关于富满微电子集团股份有限公司
申请向特定对象发行股票的审核问询函的
回复专项说明
信会师函字[2021]第 ZI109 号
关于富满微电子集团股份有限公司
申请向特定对象发行股票的审核问询函的
回复专项说明
信会师函字[2021]第 ZI109 号
深圳证券交易所：
根据贵所对富满微电子集团股份有限公司（以下简称“富满电子”、“发行人”、
“申请人”或“公司”）出具的 020123 号《关于富满微电子集团股份有限公司申请
向特定对象发行股票的审核问询函》（以下简称“问询函”）所列的问题，本所作
为富满微电子集团股份有限公司申报注册会计师，对问询函中涉及的会计与审计
问题进行了逐项核查与落实。
现就问询函中涉及问题的核查和落实情况逐条说明如下，以下回复中若出现
各分项数值之和与总数尾数不符的情况，均为四舍五入原因造成；以下回复中出
现的 2021 年财务数据未经审计。
问题 1
发行人采用 Fabless 的经营模式，主营业务为高性能模拟及数模混合集成电
路的设计研发、封装、测试和销售，2020 年发行人 LED 控制及驱动类芯片和电
源管理类芯片占营收比重分别为 46.67%和 34.96%。发行人本次拟使用募集资
金 5 亿元用于 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目（以下简
称“芯片建设项目”），该项目用于扩大生产规模，其中建筑工程费 2.5 亿元，设
备购置费 2.5 亿元。发行人首发募投 LED 控制及电源管理集成电路产品生产建
设项目已于 2018 年 6 月投产，前次再融资募投功率半导体器件、LED 控制及驱
动类产品智能化生产建设项目（以下简称“智能化生产项目”）、LED 控制及驱动
类、电源管理类产品生产建设项目（以下简称“产品建设项目”）将于 2021 年 7
月投产。
请发行人补充说明：（1）使用简明清晰、通俗易懂的语言说明本次募投芯
2-1
片建设项目主要产品、技术路线、生产工艺、设备采购情况，是否涉及芯片的
生产，如涉及，是否将改变目前公司采用的 Fabless 经营模式；本次募投项目与
首发募投和前次再融资募投项目的区别与联系，在前次再融资募投项目尚未完
全达产的情况下，进一步扩产的必要性；（2）说明前次再融资募投智能化生产
项目、产品建设项目最新建设进度情况，是否能如期投产，如否，请说明导致
其不能如期投产的因素对本次募投可能产生的影响；（3）说明本次芯片建设项
目中，5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片分别预计实现的新增产能情况，
结合主营业务 LED 芯片及电源管理芯片的收入占比及现有产能情况，说明本次
三类芯片新增产能设计的合理性；（4）说明 5G 射频芯片与公司主要产品生产工
艺的区别与联系，结合行业增长趋势，产业政策变化，报告期销售及产能消化
情况，人员及技术储备，市场竞争情况，在手订单情况等，说明 5G 射频芯片新
增产能的消化措施；（5）结合 LED 芯片、电源管理芯片的行业增长趋势，产业
政策变化，目前现有业务开展及产能消化情况，前募新增产能情况，人员及技
术储备，市场竞争情况，在手订单情况等，说明 LED 芯片、电源管理芯片新增
产能的消化措施；（6）结合新增折旧金额及占比测算情况，说明新增资产未来
折旧预计对公司业绩的影响。
请发行人补充披露（2）（3）（4）（5）（6）中可能存在的风险。
请保荐人和会计师核查并发表明确意见。
【公司回复】
一、使用简明清晰、通俗易懂的语言说明本次募投芯片建设项目主要产品、
技术路线、生产工艺、设备采购情况，是否涉及芯片的生产，如涉及，是否将
改变目前公司采用的 Fabless 经营模式；本次募投项目与首发募投和前次再融资
募投项目的区别与联系，在前次再融资募投项目尚未完全达产的情况下，进一
步扩产的必要性
（一）本次募投芯片建设项目主要产品、技术路线、生产工艺、设备采购
情况说明
1、主要产品
2-2
本次向特定对象发行拟使用募集资金 50,000.00 万元投资建设“5G 射频芯片、
LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目”。涉及的主要产品为 5G 前端射频芯片、
LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片。
2、技术路线和生产工艺
本次芯片建设项目的产品生产的技术路线按照生产工序的先后可分为芯片设
计、晶圆制造、芯片加工以及封装测试。本次主要产品在以上环节使用的技术路线
/生产工艺如下表所示：
产品种类 芯片设计阶段 晶圆制造阶段 芯片制造阶段 封装阶段
高频率产品：多模多频，异质结 硅基器件：采用绝缘体
构的设计方案 上硅 SOI 工艺； QFN 封装（即
8 英寸晶圆逐步转至 12
5G 射频芯片 低频率产品：设计重点更集中于 化合物半导体器件：采 方形扁平无引
英寸晶圆
芯片中各分立器件的设计方案， 用砷化镓 GaAs HBT 工 脚封装）
对芯片整合设计的要求相对较低 艺，phemt 工艺等
根据应用场景
8 英寸晶圆+0.13 微米线
LED 控制及驱 通过优化线路设计，做到降低供 CMOS（互补金属氧化 不同，采用 SOP
宽与 12 英寸晶圆+0.11
动芯片 电电压的同时，提升电流精度 物半导体）工艺 封装或 QFN 封
微米线宽相结合
装
8 英寸晶圆+0.18 微米线
低功率产品：采用反激架构； BCD（bipolar CMOS SOP 封装（即小
电源管理芯片 宽逐渐转向 12 英寸晶
高功率产品：采用 LLC 架构 DMOS）工艺 外形封装）
圆+0.15 微米线宽
本次募投芯片建设项目所涉 5G 射频芯片，在芯片设计上，根据终端对 5G 射
频频段等指标需求的不同，公司采取具有针对性的设计方案：如针对高频率产品，
采用多模多频（多个模式、多个频率），异质结构的设计方案，以提高芯片封装整
合能力，提高封装一体化程度，获得更高的工作效率；针对低频率产品，根据芯片
功能的要求，设计重点更集中于芯片中各分立器件的设计方案，对芯片整合设计的
要求相对较低；在晶圆制造上，公司目前采用 8 英寸晶圆技术路线，未来将逐步转
移至 12 英寸技术路线；在芯片加工上，根据芯片中各分立器件使用半导体基底的
要求不同，各部分采用针对性的加工工艺：如硅基器件采用绝缘体上硅 SOI 工艺，
化合物半导体器件采用砷化镓 GaAs HBT 工艺，phemt 工艺等；在封装工艺上，采
2-3
用 QFN 封装（Quad Flat No-leads Package，方形扁平无引脚封装，下同）工艺，QFN
封装更适用于表面贴装封装的应用场景，无引脚焊盘的设计使其占有更小的 PCB
板面积，组件较薄，可满足对空间有严格要求的应用场景。
本次募投芯片建设项目所涉 LED 控制及驱动芯片，在芯片设计上通过优化线
路设计，做到降低供电电压的同时，提升电流精度，以此达到节能、高精度的设计
目标；在晶圆及芯片制造上，将采用 8 英寸晶圆+0.13 微米线宽与 12 英寸晶圆+0.11
微米线宽的技术路线相结合的方式外协生产晶圆和芯片。随着公司产线、技术的迭
代升级，晶圆及芯片制造将完全替换成利润率更高、集成度更高的 12 英寸+0.11 微
米线宽的技术路线，芯片制造的工艺将采用 CMOS 工艺（即 Complementary Metal
Oxide Semiconductor（互补金属氧化物半导体）工艺）此种工艺生产的 LED 控制及
驱动芯片功耗低、运算速度快、抗干扰能力强；在封装工艺上，将根据应用场景不
同，采用 SOP 封装（即 Small Out-Line Package 小外形封装，下同）或 QFN 封装，
其中 SOP 封装的典型特点是在封装芯片的周围做出很多引脚，封装操作方便，可
靠性比较高，是 LED 控制及驱动芯片、电源管理芯片的主流封装方式之一。
本次募投芯片建设项目所涉电源管理芯片，在芯片设计上，根据终端产品的功
率不同，将采用不同技术路线和生产工艺。对于低功率产品，公司拟采用反激架构
进行芯片设计，此种路线电路结构相对简单，输出电压调整方便。对于高功率产品，
公司拟采用 LLC 架构进行芯片设计，此种设计功率转换效率高、电能损耗小、能
减少开关损耗；在芯片制造上，采用 8 英寸晶圆+0.18 微米线宽的技术路线，随着
公司产线、技术的迭代升级，将开始采用 12 英寸晶圆+0.15 微米线宽技术路线，芯
片制造的工艺将采用 BCD 工艺（即 bipolar CMOS DMOS 的简称，是一种能在同一
芯片上制作双极管 bipolar、CMOS 和 DMOS 器件的工艺），此工艺耐受电压阈值高，
可以有效提升芯片的可靠性，同时提高芯片的电路密度；在封装工艺上，将采用市
场主流的 SOP 封装。
3、设备采购
2-4
设备采购上，本次募投芯片建设项目将采购用于封装测试的设备，如粘片机、
焊线机、测试机+转塔分选机、高/低倍显微镜等。为保证募投项目产品质量，公司
拟采购的设备基本来自业内有质量保障的知名品牌，如 ASM、K&S、华越等。
（二）本次芯片建设项目不改变公司原有的经营模式，不涉及芯片的生产
本次芯片建设项目的生产、经营模式为：公司自主把控芯片设计和封装测试环
节，不涉及晶圆制造以及芯片生产环节。公司目前的生产经营模式为：在主要原材
料晶圆采购上，采用 Fabless 的经营模式，即公司自身不从事晶圆的制造生产，晶
圆主要向晶圆代工厂进行采购。在整体生产流程上，公司基于 Fabless 模式，适当
向下游延伸，自建了封装测试生产线。从产业链的角度来看，公司掌握了 IC 设计、
封装生产等技术水平要求较高的重要环节。综上，本次芯片建设项目不会改变公司
原有的经营模式，不涉及芯片的生产。
（三）本次募投项目与首发募投和前次再融资募投项目的区别与联系
本次募投项目、首发募投项目与前次再融资募投项目的所涉产品说明列表如下：
涉及产品情况
产品种类
本次募投项目产品 前次再融资募投项目产品 首发募投项目产品
5G 射频芯片 √ × ×
LED 控制及驱动芯片 √ √ √
电源管理芯片 √ √ √
如上表所述，本次募投项目涉及三类产品。其中 5G 射频芯片为公司基于 4G
射频芯片推出的新一代产品，该产品 2020 年度已实现部分量产，前次再融资募投
项目以及首发募投项目均不涉及；关于 LED 控制及驱动芯片，本次募投的产品为
小间距/Mini LED 控制及驱动芯片，是公司在现有技术、产品基础上的新一代产品，
相较于前两次募投对应产品，本次募投的 LED 芯片控制的 LED 灯珠间距更小，应
用于更高性能的 LED 显示领域；本次募投项目涉及的电源管理芯片属于对公司已
有产品（包括首发募投项目以及前次再融资项目涉及的电源管理芯片）的扩产。
2-5
（四）在前次再融资募投项目尚未完全达产的情况下，进一步扩产的必要
性
1、本次芯片建设项目所涉产品市场广阔，公司需及时扩产以满足市场需求
1）5G 射频市场前景广阔，公司需抢占市场先机
本次发行募投项目涉及 5G 射频芯片研发、生产。根据 Yole 行业研究预测，
2023 年射频前端的全球市场规模将达到 341 亿美元，相较 2017 年 147 亿美元增
长约 130%，年复合增速高达约 14%，行业整体发展空间巨大。
智能手机等移动终端是目前射频前端芯片最主要的应用领域，随着 5G 通讯
的普及，单机射频开关的需求也会增加，预计 5G 手机的单机射频开关的用量为
15 个，比 4G 手机多出一倍。根据 IDC 数据统计，2020 年全球智能手机出货量
达 12.94 亿台，中国智能手机出货量 3.26 亿台，中国智能手机出货量占全球份额
为 25.17%，为全球出货量最大的国家。考虑到中美贸易环境的不确定性，国产
射频芯片替代的趋势愈发强劲，国内大量的射频前端芯片需求将会给公司 5G 射
频芯片产品产能消化带来机遇。
公司近年在 5G 通信、射频芯片领域积累多年，现 5G 通信、智能手机市场
蓬勃发展，结合公司开发新产品，寻找新业务增长点的战略，本次融资具有必要
性和合理性。
2）进口替代为电源管理芯片行业新一轮增长点
受益于国内家用电器和消费电子类产品的持续增长，近年来中国电源管理芯
片市场保持快速增长。在国内电源管理芯片市场，TI、MPS、PI 等海外厂商所占
比例超过 80%。但电源管理芯片同步电子产品技术和应用领域升级，产品种类繁
多，导致行业集中度较低，这给予国内企业进入的空间和机会。近年来，国产电
源管理芯片企业加快发展，不断扩大市场份额。在全球电源管理芯片的市场份额
方面，欧美国际厂商基本垄断，前五大供应商占据 71%市场份额。目前随着国内
公司技术的快速发展，其部分产品已经比肩国际，技术差距正持续拉近，未来有
望逐步实现电源管理芯片的进口替代。
2-6
3）LED 点间距缩小使先进控制芯片需求增加
根据知名研究机构 LED inside 的数据，2019 年全球 LED 显示市场规模达到
66.54 亿美元，同比增长 12%。随着小间距 LED、Mini LED 和 Micro LED 等新
兴应用的逐步落地，LED 显示市场有望保持持续增长，预计到 2022 年全球 LED
显示市场规模将达到 93.5 亿美元，2019-2022 年的 CAGR 达 12%。在趋近成熟
的 LED 显示产业中，小间距 LED 是增速最高的领域之一。小间距 LED 具有无
缝拼接、高亮度和使用寿命长等优势，且近年来成本下降较快。按照像素点间距
的由大到小，LED 产品可分为小间距 LED、Mini LED 和 Micro LED。根据
Ledinside 数据显示，小间距市场将在 2024 年有望达到 97 亿美金市场规模，复
合增速达 30-35%，而其中 Mini LED 有望达到 50-60 亿美元市场。
国内小间距 LED 市场同样发展迅速。根据立鼎产业研究院的数据，2019 年，
国内小间距 LED 显示屏市场规模为 125 亿元，同比增长达 47.1%；2020 年，国
内小间距 LED 显示屏市场规模有望达 177 亿元，同比增长 41.6%，市场空间快
