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公司公告

富满电子:关于对外投资的补充公告2020-09-29  

                        证券代码:300671         证券简称:富满电子          公告编号:2020-053

             深圳市富满电子集团股份有限公司
                     关于对外投资的补充公告
    本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚
假记载、误导性陈述或重大遗漏。

    2020 年 9 月 28 日,深圳市富满电子集团股份有限公司(以下简称“本公司”
或“公司”)与杭州灵芯微电子有限公司(以下简称“灵芯微电子”)在深圳签
署了《合作投资与经营 5G 项目协议》,共同出资 3,000 万元人民币设立上海赢
矽微电子有限公司(以下简称“项目公司或标的公司”,具体名称以市场监督管
理局核准为准)。其中,本公司出资 2,100 万元人民币,占注册资本的 70%;灵
芯微电子以知识产权作价出资 900 万元,占注册资本的 30%。关于本次对外投资
公司补充公告如下:

    一、 公司关于 5G 相关情况介绍

    公司于 2018 年开始 5G 相关芯片产品研发,并于 2019 年 2 月 12 日获得深圳
市科技创新委员会技术攻关项目“重 20180167       5G 终端的高效率、高线性射频
前端芯片关键技术研发”无偿资助 450 万元人民币,批复文号为:深科技创新
〔2019〕33 号及深科技创新计字〔2018〕13049 号,2019 年 3 月 18 日与深圳市
科技创新委员会签订了《深圳市科技计划项目合同书(无偿资助)》。

    2018 年 07 月,公司第一款 SPDT 开关 FM1630 研发成功,截止目前公司已研
发出 5G 相关芯片产品 16 款,并于 2019 年 11 月 1 日和 2019 年 11 月 8 日分别获
得集成电路布图登记证书 FM1630 和 FM3418。

    二、交易对手方介绍

    1、交易对方基本情况
      企业名称:杭州灵芯微电子有限公司
      法定代表人:陈磊
      统一社会信用代码:91330101MA2CFL6P3X
        企业类型:有限责任公司(自然人投资或控股)
        注册资本:1000 万人民币
        成立日期:2018 年 11 月 20 日
        注册地:浙江省杭州经济技术开发区 6 号大街 260 号 19 幢 1405 室
        经营范围:技术开发、技术服务、技术咨询、成果转让:电子产品、信息
技术、计算机软硬件、电子元器件、家用电器、集成电路、机电设备;批发、零
售:传感器及变送器、集成电路、电子元器件、计算机软硬件;货物或技术进出
口(国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外) 依法须经批准的项目,
经相关部门批准后方可开展经营活动)
      杭州灵芯微电子有限公司的控股股东、实际控制人为陈磊,股权结构如下:

序号         股东            股东类型     认缴出资金额(万元)   出资比例(%)
  1          陈磊            自然人股东          600.00              60.00

  2         马和良           自然人股东          300.00              30.00
  3         刘文俊           自然人股东          100.00              10.00
                    合计:                      1000.00             100.00



