工设备 发明 201510741733.5 初审合格 腔室组件
734 承载装置及半导体加工设备 发明 201510762730.X 初审合格 工艺
735 一种深硅刻蚀工艺 发明 201510762111.0 初审合格 工艺
承载装置、反应腔室及半导体加工设
736 发明 201510759983.1 初审合格 腔室组件
备
737 一种微电子加工设备及方法 发明 201510766094.8 初审合格 电气
738 装卸手 发明 201510778736.6 初审合格 传输
739 反应腔室 发明 201510777620.0 初审合格 传输
740 上电极组件及半导体加工设备 发明 201510778993.X 初审合格 电气
741 进气组件及反应腔室 发明 201510781116.8 初审合格 进气
742 进气机构和等离子刻蚀机 发明 201510772821.1 初审合格 腔室组件
743 阀门机构及半导体加工设备 发明 201510778471.X 初审合格 腔室组件
744 半导体加工设备及等离子体产生方法 发明 201510776078.7 初审合格 射频
745 下电极及半导体加工设备 发明 201510779507.6 初审合格 射频
746 磁控管的安装机构及磁控溅射设备 发明 201510784944.7 初审合格 磁控溅射
747 承载装置及半导体加工设备 发明 201510784146.4 初审合格 机械
748 在氮化镓层上刻蚀隔离槽的处理方法 发明 201510788888.4 初审合格 工艺
749 衬底刻蚀方法 发明 201510792034.3 初审合格 工艺
750 冷却腔室及半导体加工设备 发明 201510797181.X 初审合格 电气
北京亚超资产评估有限公司 第 108 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
序号 专利名称 专利性质 申请号 状态 技术领域
751 阻变存储器及其制备方法 发明 201510797248.X 初审合格 工艺
衬底的氮化方法及氮化镓缓冲层的制
752 发明 201510797160.8 初审合格 工艺
备方法
753 承载装置及反应腔室 发明 201510796895.9 初审合格 腔室组件
754 机械手及传输腔室 发明 201510808308.3 初审合格 传输
755 衬底刻蚀方法 发明 201510807377.2 初审合格 工艺
芯片的阻挡层
756 发明 201510801891.5 初审合格 工艺
及其制备方法
757 承载装置及半导体加工设备 发明 201510800253.1 初审合格 腔室组件
内衬接地组件、反应腔室及半导体加
758 发明 201510815419.7 初审合格 腔室组件
工设备
软件著作权
相关证明文件或软件
序号 名称 取得日期 技术
著作权登记公告文件
1 半导体设备 WEB 服务通讯软件 2005SR14555 2005.12.5 通讯软件
2 干法刻蚀设备中央控制软件 2005SR14556 2005.12.5 控制软件
3 干法刻蚀设备工艺模块控制软件 2005SR14557 2005.12.5 工艺软件
4 干法刻蚀设备先进工艺控制软件 2005SR14558 2005.12.5 工艺软件
5 干法刻蚀设备工艺模块控制软件 2005SR14559 2005.12.5 工艺软件
6 干法刻蚀设备工艺模块控制软件 2005SR14560 2005.12.5 工艺软件
7 LD Match-DCS 控制软件 2007SR16070 2007.10.18 射频软件
8 LD Match 上位机调试软件 2007SR16071 2007.10.18 射频软件
9 故障诊断与分类系统 2009SR015517 2009.4.27 工艺软件
10 统计过程控制系统 2009SR015518 2009.4.27 工艺软件
11 数据采集系统 2009SR015519 2009.4.27 工艺软件
12 CLAS-Control Scheduling 2010SR010072 2010.3.8 控制软件
13 Industrial Automation Package 2010SR011765 2010.3.16 通讯软件
14 ELEDE330 软件权限模块系统 2012SR071930 2012.08.08 控制软件
15 ELEDE330 软件数据模块系统 2012SR097393 2012.10.16 控制软件
16 ITOPS 上位机控制软件 2012SR101810 2012.10.29 上位机软件
17 ITOPS 下位机控制软件 2012SR101817 2012.10.29 下位机软件
18 LEMO 上位机控制软件 2013SR004624 2013.01.15 上位机软件
19 LEMO 下位机控制软件 2013SR004772 2013.01.15 下位机软件
20 CTC 平台软件 2013SR009981 2013.01.30 控制软件
21 ETCH 上位机 CTC 控制软件 2013SR010451 2013.01.31 上位机软件
22 IAP 控制系统软件 2013SR010496 2013.01.31 通讯软件
23 GSE 上位机控制软件 2013SR018369 2013.02.28 上位机软件
24 DSE200PM 报警信息管理模块系统 2014SR004513 2014.01.13 控制软件
25 DSE200 下位机工艺模块系统 2014SR004648 2014.01.13 下位机软件
26 ACT200 膜厚仪下位机系统 2014SR013693 2014.01.29 下位机软件
27 APE 上位机控制软件 2014SR058154 2014.05.12 上位机软件
28 LED-PECVD 上位机控制软件 2014SR058170 2014.05.12 上位机软件
29 SES 630A 上位机控制软件 2014SR113142 2014.08.05 上位机软件
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相关证明文件或软件
序号 名称 取得日期 技术
著作权登记公告文件
30 SES 630A 下位机控制软件 2014SR113440 2014.08.05 下位机软件
31 LES380 上位机控制软件 2014SR161943 2014.10.28 上位机软件
32 PecvdCluster 上位机控制软件 2014SR161947 2014.10.28 上位机软件
33 GDE 控制软件 2015SR036956 2015.02.28 控制软件
34 APE301L_CTCI 控制软件 2015SR036957 2015.02.28 控制软件
35 IC_ETCH_CTCI 控制软件 2015SR041897 2015.03.09 控制软件
36 IC_ETCH_TMCI 控制软件 2015SR047284 2015.03.17 控制软件
37 IC_ETCH_DC 数据采集控制软件 2015SR047289 2015.03.17 控制软件
38 IC_ETCH_PMCI 控制软件 2015SR047292 2015.03.17 控制软件
39 APE300L_DC 数据采集控制软件 2015SR047308 2015.03.17 控制软件
40 APE300L_PMCI 控制软件 2015SR047313 2015.03.17 控制软件
41 APE300L_TMCI 控制软件 2015SR047317 2015.03.17 控制软件
集成电路设备产业作为一个技术密集型的产业，某个特定的设备是由多个方面、
数千个关键技术点构成，通过系统工程形成一个完整的设备。此外，随着集成电路工
艺技术的提升，要求集成电路装备也不断进行优化并向更高技术代发展，但是在这个
过程中，大部分的设备关键技术具有一定的延续性，上述这些技术在北方微电子的设
备产品上均进行了较好的应用。
北方微电子的这些非专利技术、专利、专利申请及软件著作权等资产，实际上是
集成电路制造装备整个生产工艺过程中一系列技术性无形资产组成的技术群，在整体
状况下发挥作用。所以这些技术性无形资产，应视为一个有机的整体，在企业集成电
路制造装备的生产过程中发挥了关键作用，既是企业项目研发的成果体现，也是企业
价值的重要组成部分之一。本次评估将其视为无形资产组进行评估。
2、价值定义
本次对该无形资产组评估的价值定义是在“特定使用目的”前提下的“市场价值”。
“市场价值”，在此被定义为，有自愿交易意向的买卖双方，在公开市场上买卖
委估资产所最有可能实现的合理交易价格。买卖双方对委估资产及市场，以及影响委
估资产价值的相关因素均有合理的知识背景。相关交易方将在不受任何外在压力、胁
迫下，自主、独立地决定其交易行为。
“特定使用目的”是指北方微电子将按现行的目的和用途使用上述无形资产组，
并在可预见的未来，不会发生重大改变。
3、评估假设前提
北京亚超资产评估有限公司 第 110 页
说明五各项资产及负债的评估技术说明
假设前提一：我们假设委估该无形资产组权利的实施是完全按照有关法律、法规
的规定执行的，不会违反国家法律及社会公共利益，也不会侵犯他人包括专利权在内
的任何受国家法律依法保护的权利。
假设前提二：本次预测是基于现有的市场情况，不考虑今后市场发生目前不可预
测的重大变化和波动。如经济危机、恶性通货膨胀等因素。
假设前提三：本次预测是基于现有的国家法律、法规、税收政策以及银行利率等
政策，不考虑今后的不可预测的重大变化。
4、评估方法
无形资产的评估方法有三种即重置成本法、市场比较法和收益法。
一般认为，该无形资产组的价值用重置成本很难反映其价值。因为该类资产的价
值通常主要表现在科技人才的创造性智力劳动，该等劳动的成果很难以劳动力成本来
衡量。市场比较法在资产评估中，不管是对有形资产还是无形资产的评估都是可以采
用的，采用市场比较法的前提条件是要有相同或相似的交易案例，且交易行为应该是
公平交易。结合本次评估无形资产的自身特点及市场交易情况，据我们的市场调查及
有关介绍，目前国内没有类似的转让案例，本次评估由于无法找到可对比的历史交易
案例及交易价格数据，故市场法也不适用。
由于以上评估方法的局限性，结合本次评估的无形资产特点，我们确定采用收益
法。收益法是指分析评估对象预期将来的业务收益情况来确定其价值的一种方法。运
用收益法是用无形资产创造的现金流的折现价值来确定委估无形资产的公平市场价
值。折现现金流分析方法，具体分为如下步骤：
1）确定无形资产组的经济寿命期，预测在经济寿命期内无形资产组应用产生产
品的销售收入；
2）分析确定无形资产组的提成率（贡献率）；
3）计算无形资产组对销售收入的贡献；
4）计算无形资产组的折现率；
5）将无形资产组对销售收入的贡献折成现值；
6）将经济寿命期内无形资产组对销售收入的贡献的现值相加，确定无形资产组
的公平市场价值。
5、评估过程
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
1）无形资产组经济寿命周期确定
一般认为无形资产组是有经济寿命周期的，经济寿命周期长的无形资产组的价值
相对较高，经济寿命周期短的无形资产组的价值相对较低。无形资产组的经济寿命主
要受技术寿命、技术成熟度、法定寿命和相关产品寿命及国家政策等方面因素的影响。
本次委估的无形资产组中主要构成为发明专利及发明专利申请，本次评估主要我们结
合这些发明专利及专利申请的特点，确定委估无形资产组尚余经济寿命为 10 年。
2）无形资产组对应产品销售收入预测
销售收入预测与北方微电子整体收益法预测中的销售收入预测一致，见收益法说
明“七、评估预测说明”部分内容。
3）无形资产组的提成率的分析与确定
企业的收益是企业管理、技术、人力、物力、财力等方面多因素共同作用的结果。
技术作为特定的生产要素，企业整体收益包含技术贡献，因此确定技术参与企业的收
益分配是合理的。利用提成率测算技术分成额，即以技术产品产生的收入为基础，按
一定比例确定专有技术的收益。在确定技术提成率时，首先确定技术提成率的取值范
围，再根据影响技术价值的因素，建立测评体系，确定待估技术提成率的调整系数，
最终得到提成率。
A、确定技术提成率的范围
国内外对于技术提成率的研究有很多，联合国贸易和发展组织对各国技术合同的
提成率作了大量的调查统计工作，调查结果显示，技术提成率一般为产品净售价的
0.5%~10%，并且行业特征十分明显。国内有研究表明，我国对技术的统计和调查中，
如以净售价为分成基础，提成率一般不超过 5%。
为全面研究和探讨我国各行业技术提成率的规律，为国内技术评估界提供参考依
据，我国有关单位通过对全国 672 个行业 44 万家企业的调查分析，测算了国内各行
业技术销售收入提成率，并在实际评估工作中进行了试用，证明比较符合实际。具体
参考数据表如下：
国内工业行业(销售收入)技术提成率参考数值表
行业 提成率 行业 提成率
全民所有制工业 0.47-1.42 集体所有制工业 0.51-1.52
全民与集体全营工业 0.60-1.79 轻工业 0.37-1.12
重工业 0.60-1.80 煤炭采选业 /-/
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行业 提成率 行业 提成率
石油和天然气开采业 /-/ 黑色金属矿采选业 1.17-3.50
有色金属矿采选业 1.12-3.37 建筑材料及其他非金属矿采选业 0.97-2.90
采盐业 1.42-4.27 其他矿采选业 1.31-7.92
木材及竹材采运业 1.74-5.21 自来水生产和供应业 1.66-4.97
食品制造业 0.16-0.47 饮料制造业 0.51-1.53
烟草加工业 /-/ 饲料工业 0.28-0.84
纺织业 0.19-0.58 缝纫业 0.44-1.32
皮革、毛坯及其制造业 0.26-0.79 木材加工及竹、藤、棕、草制品业 0.24-0.71
家具制造业 0.40-1.20 造纸机纸制品业 0.40-1.20
印刷业 0.99-2.98 文教体育用品制造业 0.64-1.92
工艺美术品制造业 0.45-1.34 电力、蒸汽、热水生产和供应业 0.99-2.97
石油加工业 0.50-1.50 蓄电池制造业 0.95-2.84
化学工业 0.51-1.54 医药工业 0.99-2.97
化学纤维业 0.98-2.93 橡胶制品业 0.49-1.47
塑料制品业 0.47-1.42 建筑材料及其他非金属矿物制品业 0.79-2.36
黑色金属冶炼及压延加工业 0.67-2.01 有色金属冶炼及压延加工业 0.61-1.84
金属制品业 0.56-1.67 机械工业 0.65-1.94
通用设备制造业 0.83-2.48 通用零部件制造业 0.79-2.38
铸锻毛坯制造业 0.56-1.67 工业专业设备制造业 0.77-2.32
农、林、牧、渔业机械制造业 0.45-1.34 交通运输设备制造业 0.83-2.49
电器器材制造业 0.56-1.67 电子及通信设备制造业 0.53-1.59
根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754—2011），被评估单位属于工业专业设备制
造业的子行业—电子工业专用设备制造业，其行业的技术提成率在 0.77%~2.32%之间。
B、根据提成率测评表，确定待估技术提成率的调整系数
影响技术类无形资产价值的因素包括法律因素、技术因素、经济因素。将上述因