速增长。本次募投项目投产和研发的项目为点间距较小的小间距 LED 和 Mini
LED 芯片，以上产品将迎来广阔市场前景。
2、前次再融资募投项目已开始投产的前提下，公司产能依旧紧张
截至 2021 年 3 月 31 日，公司前次再融资募投项目“功率半导体器件、LED 控
制及驱动类产品智能化生产建设项目”、“LED 控制及驱动类、电源管理类产品生产
建设项目”已实现部分效益，具体效益实现情况如下表：
2021 年一
2021 年一季度实 2021 年度承诺 2020 年度实现 2020 年度承诺
项目 季度承诺效
现效益（万元） 效益（万元） 效益（万元） 效益完成比例
益完成比例
功率半导体器件、LED
控制及驱动类产品智能 1,190.17 2,924.87 40.69% 1,971.66 不适用
化生产建设项目
LED 控制及驱动类、电
源管理类产品生产建设 1,177.24 1,409.35 83.53% 1,130.78 不适用
项目
2-7
注：由于上述募投项目 2020 年度均处于建设期，故 2020 年度不适用承诺效益指标。
2021 年一季度分别实现效益 1,190.17 万元及 1,177.24 万元，分别占各项目 2021
年度承诺效益的 40.69%和 83.53%。
在公司目前整体产能已包含前次再融资募投项目部分产能的情形下，公司的产
能依旧紧张。报告期内，公司整体产量、产能情况以及电源管理芯片、LED 控制及
驱动芯片的产量、产能情况如下表所示：
产品类别 指标 2021 年一季度 2020 年度 2019 年度 2018 年度
产能（万颗） 52,551.06 225,567.05 161,890.41 135,062.85
电源管理类芯片 产量（万颗） 60,090.35 208,518.25 168,180.16 134,574.62
产能利用率 114.35% 92.44% 103.89% 99.64%
产能（万颗） 75,311.90 276,703.04 241,422.41 192,940.12
LED 控制及驱动
产量（万颗） 82,116.97 301,544.06 243,561.01 187,241.41
类芯片
产能利用率 109.04% 108.98% 100.89% 97.05%
产能（万颗） 217,453.20 664,893.00 543,722.82 494,000.01
公司全部产品 产量（万颗） 218,911.32 649,493.74 538,344.67 451,374.52
产能利用率 100.67% 97.68% 99.01% 91.37%
注：产能利用率=产量/产能
从上表可知，报告期内，公司产能利用率持续饱和，2021 年一季度电源管理芯
片、LED 控制及驱动类芯片以及公司全部产品的产能利用率分别为 114.35%、109.04%
和 100.67%。结合本次芯片建设项目涉及产品细分市场未来良好的发展前景，公司
进一步扩产具有必要性。
二、前次再融资募投智能化生产项目、产品建设项目已实现部分效益，建
设情况正常，预计能如期达产
根据立信会计师事务所（特殊普通合伙）出具的信会师报字[2021]第 ZI10007
号《前次募集资金使用情况鉴证报告》以及对发行人相关负责人员的访谈，前次再
融资募投智能化生产项目、产品建设项目建设情况正常，均完成部分投产，预计将
如期达到满产状态。2020 年度和 2021 年一季度前次再融资募投项目已实现效益情
况如下表所示：
2-8
2021 年一季
2021 年度承诺 2021 年一季度承 2020 年度实现 2020 年度承诺
项目 度实现效益
效益（万元） 诺效益完成比例 效益（万元） 效益完成比例
（万元）
功率半导体器件、
LED 控制及驱动类
1,190.17 2,924.87 40.69% 1,971.66 不适用
产品智能化生产建
设项目
LED 控制及驱动类、
电源管理类产品生 1,177.24 1,409.35 83.53% 1,130.78 不适用
产建设项目
注：由于上述募投项目 2020 年度均处于建设期，故 2020 年度不适用承诺效益指标。
综上，前次再融资募投智能化生产项目、产品建设项目最新建设情况正常且已
开始投产，2021 年一季度功率半导体器件、LED 控制及驱动类产品智能化生产建
设项目及 LED 控制及驱动类、电源管理类产品生产建设项目已完成承诺 2021 年承
诺效益的比例分别为 40.69%及 85.53%，前次再融资募投项目预计可以如期达到满
产状态。
三、说明本次芯片建设项目中，5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片分
别预计实现的新增产能情况，结合主营业务 LED 芯片及电源管理芯片的收入占
比及现有产能情况，说明本次三类芯片新增产能设计的合理性
本次芯片建设项目所涉产品的设计产能情况如下表：
序号 产品名称 设计产能（万颗）
1 5G 射频芯片 95,000.00
2 LED 控制及驱动芯片 190,000.00
3 电源管理芯片 100,000.00
（一）LED 芯片和电源管理芯片是公司主要收入来源
报告期内，公司分别实现营业总收入 49,668.87 万元、59,822.44 万元、83,624.70
万元和 26,604.83 万元，收入分产品构成情况如下表所示：
2-9
单位：万元，%
2021 年一季度 2020 年度 2019 年度 2018 年度
项目
金额 占比 金额 占比 金额 占比 金额 占比
电源管理类芯片 9,557.99 35.93 29,232.85 34.96 17,266.49 28.86 11,352.36 22.86
LED 控制及驱动
12,404.07 46.62 39,029.79 46.67 29,227.17 48.86 22,241.99 44.78
类芯片
MOSFET 类 1,364.64 5.13 5,471.74 6.54 7,527.31 12.58 10,029.83 20.19
其他 3,278.11 12.32 9,890.32 11.83 5801.47 9.70 6,044.69 12.17
合计 26,604.83 100.00 83,624.70 100.00 59,822.44 100.00 49,668.87 100.00
由上表可知，最近三年及一期，LED 控制及驱动类芯片的销售收入占营业收入
的比例分别为 44.78%、48.86%、46.67%和 46.62%；电源管理芯片销售收入占营业
收入的比例分别为 22.86%、28.86%、34.96%和 35.93%，LED 控制及驱动类芯片、
电源管理芯片是公司收入的主要来源。
（二）LED 控制及驱动芯片、电源管理芯片产能紧张
报告期内，公司 LED 控制及驱动类芯片、电源管理芯片以及公司整体的产能
情况均较为紧张，产能情况具体如下：
产品类别 指标 2021 年一季度 2020 年度 2019 年度 2018 年度
产能（万颗） 52,551.06 225,567.05 161,890.41 135,062.85
电源管理类芯片 产量（万颗） 60,090.35 208,518.25 168,180.16 134,574.62
产能利用率 114.35% 92.44% 103.89% 99.64%
产能（万颗） 75,311.90 276,703.04 241,422.41 192,940.12
LED 控制及驱动类芯片 产量（万颗） 82,116.97 301,544.06 243,561.01 187,241.41
产能利用率 109.04% 108.98% 100.89% 97.05%
产能（万颗） 217,453.20 664,893.00 543,722.82 494,000.01
公司全部产品 产量（万颗） 218,911.32 649,493.74 538,344.67 451,374.52
产能利用率 100.67% 97.68% 99.01% 91.37%
如上表所述， 2021 年一季度，电源管理芯片、LED 控制及驱动类芯片的产能
利用率分别为 114.35%、109.04%，以上产品的生产均达到饱和，亟需扩产以满足
日渐增长的订单需求。
如下表所示，本次芯片建设项目电源管理芯片、LED 控制及驱动类芯片的设计
产能占 2020 年度对应产品产能比例分别为 44.33%和 68.67%，相关产品新增的产能
2-10
设计符合公司业务规划和当前快速增长的订单需求，预计能有效缓解当前产能紧张
程度，新增产能设计处于合理区间。
单位：万颗
2020 年度产能 2019 年度 2018 年度 本次募投设计 设计产能占 2020 年
产品类别
（A） 产能 产能 产能（B） 度产能比例（B/A）
电源管理类芯片 225,567.05 161,890.41 135,062.85 100,000.00 44.33%
LED 控制及驱动类芯片 276,703.04 241,422.41 192,940.12 190,000.00 68.67%
综上，本次芯片建设项目所涉电源管理芯片、LED 控制及驱动类芯片产品的产
能设计具有合理性。
（三）5G 射频芯片行业前景良好，技术人员储备充分，销售增长迅速，公
司扩产规模具有合理性
根据 Yole 行业研究预测，2023 年射频前端的全球市场规模将达到 341 亿美
元，相较 2017 年 147 亿美元增长约 130%，年复合增速高达约 14%，行业整体
发展空间巨大。
公司为 5G 射频芯片的量产建设了一支研发、生产经验丰富的团队，其中团队
负责人拥有 10 年射频/模拟集成电路从业经验。已发表 SCI/EI 检索论文十余篇，均
为第一作者。个人已授权专利十余项，并正在办理将 5G 射频的相关专利转移至公
司用于本次募投项目的相关手续。
公司于 2019 年 2 月获得深圳市科技创新委员会技术攻关项目“重 20180167 5G
终端的高效率、高线性射频前端芯片关键技术研发”无偿资助 450 万元人民币，批
复文号为：深科技创新〔2019〕33 号及深科技创新计字〔2018〕13049 号。2019
年 3 月，公司与深圳市科技创新委员会签订了《深圳市科技计划项目合同书（无偿
资助）》。
在公司的持续研发下，5G 射频芯片的销售取得了快速增长，公司 2020 年第二
季度开始量产销售 5G 射频芯片，销量为 418.31 万颗，因 2020 年二、三季度以各
2-11
型号新品试生产、送样为主，因此销售规模较小且有所波动，到 2020 年四季度，
公司 5G 射频芯片量产订单逐渐稳定，销量提升幅度较大。到 2021 年一季度，销量
达到1,668.65 万颗，销量稳步提升，相比 2020 年二季度，季度复合增长率达 58.60%。
发行人 5G 射频芯片具体销售情况见下表：
单位：万颗，%
时间 2021Q1 2020Q4 2020Q3 2020Q2 2020Q1
指标 销量 环比增速 销量 环比增速 销量 环比增速 销量 环比增速 销量
1,668.65 21.91% 1,368.77 499.33% 228.38 -45.40% 418.31 - 0
随着公司 5G 射频芯片产品销售的增长，公司相关产能逐渐不能满足下游需求，
因此本次募投项目设计 9.5 亿颗 5G 射频芯片新增产能具有合理性。
四、说明 5G 射频芯片与公司主要产品生产工艺的区别与联系，结合行业增
长趋势，产业政策变化，报告期销售及产能消化情况，人员及技术储备，市场
竞争情况，在手订单情况等，说明 5G 射频芯片新增产能的消化措施
（一）5G 射频芯片与公司主要产品生产工艺的区别与联系
生产环节 5G 射频芯片 LED 控制及驱动芯片 电源管理芯片
绝缘体上硅 SOI 工艺，砷化镓
晶圆、芯片制造 CMOS 工艺 BCD 工艺
GaAs HBT 工艺，phemt 工艺
SOP 封装或 QFN 封装，尺寸一般 SOP 封装，尺寸一般大于
QFN 封 装 ， 尺 寸 一 般 小 于
封装 大于 4mm*4mm，大于 5G 射频芯 3mm*3mm，大于 5G 射频芯
2mm*2mm
片封装尺寸 片封装尺寸
公司目前的主营业务为高性能模拟及数模混合集成电路的设计研发、封装、测
试和销售，主要产品包括电源管理、LED 控制及驱动、MOSFET、MCU、非易失
性存储器、RFID、射频前端以及各类 ASIC（Application Specific Integrated Circuit，
即专用集成电路）等芯片。5G 射频芯片作为公司产品的一种，在生产技术路线上，
与公司其他集成电路产品类似，均需要经历芯片设计（包括单元结构电路设计、单
元板图设计、芯片版图设计等），晶圆制造、芯片流片、封装测试等生产环节。
根据产品种类，功能要求的不同，在主要生产工艺环节，5G 射频芯片的工艺
2-12
与公司其他主要产品的要求有所区别，具体如下：
晶圆生产上，公司 5G 射频芯片产品所需基本晶圆都为特种工艺，根据半导体
基底材料选择的不同，包括绝缘体上硅 SOI 工艺，砷化镓 GaAs HBT 工艺，phemt
工艺等；公司 LED 控制及驱动芯片产品主要采用 CMOS 工艺；公司电源管理芯片
主要采用 BCD 工艺。
封装工艺上，公司 5G 射频芯片与其他主要产品的区别主要体现在封装外廓尺
寸，公司的 5G 射频芯片产品尺寸基本都小于 2mm*2mm，LED 控制及驱动芯片、
电源管理芯片封装尺寸相比 5G 射频芯片封装尺寸更大，公司的 LED 控制及驱动芯
片封装主要使用 4mm*4mm、8.6mm*4mm 等尺寸，电源管理芯片封装主要使用
5mm*6mm、3mm*3mm 等尺寸。
（二）5G 射频芯片新增产能的消化措施
1、5G 射频芯片所涉行业市场空间广阔
根据 Yole 行业研究预测，2023 年射频前端的全球市场规模将达到 341 亿美
元，相较 2017 年 147 亿美元增长约 130%，年复合增速高达约 14%，行业整体
发展空间巨大。