        2、交易对手简介
      灵芯微电子主营业务为集成电路的研发,设计,生产及销售。公司创始团队
在射频前端领域合计拥有数十年的研发经验,拥有业界领先的泛硅基射频集成技
术及 Sub 6GHz 技术,产品包括全系列射频 SW/ASW/SWAP/Apeture Tuner,业界
性价比最高的 PAM/FEM,泛在物联网 IoT 前端产品等。
      灵芯微在 2019 年已经通过 ISO9001 质量体系认证。
      3、交易对手法人/CTO 简介
      陈磊,微电子学与固体电子学博士,现任杭州灵芯微电子有限公司总经理、
CTO。
      曾在中国科学院上海高等研究院及国际知名射频芯片原厂工作,负责并参与
完成过国家核高基重大专项,上海市科委等十余项科研项目,总项目经费超过
5000 万元。已发表 SCI/EI 检索论文十余篇,均为第一作者。申请发明专利 40
余项,个人已授权专利十余项。
      10 年射频/模拟集成电路从业经验。在射频及模拟电路设计,产品开发和测
试验证方面具有深厚的经验,同时具备运营和市场产品规划经验。
      成功带领多条产品线完成量产,包括各种射频功放,开关,功率模组等,产
品应用领域包括手机通讯及网络通讯。
      多年的绝缘体上硅 SOI 射频电路设计经验,成功带领团队完成了应用于手机
通讯/网络通讯的 SP2T~SP16T SOI 开关设计,并完成了数亿颗的出货。
      在 SiGe BiCMOS 工艺(0.18um/0.35um)及 RF CMOS 工艺上
(0.18um/0.13um/90nm)带领团队成功量产经验,并在 GaAs HBT/pHEMT 的几乎所
有平台上完成产品设计。
        学术生涯里程碑:
        国内首篇以 SiGe BiCMOS 功放芯片作为主题的博士论文:Ph.D
Thesis”Key issues study on SiGe BiCMOS Power Amplifier design in
Multi-mode Multi-band Front-end Modules”          2011 。
        产业生涯里程碑:
        国内首颗 SiGe BiCMOS WiFi FEM 产品定义(2016)
        国内首颗 SP16T 开关( (IEEE MWCL, May 2014 )
        国内首颗 802.11ac PA 量产(2013)
        国内首条全系列 WiFi PA/SW 产品线(2011-2012)
        国内首条 SiGe BiCMOS 商用产线共同创立者(2009-2011)
        日本 IEICE 电子情报通信学会会员
        IEICE Electronics Society 审稿人
        IEEE Microwave and wireless Component Letter 审稿人

      个人授权专利(芯片相关)

序号            专利名称                  专利号             授权国别或组织

  1      一种绝缘体上硅工艺环形
                                     ZL201010122454.8            中国
                 振荡器
  2      一种基于绝缘体上硅工艺
                                     ZL200910197850.4            中国
             的 CMOS 射频开关
  3     一种 SiGe BiCMOS 全差分 E
                                     ZL200910197849.1            中国
              类功率放大器
  4        一种 0.8-2.1GHz SiGe
                                     ZL201010272606.2            中国
         BiCMOS 宽带低噪声放大器
  5     一种 5.5GHz SiGe BiCMOS AB
                                     ZL201010276619.7            中国
              类功率放大器
         一种锗化硅双极-互补金属
  6      氧化物半导体上变频混频     ZL201010281785.6              中国
                   器
         一种射频绝缘体上硅互补
  7      金属氧化物半导体低噪声     ZL201010530879.2              中国
                 放大器
  8      一种改进型双吉尔伯特结
                                    ZL201028531784.1              中国
           构射频正交上混频器
  9      可编程 CMOS 信号输出缓冲
                                    ZL200810037361.8              中国
                    器
 10            可编程增益放大器     ZL200810034629.2              中国


      4、公司核心股东简介
      马和良     硕士研究生学历,2009 年毕业于华东师范大学微电子专业,研究
方向为无线通讯中射频集成电路芯片设计。毕业后先后就职于上海镭芯微电子有
限公司和上海华虹集成电路有限责任公司,担任射频设计工程师、资深射频模拟
设计工程师以及项目经理。参与过国家核高基重大专项项目、上海市科委基金项
目、上海市战略性新兴产业发展专项、物联网发展专项资金项目等,积累了大项
目研发经验。同时参与了公司十余款量产芯片的研发,累计销售芯片超 3 亿颗,
具有丰富的芯片量产经验。
      刘文俊     硕士研究生学历,毕业于华中科技大学微电子专业。2007 至 2012
年任职于炬力集成电路设计有限公司,担任模拟电路设计工程师职位。2015 年
至今担任深圳市云矽半导体有限公司总经理。先后负责多媒体处理器 SOC 内部电
源模组的设计,PMU 芯片的设计。参与研究开发了多款大规模数模混合芯片,累
计量产数十亿颗。主要涉及领域:PMU、BUCK、BOOST、LDO、GPIO、OSC 等。

      二、 备查文件

      1、《深圳市科技计划项目合同书(无偿资助)》。

      2、集成电路布图登记证书 FM1630 和 FM3418。

      特此公告。

                                            深圳市富满电子集团股份有限公司

                                                         董事会

                                                   2020 年 9 月 29 日