素细分为法律状态、保护范围、所属技术领域、先进性、创新性、成熟度、应用范围
等 11 个因素，分别给予权重和评分，根据各指标的取值及权重系数，采用加权算术
平均计算确定技术提成率的调整系数。
技术综合分析评分表
权重 考虑因素 分权重 评 分 得 分 总得分
技术类型及法律状态 0.4 90 36
0.3 法律因素 保护范围 0.3 90 27
27
侵权判定 0.3 90 27
小 计 90
技术所属领域 0.1 100 10
替代技术 0.2 90 18
0.5 技术因素 47
先进性 0.2 90 18
创新性 0.1 90 9
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成熟度 0.2 100 20
应用范围 0.1 90 9
技术防御力 0.1 100 10
小 计 94
0.2 经济因素供求关系 1 90 90 18
合 计 92
C、确定待估技术提成率
根据待估技术提成率的取值范围及调整系数，可最终得到提成率。计算公式为：
K=m+(n-m)× r
式中：K-待估技术的提成率
m-提成率的取值下限
n-提成率的取值上限
r-提成率的调整系数
因此，被评估企业专利、专有技术等技术类无形资产收入提成率为：
K=m+(n-m)× r=0.77%+(2.32%-0.77%)× 92%= 2.1960 %
D、更新替代率
由于企业不断的进行技术研发和产品升级换代，技术类无形资产也进行不断地改
进和完善，现有技术类无形资产对未来收入的贡献率会逐步下降，本次评估考虑了一
定的技术更新替代比率。结合行业特性和该技术类无形资产组特点，将前述更新替代
率确认为 5%-10%。
4) 折现率的确定
无形资产折现率取加权平均资本成本与无形资产风险溢价之和。
由于本次无形资产收益额按销售收入提成额，按照收益额与折现率口径一致的原
则，折现率采用税前折现率，计算公式如下：
折现率=（WACC +Rw）/（1-T）
式中：WACC—加权平均资本成本
Rw—无形资产风险溢价系数
T—所得税率
A、加权平均资本成本
计算过程详见收益法评估说中的折现率测算说明
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2015 年 12 月至 2023 年取预测期的 WACC 为 10.92%，2024 年-2025 年取稳定年的
WACC 为 10.80%。
B、无形资产风险溢价
无形资产风险溢价主要来考虑技术风险、市场风险、资金风险和经营管理风险四
个影响因素。风险溢价的确定主要运用综合评价法，即按照该无形资产技术资产组的
技术风险、市场风险、资金风险、经营管理的因素进行量化求和确定，每项风险因素
风险率取 3%。
a、技术风险
权重 考虑因素 打分说明 评 分 得 分
0.3 技术转化风险 已工业化生产 0 0
核心是专利技术，国内少有竞
0.3 技术替代风险 10 3
争对手，替代风险较小
核心是专利技术，权利保护良
0.2 技术权利风险 10 2
好
在产业化过程中还需在细节环
0.2 技术整合风险 10 2
节上进行一些调整
合 计 7
b、市场风险
权重 考虑因素 打分说明 评 分 得 分
0.4 市场容量风险 市场总容量大，发展前景好 10 4
国内市场优势明细，但国际竞争
0.3 市场现有竞争风险 20 6
无明显优势
0.3 市场潜在竞争风险 技术壁垒较强，进入该市场不易 10 3
合 计 13
c、资金风险
权重 考虑因素 打分说明 评 分 得 分
研发投入较大，但政府财政支
0.5 融资风险 20 10
持力度大
0.5 流动资金风险 营业资本投入较大 20 10
合 计 20
d、经营管理风险
权重 考虑因素 打分说明 评 分 得 分
企业产品销售网络已建成，售
0.4 销售服务风险 20 8
后服务反应良好
已建立较为完善的质量管理体
0.3 质量管理风险 系，对生产能够按照质量管理 20 6
体系实施质量控制。
0.3 技术开发风险 拥有较强的开发团队 40 12
合 计 26
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对上风险评分按权重求取无形资产风险溢价如下表：
序号 考虑因素 风险率 评 分 风险溢价
1 技术风险 3% 7 0.21
2 技术权利风险 3% 13 0.39
3 资金风险 3% 20 0.6
4 管理风险 3% 26 0.78
合 计 1.98
C、折现率
2015 年 12 月至 2023 年：折现率=（WACC +Rw）（1-T）=（10.92%+1.98%）（1-15%）
=15.18%
2024 年至 2025 年：折现率=（WACC +Rw）/（1-T）=（10.80%+1.98%）/（1-25%）=
17.04%
5、 测算结果
单位：人民币万元
表1
项目 2015 年 12 月 2016 年 2017 年 2018 年 2019 年 2020 年
销售收入预测 2,932.58 50,927.35 65,934.19 83,553.21 105,070.94 123,394.87
各年收入分成率 2.1960 2.0862 1.9764 1.8666 1.7568 1.6470
专利的收益 64.40 1,062.45 1,303.12 1,559.60 1,845.89 2,032.31
折现率 0.1518 0.1518 0.1518 0.1518 0.1518 0.1518
折现期 0.0833 1.0833 2.0833 3.0833 4.0833 5.0833
折现系数 0.9883 0.8580 0.7450 0.6468 0.5615 0.4875
现值
63.65 911.63 970.78 1,008.72 1,036.53 990.82
合计 7,613.53
表 1（续）
项目 2021 年 2022 年 2023 年 2024 年 2025 年
销售收入预测 140,841.03 158,883.76 175,778.21 175,778.21 175,778.21
各年收入分成率 1.4274 1.2078 0.9882 0.7686 0.5490
无形资产组的收益 2,010.36 1,919.00 1,737.04 1,351.03 965.02
折现率 0.1518 0.1518 0.1518 0.1704 0.1704
折现期 6.0833 7.0833 8.0833 9.0833 10.0833
折现系数 0.4233 0.3675 0.3191 0.2395 0.2046
现值 850.94 705.22 554.22 323.57 197.47
合计
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三、评估结果
经 评 估 ， 委 估 无 形 资 产 - 其 他 资 产 的 账 面 值 为 3,734,289.62 元 ， 评 估 值 为
84,167,669.79 元，增值 80,433,380.17 元，增值率 2,153.91 %，主要是专利等技术性无形
资产组增值所致。
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负债评估技术说明
一、评估方法及评估过程
（一）短期借款
1．委估负债内容：系北方微电子向中国民生银行北京首体支行借入的期限在一
年以内的流动资金借款，账面价值60,000,000.00元，借款月利率为0.3842%，借款期限
从2015年11月12日至2016年11月12日止。
2．评估程序及方法：评估人员查阅了所有借款合同，了解各项借款的种类、发
生日期、还款期限和贷款利率，核实借款的真实性、完整性，同时向贷款银行进行函
证，核实评估基准日尚欠的本金余额。经核实，短期借款属实并已按月计息，短期借
款的评估价值按核实后的账面值确定评估值。
3．评估结果：短期借款的评估价值为60,000,000.00元，无评估增减值变化。
（二）应付款项
1．委估负债内容：纳入本次评估范围的应付款项包括应付账款、预收账款和其
他应付款，应付账款主要为应付购货款及工程款等，共360项，账面价值169,937,239.13
元；预收账款为预收的销货款，共9项，账面价值9,341,614.80元；其他应付款主要为
代收代付政府补助款、股东借款、应付员工的报销款、股东减资款、应付职工的补充
医疗保险等，共32项，账面价值215,987,233.31元。
2．评估程序及方法：对应付账款，评估人员抽查了部分材料采购合同和会计凭
证，审查核实了评估基准日收到但尚未处理的所有发票，以及虽未收到发票，但已到
达企业的商品，以防止漏记或多记应付账款，同时评估人员关注了评估基准日后的付
款情况；对预收账款，评估人员对评估人员抽查了部分销售合同和会计凭证并进行了
函证；对其他应付款，评估人员通过向财务人员询问了解业务性质和内容，查阅合同、
进账单、账簿，确认会计记录的事实可靠性。经核实，应付款项均为企业正常经营发
生的业务，按清查核实后的账面值确定评估值。
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3．评估结果：应付账款的评估价值为169,937,239.13元，无评估增减值变化；预
收账款的评估价值为9,341,614.80元，无评估增减值变化；其他应付款的评估价值为
215,987,233.31元，无评估增减值变化。
（三）应付职工薪酬
1．委估负债内容：纳入本次评估范围的应付职工薪酬包括计提的应付职工的工
资、住房公积金、医疗保险、养老保险、工会经费等，账面价值为9,211,482.61元，无
调整。
2．评估程序及方法：核对明细账、总账、报表和评估清单是否一致，评估人员
抽查原始记账凭证，检查计提额的真实性、正确性。经核实，应付职工薪酬计提依据
充分，计提金额正确，本次评估按核实后的账面金额确定评估值。
3．评估结果：应付职工薪酬的评估价值为9,211,482.61元，评估无增减值。
（四）应交税费
1．委估负债的内容：应交税费为企业按照税法等规定代扣代缴的个人所得税、
企业所得税，账面价值9,726,012.09 元。
2．评估程序及方法：对应交税费，评估人员首先了解北方微电子适用的税种及
税率，调查是否享有税收优惠政策；其次，评估人员查阅了明细账、纳税申报表及期
后实际缴纳税款的完税凭证。经核实，账务记录属实，按核实后的账面值确定评估值。
3．评估结果：应交税费的评估价值为9,726,012.09元，无评估增减值变化。
（五）应付利息
1．委估负债的内容：应付利息为短期借款计提的未付利息，账面余额146,015.00
元。
2．评估程序及方法：评估人员对贷款合同、利息支付凭证等相关资料进行查阅，
并对借款利息按照本金乘以相应的利率和利息所属期间重新计算确定评估值。
3．评估结果：应付利息的评估值为146,015.00元，评估无增减。
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（六）其他流动负债
1．委估负债的内容：其他流动负债为北京市科委拨付的领军人才奖奖励款，账
面余额550,000.00元。
2．评估程序及方法：评估人员收集了相关政府批文及入账凭证，据了解，北京
市科委领军人才奖奖励款系北京科委拨付给个人的奖励款，公司代为发放，截止到基
准日，公司收到科委的奖励款尚未支付给个人，按照核实后的结果给定评估值。
3．评估结果：其他流动负债的评估值为550,000.00元，评估无增减。
（七）其他非流动负债
1．委估负债的内容：主要系北方微电子接受的中华人民共和国科学技术部、北
京市经济和信息化委员会、北京市发改委、北京朝阳区财政局、北京经济技术开发区
财政局等部分拨付的科研专项补助等，具体项目包括90/65nm高密度等离子刻蚀机研
发与产业化项目、65-45nm PVD设备研发项目、32/22nm栅刻蚀机研发及产业化项目、
45-22nmPVD设备研发与产业化项目、14nm立体栅刻蚀机研发及产业化项目、国产集成
电路装备零部件量产应用工程项目、半导体衬底工艺开发项目、半导体外延制关键技
术研发项目、刻蚀机产业化项目、分子泵在高端集成电路中的应用开发与示范项目、
关键溅射技术研发项目和大产能刻蚀机研发及产业化项目等，账面价值共计
519,123,188.08元。
2．评估程序及方法：评估人员查阅了政府补助的相关文件，对政府补助款项产
生的过程、资金用途等进行了核实，对补贴项目的研发情况进行了调查了解。
经核实，被评估单位对获得的重大科技项目的政府补助，根据政府补助的会计准
则进行账务处理：在收到政府补助时确认为递延收益入账；根据项目的要求，形成固
定资产和无形资产的部分，自形成固定资产和无形资产可供使用时起，在资产使用寿
命内计提折旧和摊销，同时结转对应的递延收益计入营业外收入；根据项目的要求，
以材料费、人员费等形式投入研发的部分，在投入时计入研发费用，同时结转对应的
递延收益计入营业外收入。
截至评估基准日递延收益的账面余额包括两个部分，一为形成固定资产及无形资
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说明五各项资产及负债的评估技术说明
产账面值对应的政府补助；二为尚未投入研发的政府补助。对于已形成固定资产及无
形资产的政府补助，鉴于被评估单位已按要求投入相应专项科研项目并已资本化，将
该部分递延收益评估为零；对于尚未投入研发的政府补助，考虑到对应的研发活动尚
未开始，基于谨慎性原则，故该部分递延收益按其账面余额确定评估值。
政府补助形成的固定资产及无形资产的账面净额具体如下表：
单位：人民币元
项目名称 专项固定资产及无形资产账面净值
90/65nm 高密度等离子刻蚀机研发与产业化项目 80,871,080.12
65-45nm PVD 设备研发项目 53,544,159.27
32/22nm 栅刻蚀机研发及产业化项目 4,741,895.83
半导体外延关键技术研发项目 6,081,312.73
半导体衬底工艺开发项目 1,231,459.48
45-22nm PVD 设备研发与产业化项目 2,147,205.76
关键溅射技术研究项目 3,508,007.61
14nm 立体栅刻蚀机研发及产业化项目 37,146,201.53
合计 189,271,322.33
3．评估结果：其他非流动资产-递延收益的评估价值为 329,851,865.75 元，减
值 36.46%，主要是对于已形成资产的递延收益评估为零所致。
二、评估结果
经 评 估 ， 北 方 微 电 子 的 委 估 负 债 账 面 值 为 994,022,785.02 元 ， 评 估 值 为
804,751,462.69 元，评估减值 189,271,322.33 元，减值率 19.04%。
详细评估结果见负债评估汇总表及评估明细表。
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说明六收益法评估技术说明
说明六
收益法评估技术说明
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说明六收益法评估技术说明
收益法评估技术说明
一、评估方法介绍
本次评估选用现金流量折现法中的企业自由现金流折现模型。现金流量折现
法的描述具体如下：
股东全部权益价值＝企业整体价值－付息债务价值
1、企业整体价值
企业整体价值是指股东全部权益价值和付息债务价值之和。根据被评估单位
的资产配置和使用情况，企业整体价值的计算公式如下：