5G 射频芯片重要的应用领域之一为智能手机。根据 IDC 数据统计，2020 年
全球智能手机出货量达 12.94 亿台，中国智能手机出货量 3.26 亿台，中国智能手
机出货量占全球份额为 25.17%，为全球出货量最大的国家。结合射频业界巨头
Skyworks 的估计，5G 手机的射频前端零件将大幅增加，预计 5G 手机的单机射
频开关的用量为 15 个，比 4G 手机多出一倍，天线、PA、射频开关、LNA 等射
频器也几乎成倍增加，国内大量的射频前端芯片国产替代将成为公司 5G 射频芯
片销量的重要增长点，有助于产能消化。
2、行业政策利好 5G 射频芯片相关行业发展
2-13
近年来，国家以及行业主管部门政策大力支持 5G 通信行业发展，出台了一系
列支持政策如下表所示：
序号 产业政策 发布时间 主管部门 主要相关内容
指出构建基于 5G 的应用场景和产业生态，在智能交通、智慧能
1 《十四五纲要》 2021 年 国务院
源等重点领域开展试点示范
《基础电子元器件产 明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源
2 业发展行动计划 2021 年 工业和信息化部 汽车等重点市场，推动基础电子元器件产业实现突破，并增强关
（2021-2023 年）》 键材料、设备仪器等供应链保障能力
提出了扩大战略性新兴产业投资、培育壮大新增长点增长极的 20
《关于扩大战略性新
国家发展改革委、 个重点方向和支持政策。重点提出加快新一代信息技术产业提质
兴产业投资培育壮大 2020 年 9
3 科技部、工业和信 增效。加大 5G 建设投资，加快 5G 商用发展步伐，将各级政府
新增长点增长极的指 月 23 日
息化部、财政部 机关、企事业单位、公共机构优先向基站建设开放，研究推动将
导意见》
5G 基站纳入商业楼宇、居民住宅建设规范
明确提出到 2022 年，“突破一批面向工业互联网特定需求的 5G
关键技术”、“打造 5 个产业公共服务平台”、“内网建设改造覆盖
《“5G+工业互联
10 个重点行业”、“形成至少 20 大典型工业应用场景”、“培育形
4 网”512 工程推进方 2019 年 工信部
成 5G 与工业互联网融合叠加、互促共进、倍增发展的创新态势”
案》
等目标，该《方案》的印发表示工业互联网已成为 5G 发展的优
先方向之一，并拥有专属的推进工程
宣布“十三五”期间国家科技重大专项 03 专项“新一代宽带无线移
“新一代宽带无线移
动通信网”将延续，并转为以 5G 为重点，以运营商应用为龙头带
5 动通信网”重大专项 2017 年 科技部
动整个产业链各环节的发展，争取 5G 时代中国在移动通信领域
新闻发布会
成为全球领跑者之一
在宏观政策支持的基础上，深圳市作为改革开放的中心城市之一，科技创新型
企业的集中地，针对 5G 产业也推出了配套政策。2021 年 5 月 17 日，深圳市工业
和信息化局发布了《深圳市加快推进 5G 全产业链高质量发展若干措施（公开征求
意见稿）》，从扩大 5G 产业规模、推动 5G 产业链强链补链、构建良好 5G 产业生态
体系、打造 5G 行业应用样板城市等战略层面推出一系列针对 5G 行业的具体补贴
政策，现将政策文件部分内容总结如下：
战略层面目标 具体补贴层面 政策具体内容
支持和引进符合条件的 5G 产业上下游企业来深上市，通过发行股票、债券等多种方
建立健全 5G 产业链发 加大资金保障
式筹集资金；连续 5 年每年投入 10 亿元用于支持我市 5G 产业发展；支持社会资本发
展长效保障机制 力度
起设立 100 亿规模 5G 产业发展基金
鼓励 5G 企业加 对 5G 企业新增在深投资额达人民币 1 亿元以上的项目，按项目首年度实际投资额的
扩大 5G 产业规模 大在深投入 10%给予奖励，最高奖励 1000 万元
鼓励企业参加 对本地企业生产的小基站和微基站、高端光通信产品、网络产品等 5G 核心设备和应
2-14
战略层面目标 具体补贴层面 政策具体内容
电信运营商集 用场景首次进入电信企业集中采购名录，且年度销售金额达到 5000 万元的，给予一
中采购 次性 500 万元的资助
鼓励企业围绕基站射频芯片等 5G 关键元器件和芯片开展技术攻关，支持企业参与 5G
推动 5G 产业链强链补 重点突破 5G 网 网络设备芯片技术攻关项目，资助金额分别最高不超过 3000 万元。对年度销售额 1
链 络设备芯片 亿元以上的 5G 终端（整机）企业采购我市 5G 芯片的，对该型号 5G 芯片的首批订单，
按采购成本的 40%给予 5G 终端（整机）企业补贴，最高不超过 500 万元
搭建 5G 产业支 重点培育深圳未来通信中高频器件制造业创新中心等一系列科研院所，支持 5G 龙头
撑平台 企业联合上下游供应商、科研院所等社会力量建立共性技术研发平台
构建良好 5G 产业生态
加快推动行业
体系 对相关企业主导国际标准、国家标准制定的，分别给予不超过 100 万、50 万资助；对
规范和标准制
参与国际标准、国家标准制定的，分别给予最高不超过 50 万、25 万资助
定
鼓励各垂直行
打造 5G 行业应用样板
业探索 5G+行 每年认定一批行业标杆示范项目，按项目总投资的 50%给予资助，最高 1000 万元
城市
业新模式
综上，从中央到地方，各级政策从技术突破、行业标准制定、完善产业链、招
商引资、补贴优惠等各方面制定政策，保障 5G 行业长期快速发展，公司的 5G 射
频芯片产能消化有较充分的政策支持。
3、报告期 5G 射频芯片已完成部分型号量产出货，销售情况良好，正积极导入
知名客户
2020 年，公司 5G 射频芯片部分型号产品开始实现量产，2020 年度和 2021 年
1-3 月分别实现 5G 射频芯片销售 2,015.45 万颗和 1,668.65 万颗；同期公司生产入库
的 5G 射频芯片数量分别为 1,716.45 万颗和 916.27 万颗。因公司目前 5G 射频芯片
产能不能完全满足市场需求，现阶段销量与产量的缺口由委外生产填补（即公司自
主研发 5G 射频芯片产品，封装测试由外部厂商完成）。公司 5G 射频芯片具体产、
销情况如下表所示：
单位：万颗
报告期 产量 销量 销量/产量
2020 年度 1,716.45 2,015.45 1.17
2021 年一季度 916.27 1,668.65 1.82
根据对 5G 射频芯片研发负责人员的访谈，公司正积极拓展产品销售渠道，目
2-15
前已通过经销商向上市公司美格智能批量供应 5G 射频芯片。
综上，现阶段公司正积极拓展 5G 射频芯片下游渠道，并取得一定进展，预计
本次募投项目达产时，有充分的产能消耗途径。
4、5G 射频芯片研发团队人才储备充分，技术积累成熟
公司重视本次芯片建设项目中 5G 射频芯片产品线的建设，为保证项目的顺利
实施，建设了一支在 5G 射频芯片领域具有多年研发、设计和制造经验的团队，研
发团队在射频前端领域合计拥有数十年的研发经验，拥有业界领先的泛硅基射频集
成技术及 Sub 6GHz 技术，产品包括全系列射频 SW/ASW/SWAP/Apeture Tuner，业
界性价比最高的 PAM/FEM，泛在物联网 IoT 前端产品等。
研发团队总负责人为微电子学与固体电子学博士，曾在中国科学院上海高等研
究院及国际知名射频芯片原厂工作，负责并参与完成过国家核高基重大专项，上海
市科委等十余项科研项目，总项目经费超过 5,000 万元，已发表 SCI/EI 检索论文十
余篇，均为第一作者，并申请发明专利 40 余项，个人已授权专利十余项，具有 10
年射频/模拟集成电路从业经验，在射频及模拟电路设计、产品开发和测试验证方面
具有深厚的经验，同时具备运营和市场产品规划经验，已成功带领多条产品线完成
量产。
技术储备上，公司于 2019 年 2 月获得深圳市科技创新委员会技术攻关项目“重
20180167 5G 终端的高效率、高线性射频前端芯片关键技术研发”无偿资助 450 万
元人民币，批复文号为“深科技创新〔2019〕33 号及深科技创新计字〔2018〕13049
号”。2019 年 3 月，公司与深圳市科技创新委员会签订了《深圳市科技计划项目合
同书（无偿资助）》。
除积极争取 5G 射频技术研发补助外，公司 5G 射频芯片研发总负责人正在导
入 5G 通信和射频领域相关的发明专利、实用新型各 5 项至发行人体系内，用于研
发本次募投项目的 5G 射频芯片，公司正在办理相关知识产权变更相关手续。
2-16
综上，在 5G 射频芯片研发方面，公司具有坚实的技术和研发基础、较强的产
品设计能力、成熟的封装测试工艺，将为本次 5G 射频芯片产品的研发、生产和市
场开拓提供有力的品质保证，相关产能预计能有效消化。
5、市场竞争上，射频前端市场外企垄断程度高，国产替代有助产能消化
目前，全球射频前端芯片市场集中度较高，根据 Yole Development 数据，前四
大厂商 Skyworks、Qorvo、博通、村田占据全球超过 85%的市场份额。各细分市场
的竞争格局略有不同，日本企业优势在于 SAW 滤波器，美国企业在 BAW 滤波器、
PA、开关及 LNA 市场占据明显优势。总体来看，中国射频芯片产业仍然较为薄弱，
尽管在某些产品或细分市场有卓胜微等国内企业有所突破，但是整体与国际巨头相
差较大。在当前国产替代趋势下，随着 5G 建设与商用逐步推广，国内射频类企业
将迎来巨大发展空间。根据 Yole 行业研究预测，2023 年射频前端的全球市场规模
将达到 341 亿美元，相较 2017 年 147 亿美元增长约 130%，年复合增速约 14%。相
较于全球市场预计增长情况，国内 5G 射频行业产业链相关厂商生产增速更快，卓
胜微、顺络电子、硕贝德 2018-2020 年度总产量的年均复合增长率分别为 75.52%、
20.16%和 14.58%，国产替代可能性较大。
单位：亿颗
年份 2020 年度 2019 年度 2018 年度 年均复合
项目 生产量 同比增长率 生产量 同比增长率 生产量 同比增长率 增长率
卓胜微 68.47 50.47% 45.50 104.74% 22.23 10.48% 75.52%
顺络电子 1,140.60 35.74% 840.27 6.37% 789.95 13.03% 20.16%
硕贝德 6.21 -3.83% 6.46 36.52% 4.73 13.03% 14.58%
6、在手订单情况
公司 5G 射频芯片目前仍处于部分型号量产、拓展销售渠道的关键阶段，截至
2021 年 5 月 17 日，公司 2021 年 5G 射频芯片在手订单 1,316.20 万颗。
公司当前在手订单因产品线尚处于部分型号量产阶段，暂未全面放量。根据公
2-17
司 5G 射频芯片季度销售记录，相关产品销量增长迅速，公司 5G 射频芯片于 2020
年二季度开始对外销售，当季销量为 418.31 万颗，因 2020 年二、三季度以各型号
新品试生产、送样为主，因此销售规模较小且有所波动，到 2020 年四季度，公司
5G 射频芯片量产订单逐渐稳定，销量提升幅度较大。到 2021 年一季度，销量达到
1,668.65 万颗，销量稳步提升，相比 2020 年二季度，季度复合增长率达 58.60%。
发行人 5G 射频芯片具体销售情况见下表：
单位：万颗，%
时间 2021Q1 2020Q4 2020Q3 2020Q2 2020Q1
指标 销量 环比增速 销量 环比增速 销量 环比增速 销量 环比增速 销量
1,668.65 21.91% 1,368.77 499.33% 228.38 -45.40% 418.31 - -
5G 射频芯片市场有充分的空间消化募投产品产能。据 Yole Development 数据，
2023 年射频前端的全球市场规模将达到 341 亿美元，相较 2017 年 147 亿美元增长
约 130%，年复合增速约 14%。从 5G 射频芯片终端产品市场看，未来市场空间依
然充分。以 5G 射频芯片最终要的应用领域智能手机为例，近年智能手机出货产品
中，5G 智能手机的占比越来越高。根据中国信息通信院的数据，2020 年中国全年
出货的 5G 智能手机占当期所有智能手机的 52.94%，这一比例在 2021 年 4 月已达
到 77.9%，5G 射频芯片在以智能手机为代表的智能终端领域的应用将会越来越广
泛。公司募投所涉及的 5G 射频芯片销售增长迅速，产品有充分的市场空间，预计
产能将顺利消化。
综上，5G 通信、射频芯片行业前景良好，相关产业政策充分支持，公司产品
销售增速较快，人员技术储备较充分，国产替代趋势明显，在手订单情况良好，相
关产能有充分的消化途径。
五、结合 LED 芯片、电源管理芯片的行业增长趋势，产业政策变化，目前
现有业务开展及产能消化情况，前募新增产能情况，人员及技术储备，市场竞
争情况，在手订单情况等，说明 LED 芯片、电源管理芯片新增产能的消化措施
（一）LED 控制及驱动芯片、电源管理芯片市场前景广阔
2-18
在 LED 显示系统中，LED 控制驱动芯片是驱动 LED 发光或控制 LED 模块
组件在最佳电压或电流状态下正常工作的关键部件。根据知名研究机构 LED
inside 的数据，2019 年全球 LED 显示市场规模达到 66.54 亿美元，同比增长 12%。
随着小间距 LED、Mini LED 和 Micro LED 等新兴应用的逐步落地，LED 显示市
场有望保持持续增长，预计到 2022 年全球 LED 显示市场规模将达到 93.5 亿美
元，2019-2022 年的 CAGR 达 12%。在趋近成熟的 LED 显示产业中，小间距 LED
是增速最高的领域之一。小间距 LED 具有无缝拼接、高亮度和使用寿命长等优
势，且近年来成本下降较快。
Mini LED 显示屏在继承传统小间距 LED 显示屏的优点的同时，还具有更好
的可靠性和更高的解析度，部分 Mini LED 显示屏产品已经可以在显示亮度、对
比度、色域覆盖和使用寿命等指标上超越 OLED 显示，具备作为高端显示屏幕