企业整体价值＝经营性资产价值+溢余资产价值+非经营性资产负债价值
1）经营性资产价值
经营性资产是指与被评估单位生产经营相关的，评估基准日后企业自由现金
流量预测所涉及的资产与负债。经营性资产价值的计算公式如下：
n
P Ri (1 r ) i Rn / r (1 r ) n
i 1
式中：P——经营性资产价值
Ri——企业未来预测期第 i 年企业自由现金流量
r——折现率
i——未来预测期第 i 年
Rn——未来第 n 年以后永续等额企业自由现金流量
n——预测期末年
A、企业自由现金流量计算公式如下：
企业自由现金流量=息前税后净利润+折旧与摊销-资本性支出-营运资金增加
额
B、折现率选取加权平均资本成本(WACC)，计算公式如下：
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说明六收益法评估技术说明
E D
WACC K e K d (1 t)
ED ED
其中：ke：权益资本成本；
kd：付息债务资本成本；
E：权益的市场价值；
D：付息债务的市场价值；
t：所得税率。
其中，权益资本成本采用资本资产定价模型(CAPM)计算。计算公式如下：
Ke rf RPM β rc
其中：rf：无风险利率；
RPM：市场风险溢价；
β：权益的系统风险系数；
rc：企业特定风险调整系数。
2）溢余资产价值的确定
与企业收益无直接关系的、超过企业经营所需的多余资产。
3）非经营性资产价值的确定
与企业的生产经营活动无直接关系的资产，如供股东自己居住的房产、与企
业主营业务无关的关联公司往来款项等。
2、付息债务价值
付息债务是指评估基准日被评估单位需要支付利息的负债。付息债务以核实
后的账面值作为评估值。
二、评估假设
（一）一般性假设
1、 假设评估基准日后被评估单位持续经营；
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说明六收益法评估技术说明
2、假设评估基准日后被评估单位所处国家和地区的政治、经济和社会环境
无重大变化；
3、 假设评估基准日后国家宏观经济政策、产业政策和区域发展政策无重大
变化；
4、假设和被评估单位相关的利率、汇率、赋税基准及税率、政策性征收费
用等评估基准日后不发生重大变化；
5、假设评估基准日后被评估单位的管理层是负责的、稳定的，且有能力担
当其职务；
6、 假设被评估单位完全遵守所有相关的法律法规；
7、假设价值估算所依据的资产使用方式所需由有关地方、国家政府机构、
团体签发的一切执照、使用许可证、同意函或其他法律性或行政性授权文件于评
估基准日后均在有效期内正常合规使用，假定该等证照有效期满可以随时更新或
换发（如营业执照等）；
8、假设企业对所有有关的资产所做的一切改良是遵守所有相关法律条款和
有关上级主管机构在其他法律、规划或工程方面的规定的；
（二）特殊假设
1、假设评估基准日后被评估单位采用的会计政策和编写本评估报告时所采
用的会计政策在重要方面保持一致；
2、假设评估基准日后被评估单位在现有管理方式和管理水平的基础上，经
营范围、方式与目前保持一致；
3、假设评估基准日后被评估单位的现金流入为平均流入，现金流出为平均
流出；
4、假设评估基准日后被评估单位的产品或服务保持目前的市场竞争态势；
5、假设评估基准日后被评估单位的研发能力和技术先进性保持目前的水平；
6、假设企业未来的业务收入能基本按计划回款，不会出现重大的坏账情况；
7、假设企业按照现有销售方和回款方式进行经营；
8、假设企业的有息债务能按预期计划偿还；
9、无其他人力不可抗拒因素及不可预见因素对企业造成重大不利影响；
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说明六收益法评估技术说明
10、不考虑通货膨胀因素的影响。
评估人员根据资产评估的要求，认定这些前提假设条件在评估基准日时成立，
但如果上述假设条件发生变化时，收益法评估结果一般也会发生变化。当未来经
济环境发生较大变化时评估人员将不承担由于前提条件的改变而推导出不同评
估结果的责任。
三、宏观经济、行业前景和企业经营分析
1、国内宏观经济分析
2015 年以来，面对复杂严峻的国内外形势，党中央、国务院保持定力、主动
作为，着力改革创新，着力转型升级，着力改善民生，国民经济开局平稳，总体
良好。
10 月 19 日，国家统计局公布前三季度宏观经济数据，数据显示，三季度国
内生产总值同比增 6.9%，前三季度国内生产总值 487774 亿元，同比增长 6.9%，
环比增长 1.8%。其中，一季度同比增长 7.0%，二季度增长 7.0%，三季度增长 6.9%，
出现小幅下滑。
图 1：20014 年第 2 季度—2015 年 3 季度国内生产总值同比增长率
数据来源：国家统计局
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数据来源：国家统计局
数据来源：国家统计局
分产业看，第一产业增加值 39195 亿元，同比增长 3.8%；第二产业增加值
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197799 亿元，增长 6.0%；第三产业增加值 85709 亿元，增长 8.4%。从环比看，三
季度国内生产总值增长 1.8%。
1、农林牧渔业生产形势较好
全国夏粮总产量 14107 万吨，比上年增加 447 万吨，增长 3.3%；早稻总产量
3369 万吨，比上年减产 32 万吨，下降 0.9%；秋粮有望再获丰收。前三季度，猪
牛羊禽肉产量 5896 万吨，同比下降 1.3%，其中猪肉产量 3828 万吨，下降 3.6%。
2、工业生产缓中趋稳
前三季度，全国规模以上工业增加值按可比价格计算同比增长 6.2%，增速比
上半年回落 0.1 个百分点。分经济类型看，国有控股企业增加值同比增长 1.3%，
集体企业增长 1.7%，股份制企业增长 7.5%，外商及港澳台商投资企业增长 3.5%。
分三大门类看，采矿业增加值同比增长 3.3%，制造业增长 7.0%，电力、热力、燃
气及水生产和供应业增长 1.7%。分产品看，565 种产品中有 288 种产品产量同比
增长。前三季度，规模以上工业企业产销率达到 97.5%。规模以上工业企业实现
出口交货值 86187 亿元，同比下降 1.1%。9 月份，规模以上工业增加值同比增长
5.7%，环比增长 0.38%。
1-10 月份，全国规模以上工业企业实现利润 48666 亿元，同比下降 2%。工业
企业每百元主营业务收入中的成本为 85.84 元，同比上升 0.04 元；每百元主营业
务收入中的费用合计为 7.2 元，上升 0.18 元。
3、固定资产投资增速回落
前三季度，固定资产投资（不含农户）394531 亿元，同比名义增长 10.3%（扣
除价格因素实际增长 12.0%），增速比上半年回落 1.1 个百分点。其中，国有控股
投资 125201 亿元，增长 11.4%；民间投资 255614 亿元，增长 10.4%，占全部投资
的比重为 64.8%。分产业看，第一产业投资 11007 亿元，同比增长 27.4%；第二产
业投资 162189 亿元，增长 8.0%；第三产业投资 221335 亿元，增长 11.2%。从到位
资金情况看，前三季度到位资金 417717 亿元，同比增长 6.8%。其中，国家预算
资金增长 20.5%，国内贷款下降 4.4%，自筹资金增长 8.2%，利用外资下降 26.2%。
前三季度，新开工项目计划总投资 299822 亿元，同比增长 2.8%。从环比看，9 月
份固定资产投资（不含农户）增长 0.68%。
前三季度，全国房地产开发投资 70535 亿元，同比名义增长 2.6%（扣除价格
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因素实际增长 4.2%），增速比上半年回落 2.0 个百分点，其中住宅投资增长 1.7%。
房屋新开工面积 114814 万平方米，同比下降 12.6%，其中住宅新开工面积下降 13.5%。
全国商品房销售面积 82908 万平方米，同比增长 7.5%，比上半年加快 3.6 个百分
点，其中住宅销售面积增长 8.2%。全国商品房销售额 56745 亿元，同比增长 15.3%，
其中住宅销售额增长 18.2%。房地产开发企业土地购置面积 15890 万平方米，同
比下降 33.8%。9 月末，全国商品房待售面积 66510 万平方米，同比增长 16.4%。
前三季度，房地产开发企业到位资金 90653 亿元，同比增长 0.9%。
4、商品销售稳中有增
前三季度，社会消费品零售总额 216080 亿元，同比名义增长 10.5%（扣除价
格因素实际增长 10.5%），增速比上半年加快 0.1 个百分点。其中，限额以上单位
消费品零售额 101089 亿元，增长 7.5%。按经营单位所在地分，城镇消费品零售
额 185843 亿元，同比增长 10.3%，乡村消费品零售额 30237 亿元，增长 11.7%。按
消费形态分，餐饮收入 23071 亿元，同比增长 11.7%，商品零售 193009 亿元，增
长 10.4%，其中限额以上单位商品零售 94926 亿元，增长 7.5%。9 月份，社会消费
品零售总额同比名义增长 10.9%（扣除价格因素实际增长 10.8%），环比增长 0.87%。
前三季度，全国网上零售额 25914 亿元，同比增长 36.2%。其中，实物商品
网上零售额 21510 亿元，增长 34.7%，占社会消费品零售总额的比重为 10.0%；非
实物商品网上零售额 4404 亿元，增长 43.6%。
5、进出口同比下降
前三季度，进出口总额 178698 亿元人民币，同比下降 7.9%。其中，出口 102365
亿元人民币，下降 1.8%；进口 76334 亿元人民币，下降 15.1%。进出口相抵，顺
差 26031 亿元人民币。9 月份，进出口总额 22241 亿元人民币，同比下降 8.8%。
其中，出口 13001 亿元人民币，下降 1.1%；进口 9240 亿元人民币，下降 17.7%。
6、居民消费价格基本稳定
前三季度，居民消费价格同比上涨 1.4%，涨幅比上半年扩大 0.1 个百分点。
其中，城市上涨 1.5%，农村上涨 1.3%。分类别看，食品价格同比上涨 2.3%，烟
酒及用品上涨 1.6%，衣着上涨 2.9%，家庭设备用品及维修服务上涨 1.1%，医疗
保健和个人用品上涨 1.8%，交通和通信下降 1.8%，娱乐教育文化用品及服务上涨
1.5%，居住上涨 0.7%。在食品价格中，粮食价格上涨 2.3%，油脂价格下降 3.7%，
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猪肉价格上涨 7.7%，鲜菜价格上涨 6.9%。9 月份，居民消费价格同比上涨 1.6%，
环比上涨 0.1%。前三季度，工业生产者出厂价格同比下降 5.0%，9 月份同比下降
5.9%，环比下降 0.4%。前三季度，工业生产者购进价格同比下降 5.9%，9 月份同
比下降 6.8%，环比下降 0.6%。
7、进出口增速由负转正
上半年，进出口总额 123919 亿元人民币，以美元计价为 20209 亿美元，同比
增长 1.2%（一季度为同比下降 1.0%）。其中，出口 65113 亿元人民币，以美元计
价为 10619 亿美元，增长 0.9%；进口 58807 亿元人民币，以美元计价为 9590 亿美
元，增长 1.5%。进出口相抵，顺差 6306 亿元人民币，以美元计价为 1029 亿美元。
8、居民收入保持较快增长
根据城乡一体化住户调查，前三季度全国居民人均可支配收入 16367 元，同
比名义增长 9.2%，扣除价格因素实际增长 7.7%，比上半年提高 0.1 个百分点。按
常住地分，城镇居民人均可支配收入 23512 元，同比名义增长 8.4%，扣除价格因
素实际增长 6.8%；农村居民人均可支配收入 8297 元，同比名义增长 9.5%，扣除
价格因素实际增长 8.1%。全国居民人均可支配收入中位数 14460 元，同比名义增
长 10.2%。三季度末，农村外出务工劳动力总量 17554 万人，与上年同期基本持
平。三季度，外出务工劳动力月均收入 3052 元，同比增长 9.1%。
9、经济结构持续优化
产业结构继续优化。前三季度，第三产业增加值占国内生产总值的比重为
51.4%，比上年同期提高 2.3 个百分点，高于第二产业 10.8 个百分点。内需结构进
一步改善。前三季度，最终消费支出对国内生产总值增长的贡献率为 58.4%，比
上年同期提高 9.3 个百分点。城乡居民收入差距进一步缩小。前三季度，农村居
民人均可支配收入实际增长快于城镇居民人均可支配收入 1.3 个百分点，城乡居
民人均收入倍差 2.83，比上年同期缩小 0.03。节能降耗继续取得新进展。前三季
度，单位国内生产总值能耗同比下降 5.7%。
10、货币信贷平稳增长
9 月末，广义货币（M2）余额 135.98 万亿元，同比增长 13.1%，狭义货币（M1）
余额 36.44 万亿元，增长 11.4%，流通中货币（M0）余额 6.10 万亿元，增长 3.7%。
9 月末，人民币贷款余额 92.13 万亿元，人民币存款余额 133.73 万亿元。前三季度，
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新增人民币贷款 9.90 万亿元，同比多增 2.34 万亿元，新增人民币存款 13.00 万亿
元，同比多增 1.93 万亿元。前三季度，社会融资规模增量为 11.94 万亿元。
总的来看，2015 年三季度经济增速虽略有回落，但稳中有进、稳中向好的大
势没有改变，经济运行仍在合理区间，结构调整步伐加快，新动力孕育成长。
2、区域因素分析
1、北京市地理因素
北京是中华人民共和国的首都、直辖市和国家中心城市，是全国的政治、文
化、科教和国际交往中心，是世界著名的古都和现代国际城市，也是中华人民共
和国中央人民政府和全国人民代表大会的办公所在地。
北京中心位于北纬 39 度 54 分 20 秒，东经 116 度 25 分 29 秒。位于华北平原
北部。毗邻渤海湾，上靠辽东半岛，下临山东半岛。北京与天津相邻，并与天津
一起被河北省环绕。西部是太行山山脉余脉的西山，北部是燕山山脉的军都山，
两山在南口关沟相交，形成一个向东南展开的半圆形大山弯。全市平均海拔 43.5
米，平原的海拔高度在 20 ～60 米，山地一般海拔 1000～1500 米。气候为典型的
北温带半湿润大陆性季风气候，夏季高温多雨，冬季寒冷干燥，春、秋短促。北
京下辖东城区、西城区、朝阳区、海淀区、丰台区、石景山区、门头沟区、房山
区、大兴区、通州区、顺义区、昌平区、平谷区、怀柔区、密云县、延庆县等 16
个区县。2014 年末，全市常住人口 2151.6 万人。
2、北京市经济发展状况
今年以来，面对错综复杂的国内外经济环境和较大的经济下行压力，全市上下紧
紧围绕首都城市功能定位,积极调整疏解非首都功能，加快构建高精尖经济结构，
大力统筹稳增长、促改革、调结构、惠民生、防风险等各项措施，全市经济运行
在合理区间，经济结构持续优化，发展质量总体向好，呈现稳中有进的发展态势。
1-3 季度,全市实现地区生产总值 16002.4 亿元，按可比价格计算，同比增长 6.7%，
增速比上半年回落 0.3 个百分点。分产业看，第一产业增加值 98.8 亿元，下降 8.2%，
降幅缩小 8.3 个百分点；第二产业增加值 2985.4 亿元，增长 2.4%,增速回落 1.9 个
百分点；第三产业增加值 12918.2 亿元，增长 8.1%,增速提高 0.2 个百分点。
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数据来源：北京统计信息网
（1）、传统农业继续收缩，都市型农业稳步发展
1-3 季度，全市积极推进农业调结构、转方式，发展高效节水农业，传统农
业规模进一步收缩，都市型农业呈现良好发展态势。养殖业、种植业等传统农业
规模持续下降，家禽出栏数和生猪出栏数同比分别下降 11.3%和 7.3%。粮食蔬菜
播种面积减少，同比分别减少 13.2%和 0.7%。
符合城市功能定位的观光休闲农业、农业会展等都市型农业蓬勃发展。1-3 季度，
观光园实现收入 18.6 亿元，增长 9.7%；民俗游实现收入 9.7 亿元，增长 16.7%。
（2）、工业增长总体放缓，战略性新兴产业增势良好
1-3 季度，全市规模以上工业增加值按可比价格计算，同比增长 0.2%，增速
比上半年回落 2.4 个百分点。其中，战略性新兴产业增长 2.6%，增速高于规模以
上工业平均水平 2.4 个百分点，对规模以上工业的贡献率超过 100%。重点行业中，
汽车制造业增长 5.9%，医药制造业增长 7.1%，计算机、通信和其他电子设备制造
业增长 13.3%。
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1-3 季度，全市规模以上工业企业实现销售产值 12495.9 亿元，同比下降 3.8%。
其中出口交货值 786.6 亿元，下降 25.2%；内销产值 11709.3 亿元，下降 2%。
1-10 月，全市规模以上工业企业实现主营业务收入 15121.9 亿元，同比下降
3.3%，实现利润 1115.7 亿元，比上年同期增长 1.9%。
（3）第三产业发展向好，企业效益增长较快
1-3 季度，全市第三产业各行业发展向好。其中，金融、信息、科技服务业
等优势行业增长较快。金融业实现增加值 2888.4 亿元，增长 19%；信息传输、软
件和信息技术服务业实现增加值 1614.7 亿元，增长 11.8%;科学研究和技术服务业
实现增加值 1456.7 亿元，增长 13.1%。批发和零售业、租赁和商务服务业降幅收
窄，分别实现增加值 1665.5 亿元和 1235.1 亿元，分别下降 2.2%和 2%，降幅均比
上半年收窄 0.5 个百分点。此外，规模较小的公共服务业增势稳定。其中，卫生
和社会工作增加值增长 12.2%，水利、环境和公共设施管理业增长 10.5%，教育增
长 10.1%。
1-9 月，全市规模以上第三产业企业实现利润 5443.1 亿元，同比增长 37.8%，
继续保持 30%以上的较高增速。
（4）固定资产投资略有放缓，民间投资快速增长
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1-3 季度，全市完成全社会固定资产投资 5465.7 亿元，同比增长 4.7%，比上
半年回落 0.6 个百分点。分产业看，第一产业完成投资 89.2 亿元，下降 34.1%；第
二产业完成投资 402.3 亿元，下降 20.6%；第三产业（含房地产开发）完成投资 4974.2
亿元，增长 8.7%。
1-3 季度，全市完成民间投资 2342.4 亿元，同比增长 20%，增速快于全社会固
定资产投资 15.3 个百分点，占全社会固定资产投资比重保持在 4 成以上。
数据来源：北京统计信息网
1-3 季度，全市完成房地产开发投资 3070.1 亿元，增长 10.4%，其中住宅投资
增长 1%。商品房本年新开工面积 1987.5 万平方米，增长 14.5%；其中，商品住宅
新开工面积 887.5 万平方米，下降 3.3%。商品房销售面积 977.6 万平方米，增长
8.5%；其中，商品住宅销售面积 786.8 万平方米，增长 14%。
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（5）服务性消费带动作用明显，消费结构不断优化
1-3 季度，全市实现市场消费总额 1.3 万亿元，同比增长 8.3%，增速比上半年
提高 1 个百分点。其中，实现社会消费品零售总额 7399.7 亿元，增长 6.3%，增速
比上半年提高 0.3 个百分点；实现服务性消费 5987 亿元，增长 10.8%，增速比上
半年提高 1.8 个百分点，服务性消费保持快速发展的态势，是拉动总消费提速的
主要力量。
商品性消费中，限额以上批发零售业企业实现网上零售额 1270.9 亿元，增长
38.8%，占全市社会消费品零售额的比重为 17.2%。服务性消费中，医疗保健类消
费和通信类消费增长较快，需求旺盛，增速分别达到 16.8%和 16.1%。
数据来源：北京统计信息网
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（6）进出口总值降幅收窄
1-3 季度,北京地区实现进出口总值 2411 亿美元，同比下降 23.5%，降幅比
上半年收窄 1.6 个百分点。其中，进口总值 2026.6 亿美元，下降 24.6%，降幅收
窄 2.3 个百分点;出口总值 384.4 亿美元，下降 17.2%，降幅扩大 3.2 个百分点。
（7）居民消费价格温和上涨，工业生产者价格维持降势
1-3 季度,全市居民消费价格总水平同比上涨 1.8%，涨幅比上半年扩大 0.3
个百分点，是近五年同期最低水平。其中，消费品价格上涨 0.2%，服务项目价格
上涨 4.2%。从八大类商品和服务项目的情况看，食品类价格上涨 1.4%，烟酒及
用品类上涨 1.6%，衣着类上涨 4.1%，家庭设备用品及维修服务类上涨 0.1%，医
疗保健和个人用品类上涨 0.1%，交通和通信类上涨 2.8%，娱乐教育文化用品及
服务类上涨 1.4%，居住类上涨 2.3%。 月份，居民消费价格总水平同比上涨 2.3%，
环比上涨 0.7%。
数据来源：北京统计信息网
1-3 季度，全市工业生产者出厂和购进价格同比分别下降 2.9%和 6.4%；9 月
份，同比分别下降 3.6%和 6.9%，环比分别下降 0.4%和上涨 0.9%。
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（7）居民收入稳步增加
1-3 季度，全市居民人均可支配收入 36047 元，同比增长 8.5%，扣除价格因
素，实际增长 6.6%。其中，城镇居民人均可支配收入 39142 元，增长 8.5%；农
村居民人均可支配收入 16450 元，增长 9.3%；扣除价格因素，城乡居民收入分别
实际增长 6.6%和 7.4%。
总体上看，1-3 季度全市经济在调整疏解中实现了平稳运行,经济结构继续优
化，发展质量总体向好。
三、 行业分析
1、行业情况分析
（1）全球及中国半导体产业及市场情况
A、全球半导体产业及市场情况
在世界经济的复苏带动下，2014 年全球半导体市场规模达到了 3358 亿美元，
同比增长 9.9%，实现了 2010 年以来的最高增长率。分析 2014 年半导体市场大幅
增长的原因，主要在于 2014 年半导体各大类产品，包括分立器件、光电子器件
以及集成电路的各类产品都呈现全面回暖的态势。逻辑电路（Logic）、存储器
（Memory）和微处理器（MPU）三类芯片依销售额分列细分市场的前三位，逻辑
电路 2014 年的销售额达到了 916 亿美元，相对 2013 年成长了 6.6%；存储器的销
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售额则达到了 792 亿美元，年增长率达到 18.2%，是所有产品中增长最快的，尤
其是其中 DRAM 市场增长率更是达到了 34.7%；2014 年微处理器的销售额为 621
亿美元。其他成长较快的产品种类还包括功率晶体管（119 亿美元，增长 16.1%）、
分立器件（202 亿美元，增长 10.6%）和模拟器件（444 亿美元，增长 10.6%）
从全球市场分布来看，2014 年全球半导体市场的四个主要地区的销售额均
超过上年，不过各地区的增幅不同。其中增幅最大的是美国，年增长 7.4%。2014
年全球四个地区的半导体市场规模分别为美国 657.63 亿美元，占全球 11.4%；日
本 325.39 亿美元，占全球 10.6% ;亚太地区 1942.26 亿美元，占全球 58.3%，其中
中国大陆的市场规模为 1690.4 亿美元，占全球半导体市场份额为 50.7%，首次超
过了全球半导体市场的一半。
从芯片制造产能来看，根据 SEMI 发表的报告，2014 年全球晶圆产能为 1600
万片/月（等值于 8 英寸晶圆），比 2013 年提高 4%，预计 2015 年将再提高 6%。
全球半导体产能（不包含分立器件）及变化率情况如下图所示：
图 1995-2015 年全球半导体产能（不含分立器件）变化情况
数据来源：SEMI,2014 年 8 月
就全球晶圆产能分布来看，规模最大的晶圆厂商多数分布在韩国和中国台
湾。据 IC Insight 统计，全球 28%的 12 英寸产能位于韩国，22%的 12 英寸晶圆产
能位于中国台湾。IC Insight 的统计指出，2014 年全球 12 英寸晶圆产能名列前茅
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的都是存储器大厂。韩国三星是全球 12 英寸晶圆产能最大的厂商，掌握了约 100
万片/月的的 12 英寸晶圆产能，占全球 12 英寸晶圆 20%左右的份额；中国台湾
厂商则占据全球约 22%的 12 英寸晶圆产能（其中 85%用于晶圆代工，15%用于存
储器产品）。截至 2014 年底，台积电（TSMC）的 12 英寸晶圆产能已经达到 43
万片/月，占全球份额的 10%左右，居全球 12 英寸产能的的第 5 位，也是纯晶圆
代工厂中拥有最多 12 英寸产能的厂商。全球纯晶圆代工厂中，格罗方德居于第
2 位，月产能达 19.3 万片/月，占全球份额为 4.3%。全球纯晶圆代工业中第三位
业者为台联电（UMC），12 英寸月产能为 11 万片/月，占全球份额的 2.6%。中国
大陆的自建 12 英寸产能目前尚不足全球的 1%，但由于 SK 海力士的最大的 12
英寸工厂位于江苏无锡，三星在陕西西安也设有 12 英寸工厂，再加上英特尔在
辽宁大连设立的 12 英寸晶圆工厂，使得全球约有 8%的 12 英寸晶圆产能位于中
国大陆。
B、中国半导体产业及市场情况
2014 年，在国内外半导体市场良好增长势头的带动下，中国半导体产业继续
保持平稳发展。2014 年我国半导体产业实现销售额 4887.8 亿元，产业增速达到
20.9%；在国内半导体市场份额占比进一步提高到 40.6%，在世界半导体市场份额
占比为 24.1%。其中集成电路销售额为 3015.4 亿元，占全球集成电路市场份额的
18%。其中从集成电路设计、晶圆制造以及封装测试三业的发展情况来看，2014
年设计业销售规模达到 1047.4 亿元，增速为 29.5%；晶圆制造业销售额达到 712.1
亿元，增速为 18.5%；封装测试业达到 1255.9 亿元，同比增长 14.3%，三业销售额
仍属最大。
而在市场方面，由于中国已经成为全球最大的电子产品制造基地，也是全球
最大的半导体消费市场。据中国半导体行业协会统计，2014 年，中国半导体市场
规模已经达到 12044.3 亿元，同比增长 14%，中国半导体市场份额已经占据全球
市场的比例已经达到 59.3%，当之无愧的成为全球半导体的“核心”市场。集成电路
方面，得益于智能终端、消费电子、汽车电子、节能环保、物联网、新能源汽车
和信息安全等热点应用领域的带动，以及智能手机为代表的移动智能终端继续保
持增长，特别是可穿戴产品呈现快速增长势头，中国集成电路市场规模持续增长，
2014 年中国集成电路市场规模达到 10393.1 亿元，增速为 13.4%。
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2008-2014年中国集成电路市场销售额规模及增长率
销售额（亿元） 增长率
12000 35.0%
10393.1
29.5% 30.0%
10000 9166.3
8558.6 25.0%
8065.6
8000 7349.5 20.0%
5972.9 5676 15.0%
6000 13.4%
9.7% 10.0%
6.2% 6.1% 7.1%
4000 5.0%
0.0%
2000
-5.0% -5.0%
0 -10.0%
2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014
图 2008-2014 年中国集成电路市场销售额规模及增长率
数据来源：赛迪数据 2015.3
产品结构方面，存储器一直以来都是全球半导体市场最主要的产品之一，是市场
份额最大的集成电路产品，2014 年中国集成电路市场份额中达到 23.7%。近年来，
随着市场发展的推动力由传统的 PC 转变为移动智能终端产品，以手机基带芯片、
智能终端应用处理器为代表的专用标准产品达到了 2067.6 亿元，成为中国 IC 市场
成长最快的领域；此外受益于智能手机等智能移动终端设备、汽车电子等领域的
增长，嵌入式 CPU 芯片在 2014 年也实现了 16.5%的增长。
表 2014 年中国集成电路市场产品结构
产品名称 销售额 市场占比 产品名称 销售额（亿 市场占比
（亿元） （%） 元） （%）
存储器 2465.5 23.7 嵌入式 CPU 575.9 5.5
专用标准产品 2067.6 19.9 逻辑电路 469.9 4.5
模拟电路 1682.2 16.2 微控制器 295.2 2.8
中央处理器 1417.4 13.6 专用电路 279.4 2.7
微周边器 951.7 9.2 数字微处理器 188.3 1.8
合计 10393.1 100
从国内的芯片制造业来看，2014 年，上海华力微电子有限公司的“909”工程升级改
造主体项目 12 英寸生产线全面建成投产，中芯国际深圳 8 英寸晶圆厂正式投产，
三星（西安）12 英寸内存生产线实现规模量产，中芯国际 28nm 制程进入批量生
产，武汉新芯低功耗嵌入式闪存工艺实现突破，去年底，台湾联电集团通过投资
北京亚超资产评估有限公司 第 140 页
说明六收益法评估技术说明
参股在厦门新建了 12 英寸晶圆厂，台湾力晶与合肥市政府合资成立 12 吋晶圆代
工厂「晶合集成电路」于 2015 年 10 月在合肥破土动工，此外，台积电也有意在
中国大陆建设 12 英寸晶圆生产线。自 2014 年以来，我国芯片制造业迎来了本世
纪以来的又一个发展高潮。
2014 年我国集成电路芯片制造业销售收入为 712.1 亿元，同比增长 18.5%。2008
年-2014 年我国芯片制造业的销售收入及增长率如下图所示，从图中可见，从 2012
年以来，我国芯片制造业进入了一个平稳快速的发展时期。
2008-2014年我国芯片制造业销售收入及增长率
销售收入（亿元） 增长率
800 712.1 40.0%
31.1% 600.9 30.0%
600 501.1
447.1 431.6 16.1%
19.9% 18.5%20.0%
392.7
400 341.1 10.0%
-1.3% 0.0%
200 -3.5%
-10.0%
-13.2%