的应用潜力，并在显示器和电视等大尺寸显示屏领域陆续商用。据 GGII 数据，
2018 国内 Mini LED 市场规模为 5.21 亿元，预计到 2022 年将达到 306.58 亿元，
年复合增速为 175%。
随着 LED 显示市场的快速发展，配套的 LED 控制驱动芯片的市场需求有望
持续提升。
未来随着人工智能、大数据、物联网等新产业的发展，全球需要的电子设备数
量及种类迅速增长，而对于这些设备的电能应用效能的管理将愈加重要，从而带动
电源管理芯片需求的增长。另外，电源管理芯片的应用范围将更加广泛，功能更加
精细复杂，增效节能的需求也更加突出，全球电源管理芯片市场将持续受益。前瞻
产业研究院根据 2018 年行业经济发展状况，测算出 2018 年全球电源管理芯片市场
规模在 250 亿美元左右，国际市场研调机构 Transparency Market Research(TMR)预
测，到 2026 年全球电源管理芯片市场规模将达到 565 亿美元。
受益于国内家用电器和消费电子类产品的持续增长，近年来中国电源管理芯片
市场保持快速增长。根据中商产业研究院的数据，中国电源管理芯片市场规模由
2015 年的 77 亿美元增长至 2019 年的 104 亿美元，2015-2019 年的复合年均增长率
为 7.80%。未来，随着中国国产电子管理芯片在消费类电子等各项新领域的广泛应
2-19
用，国内电源管理芯片市场规模有望持续增长。
（二）集成电路产业政策支持公司产品产能消化
近年来，各级政府部门推出了一系列的支持集成电路发展的产业政策，现总结
部分支持政策如下：
发布时间 颁布部门 法律法规名称 主要内容
对 28nm 及以下的晶圆厂/企业加大税费优惠支持力度，集成电路设
计的税收优惠力度也进一步加大，多维度支持集成电路企业的债权、
《国务院关于印发新时期
股权融资增强资本实力，聚焦高端芯片、设备、材料、EDA 等集成
促进集成电路产业和软件
2020 国务院 电路关键技术研发与创新，半导体底层基础备受重视，对半导体企业
产业高质量发展若干政策
采购的原材料、设备和零部件进口实施免征进口关税等优惠，加快推
的通知》
进集成电路一级学科设置工作，并严格落实集成电路知识产权保护制
度，深化集成电路产业和软件产业全球合作。
《关于集成电路设计和软 对于符合条件的集成电路设计企业和软件企业，在 2018 年 12 月 31
财政部、税务
2019 件产业企业所得税政策的 日前自获利年度起计算优惠期，第一年至第二年免征企业所得税，第
总局
公告》 三年至第五年按照 25%的法定税率减半征收企业所得税
《深圳市人民政府办公厅
深圳市人民 关于印发加快集成电路产 支持具有国际竞争力的集成电路企业在深圳设立研发中心和投资产
2019
政府 业发展若干措施的通知》 业化项目。
（深府办规[2019]4 号）
《关于集成电路生产企业
财政部、税务
有关企业所得税政策问题
2018 总局、国家发 对集成电路生产企业所得税优惠政策做了进一步规定和调整。
的通知》（财税[2018]27
改委、工信部
号）
大力推进集成电路创新突破，加大面向新型计算、5G、智能制造、
《“十三五”国家信息化规
2016 国务院 工业互联网、物联网的芯片设计研发部署，推动 32/28nm，15/14nm
划》（国发[2016]73 号）
工艺生产线建设，加快 10/7nm 工艺技术研发。
综上，在一系列政策利好的促进下，募投项目 LED 控制及驱动芯片和电源管
理芯片的产能消化有较好的宏观环境。
（三）前募新增产能已部分使用，产能依旧紧缺
2-20
前次再融资共有“LED 控制及驱动类、电源管理类产品生产建设项目”、“功率
半导体器件、LED 控制及驱动类产品智能化生产建设项目”以及“补充流动资金”三
个募投项目，新增产能情况如下表所示：
设计产能（万颗）
募投项目名称
LED 控制及驱动类芯片 电源管理类芯片 功率半导体器件
LED 控制及驱动类、电源管理类产品
150,036.00 204,779.00 -
生产建设项目
功率半导体器件、LED 控制及驱动类
73,500.00 - 31,500.00
产品智能化生产建设项目
合计 223,536.00 204,779.00 31,500.00
截至本回复报告出具日，以上募投项目开始投产，并实现部分效益，具体情况
如下：
2021 年一 2021 年度 2021 年一
2020 年度实现 2020 年度承诺效
项目 季度实现效 承诺效益 季度承诺效
效益（万元） 益完成比例
益（万元） （万元） 益完成比例
功率半导体器件、LED
控制及驱动类产品智能 1,190.17 2,924.87 40.69% 1,971.66 不适用
化生产建设项目
LED 控制及驱动类、电
源管理类产品生产建设 1,177.24 1,409.35 83.53% 1,130.78 不适用
项目
注：由于上述募投项目 2020 年度均处于建设期，故 2020 年度不适用承诺效益指标。
在前次募投项目的 LED 控制及驱动芯片、电源管理芯片产能已部分释放的情
况下，2021 年一季度电源管理芯片、LED 控制及驱动类芯片以及公司全部产品的
产能利用率分别为 114.35%、109.04%和 100.67%，公司现有产能较为紧张，因此本
次募投的产能将得到有效消化。
（四）人员及技术储备充分
公司历来注重对人才的培育，重视研发。截至 2021 年 3 月 31 日，公司的研发
2-21
人员共 439 人，占公司总员工的 45.87%，超过 60%的人员具有 7 年以上相关工作
经验。针对 LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片两大公司传统优势产品，公司
组建了一支经验丰富的研发团队，以保证募投的顺利实施。目前研发团队成员多毕
业于厦门大学、电子科技大学、北京邮电大学、台湾大学等知名院校，工作经历涉
及若干国内外知名 IC 设计公司，如炬力、汇顶、意法等。核心研发人员有 10～15
年的模拟电路设计经验，研发量产的多款创新电源管理芯片、LED 控制及驱动芯片
产品，获得良好的销量以及业内口碑。
公司十分重视人才的引进和培养，经过多年的发展，培育了一批较为稳定的生
产制造技术人才及熟练技能员工。通过建立一整套较为完善的适应行业特点的质量
体系，公司已经拥有持续高质量的稳定生产模式，为后续 LED 控制及驱动芯片以
及电源管理芯片生产制造提供有力支持。
技术和知识产权储备方面，截至 2021 年 3 月 31 日，公司共取得发明专利 26
项、实用新型 95 项、外观设计 1 项、集成电路布图 176 项。其中大部分系用于 LED
控制及驱动芯片以及电源管理芯片研发生产；公司研发水平先进，获得“基于快速
充电项目的电源管理芯片研发补助”、“高性能低功耗微型电源核心芯片应用示范补
助”、“多通道、恒流源 LED 控制及驱动芯片智能化生产线建设资助”多项专项政府
补贴。
综上，公司在 LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片方面的人才和技术积累
较为充分，足够支撑本次募投项目的顺利进行和相关产品产能消化。
（五）市场竞争情况
1、LED 控制及驱动芯片市场竞争情况
目前，全球 LED 控制及驱动芯片市场的主要厂商包括德州仪器、聚积科技、
TOSHIBA、富满电子、明微电子、晶丰明源等厂商，其中，德州仪器和聚积科技
产品主攻海外中高端应用市场，位居市场领先地位。对于较多国际大型企业，LED
驱动芯片只是其众多细分产品线中的一个。中国作为全球 LED 最重要的生产和出
2-22
口基地，根据 GGII 的数据，全球 70%以上 LED 应用产品是在中国进行生产。国内
集成电路厂商通过在细分领域进行深耕，对终端厂商紧密跟踪服务，以及技术的迭
代更新，相关技术水平已达到或接近国际大型企业。
综上，国内市场是全球 LED 控制及驱动芯片的重要市场之一，市场容量大，
相关产品产能消化空间大，针对国内主要的 LED 控制及驱动芯片公司，列表介绍
如下：
公司 主要产品 市场地位 业务进展
公司自主研发的恒流精度控制技术、LED
LED 显示驱动芯片、
状态侦测技术、开关调光调色控制技术等
明微电子 LED 照明驱动芯片、 国内领先的芯片设计公司
多项技术具有竞争优势，在相关应用领域
电源管理芯片
具有较强的市场竞争力。
公司在高精度恒流技术等方面实现了技术
LED 照明驱动芯片、 突破，掌握了 LED 照明驱动芯片设计的关
晶丰明源 国内领先的芯片设计公司
电源管理驱动类芯片 键性技术，并推出了 LED 照明驱动的整体
解决方案。
公司围绕移动显示、面板显示、LED 显示
LED 显示驱动芯片、
国内大型 LED 显示芯片供 三大领域，形成了多元化的产品布局，目
集创北方 电源管理芯片、指纹
应商 前在 LED 显示驱动芯片领域的市场份额全
识别芯片
球领先。
2、电源管理芯片市场竞争情况
从电源管理芯片市场的竞争格局来看，无论是市场还是技术，欧美厂商都占
据相对优势，尤其是美国厂商，市场份额一直保持较大的领先优势。三家欧洲大
厂 ST、NXP 和 Infineon 虽然也有很强的竞争力，但是电源管理芯片只是它们众
多产品线中的一个，且不是其核心业务，美国则拥有 TI、Fairchild 等众多厂商，
而且这些厂商多数都是专注于模拟器件业务，重点关注电源管理领域。近几年，
美国企业掀起并购潮，规模变得越来越大，优势也更加凸显。中国本土电源管理
类芯片厂商主要包括富晶电子、昂宝电子、远翔科技、士兰微、富满电子等，目
前来看，虽然中国本土厂商在电源管理芯片产品市场取得一些突破，例如 LDO、
DC－DC 和 LED Driver 等产品领域，但短期来看，还无法对欧美厂商形成实质
2-23
性威胁。
从全球市场来看，国际厂商如德仪、ADI、高通、skyworks、英飞凌、ST、恩
智浦、美信和安森美等处于领先地位。从国内市场份额来看，目前国内电源管理市
场的主要参与者仍主要为欧美企业，占据了 80%以上的市场份额，另外日、韩、
台资企业也占据了一定份额。
我国电源管理芯片行业呈现充分竞争的市场格局，国内各电源管理芯片公司的
市场份额较为分散。电源管理芯片行业盈利能力较强，且准入门槛较低，每年都会
吸引许多潜在者竞相投入。据前瞻产业研究院汇总数据，目前中国电源管理芯片行
业每年仍然在不断涌入新进入者，2012-2018 年期间，平均每年新增企业数量约 61
家左右，截至 2019 年 8 月底，行业企业数量约 1,200 家左右。而我国厂商的技术
普遍落后于欧美的厂商，因此，逐渐形成了国产厂商数量庞大但产品质量与产业规
模和欧美企业比仍有差距的事实。国内电源管理芯片市场尚待优化。
从集成电路制造领域整体来看，我国芯片行业仍处于发展初期，部分关键领域
芯片自给率较低。推动集成电路发展已经上升至国家重中之重，芯片国产化率亟待
提高，目前国家正从技术、人才、资金、政策等多个方面出台相关政策，支持国内
企业长期发展。而电源管理芯片作为模拟芯片中重要的组成，如今面对进口替代的
巨大空间，公司适时提出扩产计划，将为电源管理芯片市场国产化比例的提升做出
一定贡献。
（六）在手订单情况
LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片作为公司收入主要来源产品，销量持续
增长，2018-2020 年的销量年化增长率分别为 32.74%和 44.98%，目前在手订单数量
相对充足。截至 2021 年 5 月 17 日，公司 LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片
在手订单芯片数量分别为 64,268.95 万颗和 28,941.00 万颗，交期均在当年。公司根
据现阶段产能规模，结合市场下游动态决定短期订单规模的方式签订订单和生产，
而公司 LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片的一年销售旺季一般在下半年，上
2-24
下半年单月销量经常出现成倍差距，结合目前公司业绩高增长的态势，综合预计公
司年度订单量比较充足，本次募投项目相关产能将得到有力消化。
六、结合新增折旧金额及占比测算情况，说明新增资产未来折旧预计对公
司业绩的影响
本次芯片建设项目共有房屋及建筑物、机器设备、土地使用权 3 类资产涉及折
旧或摊销，关键假设如下：房屋及建筑物采用年限平均法折旧，折旧年限 40 年，
残值率 5%；机器设备采用年限平均法折旧，折旧年限 10 年，残值率 5%；土地使
用权采用年限平均法摊销，摊销年限 40 年，无残值。
按照以上假设计算，本次芯片建设项目的折旧和摊销测算情况如下表所示：
单位：万元、%
项目 金额/占比
项目总投资 56,652.94
累积折旧、摊销总额 55,380.30
运营期前 10 年平均年折旧、摊销总额 3,177.29
达产后年均营业收入 64,300.00
运营期前 10 年平均年折旧、摊销总额/达产后芯片建设项目年均营业收入 4.94%
达产后芯片建设项目年均利润总额 6,957.03
运营期前 10 年平均年折旧、摊销总额/达产后芯片建设项目年均利润总额 45.67%
2020 年度公司营业收入 83,624.70
运营期前 10 年平均年折旧、摊销总额/2020 年度公司营业收入 3.80%
2020 年度公司利润总额 10,778.44
运营期前 10 年平均年折旧、摊销总额/2020 年度公司利润总额 29.48%
根据上表分析，本次芯片建设项目达产后年均折旧摊销总额 3,177.29 万元，
占募投项目测算达产后年均收入的 4.94%，占 2020 年度公司营业收入的 3.80%，
占 2020 年度公司利润总额的 29.48%。尽管募投项目新增固定资产未来每年将产
生一定折旧成本，但项目正式投产后每年将同步带来产品销售收入，并能超过相
应的资产折旧摊销成本。总体而言，募投项目收入对公司整体净利润的正面影响
大于募投项目折旧摊销对公司业绩的负面影响。
2-25
七、请发行人补充披露（2）（3）（4）（5）（6）中可能存在的风险
结合募集说明书中已披露的风险，发行人和保荐机构根据问题一（2）（3）
（4）（5）（6）相关内容，在募集说明书“第六节 与本次发行相关的风险因素”
中补充披露相关风险如下：
“（一）行业竞争加剧风险
随着 5G 通信的逐渐推广以及消费电子等重点应用公司产品的终端行业持续
发展。国内外相关行业的厂商纷纷加大资金投入，研制新产品，扩大产能，提高
市场占有率，力求占据领头地位。
本次募投涉及的产品，除了面临德州仪器、Skyworks、博通、村田等国外知
名芯片厂家的压力外，国内也涌现出卓胜微、芯朋微等知名企业。随着集成电路
技术日渐成熟，可能吸引更多企业进入这一细分领域，从而加剧行业竞争，使公
司获取新项目的难度加大、成本提升。
国内外的市场竞争愈发激烈，如果公司不能在激烈的竞争中脱颖而出，则会
对公司的经营状况产生不良的影响。”
“（四）国内外政策风险
公司主营高性能模拟及数模混合集成电路的设计研发、封装、测试和销售。
近年来，我国政府已通过一系列法律法规及产业政策，大力推动集成电路行业的
发展。如果国家针对集成电路设计行业的产业政策发生重大不利变化，集成电路
设计行业增长势头将逐渐放缓，使包括公司在内的集成电路企业面临一定的行业
政策风险。
本次募投部分产品涉及 5G 通信行业，在全球信息化程度逐渐加深的背景下，
5G 技术的研究与相关产品开发逐渐成熟。但近年部分国家针对中国 5G 产业链
企业的封锁阻碍了相关企业的正常发展，如政策风向未见好转，公司相关产品的
研发、销售、相关原材料供应等可能受到不利影响。”
“（五）行业发展不及预期的风险
2-26
随着 5G 通信技术应用的逐渐深化，以及消费电子等行业的产品升级，近年
市场对 5G 射频芯片、LED 控制及驱动芯片以及电源管理芯片的需求逐渐旺盛，
公司在报告期内也相应持续扩大产能，芯片供给能力不断提升。如未来下游行业
发展增速下降、行业景气度下行、市场需求下降，公司可能面临产品售价下降、
库存上升等风险，将对公司的盈利能力产生不利影响。”
【会计师核查意见】
（一）核查程序
我们对上述问题实施的审计程序包括但不限于：
1、对发行人负责本次募投产品研发的相关人员进行访谈，了解本次芯片建
设项目产品的技术路线、生产工艺、产能消化措施；
2、查阅了本次募投项目的可行性分析材料，包括可行性分析报告以及测算
资料，了解本次芯片建设项目的设备采购情况、各产品设计产能情况、分析效益
及折旧测算情况；
3、对发行人负责前次募投项目的相关人员进行访谈，了解前次募投项目基
本情况，分析本募与前募的区别与联系，并了解前次募投最新投产情况；
4、查阅公司报告期内的定期报告、会计师的审计报告，向相关财务人员、
业务人员获取公司产能明细数据等资料，分析公司产能情况及营收构成；
5、搜集并整理行业相关政策、研究报告，分析行业现状。
（二）核查结论
上述公司说明与我们执行公司财务报表审计以及核查中了解的情况没有重
大不一致。
2-27
问题 2
发行人使用募集资金 3.5 亿元用于研发中心项目，项目计划在深圳市前海桂
湾二单元 03 街坊的前海鸿荣源中心 A 塔建设，规划建筑面积为 3,000 ㎡，办公
场地购置费 3 亿元，每平米价格达 10 万元。该项目拟实施 5G 射频前端芯片以
及 Mini/Micro LED 显示芯片的深度研发及产业改造，研究方向和产品与公司在
研项目技术采用了相似的技术路线和研制方案。发行人首发募投研发中心建设
项目（以下简称“前次研究中心项目”）实际使用募集资金投资金额为 295.14 万
元，剩余未投资的募集资金 3707.44 万元转入投 LED 控制及电源管理集成电路
产品生产建设项目。此外发行人目前拥有深圳研发中心、云矽研发中心、厦门
研发中心、上海研发中心等多个研发中心。
请发行人补充披露：（1）披露前次研发中心建设项目建设进度及变更的合
理性，本次募投项目建设研发中心项目且投资金额较前次大幅增长的必要性与
合理性；（2）结合现有研发中心相关情况，包括但不限于近三年研发投入金额、
研发人员数量、办公场所位置及面积、研发成果及研发计划等，本次募投研发
中心项目详细研发计划，披露在采用相似技术路线和研制方案情况下进行本次
研发项目中心建设的必要性和合理性；（3）结合现有生产及管理场所位置及产
权情况、本次拟购置办公场地的土地属性、市场单价及同行业可比情况、现有
研发办公场地使用成本情况，披露高成本购置深圳市前海办公场地进行研发中
心建设的必要性，是否仅供研发使用，是否存在变相炒作房地产的情形，未采
纳其他低成本替代方案的原因，是否损害上市公司利益。
请保荐人和会计师核查并发表明确意见。
【公司回复】
一、披露前次研发中心建设项目建设进度及变更的合理性，本次募投项目
建设研发中心项目且投资金额较前次大幅增长的必要性与合理性；
发行人已在本次发行《募集说明书》之“第三节 董事会关于本次募集资金使
用的可行性分析”之“四、本次研发中心建设项目的合理性及必要性”中进行补充
2-28
披露如下：
“（一）前次研发中心项目和本次研发中心项目对比情况
1、前次研发中心建设项目建设进度及变更的合理性
（1）前次研发中心建设项目的情况：
前次研发中心建设项目为首次公开发行的募集资金投资项目，拟投资人民币
6,048.88 万元，其建设内容包括开展 MEMS 传感器领域的研究，重点开展 MEMS
麦克风方向研究，开发基于 MCU 的 ASSP SOC 芯片产品，智能 LED 控制及驱
动芯片的研发。上述研发中心建设项目经公司 2015 年第二次临时股东大会审议
通过，并经 2015 年度股东大会修订，由董事会负责实施。其中，发行募集资金
将根据项目的轻重缓急按以下列顺序进行投资，具体如下：
单位：万元
序号 项目名称 项目总投资 拟投入募集资金 建设期（月）
1 LED 控制及电源管理集成电路产品生产建设项目 14,016.77 14,016.77 12
2 研发中心建设项目 6,048.88 4,000.00 24
3 补充流动资金 4,000.00 4,000.00 -
合计 24,065.65 24,065.65 -
（2）前次研发中心建设项目募集资金使用及变更使用的合理性
2018 年 1 月 19 日，公司召开第一届董事会第十七次会议，审议通过了《关
于变更募集资金投资项目“研发中心建设项目”剩余募集资金用途的议案》，拟变
更募集资金投资项目“研发中心建设项目”剩余募集资金的用途。公司变更原募集
资金投资项目及募集资金使用情况如下：
单位：万元
原计划募集资金 已投入金额 未使用金额 变更后投入的
序号 项目名称
投入金额 （注 1） （注 2） 募集资金
1 研发中心建设项目 4,000.00 292.56 3,707.44 3,707.44
合计 4,000.00 292.56 3,707.44 3,707.44
注 1：已投入金额包含置换自筹资金预先投入金额
2-29
注 2：尚未使用金额包含用于暂时补充流动资金未归还金额
2-30
由于公司募集资金投资项目“研发中心建设项目”建设周期较长且公司生产较为紧张，为提高募集资金使用效率，实现股东利益最
大化，公司将募集资金投资项目“研发中心建设项目”剩余未投资的募集资金全部转投资募集资金投资项目“LED 控制及电源管理集成电
路产品生产建设项目”，变更的募集资金为 3,707.44 万元。上述变更事项已经公司董事会、监事会、股东大会审议通过，独立董事发表
了明确同意的独立意见。
前次研发中心建设募集资金变更使用的原因系公司 LED 及电源管理芯片产能紧张，公司为实现股东利益最大化，按照原首次公开
发行募集资金的约定根据项目的轻重缓急进行募集资金投向内部调整，其调整围绕主营业务，也有助于核心竞争力提升，变更募集资
金投向“LED 控制及电源管理集成电路产品生产建设项目”后，募集资金投资项目已达到预计效益，具体如下：
单位：万元
截止日 截止日
实际投资项目 累计产能 承诺效益（注 1） 最近三年实际效益 是否达到预
利用率（注
计效益
2）
序号 项目名称 2018 年度 2019 年度 2020 年度 累计承诺效益 2018 年度 2019 年度 2020 年度 累计实现效益
承诺投资项目
LED 控制及电源管
理集成电路产品生
1 103.21% 2,947.49 3,278.28 3,631.59 9,857.36 3,297.50 4,364.60 5,071.62 12,733.71 是
产建设项目（注 3、
4）
2 研发中心建设项目 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用
3 补充流动资金 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用 不适用
注 1：承诺效益金额取自项目的可行性研究报告。
注 2：累计产能利用率是指 2018 年 1 月 1 日至截止日期间，投资项目的实际产量与设计产能之比。
注 3：“本项目实施达产后，预计每年可实现销售收入约 23,000 万元，项目的内部收益率（税后）为 20.27%，项目投资回收期（税后）为 5.08 年。
新增产能计划达到每月 100,000,000 颗。”实现效益的计算口径、计算方法与承诺效益的计算口径、计算方法一致。
2-31
注 4：本项目 2018 年 6 月 30 日达到预定可使用状态，达到预定可使用状态之前，陆续投入的
设备已实现量产，计算实际效益时，考虑了该部分设备取得的实际效益。
综上，前次研发中心建设项目变更符合公司的发展利益，具有合理性。
2、本次募投项目建设研发中心项目且投资金额较前次大幅增长的必要性与合理性
（1）前次研发中心与拟新建研发中心的研发内容不同，后者更符合目前公司长期
发展战略
前次研发中心与拟新建研发中心的建设项目内容具体如下：
项目 研发项目及具体方向 研发内容描述
重点研发方向为麦克风传感器将振膜运动转换为电容量变化使后级 ASIC 识
MEMS 麦克风传感器
别，紧凑尺寸下实现优良的灵敏度及出色的频响，将灵敏度聚焦于某一方向
研发项目
并降低其它方向的灵敏度，以提高音质的清晰度。
重点研发方向为实现快充协议单芯片的单芯片解决方案，即一颗 IC 可支持
前次研发中 基于 MCU 的 ASSP 市场主流快充协议，结合分立元器件方案的灵活性和多合一方案的高整合度
心建设项目 SoC 项目 及低成本优势，在保证性能的前提下，缩减产品的成本，并解决传统移动电
源在使用时电量显示误差大的问题。
重点研发方向为产品断电识别技术，摆脱芯片外部配置束缚，降低启动电阻
智能 LED 驱动芯片
功耗，降低系统启动电流，同时运用无级调光技术和开关控制与线性控制切
项目
换技术，该技术可提供更多的亮度和色温选择及实现连续调光。
集中于开发和完善面向 5G 移动终端，泛 IOT 领域射频前端芯片产品技术，
5G 射频前端芯片 强化公司在 5G 射频前端芯片，包括 5G 射频调谐器，射频开关，射频前端
本次研发中 集成芯片等芯片的技术深度和技术积累。
心建设项目 集中于在向系统微小化、高精度（一致性）、Decouple、高刷新率、高扫描
Mini/Micro LED 显示
数（96 扫、128 扫）的方向发展，芯片封装从高脚位的 QFN 升级到 BGA
芯片
（104Pin 以上），以实现 LED 显示屏驱动的高度集成化设计。
由上表可知，前次研发中心建设项目中，基于 MCU 的 ASSP SoC 产品线研发主要
应用于数字化电源管理芯片和低功耗无线通信（蓝牙）芯片领域；智能 LED 驱动芯片
研发技术应用于 LED 照明领域，符合当时市场产品需求。本次研发中心项目建设为依
托现有研发中心，顺应目前市场对应 LED 显示高精度、高扫描方向的需求以及完善 5G
射频前端芯片的技术积累实施的 5G 射频前端芯片以及 Mini/Micro LED 显示芯片的深度
研发及产业改造。
上述两次研发中心建设项目研发内容不同，公司主要基于以下考虑：随着 5G 技术
及其商用的快速发展以及 Mini LED 显示应用的控制驱动芯片的市场需求显著提升，公
司一方面在 5G 射频 IC 领域，继续通过内生外延加速布局切入射频滤波器、WiFi FEM
芯片等 5G 射频系列芯片领域；另一方面，公司在 1-0.3mm 点间距的 Mini LED 显示驱
动芯片领域密切关注新技术发展趋势和应用以及前瞻性布局未来智能制造，加大研发投
2-32
入，加强技术创新和新产品开发，持续优化产品设计。因此，本次研发中心建设项目符
合公司现阶段布局的长期发展战略。
（2）本次研发中心投资金额较前次大幅增长主要系购置房产、设备和新增研发人
员
本次研发中心需要购置房产，办公场地购置费拟投资金额为 3 亿元，占本次研发中
心投资金额比例为 76.98%，满足公司降低研发管理成本需求，保障未来研发人员、场
地及设备等方面需求；
本次研发中心需要新增采购设备，主要系采购泰克示波器、微波网络分析仪及综合
测试仪等设备，用于集中研发 5G 射频开关芯片产品及 LED 显示驱动芯片，本次新增
采购设备较前次研发中心的设备的型号种类不同、精密度要求更高，因此总价更高；
本次研发中心需要新增研发人员，为了后续开展研发活动的需要，本次研发中心建
设的其他费用及铺底流动资金中研发人员支出较上期增加。综上，本次募投项目建设研
发中心项目因购置房产、针对不同的研发领域所需新的设备不同及新增研发人员，其投
资金额较前次增长具有必要性与合理性。”
二、结合现有研发中心相关情况，包括但不限于近三年研发投入金额、研发人员
数量、办公场所位置及面积、研发成果及研发计划等，本次募投研发中心项目详细研
发计划，披露在采用相似技术路线和研制方案情况下进行本次研发项目中心建设的必
要性和合理性；
发行人已在本次发行《募集说明书》之“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可
行性分析”之“四、本次研发中心建设项目的合理性及必要性”中进行补充披露如下：
“（二）本次募投研发中心项目详细研发计划，采用相似技术路线和研制方案情况