0 -20.0%
2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014
图 2008-2014 年我国芯片制造业销售收入及增长率
数据来源：中国半导体行业协会，2015.3
（2）全球及中国半导体设备市场情况
A、全球半导体设备市场情况
SEMI于2014年12月发布了2014-2016年全球半导体设备市场规模的预测，如下
图所示。
北京亚超资产评估有限公司 第 141 页
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图2012-2016年全球半导体设备市场规模
数据来源：SEMI 2014.12
根据SEMI的数据，2014年全球半导体设备的销售额约为380亿美元，比上年
增加19.3%，并预测2015年的销售额将比2014年再增加15.2%，达到437亿美元左右。
2014年各个地区的销售方面，中国台湾、北美和韩国仍排在前三位。其中，中国
台湾地区的设备市场规模最大，达到94亿美元，约占全球市场的30%；2014年设
备投资增长最大的是美国，增幅达55%，中国大陆也有30%的增长。
北京亚超资产评估有限公司 第 142 页
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图 2014年全球半导体设备市场
Gartner则进一步对后续几年全球半导体设备市场的表现也作出预测，认为在
2015年设备市场销售额增加的基础上，2016年可能会出现一个周期性衰退届时将
小跌3.5%，而2017年与2018年则将继续恢复成长。Gartner呈现上述变化的原因在于
随着晶圆代工业者与IDM大厂开始导入鳍式场效电晶体(FinFET)制程，就长期而言，
先进逻辑相关投资将持续增加，同时在记忆体方面，NANDFlash因为对资料中心的
重要性大增，故而前景特别看好——基于上述分析，Gartner认为在2018年以前，全
球半导体设备支出将呈现稳定成长趋势，只有2016年因DRAM供给过量而减少支出，
造成微幅下滑。以下是Gartner对于全球半导体设备市场的预测表。
表2013~2018年全球半导体制造设备支出预估值(单位：百万美元)
数据来源：Gartner，2014.7
B、中国半导体设备市场情况
根据 SEMI 以及中国电子专用设备协会公布的数据，下表列出了 2009-2015 年
期间，我国自制半导体设备销售规模与我国半导体设备市场规模的比较：
表 2009-2015 年我国半导体设备市场规模和全球半导体设备市场规模
单位：亿美元
北京亚超资产评估有限公司 第 143 页
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年份 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015（F）
我国半导体设备市场规模 9.4 36.8 36.5 25.0 28.2 44.2 66.0
全球半导体设备市场规模 150.2 399.2 435.2 369.2 318.5 380 438
我国占全球比例 5.9% 9.2% 8.4% 6.8% 8.8% 11.0% 15.1%
表 2009-2015 年我国自制半导体设备销售规模与我国半导体设备市场规模的比较
单位：亿美元
2015
年份 2009 2010 2011 2012 2013 2014
（F）
我国自制半导体设备市场
6.9 1.07 1.43 3.09 5.18 6.83 8.2
规模
我国半导体市场规模 9.4 36.8 36.5 25.0 28.2 44.2 66.0
我国自制半导体设备占国
8.5% 2.9% 3.9% 15.6% 18.4 15.4% 12.4%
内市场的比例
从上表中的数据可以发现，2013 年以前，我国半导体设备市场规模不大，仅
占全球半导体设备市场的 6%-9%左右。但是 2014 年以后，随着我国集成电路产业
进入新一轮的快速发展周期，我国对于半导体设备的需求大幅上升，预计到了
2015 年以后，我国大陆半导体设备市场将进一步扩大到全球市场的 15%左右。
在 2012 年以前，我国自制半导体设备的技术水品比较低，产业规模比较小，
销售额仅占国内半导体设备市场的 10%以下。但是近几年来，在国家科技重大专
项 02 专项的支持下，一些重要的高端装备已经逐步进入市场，使我国自制半导
体设备市场比例大幅提升。未来随着全球半导体市场的平稳增长、中国半导体设
备市场在全球占比的进一步扩大，以及自制设备在国内市场比例的不断提升，中
国国产高端半导体装备的市场将会进一步得以提升。
2、企业经营分析
北方微电子销售的设备种类涵盖了全部刻蚀机、PVD 和 CVD 三大类设备，设
备应用领域涵盖大规模集成电路、先进封装、LED 照明、MEMS、功率器件、光波
导以及 III-V 族新兴半导体等领域。各细分市场的表现具体如下：
北京亚超资产评估有限公司 第 144 页
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（1）集成电路市场领域
北方微电子目前在集成电路领域推出的产品包括 8/12 英寸硅刻蚀机、12 英寸
硬掩模 PVD、12 英寸 Al Pad PVD 以及 12 英寸铜互连 PVD。具体应用工艺情况见下
表：
项目
8 英寸刻蚀机 12 英寸刻蚀机 硬掩膜 PVD Al-pad PVD 铜互连
型号 NMC508C NMC612C exiTin H430 eVictor A830 eVictor C830
130nm-100nm 65nm-28nm
多晶硅栅极刻蚀 多晶硅栅极刻蚀 28nm-20nm 65nm-20nm 65nm-28nm
工艺应用
浅槽隔离刻蚀 浅槽隔离刻蚀 硬掩膜沉积 Al Pad 铜互连工艺
侧壁保护刻蚀 侧壁保护刻蚀
在集成电路制造领域，北方微电子是国内唯一一家为客户提供前道硅刻蚀机、
PVD 的国内供应商。在国际上，北方微电子的硅刻蚀、铜互连 PVD、硬掩膜 PVD
和 Al Pad PVD 目前量产的技术代为 28nm，20nm 技术代的设备还处在研发中，而
国际最高量产技术代为 14nm。北方微电子装备的技术水平目前能够匹配国内最先
进的客户制造技术水平，距离最高的国际量产技术水平还相差两个技术代，也是
未来突破海外市场的关键所在。目前集成电路装备主要销往中国大陆市场
作为国内集成电路高端装备制造企业，北方微电子公司所开发的 12 英寸硅
刻蚀机在北京中芯国际 55nm 产品线稳定运行，已实现月产客户片超过 3000 片，
替换率达到 75%；而同步于国内最先进集成电路制造水平的 28nm 刻蚀机分别落
户中芯国际和上海华力微电子；在研的 20nm 刻蚀机，也已完成了工程样机整体
设计，并将于 2015 年底进入大生产线测试。作为国内唯一的高端 PVD 设备提供
商，北方微电子所开发的 28nm PVD，于 2015 年上半年正式被中芯国际北京厂指
定为 28nm 制程客户片 Baseline 机台。除了服务于国内最先进的 12 英寸代工厂，
北方微电子的装备产品也积极向蓬勃发展的中国存储器产业延伸，作为国内最大
的先进存储器制造商——武汉新芯也是北方微电子公司的主要客户，由北方微电
子自主研发的 Al Pad PVD 目前正被用于武汉新芯先进存储器芯片生产线上关键的
工艺制程。
北京亚超资产评估有限公司 第 145 页
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（2）先进封装领域
在先进封装领域，北方微电子提供 8-12 寸深硅刻蚀机、TSV 硅刻蚀机、TSV
二氧化硅刻蚀机和 8-12 寸封装 PVD。与国际水平相比，北方微电子在先进封装领
域，各种产品完全与国外竞争对手产品技术水平相当，可以彻底替代国外同类产
品。
北方微电子目前在先进封装领域推出的产品具体应用工艺情况见下表：
项目
8 寸 TSV 深硅刻蚀 12 寸 TSV 深硅刻蚀 Bumping PVD TSV PVD
型号 APE200 系列 APE300 系列 Flexer G620 Polaris/Flexer T430/630
铜、钛、钽、银、铝、
深孔刻蚀、深槽刻蚀、硅 深孔刻蚀、深槽刻蚀、硅
工艺应用 镍、钛钨金属薄膜沉 铜、钛、钽硅通孔沉积
通孔刻蚀、SOI、SOG 通孔刻蚀、SOI、SOG
积
产业链方面，封测属于芯片制造的下游环节，随着芯片制程技术的不断微缩，
先进封装是未来封装技术的必由之路，先进封装之技术需求必将带动相关设备的
数量和技术需求。以目前在全球收入规模排名第四、国内排名第一的长电科技为
例，其主要业务之一即提供面向倒装封装应用的Bumping技术，在Bumping生产线
上，UBM/RDL PVD是最关键的设备，而北方微电子则是唯一能提供该设备的本土
厂商。除面向Bumping技术提供关键PVD外，北方微电子也致力于面向CIS、指纹识
别、MEMS器件以及未来的3D封装应用提供成套的Etch和PVD设备，目前国内主要
的先进封装厂商如长电、晶方和华天科技等都是北方微电子公司有着深厚合作基
础的重要客户。
（3）半导体照明领域
在 LED 照明领域，北方微电子提供 PSS 刻蚀机、GaN 刻蚀机、LED ITOPVD、
LED AlN PVD 和 PECVD，也是国内唯一可以提供上述产品的装备厂商，产品在国内
完全处于技术领先地位。与国外竞争对手相比也均处于相同技术水平，其中 GaN
刻蚀机和 AlN PVD 处于国际领先技术水平。
北方微电子目前在 LED 领域推出的 2/4 英寸 PSS 刻蚀机、GaN 刻蚀机、PECVD、
ITO Sputter 以及 AlN Sputter 具体应用工艺情况见下表：
北京亚超资产评估有限公司 第 146 页
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项目
PSS 刻蚀机 GaN 刻蚀机 PECVD ITO Sputter AlN Sputter
型号 ELEDE 380 ELEDE 380G EPEE 550 iTops i230 iTops A230
电极刻蚀
蓝宝石图形化衬底 芯片保护层、
隔离深槽刻蚀 ITO 透明导电 AlN 缓冲层
工艺应用 刻蚀、纳米压印刻 掩膜层、电流阻挡
钝化层刻蚀 薄膜沉积 薄膜沉积
蚀 层沉积
红黄光刻蚀
近年来中国大陆已成为全球最重要的 LED 产品生产基地，全球低价 LED 照明
产品的供应链正步步向中国大陆转移，再加上政府对 LED 产业的强力支持等利好
因素，引发了国内包括上游外延芯片厂商在内的整个产业链的持续投入。经过几
轮的市场考验与洗牌，目前中国国内已经诞生了数家兼具产能与技术优势的实力
外延芯片厂商，如三安光电、华灿光电、德豪润达和澳洋顺昌等，而国内绝大部
分 LED 外延芯片厂商均为北方微电子客户，由北方微电子为其产线提供 MOCVD
之外的其他关键设备如 PSS 刻蚀机、GaN 刻蚀机、PECVD 及 ITO/AlN PVD。
（4）MEMS 与功率器件以及新兴半导体领域
在 MEMS、功率半导体、光波导、III-V 族化合物半导体应用领域，北方微电子
可提供 6-8 寸硅刻蚀机、介质刻蚀机、金属刻蚀机、金属 PVD 和常压 CVD，全部
也都是量产应用的产品，在国内也处于技术领先的水平。与国外竞争产品相比处
于同等技术水平，完全可替代国外进口产品。具体应用工艺情况见下表：
项目
深硅刻蚀机 通用硅刻蚀机 介质/III-V 材料刻蚀机 减压硅外延设备
型号 DSE GSE GxE SES630A
硬掩膜刻蚀、金属掩膜
深孔刻蚀、深槽刻蚀、SOI 回刻蚀、接触孔刻蚀、深槽 本征硅外延、N 型硅外
工艺应用 刻蚀、金属互连、金属
刻蚀、SOG 刻蚀 刻蚀 延、P 型硅外延
栅刻蚀、III-V 材料刻蚀
除了集成电路领域，未来几年化合物半导体（用于功率器件）和 MEMS（主
要用于物联网）等领域也极具成长空间，化合物半导体，如 GaAs、GaN 器件在通
讯、军工等领域都将成为不可或缺的关键器件，目前，三安半导体和国家集成电
路产业投资基金合作正在积极布局 III-V 族半导体制造，南车时代则是中国 IGBT
芯片的领头羊，华虹宏力则将依托其 8 英寸特色工艺助力未来 IoT（物联网）半
北京亚超资产评估有限公司 第 147 页
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导体发展。北方微电子多年来一直紧跟市场的脚步，配合客户的需求，在化合物
半导体、MEMS 以及军工等领域早已全面布局。
3、主要经营优劣势分析
（1） 主要经营优势
①在外部环境方面：
半导体产业随着电子信息产业的发展还会进一步发展，国内芯片制造能力将
大规模扩大，增加了半导体设备的需求；
中国成为芯片最大应用市场，芯片制造业向中国转移；
国家政策支持，《纲要》的出台更是明确了产业发展的具体目标；
芯片制造企业在竞争压力下有降低成本的需求，会优先选购性价比高的国产
设备；
半导体制造技术应用范围不断扩大，新兴的细分产业不断涌现。
②内部优势。
多年电子专用设备研发生产经验，在国内处于技术领先水平；
28nm 技术代的硅刻蚀机、PVD 已经实现量产，具备了追赶国际主流技术水
平的积累；
在特定领域刻蚀机产品国内市场占有率排名第一；
具有多年集成电路装备制造经验和技术积累，培养了一批高素质的专业技术
人才；
与中芯国际、上海华力和武汉新芯等大厂建立了合作关系。
（2） 主要经营劣势
①行业风险
北方微电子所处集成电路行业是一个周期性波动的行业。集成电路制造设备
行业随着集成电路行业的周期波动而同步波动的趋势较强。近年来，国内集成电
路行业处于发展阶段，一直保持稳定增长，在一定程度上熨平了国内行业周期波
动，但是，随着经济全球化的深入发展，中国经济与世界经济的联系越来越紧密，
行业固有的周期性波动仍可能会给公司集成电路设备的经营带来一定的周期性
影响。
②技术与市场风险
北京亚超资产评估有限公司 第 148 页
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A、高端集成电路装备领域方面。14nm 及以下技术代的高端集成电路装备的
研发和产业化具有较高的技术风险，短期内还无法判断北方微电子是否具备能够
按期研发出来 14nm 技术代的刻蚀机和 PVD 装备，而在技术方向上 FinFET 和 FD-SOI
谁将主导未来的技术方向还未可知，这也为研发 14nm 及以下技术代的装备带来
了技术方向选择的风险；此外，国内主要的芯片设计商和制造厂是否能够尽快导
入 14nm 及以下技术代的设计和量产制造也为北方微电子带来了市场风险。
B、LED、新兴半导体领域方面。虽然已经完成了在先进封装、LED 照明、MEMS、
功率器件、光波导和新兴化合物半导体等领域的产品布局，但是这些细分市场领
域的技术变化比较快，是否能够快速、准确的把握技术发展方向，进而快速推出
更新换代的产品，也为北方微电子的发展带来不确定性的市场风险。
C、核心人员流失或技术泄密风险
北方微电子的研发能力和创意设计能力与公司核心技术人员密不可分。核心
技术人员对被评估单位的研发创新和持续发展起着关键作用。
虽然北方微电子已建立较为完善的知识管理体系，采取了一系列吸引和稳定
核心技术人员的措施，但是如果未来发生核心技术人员流失或技术泄密的情况，
将会在一定程度上影响拓享科技的技术研发创新能力、创意设计能力和市场竞争
力，对拓享科技的生产经营和发展产生不利影响。
D、政府补助较高与研发支出较大的风险
由于电子产品技术发展十分迅速，电子整机产品的更新换代周期相对较快，
具有“一代工艺、一代设备和一代器件”的行业特点，新产品和新技术的研发投
入较大。北方微电子近几年来除了政府补助金额投入研发之外，也积极自筹款项
进行研发投入。
虽然公司的技术水平及市场地位不断提高，自身盈利能力亦不断增强，对政
府补助的依赖程度逐步减弱，但如果公司未来不能获得政府补助或者获得的政府
补助显著降低，导致资金不能满足研究与开发项目的需要，则可能面临技术落后
的风险，对当期及今后的经营业绩产生不利影响。
E、客户集中度较高的风险
北方微电子目前的客户集中度较高。虽然北方微电子与主要客户尤其是中芯
国际合作关系较为稳固，且随着北方微电子加大市场推广，进一步拓展布局至封
北京亚超资产评估有限公司 第 149 页
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装、LED 和 MEMS 领域，其客户及产品将日趋多元化，但目前客户集中度较高的
情形仍可能给北方微电子的经营带来一定风险。如果主要客户的生产经营发生重
大问题或财务状况出现恶化，将会对北方微电子的产品销售和应收账款的及时回
收等产生不利影响。
F、汇率波动、进出口政策变化与海外拓展风险
北方微电子的部分原材料及生产设备依靠外国进口，主要的产品未来也将致
力于海外市场。如果人民币汇率变动幅度较大，会对公司的业绩产生一定影响。
国家为鼓励和促进软件和集成电路产业的发展制定了涉及进出口、财政税收
以及投融资等一系列优惠政策，如果国家产业政策、进出口政策或者公司产品进
口国家或地区的相关政策、法规或规则等有所调整，可能会对公司的业务造成不
利影响。
海外市场拓展方面。公司计划首先开拓台湾集成电路市场，但是在产品 DEMO
过程中，是否能够满足客户工艺需求进行实现批量海外销售也存在风险，而这个
风险将很大程度上影响后续发展。
4、企业主要财务指标
资产、负债及财务状况
单位：人民币元
序
项目 2012年12月31日 2013年12月31日 2014年12月31日 2015年11月30日
号
1 流动资产 548,149,909.73 647,744,074.22 846,548,143.74 963,834,437.05
2 非流动资产 297,100,235.98 307,545,607.66 301,870,618.57 342,966,507.79
3 资产总计 845,250,145.71 955,289,681.88 1,148,418,762.31 1,306,800,944.84
4 流动负债 157,675,705.31 252,982,065.72 339,865,527.71 474,899,596.94
5 非流动负债 482,052,662.22 479,728,819.26 494,651,595.94 519,123,188.08
6 负债总计 639,728,367.53 732,710,884.98 67,864,248.49 994,022,785.02
7 净资产 205,521,778.18 222,578,796.90 313,901,638.66 312,778,159.82
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近三年及评估基准日经营成果表
金额单位：人民币元
序
项目 2012 年 2013 年 2014 年 2015 年 1-11 月
号
1 营业收入 121,372,389.78 180,097,488.85 266,083,844.24 346,939,637.72
2 营业利润 -152,307,519.02 -214,160,930.07 -273,152,443.35 -244,948,391.99
3 净利润 9,588,646.89 15,974,923.23 32,780,841.76 35,029,661.16
四、评估计算情况说明
（一）未来收益期的确定
被评估企业属高端集成电路制造业，该行业无固定经营期限，也不存在未来
停止经营的任何因素，因此本次评估确定收益预测期为永续。被评估单位自成立
以来连续承担 863 计划和 02 专项等国家重大科研项目，在集成电路装备领域部分
科研项目已取得研发成果，在 28nm 及以上工艺制程具备一定的产业化基础，正
处于从研发向产业化转型的关键时期。未来一段时间内，被评估单位在攻克集成
电路高端装备方面研发投入仍然较大，且预计取得 14nm 及以下技术代的装备的
研发成果并且达到产业化水平的周期较长，而 14nm 及以下技术代的装备产品对
于未来被评估单位可预计期的经营业绩的提升有重要的作用。同时，在一定的时
期内，被评估单位的主要市场仍然在国内，根据《国家集成电路产业发展推进纲
要》的目标以及国内主要芯片制造厂未来的量产规划，国内主要芯片制造厂进入
14nm 及以下技术代芯片稳定量产的时间在 2020 年～2025 年之间，因此预计被评
估单位的高端集成电路装备的稳定批量销售时间在 2020 年～2025 年期间。
本次评估考虑被评估单位后续研发、试生产、完善产品性能、市场开拓等多
种因素影响，故将其中 2015 年 12 月至 2023 年 12 月为具体预测期，2023 以后各
年为永续稳定期。
（二）未来收益的预测
1、 主营业务收入预测
北方微电子目前处于快速发展的成长期，历史营业收入呈快速增长形态，两
年一期营业收入如下表： 单位：人民币万元
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项目 2013 年 2014 年 2015 年 1-11 月
主营业务收入 18,005.01 26,601.15 34,679.50
其他业务收入 4.74 7.23 14.46
营业收入合计 18,009.75 26,608.38 34,693.96
较上年增长率 48.38% 47.74% -
两年一期主营业务收入按应用领域分如下表：
单位：人民币万元
半导体装备产品种类多，单位价值大，产品销售结构受市场供求关系影响大，
生产制造模式为离散型生产，因此半导体装备营业收入是根据预计销售量和销售
价格预测的。其中销售量是依据过往实际销售量的历史资料，结合预测期间生产
经营计划和可实现的销售量，同时考虑到预测期间销售量的变动趋势进行的预测；
销售价格是依据以前实际销售价格的历史资料，结合市场价格水平、供求关系的
变动趋势及盈利预测主体的定价策略进行的预测。PSS 产品营业收入是根据当前
市场价格基础上综合考虑预测期的单价变动趋势和预测期的生产产能进行预测
的。未来预测期的主营业务收入预测如下：
单位：人民币万元
2、 主营业务成本
主营业务成本包括材料费、人工费、动力费和其他制造费用。而其他制造费
用中主要包含生产经费、采购运保费和其他固定费用。半导体装备生产制造为离
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散型组装调试，相对于芯片生产线，对生产制造设备的依赖度低，生产成本主要
为材料成本，而人员费和制造费用占比较小。营业成本主要依据单位产品生产成
本和预测销售量进行预测，其中单位产品生产成本的预测是根据历史年度实际成
本水平和产品优化升级、换代改造，并结合考虑到预测期间直接材料、直接人工、
制造费用及其他费用的变化趋势，进行分析后加以确定的。PSS 产品为流水线生
产，其营业成本主要是材料费、人员费、动力费和其他制造费用，根据历史年度
数据并结合考虑到预测期间直接材料、直接人工、制造费用及其他费用的变化趋
势，进行分析后加以确定的。
2013 年至 2015 年 11 月的营业成本构成表
单位：人民币万元
2013 年至 2015 年 11 月各领域产品营业成本占比表
预测期营业成本明细表
单位：人民币万元
项目 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
直接材料 1,349.82 26,723.32 33,948.12 42,751.98 53,846.99 63,137.60 72,385.63 81,322.53 89,995.72
直接人工 38.68 963.89 1,251.87 1,583.89 1,960.96 2,367.65 2,653.09 3,048.96 3,369.03
动能费用 14.60 457.65 509.46 580.37 682.79 768.20 857.22 940.24 1,021.24
其他费用 36.79 654.14 689.07 737.09 837.01 903.85 990.77 1,044.62 1,109.99
合 计 1,439.89 28,799.00 36,398.53 45,653.32 57,327.75 67,177.30 76,886.71 86,356.35 95,495.97
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预测期各领域产品营业成本占比表
3、 销售税金及附加
被评估单位的主要税项有增值税、城建税和教育费附加。城建税税率为流转
税税额的 7%，教育费附加为流转税税额的 5%；营业税金及附加预测数是结合前
三年营业税金及附加水平和当期应付税费余额水平，依据营业收入、营业成本等
预测数及税法规定的相关税费率进行预测。由于被评估单位正在从项目研发型企
业向市场化运作企业转变，前期积累了较多的进项税额，截至评估基准日，预计
未来 2 年内的时间能够实现抵销。预测销售税金及附加如下：
单位：人民币万元
4、 销售费用
销售费用主要包括职工薪酬、办事处费用、宣传费用、产品维修费和差旅费
等，是依据历史年度费用水平及预测期间的销售趋势预测情况而预测的。其中销
售人员职工薪酬根据人员编制规划和薪酬增长计划进行综合预测；办事处费用、
市场推广费、展览展示费、产品维修费、业务招待费、差旅费等根据销售收入增
长趋势、占收入比重及公司控制费用的政策进行预测。
2013 年至 2015 年 11 月销售费用明细表
单位：人民币万元
北京亚超资产评估有限公司 第 154 页
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预测期销售费用明细表
单位：人民币万元
5、 管理费用
管理费用主要包括职工薪酬、折旧费及无形资产摊销、修理费、差旅费、研
究开发费、其他管理费用等，是依据历史年度管理费用水平及预测期间的经营变
动趋势而预测的。其中管理人员薪酬，根据人员编制和薪酬增长计划进行综合预
测；折旧费根据上年末固定资产的账面原值和预测期间增减固定资产价值以及采
用的折旧政策等进行预测；无形资产摊销根据无形资产的原则和摊销标准进行预
测；差旅费、业务招待费、会议费等根据收入增长率及公司控制费用政策进行预
测；修理费、通讯费、车辆费、保险费、行政费用等按照最近两年平均变动比率
进行预测；租赁费用、安全环保费等依据最近一年水平综合考虑业务特点按固定
值进行预测；研究开发费是研发进度和预测期的研发计划进行预测。
2013 年至 2015 年 11 月管理费用明细表
单位：人民币万元
北京亚超资产评估有限公司 第 155 页
说明六收益法评估技术说明
预测期管理费用明细表
单位：人民币万元
项目 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
研发费用 2,115.22 32,333.56 25,942.59 7,834.97 9,833.49 11,204.55 12,509.78 13,066.19 13,344.52
职工薪酬 307.32 4,707.95 5,649.54 6,779.45 8,135.34 9,554.11 10,904.91 12,101.91 13,410.00
福利费用 144.78 665.88 799.06 958.87 1,150.64 1,351.31 1,542.37 1,701.63 1,861.30
折旧费用 16.86 312.05 384.92 447.00 548.16 649.61 693.96 750.79 805.44
咨询费用 11.41 400.63 440.70 484.77 533.24 586.57 645.23 709.75 780.72
差旅费用 34.10 387.13 503.75 643.59 802.76 942.76 1,076.05 1,213.90 1,342.98
行政费用 54.61 296.57 302.49 308.54 314.70 320.99 327.41 333.95 340.62
税金汇总 2.46 289.48 302.11 315.28 329.03 343.38 358.36 373.99 390.30
工会经费 15.49 258.83 310.60 372.72 447.26 525.26 599.53 676.33 748.25
教育经费 11.62 197.57 237.08 284.50 341.40 409.68 491.61 589.93 707.92
无形资产摊销 7.38 88.52 88.44 82.25 81.54 81.54 81.54 81.53 79.53
其他费用 82.26 850.98 1,021.72 1,236.57 1,496.35 1,782.71 2,111.71 2,507.60 2,979.33
合 计 2,803.50 40,789.17 35,982.99 19,748.49 24,013.92 27,752.48 31,342.45 34,107.49 36,790.90
6、 财务费用
财务费用参考历史年度财务费用水平及预测期间的经营销售计划、筹资计划、
银行借款情况和利率水平预测的。
预测期财务费用明细表
单位：人民币万元
项目 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
短期借款 21,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00 20,000.00
利率 4.69% 4.69% 4.69% 4.69% 4.69% 4.69% 4.69% 4.69%
利息 70.95 937.57 937.57 937.57 937.57 937.57 937.57 937.57 937.57
利息收入 26.35 162.67 162.67 162.67 162.67 162.67 162.67 162.67 162.67
手续费及其他 47.79 430.00 430.00 430.00 430.00 430.00 430.00 430.00 430.00
合 计 92.39 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90
7、 营业外收入
被评估单位截至 2015 年年末尚有递延收益 51,912.32 万元，该款项虽然不对未
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来现金流产生影响，但由于政府补助形成资产的折旧与摊销及研发支出不能在税
前列支，会对预测期的所得税产生较大影响，为了测算其对所得税的影响额，故
根据项目任务书的资金使用计划及企业研发计划形成资产的折旧与摊销数据，预
测了未来各年度营业外收入的金额（非现金流口径）。在测算完企业所得税以后，
这部分非现金流口径的营业外收入应从预测期企业自由现金流中剔除。