下进行本次研发项目中心建设的必要性和合理性
1、公司近三年及一期研发投入、研发团队及办公空间情况如下：
2-33
研发金额投入 研发场所 研发人员人均
时间 研发人员数量（人）
（万元） 使用面积（㎡） 办公面积（㎡/人）
2018 年年度/2018 年末 4,498.85 250 2,146.08 8.58
2019 年度/2019 年末 4,609.73 290 2,146.08 7.40
2020 年度/2020 年末 6,195.54 421 2,218.96 5.27
2021 年 1-3 月/2021 年 3 月末 1,824.84 439 4,571.41 10.41
由上表可知，最近三年公司研发费用逐年上升，公司及子公司研发场所地址及具体
使用面积由 2,146.08 ㎡增至 2,218.96 ㎡，研发人员数量由 250 人增至 421 人，公司研发
费用、研发人员数量逐年上升，公司研发人员增速较快，主要系公司为了迅速抢占市场
份额，加大了新产品的研发力度。由于公司研发人员逐年上升，公司研发人员人均办公
面积由 8.58 ㎡/人降至 5.27 ㎡/人，最近三年的研发场地人均办公面积逐年下降，且研发
办公地址较为分散，研发人员难以集中办公，导致研发效率较低。
2021 年，为满足日渐增长的研发人员数量，解决办公场所紧缺的问题，公司新增
了部分租赁场所用于研发人员办公，其研发场地使用面积增至 4,571.41 ㎡，但研发场所
地理位置较为分散，研发人员难以统一进行办公的问题仍有待解决。
2、现有研发中心重要的研发计划及研发成果
类别 技术名称 技术概要 研发进程
LED 显示屏的行
集成了行消隐电路，三-八译码器和功率管。在功率管关闭时内部下拉管会打开并以恒定电流吸收行线上的残留电荷，
扫描装置及系统 已完成
能消除拖影现象，同时还能改善由于 LED 漏电、短路造成的毛毛虫现象。
技术
LED 显示屏驱动 该项目采用了“输出钳位”专利技术，可以有效消除第一行偏暗现象，同时可以防止灯珠损坏。同时具有极佳的抗干
输出消隐钳位电 扰特性，恒流及低灰效果不受 PCB 板的影响。并可选用不同的外挂电阻对输出级电流大小进行调节，精确控制 LED 已完成
路及 LED 显示屏 的发光亮度。
1~32 扫 PWM 恒
实现输出通道所输出的电流值不受输出端负载电压影响，提供一致恒定的输出电流，不受 PCB 板的影响，具有极佳
流输出 LED 显
的抗干扰性。不仅可以由不同阻值的外接电阻来调整各输出级的电流大小，而且还可以由软件来调整通道电流增益，已完成
示屏驱动芯片技
从而控制 LED 显示屏亮度。
术
1~64 扫 PWM 恒 通过技术创新可以有效解决低灰色块、偏色、麻点、第一行偏暗、高对比耦合、跨版色差等问题；内部集成开路检
流输出 LED 显 测功能；可以有效解决因 LED 坏点造成的十字架问题。此外，内建的消隐/钳位电路配合不同的配置位，有效解决
已完成
示屏驱动芯片技 了上下鬼影和文字鬼影问题，同时也极大改善了跨版耦合、高对比、中对比耦合等显示瑕疵；更有黑屏节能功能，
术 降低黑屏时的功耗；可内部生成 GCLK 信号 ，优化系统性能；同时具有极佳的动态失配和通道失配，精度更高。
采用 18 路恒流灌电流输出。采用了“输出钳位”专利技术，可以有效消除第一行偏暗现象，同时可以防止灯珠损坏。
LED 控制 18 路双锁存恒流
同时具有极佳的抗干扰特性，恒流及低灰效果不受 PCB 板的影响。并可选用不同的外挂电阻对输出级电流大小进行
及驱动类 输出 LED 驱动芯 已完成
调节，精确控制 LED 的发光亮度。内部采用了电流精确控制技术，可使片间误差 低于±3.0%，通道间误差低于
片技术
±2.0%。
单线传输双组
RGB 六通道 LED 内部包含钳位电路，内置限流电阻，VDD 增加高压 ESD，提高 VDD 抗尖峰能力；采用单极性归零码数据协议；OUT
已完成
驱动控制专用芯 R/G/B 输出电流 12mA；RGB 端口耐压约 24V；OUT R/G/B 上电状态：默认不亮(0%可 metal option)。
片技术
增加双沿触发功能和扩展开路检测到 64 扫，改善上电花屏问题。顺次连接的移位寄存器、配置寄存器、行同步计数
双沿触发及开路 模块、开路信息存储模块、输出一级锁存模块和输出二级锁存模块，还包括开路检测模块和驱动模块；移位寄存器
检测的 16 路双缓 与配置寄存器连接，将接收的寄存器配置信息传送至配置寄存器；输出二级锁存模块还分别与所述开路检测模块和
已完成
存恒流输出 LED 驱动模块连接，开路检测模块还分别与所述开路信息存储模块和配置寄存器连接，输出一级锁存模块还与所述移位
驱动芯片技术 寄存器连接；其效果是：解决了现有技术中 LED 显示屏由于个别 LED 灯珠出现了开路现象，所造成开路十字架现
象的缺陷。
改善 LED 显示屏耦合的控制电路、模块及芯片，电路包括延时时间不同、相互并联的第一延时电路、第二延时电路
33~64S 共阳 LED
和第三延时电路；其中第一延时电路、第二延时电路和第三延时电路的输入端相互连接，形成控制电路的输入端， 已完成
恒流驱动技术
接收同一 PWM 控制信号；第一延时电路、第二延时电路和第三延时电路的输出端相互连接，形成控制电路的输出
2-34
类别 技术名称 技术概要 研发进程
端，输出经过第一延时电路、第二延时电路或第三延时电路延时后的 PWM 信号给通道模块，供通道模块驱动 LED
显示屏中各个显示通道打开或关闭。该控制电路通过错开各个显示通道的导通起始时间，减轻了电源的重负载效应
及通道输出口的开关耦合效应，从而分别改善低灰横条纹现象和中对比耦合现象，提升显示画面的品质。
数据输入口接移位寄存器的输入端，时钟口分别接至移位寄存器的时钟端和状态寄存器的第一输入端，设置口接状
态寄存器的第二输入端，状态寄存器的第一输出端接参考电压设置模块的输入端，参考电压设置模块的输出端均接
8 通道的共阳行
至驱动输出模块的第一输入端，移位寄存器中不同的驱动端分别接至不同的驱动输出模块的第二输入端，状态寄存 已完成
管驱动芯片技术
器的第二输出端均接至驱动输出模块的第三输入端，不同驱动输出模块的输出端分别接至不同的驱动输出口，移位
寄存器的输出端接数据输出口。该芯片可输出不同的消隐目标电平，给用户提供更完善的性能。
集成消隐可调功能的 LED 显示屏行扫描驱动电路，状态寄存器的一输入端作为该驱动电路的设置端，接外部设置信
号；状态寄存器的另一输入端和移位寄存器的一输入端作为该驱动电路的时钟端，接外部时钟信号；移位寄存器的
8 通道的共阴行 另一输入端作为该驱动电路的数据端，接外部输入信号；状态寄存器的输出端接参考电压产生模块的输入端，参考
在研
管驱动芯片技术 电压产生模块的输出端均接至所述输出驱动模块的一输入端，移位寄存器的多个第一输出端分别接至输出驱动模块
的另一输入端，输出驱动模块的输出端作为该驱动电路的驱动端，移位寄存器的第二输出端作为该驱动电路的输出
端。该驱动电路采用独特的消隐技术，具有消隐电压可调功能，可以实现更好的消隐性能。
LED 显示屏控制芯片，包括存储模块和若干个输出通道，所述每个输出通道包括数字模块、消隐模块、模拟钳位模
16 路 1~64 扫 块和恒流输出模块；其中，所述存储模块接数字模块的输入端，数字模块的输出端分别接消隐模块的输入端和模拟
EPWM 恒流输出 钳位模块的输入端，模拟钳位模块的输出端接恒流输出模块的输入端，消隐模块的输出端接恒流输出模块的输入端，在研
LED 驱动 IC 技术 恒流输出模块的输出端作为 LED 显示屏控制芯片的输出端；所述存储模块用于存储 LED 显示屏每一帧的待显示灰
度数据，该芯片成本低，结构简单，能够改善 LED 显示屏因耦合效应而带来的显示缺陷，提升画面品质。
1~32 扫 共阳 消隐使能模块根据外部显示时钟信号和指令信号生成消隐使能信号，并将所述消隐使能信号传输给组合逻辑电路；
PWM 恒流输出 组合逻辑电路接收 LED 芯片中各通道的输出数据，对所述输出数据和消隐使能信号进行处理，得到 LED 芯片中各
在研
LED 显示屏驱动 通道的消隐脉冲信号，将所述消隐脉冲信号传输给输出驱动电路模块；输出驱动电路模块在 LED 芯片中通道关闭时，
芯片技术 利用所述消隐脉冲信号该通道中列与行之间的寄生进行预充电。该方法提升显示效果，满足高画质要求。
包括串行 I/O 模块接收外部灰度数据或上一级芯片输出的灰度数据；串行 I/O 模块接收外部时钟信号和外部控制指
共阴 1~64 扫 令 LA；串行 I/O 模块的第一输出端接编程解码模块；编程解码模块的输出端连接至恒流驱动模块、PWM 数据处理
PWM 恒流输出 模块和内部时钟模块；内部时钟模块的输出端接 PWM 数据处理模块；PWM 数据处理模块的输出端连接至恒流驱
在研
LED 显示屏共阴 动模块；恒流驱动模块的输出端连接至 LED 灯珠，用于驱动 LED 灯珠。该芯片集成了恒流驱动模块，能够减小 PCB
驱动芯片技术 面积，降低系统成本，还能综合优化恒流驱动模块的寄存器配置，更好的适应未来节能屏和小间距 LED 显示屏的需
求。
与 33~64S 共阳 LED 恒流驱动芯片互为共阴共阳镜像关系。包括串行 I/O 模块接收外部灰度数据或上一级芯片输出
16 路共阴 EPWM 的灰度数据；串行 I/O 模块接收外部时钟信号和外部控制指令 LA；串行 I/O 模块的第一输出端接编程解码模块；编
恒流输出 LED 驱 程解码模块的输出端连接至恒流驱动模块、PWM 数据处理模，PWM 数据处理模块的输出端连接至恒流驱动模块；在研
动芯片 恒流驱动模块的输出端连接至 LED 灯珠，用于驱动 LED 灯珠。该芯片集成了恒流驱动模块，能够减小 PCB 面积，
降低系统成本，还能综合优化恒流驱动模块的寄存器配置，更好的适应未来节能屏和小间距 LED 显示屏的需求。
与 1~32S 共阳 LED 恒流驱动芯片互为共阴共阳镜像关系。
16 路共阴 EPWM 消隐使能模块根据外部显示时钟信号和指令信号生成消隐使能信号，并将所述消隐使能信号传输给组合逻辑电路；
恒流输出 LED 驱 组合逻辑电路接收 LED 芯片中各通道的输出数据，对所述输出数据和消隐使能信号进行处理，得到 LED 芯片中各 在研
动芯片技术 通道的消隐脉冲信号，将所述消隐脉冲信号传输给输出驱动电路模块；输出驱动电路模块在 LED 芯片中通道关闭时，
利用所述消隐脉冲信号该通道中列与行之间的寄生进行预充电。该方法提升显示效果，满足高画质要求。
集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一 身。正常状态下的 VDD 端电压在过电压
用于锂电池保护
充电保护阈值(VOC)和过电压放电保护阙值(VOD) 之间，且其 VM 检测端电压过电压充电保护阈值(VOC)和过电压
芯片的可耐受正
放电保护阙值(VOD) 之间，且其 VM 检测端电压在充电器检测电压(VCHG)与过电流放电保护阈值(VEDI)之间，此 已完成
负压的 ESD 静电
时的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制 N-MOS 管 Q1 和放电控制 N-MOS 管 Q2 导通。既可
保护技术
以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电
1、同口充放电的边充边放控制技术
本技术通过负载和充电器识别，从而实现了充电和放电系统的边充边放方式，本着负载优先的原则，实现自动高效
的边充边放控制。
高性能低功耗微
2、无外部采样电阻的高精度恒流充电技术
型电源核心芯片 已完成
该技术可有效节省布板成本，并提升系统工作效率。
技术
3、端口复用识别技术;
该技术通过移动电源的电量指示和按键、手电筒的多个功能，根据移动电源电量指示的特殊性，通过端口复用技术
实现精简化的脚位控制。
电源管理
是一款高精度的单节锂电池保护芯片，集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、充放电过电流保护等性能于一
类 单节锂电保护 IC
身，并且本芯片采用了独有的分时检测技术，使得芯片功耗非常低。同时，本芯片采用了自主研发的 ESD(静电放电) 已完成
技术
电路结构，提高耐压的同时保证了芯片的 ESD 性能。
是一款高精度的单节锂电池保护芯片，集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、充放电过电流保护等性能于一
二合一单节锂电 身，并且本芯片采用了独有的分时检测技术，使得芯片功耗非常低。同时，本芯片采用了自主研发的 ESD(静电放电)
已完成
保护 IC 技术 电路结构，提高耐压的同时保证了芯片的 ESD 性能。在此基础上，NF4135 还内置了自主研发的两个大功率 NMOS
管，保证电池充放电能力的同时，具有很高的耐压。
3~5 节锂电池保 具有传统的高精度过充电、过放电、充放电过流保护等功能。创新的多芯片级联技术，可支持多达 4 颗芯片（20 节
已完成
护 IC 技术 锂电池应用）合封应用。支持可省合金电阻应用，以及电池输入断线保护功能。
基于准谐振技术高度集成的电流模 PWM 控制芯片，具有高压启动，低待机功耗，款输出范围的特点。尤其适用于
高性能准谐振反 PD 协议充电设备，也可用于离线式反激变换器。满载时工作于定频模式；中载时工作于绿色模式并且谷底开关打
激控制芯片的主 开以实现高效率；轻载时工作于突发模式降低待机功耗。整个负载范围实现高效率低功耗。具有低功耗快启动特点 在研
控芯片技术 的高压启动技术，较低的上电启动电流和工作电流。内部集成全面的保护功能，包括过流保护 OCP、过载保护 OLP、
过温保护 OTP、 输入电压和输出电压过压保护 OVP、短路保护 SCP。独特的抖频技术实现低 EMI。芯片集成化程
2-35
类别 技术名称 技术概要 研发进程
度高、引脚数少、封装小，简化外围电路设计。
高集成度电流模
内部集成 UHV NMOS+JFET 和 UHV 电阻，主要是为电源主控芯片提供启动电流、BO 检测、XCAP 电容放电功能。在研