根据 14 纳米刻蚀机项目任务书及政府拨款的惯例，预计 2016 年、2017 年分
别收到政府拨款 10,715.59 万元、19,224.42 万元，这部分是预测期的现金流入，在
进行企业自由现金流测算时，要对其进行考虑。另外 2015 年 12 月，被评估单位
预计收到专利补助 130.71 万元，也应作为预测期的现金流入考虑。
营业外收入（非现金流口径）预测如下：
单位：人民币万元
项目 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
政府补助已形成资产的折旧 89.21 1,070.55 1,070.42 1,069.52 1,069.52 1,069.52 1,069.52 1,068.11 1,043.28
基准日后新增政府补助形成资产的折旧 235.63 471.26 471.26 471.26 471.26 471.26 471.26 471.26
政府补助已形成无形资产摊销 3.00 35.15 31.82 27.70 23.83 20.61 17.37 16.40 15.83
基准日后新增政府补助形成无形资产摊销 388.56 388.56 388.56 388.56 388.56
折旧与摊销小计 92.21 1,341.32 1,573.49 1,568.48 1,953.17 1,949.94 1,946.70 1,944.32 1,918.93
专项研发支出（政府补助） 2,023.00 30,992.24 21,072.38
其他补助 130.71
营业外收入合计 2,245.93 32,333.56 22,645.88 1,568.48 1,953.17 1,949.94 1,946.70 1,944.32 1,918.93
预测期营业外收入的现金流入：
单位：人民币万元
项目/年度 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
预计收到的补助款项目 130.71 10,715.59 19,224.42
8、 所得税
被评估单位为高新技术企业，预测期按 15%的税率计算企业所得税。永续期
所得税按 25%考虑。
2023 年以后，由政府补助形成资产的折旧与摊销（营业外收入）影响所得税
的金额，单独进行逐年测算，并折现至基准日，作为企业价值的一个减项考虑，
故不在稳定年预测这部分营业外收入对所得税的影响额，经测算，2023 年以后的
折旧与摊销的应调增所得税的金额折现值合计为 757.38 万元。
具体测算如下表：
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单位：人民币万元
项目 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2029年 2030年
营业外收入合计 1,839.68 1,684.92 1,573.80 1,418.95 885.86 259.09 255.27
所得税费用 459.92 421.23 393.45 354.74 221.46 64.77 63.82
折现期 9.08 10.08 11.08 12.08 13.08 14.08 15.08
折现率 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80%
折现系数 0.3938 0.3554 0.3208 0.2895 0.2613 0.2358 0.2128
所得税的现值 181.14 149.72 126.21 102.70 57.87 15.27 13.58
续表 1
项目 2031年 2032年 2033年 2034年 2035年 2036年 2037年
营业外收入合计 251.69 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09
所得税费用 62.92 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77
折现期 16.08 17.08 18.08 19.08 20.08 21.08 22.08
折现率 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80%
折现系数 0.1921 0.1733 0.1564 0.1412 0.1274 0.1150 0.1038
所得税的现值 12.09 10.88 9.82 8.86 8.00 7.22 6.52
续表 2
项目 2038年 2039年 2040年 2041年 2042年 2043年 2044年
营业外收入合计 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09
所得税费用 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77
折现期 23.08 24.08 25.08 26.08 27.08 28.08 29.08
折现率 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80%
折现系数 0.0937 0.0845 0.0763 0.0689 0.0621 0.0561 0.0506
所得税的现值 5.88 5.31 4.79 4.32 3.90 3.52 3.18
续表 3
项目 2045年 2046年 2047年 2048年 2049年 2050年 2051年
营业外收入合计 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09 251.09
所得税费用 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77 62.77
折现期 30.08 31.08 32.08 33.08 34.08 35.08 36.08
折现率 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80% 10.80%
折现系数 0.0457 0.0412 0.0372 0.0336 0.0303 0.0274 0.0247
所得税的现值 2.87 2.59 2.34 2.11 1.90 1.72 1.55
续表 4
项目 2052年 2053年 2054年 2055年
营业外收入合计 214.25 33.99 33.99 2.83
所得税费用 53.56 8.50 8.50 0.71
折现期 37.08 38.08 39.08 40.08
折现率 10.80% 10.80% 10.80% 10.80%
折现系数 0.0223 0.0201 0.0181 0.0164
所得税的现值 1.19 0.17 0.15 0.01
9、 折旧和摊销
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根据被评估单位的固定资产计提折旧的方式，评估人员与被评估单位人员一
起对存量、增量固定资产，按照企业现行的折旧年限、残值率和已计提折旧的金
额逐一进行了测算。并根据原有固定资产的分类，将测算的折旧分至主营业务成
本、管理费用及研发费用。
对于无形资产，我们按基准日无形资产摊余价值，结合无形资产剩余年限来
进行预测，将测算的摊销分至管理费用及研发费用。
对于未来收益预测中不涉及的固定资产，其折旧不在预测期考虑。
2023年以后按2023年的水平预计折旧与摊销的水平。
10、资本性支出
资本性支出包括自有经营资本性支出和专项资本性支出，其中自有经营资本
性支出为维持简单再生产的资本性支出及扩大产能的资本性支出，专项资本性支
出为按照 02 专项预算书要求进行的固定资产支出。未来预测期的资本性支出预
测如下：
单位：人民币万元
名 称 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年
资本性支出 - 6,330 800 4,686 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000
稳定年按 2023 年的折旧与摊销水平考虑。
11、营运资金追加额
营运资金的追加是指随着企业经营活动的变化，因提供商业信用而占用的现
金，正常经营所需保持的现金等；同时，在经济活动中，获取他人提供的商业信
用，相应可以减少现金的即时支付，计算营运资金的增加时，一般需考虑正常经
营所需保持的现金、应收账款、预付款项、应付账款、预收款项、存货等因素，
具体考虑如下：
1）企业基准日营运资金根据资产基础法评估结果，剔除溢余资产、非经营
性资产及负债后确定营运资金。
2）最低现金保有量的预测
一般情况下，企业要维持正常运营，通常需要一定数量的现金保有量。通过
对被评估单位2013年度至2015年11月各期营运资金的现金持有量与付现成本情况
进行的分析，营运资金中现金的持有量约为4个月的付现成本费用，据此预测预
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测期内各年日常现金保有量。
3）评估人员与被评估单位的人员一起分析企业历史年度应收账款、应付账
款等项目的周转情况，并结合被评估单位的未来各项周转率经营计划，预测了未
来周转天数。主要测算指标如下：
预测年度应收账款=当年销售收入×该年预测应收账款周转天数/365
预测年度预付款项=当年销售成本×该年预测预付款项周转天数/365
预测年度应付账款=当年销售成本×该年预测应付账款周转天数/365
预测年度预收账款=当年销售收入×该年预测预收款项款周转天数/365
预测年度存货=当年销售成本×该年预测存货周转天数/365
4)截至评估基准日，其他流动资产-未抵扣增值税金额36,950,975.10元，被评估
单位的预计在2016-2017年内抵消完毕，在预测2016-2107年时考虑该数据对营运资
金的影响。
5）根据上述方法预测营运资金的增加额为：
单位：人民币万元
2015 年 12 月 2016 年度 2017 年度 2018 年度 2019 年度 2020 年度 2021 年度 2022 年度 2023 年度
-22,654.91 8,758.05 4,559.30 2,711.55 10,488.66 6,295.39 4,244.59 2,727.67 1,068.64
12、企业自由现金流量预测
企业自由现金流量预测表
单位：人民币万元
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项目/年度 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年
营业收入 2,932.58 50,927.35 65,934.19 83,553.21 105,070.94
减:营业成本 1,439.89 28,799.00 36,398.53 45,653.32 57,327.75
营业税金及附加 - 1.78 1.78 847.66 1,067.52
主营业务利润 1,492.69 22,126.57 29,533.88 37,052.22 46,675.67
减:营业费用 323.60 4,599.28 5,600.69 6,884.36 8,403.26
管理费用 2,803.50 40,789.17 35,982.99 19,748.49 24,013.92
财务费用 92.39 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90
营业利润 -1,726.80 -24,466.78 -13,254.70 9,214.46 13,053.58
营业外收入 2,245.93 32,333.56 22,645.88 1,568.48 1,953.17
利润总额 519.13 7,866.78 9,391.18 10,782.94 15,006.75
减:所得税 77.87 1,180.02 1,408.68 1,617.44 2,251.01
净利润 441.26 6,686.76 7,982.50 9,165.50 12,755.74
加：折旧和摊销 131.60 1,923.70 2,228.65 2,279.52 2,764.67
加：税后利息 60.31 796.93 796.93 796.93 796.93
加： 预计收到的补助款项目 130.71 10,715.59 19,224.42
减：营业外收入（非现金流口径） 2,245.93 32,333.56 22,645.88 1,568.48 1,953.17
减：资本性支出 - 6,330.00 800.00 4,685.59 1,000.00
减：营运资金净变动 -22,654.91 8,758.05 4,559.30 2,711.55 10,488.66
企业自由现金流 21,172.85 -27,298.63 2,227.32 3,276.33 2,875.52
续表
项目/年度 2020年 2021年 2022年 2023年 稳定年
营业收入 123,394.87 140,841.03 158,883.76 175,778.21 175,778.21
减:营业成本 67,177.30 76,886.71 86,356.35 95,495.97 95,495.97
营业税金及附加 1,256.47 1,430.15 1,620.49 1,793.61 1,793.61
主营业务利润 54,961.10 62,524.17 70,906.92 78,488.63 78,488.63
减:营业费用 9,955.22 11,313.13 12,733.19 14,084.62 14,084.62
管理费用 27,752.48 31,342.45 34,107.49 36,790.90 36,790.90
财务费用 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90 1,204.90
营业利润 16,048.49 18,663.69 22,861.34 26,408.20 26,408.20
营业外收入 1,949.94 1,946.70 1,944.32 1,918.93 -
利润总额 17,998.43 20,610.39 24,805.66 28,327.13 26,408.20
减:所得税 2,699.76 3,091.56 3,720.85 4,249.07 6,602.05
净利润 15,298.67 17,518.83 21,084.81 24,078.06 19,806.15
加：折旧和摊销 2,862.90 2,904.01 2,958.44 2,985.70 2,985.70
加：税后利息 796.93 796.93 796.93 796.93 796.93
加： 预计收到的补助款项目
减：营业外收入（非现金流口径） 1,949.94 1,946.70 1,944.32 1,918.93
减：资本性支出 1,000.00 1,000.00 1,000.00 1,000.00 2,985.70
减：营运资金净变动 6,295.39 4,244.59 2,727.67 1,068.64
企业自由现金流 9,713.17 14,028.49 19,168.19 23,873.12 20,603.08
（三）折现率的确定
1、计算公式
E D
WACC K e K d (1 t)