PWM 控制芯片
基于准谐振控制技术的谷底锁定电路、芯片及电源，其中谷底锁定电路中，FB 比较检测模块的输出端和 ZCD 比较
高频 检测模块的输出端分别连接至逻辑运算模块的输入端，逻辑运算模块的输出端连接至驱动模块；FB 比较检测模块对
Quasi_x0002_谐 开关电源中隔离光耦输出的信号进行比较和计数后，输出参考谷值数；ZCD 比较检测模块对开关电源每个开关周期
在研
振反激控制器技 内变压器 T1 辅助绕组输出的信号进行比较和计数后，输出实时谷值数；逻辑运算模块根据参考谷值数和实时谷值
术 数生成谷底打开脉冲，传输给驱动模块，使得驱动模块输出控制信号传输给开关电源的高压开关管。该电路解决现
有技术在两个相邻谷底交替打开的频率抖动问题，以及参考谷值数获取困难的问题。
5G 分立开关和调 分立开关关键设计技术：主要技术是用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换； 射频调谐器设计关
已完成
谐器设计 键技术：主要是提高耐压设计及 Ron，Coff 的优化极端情况设计
高效的 SOI 堆叠 研究多频复杂环境中线性度的改善和提升，关键技术有：基于逐次逼近反馈算法的线性度提升方法；复杂电磁热环
5G 射频开 已完成
设计技术研究 境一体化线性度提升设计方法
关方向
5G 射频芯片线性
研究多频复杂环境中线性度的改善和提升，关键技术有：基于逐次逼近反馈算法的线性度提升方法；复杂电磁热环
度提升设计技术 已完成
境一体化线性度提升设计方法
研究
3、本次募投研发中心项目研发计划
目前进度
业务 研发项目 研发目标 研发人员配备情况 研发周期
及成果
5G 射频芯片封 集中于开发和完善面向 5G 移动终端，泛 IOT 领域射频前端芯片产
5G 射频前 研发负责人技术背景：10 年
装集成一体化关 品技术，强化公司在 5G 射频前端芯片，包括 5G 射频调谐器，射频 长期 在研
端芯片 以上射频从业经验
键技术研究 开关，wifi6 的 pa/sw/lna 集成芯片等芯片的技术深度和技术积累
集中于在向系统微小化、高精度（一致性）、Decouple、高刷新率、
Mini/Micro Mini/Micro LED
高扫描数（96 扫、128 扫）的方向发展，芯片封装从高脚位的 QFN 研发负责人技术背景：15 年
LED 显示 显示驱动芯片集 长期 在研
升级到 BGA（104Pin 以上），以实现 LED 显示屏驱动的高度集成 数模混合 IC 设计研发经验
芯片 成化设计研究
化设计
4、采用相似技术路线和研制方案情况下进行本次研发项目中心建设的必要性和合
理性
（1）新建研发中心紧抓发展机遇，拓展公司业务空间，保证产品核心竞争力
本次新建研发中心的技术路线和研制方案是在现有研发中心基础上延伸，持续加强
研发能力，进一步构建公司技术支撑体系的需要，增强产品竞争力，具体如下：
项目 现有研发中心项目 本次新建研发中心项目
研发内容 LED 显示驱动 IC 方向产品和传统电源管理类产品 5G 射频前端芯片及 Mini/Micro LED 显示芯片
主要应用领域 平板电脑、蓝牙音箱、LED 照明灯具、移动电源、传统移动终端 5G 移动终端、Mini/Micro LED 显示设备
1.LED 显示驱动 IC 方向产品： PWM 恒流输出 LED 显示屏驱动 1、Mini/Micro LED 显示芯片：BGA（104Pin 以上）封装技术、
芯片技术、LED 驱动输出消隐钳位电路技术 2.电源管理类方向： 48 通道 PWM 恒流 LED 驱动的行列合一整合驱动 IC 设计
应用的核心技术
锂电池保护芯片的可耐受正负压的 ESD 静电保护技术、高性能低 2、5G 射频前端芯片：高效的 SOI 堆叠设计技术、线性度高的
功耗微型电源核心芯片技术 片上反馈技术
LED 显示驱动类： 5G 射频前端芯片：
1.开发适合富满 IC 的自动 Gamma 技术及专用软件，提升显示效 集中于开发和完善面向 5G 移动终端，泛 IOT 领域射频前端芯
果； 片产品技术，强化公司在 5G 射频前端芯片，包括 5G 射频调谐
2.研究新型消隐钳位控制方法，极大改善行业顽疾耦合问题； 器，射频开关，射频前端集成芯片等芯片的技术深度和技术积
研发计划及成果 3.目前有完整共阴极驱动产品及配套、先进的低压供电技术，以 累
应对更低能耗的要求；
Mini/Micro LED 显示芯片：
电源源管理芯片类： 集中于在向系统微小化、高精度（一致性）、Decouple、高刷
1、研发出高度集成化 700V 的高压启动技术，降低待机功耗的同 新率、高扫描数（96 扫、128 扫）的方向发展，芯片封装从高
2-36
项目 现有研发中心项目 本次新建研发中心项目
时提高了可靠性； 脚位的 QFN 升级到 BGA（104Pin 以上），以实现 LED 显示屏
2、优化的 QR 检测电路，提高重载效率同时增加了系统环路稳性 驱动的高度集成化设计。
和抗干扰能力。
3、优化轻载频率控制方式，既提高轻载效率，也消除了轻载音频
噪声；
4、研发更加先进的中大功率电路拓扑技术，比如 LLC。
公司现有研发中心主要由深圳研发中心、厦门研发中心及上海研发中心组成，公司
的研发团队在无线射频功率放大器电路设计领域以及 Mini LED 显示芯片开发已形成了
深厚的项目经验和技术积累，公司已研制出了 2G/3G 芯片、单片 4G 芯片、TXM 和
MMMB 芯片、5G SP2T-SP16T 全系列射频开关片、IEEE 802.11a/b/g 射频功放芯片、
FM6565、FM6569 LED 屏显示驱动芯片等。如上表所述，公司现有研发中心项目与本
次新建研发中心项目在研发内容、主要应用领域、研发计划及成果等均存在一定差异，
新建研发中心是现有研发中心功能和技术拓展，在此基础上集中于承担公司更为前端、
更符合公司发展战略需求的研发项目。
（2）满足公司降低研发管理成本需求，保障未来研发人员、场地及设备等方面需
求
结合未来研发人员、场地及设备需求规划，现有研发中心场地和新建研发中心后研
发场地面积变动情况具体如下：
1）深圳现有研发中心场地面积如下：
区域 使用面积（㎡）
深圳市福田区 1,978.83
深圳市南山区 1,687.41
深圳市龙华区 212.84
深圳现有研发场地合计数 3,879.08
由上表可知，公司深圳现有研发办公面积为 3,879.08 ㎡，研发办公场所分布于深圳
各区域，较为分散，研发人员无法统一集中办公。
2）新建后研发中心后的深圳研发场地面积如下：
类型 使用面积（㎡）
深圳现有研发场地（A） 3,879.08
新建研发中心场地（B） 3,000.00
新建研发中心后拟退租替换的租赁场地（C）注 1 3,079.08
新建后研发中心后的深圳研发场地合计数（D）=（A）+（B）-（C） 3,800.00
注 1：新建研发中心后拟退租替换的租赁场地为深圳市福田区、龙华区及南山区非总部研发中
2-37
心的场地面积
由上表可知，公司深圳现有研发办公面积为 3,879.08 ㎡，本次研发中心项目建设完
毕后，深圳地区的部分研发办公场所将进行退租并以新建研发中心代替，研发办公面积
由原来的 3,879.08 ㎡变更为 3,800.00 ㎡，新建研发中心后深圳研发场地使用面积与现有
研发场地使用面积不存在较大差异，同时有效解决了大部分研发人员无法统一办公的情
况，增加研发效率。
同时，公司在进行研发时需要集中沟通推进研发进度以及使用不同功能的研发设备
进行测试，而目前公司研发场所和人员分散，无法有效沟通，研发人员进行部分研发活
动时需要到另一研发中心使用设备，存在人员合作研发效率低等问题，难以形成研发合
力，不利于技术领先战略的持续实施。
鉴于此，公司亟需集中研发人员统一办公，提升研发测试效率。本项目的建设将解
决公司中长期研发人员无法统一办公的问题，提高研发沟通效率，同时为员工提供良好
的办公和研发环境，为公司发展战略奠定坚实基础。（3）前海政策扶持，有利于公司业
务发展及人才招聘
在前海产业支持政策及人才支持政策的双重加持下，公司在深圳前海建设具有固定
办公场所的研发中心有利于未来业务发展及人才招聘，相关主要政策具体如下：
政策类型 政策名称 具体内容
为了促进前海合作区金融、物流、信息服务、科技服务、文化创意
等现代服务业和战略性新兴产业的发展，《条例》进一步丰富了产业
发展相关内容。一是明确前海建设创新特别合作区，发挥重要平台
《深圳经济特区前海深港 作用，促进粤港澳大湾区人员、设备、数据、资金、技术等要素便
产业政策支持
现代服务业合作区条例》 捷有序流动，推动国际科技创新中心建设。二是支持香港、澳门高
校和科研机构在前海合作区设立分支机构或创新平台，开展科技创
新和产业发展，鼓励合作共建科技研发、成果转化、企业孵化等协
同创新的产学研平台
“前海境外人才个税 15%”优惠政策在吸引境外人才方面成效明显：
在个人所得税方面对标香港“标准税率 15%”的标准，打造了前海“类
香港”的税收环境，认定港籍人才约占总认定人数的 50%，深港合作
《深圳前海深港现代服务
有了着力点；有效降低企业在前海的运营成本，促进一大批聘用境
业合作区境外高端人才和
人才政策支持 外人才较多的企业落户前海；个税补贴直接返补到个人，吸引境外
紧缺人才个人所得税财政
高端人才在前海聚集。从整体上看，“前海境外人才个税 15%”优惠
补贴办法》
政策是国务院批复前海规划的重要组成，是前海乃至深圳市吸引境
外高端人才和紧缺人才的重要抓手，在实施过程中也备受企业、人
才重视，影响力逐步提升，引才聚才效应大幅显现。
”
2-38
三、结合现有生产及管理场所位置及产权情况、本次拟购置办公场地的土地属性、
市场单价及同行业可比情况、现有研发办公场地使用成本情况，披露高成本购置深圳
市前海办公场地进行研发中心建设的必要性，是否仅供研发使用，是否存在变相炒作
房地产的情形，未采纳其他低成本替代方案的原因，是否损害上市公司利益。
发行人已在本次发行《募集说明书》之“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可
行性分析”之“四、本次研发中心建设项目的合理性及必要性”中进行补充披露如下：
“（三）本次新建研发中心项目建设成本比较说明
1、公司及子公司自有房产及租赁情况
截至 2021 年 3 月 31 日，发行人及其控股子公司现有生产及管理场所位置及产权情
况如下：
用途 经营场所产权情况 面积（㎡） 人数员工数量（人） 人均办公面积（㎡/人）
办公（含销售） 租赁经营场所 5,029.24 176 28.58
生产 租赁经营场所 26,040.00 342 76.14
研发 租赁经营场所 4,571.41 439 10.41
合计 - 36,440.65 957 37.24
由上表可知，截至 2021 年 3 月 31 日，公司及子公司现有生产及管理场所相关房产
合计 36,440.65 ㎡，其中公司用于研发的办公面积为 4,571.41 ㎡，含在公司本部办公的
工程部及测试部研发技术人员的人均研发面积为 10.41 ㎡/人，研发人员人均办公面积显
著小于办公人员及生产人员的人均办公面积。
2、本次拟购置办公场地的土地属性、市场单价及同行业可比情况
本次研发中心建设项目计划在深圳市前海桂湾二单元 03 街坊的前海鸿荣源中心 A
塔，规划建筑面积为 3,000 ㎡，拟购置办公场地的房产属性为商业、办公，房产的规划
用途为办公用途，不能作为住宅用途。购置房产单价为 10 万元/㎡。
（1）关于研发中心购置办公场地单价周边房产均价对比的合理性
选取公司本次研发中心购置房产地理位置周边同品质房产价格购置单价做对比，具
体结果如下：
2-39
单位：万元/m2
楼盘 地理位置 第三方网站 网络查询购置价格
恒裕前海中心 前海桂湾临海大道与桂湾三路交汇处 深圳房地产信息网 9.50
前海 HOP 国际 深圳宝安区中心区-兴华一路 19 号 58 同城 8.90
安居客 9.48
卓越前海壹号（办公） 深圳南山区前海-梦海大道
58 同城 9.48
前海金融中心 深圳南山区前海临海大道 58 同城 9.37
平均值 9.35
经对比，公司购置房产的价格为 10.00 万元/㎡，周围同品质写字楼均价为 9.35 万
元/㎡，不存在显著差异。
（2）关于研发中心购置办公场地单价与同行业对比的合理性
半导体同行业上市公司募投项目购置房产的选址周围的商业地产购买价格与均价
比较如下：
单位：万元/m2
周边房产购置 购置单价与周边同品质房
公司名称 购置房产位置 购置单价
均价 产购置均价的偏离度
东软载波 山东省青岛市市北区上清路 16 号 1.50 1.33 12.78%
力合微 深圳市南山区科技园 6.46 6.00 7.67%
注 深圳市前海世茂金融中心二期第
芯海科技 9.00 9.34 5.96%
1 栋 51 层 5103,5104 号房
平均值 8.80%
深圳市前海桂湾二单元 03 街坊的
富满电子 10.00 9.34 7.07%
前海鸿荣源中心 A 塔
注：芯海科技的购房意向协议于 2018 年签订，因此购置单价与富满电子存在一定差异
经对比，公司购置房产的价格与周边价格对比偏离度为 7.07%，而同行业上市公司
中购置房产的价格与周边价格的偏离度平均数为 8.80%，公司购置房产的价格与周边价
格对比偏离度与同行业上市公司不存在显著差异。
3、高成本购置深圳市前海办公场地进行研发中心建设具有必要性，研发中心仅供
研发使用，不存在变相炒作房地产的情形
（1）现有研发办公场地使用成本情况
报告期内，公司及子公司租赁成本的列示如下：
2-40
单位：万元
年份 2018 年 2019 年 2020 年 2021 年 1-3 月
租赁成本 222.48 251.20 293.45 87.79
（2）公司在前海购置房产有利于业务发展及人才招聘，相较于租赁房产更具经济
性，房产仅供研发活动使用，不存在变相炒作房地产的情形，不会损害上市公司利益
1）公司有实际的场地需求，亟待建设总部运营及研发中心