ED ED
其中：ke：权益资本成本；
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说明六收益法评估技术说明
kd：付息债务资本成本；
E：权益的市场价值；
D：付息债务的市场价值；
t：所得税率。
其中，权益资本成本采用资本资产定价模型(CAPM)计算。计算公式如下：
K e rf RPM β rc
其中：rf：无风险利率；
RPM：市场风险溢价；
β：权益的系统风险系数；
rc：企业特定风险调整系数。
2、权益资本成本（Ke）的确定
2.1 无风险报酬率（rf）
国债收益率通常被认为是无风险的，因为持有该债权到期不能兑付的风险很
小，可以忽略不计。根据同花顺资讯系统所披露的信息，本次评估选取发行期 10
年期以上的长期国债的到期收益率，经过汇总计算取平均值为 3.5168%，作为无
风险报酬率。
2.2 风险系数 β 值
β 系数是用来衡量上市公司相对充分分散的市场投资组合（如证券市场综合
指数）的风险水平的参数。市场投资组合的 β 系数为 1。如果上市公司相对市场
投资组合的风险较大，那么其 β 系数就大于 1；如果上市公司相对市场投资组合
的风险较小，那么其 β 系数就小于 1。
通过同花顺资讯系统查询，专业设备制造业加权剔除财务杠杆调整 Beta 为
0.9155。
根据专业设备制造业的平均财务结构进行调整，确定适用于被评估企业的β
系数。计算公式
北京亚超资产评估有限公司 第 162 页
说明六收益法评估技术说明
有财务杠杆β=无财务杠杆β×[1+(1-t)(负债/权益)]
被评估单位的有财务杠杆β为 1.0066。
2.3 市场风险溢价
市场风险溢价是对于一个充分风险分散的市场投资组合，投资者所要求的高
于无风险利率的回报率。
由于国内证券市场是一个新兴而且相对封闭的市场。一方面，历史数据较短，
并且在市场建立的前几年投机气氛较浓，市场波动幅度很大；另一方面，目前国
内对资本项目下的外汇流动仍实行较严格的管制，再加上国内市场股权割裂的特
有属性，因此，直接通过历史数据得出的股权风险溢价不具有可信度。而在成熟
市场中，由于有较长的历史数据，市场总体的股权风险溢价可以直接通过分析历
史数据得到。因此国际上新兴市场的风险溢价通常也可以采用成熟市场的风险溢
价进行调整确定
即：市场风险溢价=成熟股票市场的基本补偿额+国家风险补偿额。
式中：成熟股票市场的基本补偿额取 1928-2014 年美国股票与国债的算术平
均收益差 6.25%，国家风险补偿额取 0.90%。
则：RPM=6.25%+0.90%=7.15%
故本次市场风险溢价取 7.15%。
2.4 企业特定风险调整系数
由于目标公司具有特定的优势或劣势，要求的回报率也相应增加或减少。本
次委估公司为非上市公司，而评估参数选取参照的是上市公司，故需通过特定风
险调整。评估人员通过分析被评估单位现时行业的竞争状况和未来的经营中可能
承担的风险后综合考虑后确定委估企业特定风险调整系数为 1%。
2.5 权益资本成本（Ke）
通过计算得出上述参数后，我们即可通过公式 Re=Rf+β×RPM+Rc 计算得出
被评估企业的权益资本成本 Re 为 11.71%。
3、计算加权平均资本成本
被评估单位的所得税率为 15%，按照专业设备制造业的平均资本结构，付息
债务资本成本取 5 年期以上银行贷款基准利率 4.9%，经测算，预测期被评估单位
的 WACC=10.92%；
北京亚超资产评估有限公司 第 163 页
说明六收益法评估技术说明
稳定年被评估单位的所得税取 25%时，按照上述方法测算被评估单位的
WACC＝10.80%。
（四）溢余资产和非经营性资产
溢余或非经营性资产(负债)是指与企业经营性收益无直接关系的、未纳入收
益预测范围的资产及相关负债，在计算企业整体价值时应以成本法评估值单独估
算其价值。
1、评估基准日账面净值为 451.84 万元的湿刻蚀绝缘机和烧结炉等 8 台设备，
经测算评估值为 1,947.01 万元。经核实，这部分资产是未来收益预测不涉及的资
产，本次以该资产的评估值确认溢余及非经营性资产价值；
2、评估基准日递延所得税资产经审计后的账面值为 256.25 万元，经评估师
核实无误，本次以该项资产的评估值确认溢余及非经营性资产价值；
3、评估基准日其他流动负债经审计后的账面值为 55 万元，为北京市科委拨
付的领军人才奖，经评估师核实无误，本次以该项资产的评估值确认溢余及非经
营性负债价值；
4、评估基准日其他应付款中待支付的股东减资款经审计后的账面值为
3615.31 万元，经评估师核实无误，本次以该项资产的评估值确认溢余及非经营性
负债价值；
5、评估基准日其他应付款中代收代付政府补助款经审计后的账面值为
2871.30 万元，为代政府支付给其他企业的政府补助款，经评估师核实无误，本次
以该项资产的评估值确认溢余及非经营性负债价值；
6、评估基准日应付利息经审计后的账面值为 14.60 万元，经评估师核实无误，
本次以该项资产的评估值确认溢余及非经营性负债价值。
溢余和非经营性资产共计-4,352.95 万元。
（五）付息债务
截至评估基准日 2015 年 11 月 30 日，北方微电子付息债务共计 21000 万元，
其中银行短期借款 6000 万元，北京电子控股有限公司借款 15000 万元（其他应付
款中核算）
（五）评估结果
单位：人民币万元
北京亚超资产评估有限公司 第 164 页
说明六收益法评估技术说明
项目/年度 2015年12月 2016年 2017年 2018年 2019年
企业自由现金流 21,172.85 -27,298.63 2,227.32 3,276.33 2,875.52
折现期 0.08 1.08 2.08 3.08 4.08
折现率 10.92% 10.92% 10.92% 10.92% 10.92%
折现系数 0.9914 0.8938 0.8058 0.7265 0.6550
企业自由现金流现值 20,990.78 -24,399.46 1,794.79 2,380.17 1,883.33
项目/年度 2020年 2021年 2022年 2023年 稳定年
企业自由现金流 9,713.17 14,028.49 19,168.19 23,873.12 20,603.08
折现期 5.08 6.08 7.08 8.08
折现率 10.92% 10.92% 10.92% 10.92% 10.80%
折现系数 0.5905 0.5323 0.4799 0.4327 4.0052
企业自由现金流现值 5,735.36 7,467.94 9,199.44 10,329.50 82,519.98
营运性资产价值 117,901.83
加：溢余资产和非经营性资产 -4,352.95
企业价值 113,548.88
减:付息债务 21,000.00
减：2023年以后营业外收
入影响所得税的现值 757.38
股东权益价值 91,791.50
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说明七评估结论及分析
说明七
评估结论及其分析
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说明七评估结论及分析
评估结论及其分析
一、评估结论
在实施了上述资产评估程序及方法后，北方微电子股东全部权益在评估基准
日 2015 年 11 月 30 日所表现的公允价值反映如下：
（一）资产基础法的评估结论
在评估基准日 2015 年 11 月 30 日持续经营前提下，北方微电子经瑞华会计师
事务所（特殊普通合伙）审计后的总资产为 130,680.09 万元，总负债为 99,402.28 万
元，净资产为 31,277.81 万元；评估后的总资产为 172,842.37 万元，总负债为 80,475.15
万元，净资产为 92,367.22 万元，净资产评估增值 61,089.41 万元，增值率 195.31%。
评估结果详见下列评估结果汇总表：
金额单位：人民币万元
账面价值 评估价值 增减值 增值率％
项目
A B C=B-A D=C/A× 100%
1 流动资产 96,383.44 107,781.21 11,397.77 11.83
2 非流动资产 34,296.65 65,061.16 30,764.51 89.70
3 其中：可供出售金融资产
4 持有至到期投资
5 长期应收款
6 长期股权投资
7 投资性房地产
8 固定资产 30,555.28 38,319.44 7,764.16 25.41
9 在建工程 430.17 430.17 0.00 0.00
10 工程物资
11 固定资产清理
12 生产性生物资产
13 油气资产
14 无形资产 3,054.95 26,055.30 23,000.35 752.89
15 开发支出
16 商誉
17 长期待摊费用
18 递延所得税资产 256.25 256.25 0.00 0.00
19 其他非流动资产
20 资产总计 130,680.09 172,842.37 42,162.28 32.26
21 流动负债 47,489.96 47,489.96 0.00 0.00
22 非流动负债 51,912.32 32,985.19 -18,927.13 -36.46
23 负债合计 99,402.28 80,475.15 -18,927.13 -19.04
24 净资产（所有者权益） 31,277.81 92,367.22 61,089.41 195.31
（二）收益法的评估结论
对北方微电子股东全部权益在评估基准日 2015 年 11 月 30 日采用收益法评估
的结果为 91,791.50 万元，评估增值 60,513.69 万元，增值率 193.47%。
（三）评估结论的分析及评估结果的选择
北京亚超资产评估有限公司 第 167 页
说明七评估结论及分析
采用资产基础法和采用收益法两种评估方法的评估结果差异 575.72 万元，差异
率 0.62%，差异很小。我们认为资产基础法的评估结果能更全面、合理地反映北方
微电子的股东全部权益价值，具体考虑如下：
1、北方微电子自成立以来，连续承担了国家极大规模集成电路制造装备及成
套工艺重大科技专项（02 专项）中“90/65nm 高密度等离子刻蚀机研发与产业化”、
“65-45nm PVD 设备研发”、“32/22nm 栅刻蚀机产品研发及产业化”、“45-22nm PVD
设备研发与产业化”、“国产集成电路装备零部件量产应用工程”和“14nm 立体
栅刻蚀机研发及产业化”等项目，在国家政策及资金扶植下，企业虽然已取得了
一系列的科研成果并转化为一定的生产能力，为企业在高端微电子工艺装备制造
领域竞争奠定了一定的基础，但我国集成电路产业发展水平和规模与先进国家（地
区）相比依然存在较大差距。自 2014 年以来，我国在集成电路产业扶持方面出台
了许多扶持政策，同时各地方政府也出台了相关政策，以促进整体行业发展。由
此可见，集成电路行业整体发展尚需时日，特别是达到国际先进水平，真正形成
核心竞争力和市场规模还需要在国家政策和各方资金共同推动。由于北方微电子
的主要市场还是在国内，因此只能随着整体行业水平提高，企业的竞争能力与收
益能力才能逐步得以体现与释放。
2、高端集成电路装备属于“高、精、尖”科技领域，技术难度高、研发风险
大，从技术角度来讲，14nm 及以下技术代的高端集成电路装备的研发和产业化具
有较高的技术风险，而且国内主要的芯片设计商和制造厂是否能够尽快导入 14nm
及以下技术代的设计和量产制造也为北方微电子带来了较大市场风险。同时，北
方微电子虽然已经完成了在先进封装、LED 照明、MEMS、功率器件、光波导和新
兴化合物半导体等领域的产品布局，但是这些细分市场领域的技术变化比较快、
市场规模较小，是否能够快速、准确的把握技术发展方向，进而快速推出更新换
代的产品，也为北方微电子的未来发展和规模增长带来不确定性风险。
3、高端集成电路工艺技术发展迅速，集成电路装备的更新换代周期相对较短，
集成电路产业具有一代器件、一代工艺和一代设备的行业特点，新产品和新技术
的研发投入较大，北方微电子近几年的研发投入，除了自筹资金投入之外，主要
依靠国家财政及地方财政的专项拨款，只有未来公司的资金充足，才能够满足研
究与开发项目的需要，才能对企业未来形成核心市场竞争力形成有利的支撑，研
北京亚超资产评估有限公司 第 168 页
说明七评估结论及分析
发投入是否能够持续得到保证也为北方微电子的发展带来很大的不确定性。
综合上述考虑因素，虽然北方微电子拥有良好的发展前景，但企业目前仍属于
科研攻关和技术突破阶段，也处于大规模集成电路制造设备的产业化初期，因此
评估机构认为资产基础法较收益法更具严谨性，更适用于北方微电子现阶段的企
业价值评估。
经评估，北方微电子股东全部权益在评估基准日 2015 年 11 月 30 日的市场价
值为 92,367.22 万元。
二、评估结论与账面价值比较变动情况及原因
在评估基准日 2015 年 11 月 30 日持续经营前提下，北方微电子经瑞华会计师
事务所（特殊普通合伙）审计后的总资产为 130,680.09 万元，总负债为 99,402.28 万
元，净资产为 31,277.81 万元；评估后的总资产为 172,842.37 万元，总负债为 80,475.15
万元，净资产为 92,367.22 万元，净资产评估增值 61,089.41 万元，增值率 195.31%。
其中：
1、流动资产增值 11,397.77 万元，主要为产成品增值所致；
2、固定资产评估增值为 7,764.16 万元，主要是机器设备增值所致；
3、无形资产评估增值为 23,000.35 万元，主要是土地使用权及技术性无形资产
增值所致；
4、递延收益减值 18,927.13 万元，主要是已形成资产对应的递延收益评估为零
所致。
评估结论详细情况见评估明细表。
三、评估结论成立的条件
评估结论系根据前述评估原则、依据、前提、方法、程序得出的，仅为本评
估目的服务；评估结论系对评估基准日北方微电子股东全部权益公允价值的反映，
只有在上述评估原则、依据、前提存在的条件下成立。评估人员在出具评估结论
时，没有考虑特殊的交易方可能追加付出的价格等对评估价格的影响，也未考虑
国家宏观经济政策发生重大变化以及遇有自然力或其他不可抗力的影响。评估结
北京亚超资产评估有限公司 第 169 页
说明七评估结论及分析
论是本评估机构出具的，受本机构评估人员的职业水平和能力的影响。
四、评估基准日的期后事项对评估结论的影响
1、发生评估基准日期后重大事项时，不能直接使用本评估结论。在本评估结
果有效期内若资产数量发生变化，应根据原评估方法对评估值进行相应调整。
2、在评估基准日期后，且评估结果有效期内若资产数量、价格标准发生变化
并对资产评估价格产生明显影响时，委托方应及时聘请评估机构重新确定评估值；
若资产价格的调整方法简单、易于操作时，可由委托方在资产实际作价时进行相
应调整。
五、评估结论的效力、使用范围与有效期
本评估结论系评估专业人员依据国家有关规定出具的意见，具有法律规定的
效力。
本评估结论仅供委托方为评估目的使用和送交财产评估主管机关审查使用。
本评估说明的使用权归委托方所有，未经委托方同意，不得向他人提供或公开。
根据国家现行规定，评估结论的使用有效期为一年，从评估基准日起计算。
当评估目的在有效期内实现时，要以评估结论作为参考依据（还需结合评估基准
日的期后事项的调整）。超过一年，需重新进行资产评估。
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