目前，公司深圳研发中心的办公场地主要通过租赁方式取得。同时，根据前述关于
现有办公场地及人员的统计，公司现有研发场地分散将限制公司进一步人员整合和业务
拓展。因此，通过本次募投项目在购置研发中心后，新建研发中心可解决研发人员不能
统一办公及管理的问题，提高公司研发效率，为研发人员提供良好的办公和研发环境。
2）长期来看购置房产具有经济性
公司购置和租赁办公场地两种方式的费用对比情况如下：
年折旧/摊销成本 每平米每月折旧/摊销成本
项目 金额（万元） 折旧年限（年） 净残值率（%）
（万元） （元/㎡/月）
场地购置 30,000 40.00 5 712.5 197.92
经查询 58 同城、安居客等第三方网站，前海片区写字楼租金具体如下：
网络查询租金
拟购置房产同等面
楼盘 地理位置 第三方网站
（元/㎡/月） 积年租金(万元）
前海深港现代服务业合作区 58 同城 230.10 828.36
华润前海金融中心
桂湾四路与梦海大道交汇处 安居客 230.10 828.36
深圳前海桂湾区梦海大道与
卓越前海壹号 58 同城 200.10 720.36
桂湾五路交汇处
南山区前海蛇口片区前湾一 安居客 200.10 720.36
前海嘉里中心
路与临海大道交汇处 58 同城 200.10 720.36
平均值 205.10 763.56
如上表所述，按此价格和同等面积计算，公司新建研发中心购置房产成本年折旧及
摊销金额为 712.50 万元，租赁成本为 763.56 万元。经测算，目前租赁房产相对于购置
房产的支出高，后期随着租金的持续上升，租赁成本可能越来越高。因此，相较于租赁，
购置房产更符合公司长期的发展利益。
3）购置房产而非租赁房产建设研发中心有利于研发实验设备安放，降低租赁可能
导致的搬迁成本较高的不确定性
购置房产更有利于研发中心建设项目稳定、顺利实施。该项目通过购置房产设立研
2-41
发及实验中心的主要目的是为加快 Mini/Micro LED 显示芯片的深度研发及产业改造，
攻克并掌握相关关键系统技术，而研发类项目对办公场地及试验环境的要求相对较高，
投入亦较大，同时，租赁房产作为研发场地具有不确定性，出租人可能要求提前结束租
赁或者租赁到期后不予续签租赁办公场所，若出现不能续租的情形，其实验设备搬迁及
研发实验室的再次建设周期较长，不利于研发类项目有效开展。
4）前海片区政策扶持，购置前海片区房产有利于公司业务发展及人才招聘
如本募集说明书之“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之“四、
本次研发中心建设项目的合理性及必要性”之“（二）本次募投研发中心项目详细研发
计划，采用相似技术路线和研制方案情况下进行本次研发项目中心建设的必要性和合理
性”之“4、采用相似技术路线和研制方案情况下进行本次研发项目中心建设的必要性
和合理性”之“（3）前海政策扶持，有利于公司业务发展及人才招聘”所述，前海片区
在产业政策及人才政策的双重加持下，公司购置前海片区房产有利于公司未来的业务发
展及优秀人才引进。
5）公司不存在募集资金变相炒作房地产业务的情形，不存在损害上市公司利益的
情形
公司本次研发中心项目所购置的房产均为公司自用，不存在对外出租或出售的计划。
发行人于 2021 年 5 月 27 日出具《关于募投项目所涉及的房产用途的承诺函》，承诺内
容为：“本公司募投项目所涉及的房产均为公司自用，不会用于对外出租或出售，不存
在变相炒作房地产的情形。若本公司违反前述承诺，将承担由此引发的法律责任。”
综上所述，发行人本次募投项目涉及的房产与公司现有业务以及未来发展战略紧密
联系，未来将全部自用，不存在对外出租或出售的计划。发行人不存在募集资金变相炒
作房地产业务的相关情形。”
【会计师核查意见】
（一）核查程序
我们对上述问题实施的审计程序包括但不限于：
1、查阅公司 2021 年度向特定对象发行 A 股股票预案、本次募投项目可行性研究
报告、前次研发中心建设的可行性研究报告，前次研发中心变更的会议决议，前次募集
2-42
资金鉴证报告等资料，并对申请人管理层进行访谈，了解申请人研发中心建设的计划及
取得办公场地的具体安排、进度；核查前次研发中心建设项目建设进度及变更的合理性，
本次募投项目建设研发中心项目且投资金额较前次大幅增长的必要性与合理性；
2、查阅公司近三年研发投入的情况、研发场地租赁合同、研发人员的工资、研发
成果等资料、《房屋购买意向协议》及相关土地法律法规，核查募投项目下进行本次研
发项目中心建设的必要性和合理性；
3、查阅本次募投项目可行性研究报告、同行业公司购置房产市场单价情况、发行
人出具的《关于募投项目所涉及的房产用途的承诺函》及购置房产周边地价的租赁情况
资料等，核查购置深圳市前海办公场地进行研发中心建设的必要性、是否存在变相炒作
房地产的情形，未采纳其他低成本替代方案的原因。
（二）核查结论
上述公司说明与我们执行公司财务报表审计以及核查中了解的情况没有重大不一
致。
问题 3
发行人芯片建设项目总投资 5.67 亿元，拟使用募集资金投入 5 亿元，研发中心项
目总投资 3.90 亿元，拟使用募集资金投入 3.5 亿元。
请发行人补充说明:（1）结合自身财务状况、融资能力，说明募集资金以外所需剩
余资金的具体来源，如募集资金不能全额募足或发行失败，项目实施是否存在较大的
不确定性。
请发行人补充披露：（2）募集资金不能全额募足或发行失败可能存在的风险；（3）
披露本次募投芯片建设项目、研发中心项目投资数额的构成明细、测算依据和测算过
程，建设最新进展情况，是否包括本次发行相关董事会决议日前投入资金。
请保荐人和会计师核查并发表明确意见。
【公司回复】
2-43
一、结合自身财务状况、融资能力，说明募集资金以外所需剩余资金的具体来源，
如募集资金不能全额募足或发行失败，项目实施是否存在较大的不确定性。
（一）发行人自身财务状况、融资能力及募集资金以外所需剩余资金的具体来源
1、自身财务状况
单位：万元
2021 年 3 月 31 日 2020 年 12 月 31 2019 年 12 月 31 2018 年 12 月 31
项目
/2021 年 1-3 月 日/2020 年度 日/2019 年度 日/2018 年度
总资产 183,140.74 165,229.25 103,381.29 87,458.76
有息负债 30,493.85 28,516.29 21,833.82 11,144.81
总负债 73,043.33 61,254.45 44,322.55 32,083.88
资产负债率（%） 39.88 37.07 42.87 36.68
归属于母公司股东的所有者权益 109,801.31 103,638.11 59,209.70 55,499.42
营业收入 26,604.83 83,624.70 59,822.44 49,668.87
归属于母公司股东的净利润 6,152.86 10,046.76 3,685.05 5,418.51
报告期各期期末，发行人有息负债规模较为合理，占总负债比例不超过 50%，资产
负债结构稳健。报告期内，发行人营业收入持续增长，除 2019 年因中美贸易摩擦影响
导致净利润下滑外，报告期内发行人归属于母公司股东的净利润保持增长态势。发行人
盈利能力较好且保持增长态势，财务状况良好。
2、融资能力
截至 2021 年 3 月 31 日，发行人银行借款中无抵押贷款和质押贷款，均为信用借款，
发行人共获得商业银行及政策性银行授信额度 117,980.00 万元，已使用授信额度
41,843.64 万元，未使用授信额度 76,136.36 万元。发行人信用状况良好，具有较强的融
资能力。
3、募集资金以外所需剩余资金的具体来源
发行人此次募投项目投资金额共计 115,625.94 万元，其中计划使用本次向特定对象
发行股票的募集资金为 105,000.00 万元，发行人已支付 5G 射频芯片、LED 芯片及电源
2-44
管理芯片生产建设项目土地款 3,091.50 万元，募集资金以外所需剩余资金缺口为
7,534.44 万元。发行人自身财务状况良好，融资能力较强，本次募投项目的募集资金以
外所需剩余资金缺口计划将以自有资金和银行贷款作为补充来源。
（二）如募集资金不能全额募足或发行失败，项目实施不存在较大的不确定性
如本次向特定对象发行股票的募集资金不能全额募足或发行失败，基于经营战略布
局的需要，发行人仍将继续推进此次募投项目的实施。发行人届时将根据自身实际经营
情况及市场环境，拟通过自有资金、经营积累及债务融资等方式筹措募投项目所需资金，
具体措施如下：
1、货币资金情况及应收账款情况
截至 2021 年 3 月 31 日，发行人货币资金余额为 15,815.85 万元，其中，银行承兑
汇票保证金为 2,530.89 万元，为受限资金，剩余可自由支配的资金为 13,284.95 万元；
应收账款余额为 45,272.47 万元，应收款项融资为 29,491.28 万元。若本次募集资金不能
全额募足或发行失败，发行人可调配自有资金及回收的应收账款和应收票据支持本次募
投项目建设。
2、营业收入及归属于母公司股东的净利润情况
单位：万元
项目 2021 年 1-3 月 2020 年度 2019 年度 2018 年度
营业收入 26,604.83 83,624.70 59,822.44 49,668.87
归属于母公司股东的净利润 6,152.86 10,046.76 3,685.05 5,418.51
最近三年及一期，发行人各期实现的营业收入分别为 49,668.87 万元、59,822.44 万
元、83,624.70 万元及 26,604.83 万元，各期营业收入同比增长 12.95%、20.44%、39.79%
和 164.36%。最近三年及一期，发行人实现归属于母公司股东的净利润分别为 5,418.51
万元、3,685.05 万元、10,046.76 万元及 6,152.86 万元，发行人盈利能力较好，若募集资
金不能全额募足或发行失败，可以未来经营积累弥补资金缺口，支持本次募投项目建设。
3、资产负债率情况
2-45
截至 2021 年 3 月 31 日，发行人合并报表资产负债率为 39.88%，整体债务水平较
低，有继续举措债务的空间。发行人银行借款中无抵押贷款和质押贷款，均为信用借款，
发行人共获得商业银行及政策性银行授信额度 117,980.00 万元，已使用授信额度
41,843.64 万元，未使用授信额度 76,136.36 万元。发行人资信状况良好，融资渠道畅通，
具有较强的融资能力。若募集资金不能全额募足或发行失败，可通过债务融资筹集资金
投入此次募投项目建设。
综上所述，如本次向特定对象发行股票募集资金募集不足或者发行失败，发行人在
资金方面会面临一定的压力，募投项目的整体实施进度也会相应地受到一定的影响，进
展速度可能会有所放缓。但基于对未来经营战略布局和进一步优化产品结构、扩大产业
链布局的需要，公司仍会继续全力推进募投项目的建设，综合考虑自有资金、未来经营
积累和债务融资等多种内外部融资方式筹措项目建设所需的资金，实现经济效益。此次
募投项目实施不存在较大不确定性。
二、募集资金不能全额募足或发行失败可能存在的风险
发行人已在募集说明书“第六节 与本次发行相关的风险因素”之“六、发行风险”中
补充披露相关风险：
“发行人本次向特定对象发行股票募集资金，募投项目投资金额共计 115,625.94 万
元，其中计划使用本次向特定对象发行股票的募集资金为 105,000.00 万元。发行人已
支付 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目土地款 3,091.50 万元，募
集资金以外所需剩余资金缺口为 7,534.44 万元。若发行市场环境、行业政策、公司业
绩、公司股价等出现重大不利变化，则本次发行存在募集资金未全额募足或发行失败
的风险，进而对本次募投项目实施产生一定程度的不利影响。”
三、披露本次募投芯片建设项目、研发中心项目投资数额的构成明细、测算依据
和测算过程，建设最新进展情况，是否包括本次发行相关董事会决议日前投入资金
（一）芯片建设项目、研发中心项目投资数额的构成明细、测算依据和测算过程
1、芯片建设项目
2-46
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之
“三、本次募集资金投资项目的具体情况及可行性分析”之“（一）5G 射频芯片、LED 芯
片及电源管理芯片生产建设项目”之“1、项目基本情况”之中补充披露如下：
“（3）项目投资数额构成明细
本次募投项目投资构成、募集资金投入情况如下表所示：
序号 项目名称 投资金额（万元） 拟使用募集资金投入金额（万元）
1 建筑装修 30,943.78
1.1 土地使用费 3,091.50
1.2 厂房建设 25,529.93
50,000.00
1.3 宿舍建设 1,826.48
1.4 其他设施建设 495.88
2 设备购置费 25,709.16
合计 56,652.94 50,000.00
注：公司已支付 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目土地款 3,091.50 万元
（4）项目投资测算依据及过程
1）建筑装修
①厂房建设
厂房建设主要根据项目实际工程量进行测算，项目拟建设 48,341m2 的厂房，主要
由厂房土建、厂房机电、设计费、甲类库-土建、废水处理站-土建、万级净化厂房装修、
十万级净化厂房装修、外立面装修八部分组成，具体如下：
序号 建筑物或构筑物名称 单位 工程量 建设单价（元） 总价（万元）
1 厂房土建 ㎡ 48,341 3,500.00 16,919.35
2 厂房机电 - 48,341 750.00 3,625.58
3 设计费等其他费用 ㎡ - - 510.00
4 万级净化厂房装修 ㎡ 10,800 2,000.00 2,160.00
5 十万级净化厂房装修 ㎡ 13,500 1,300.00 1,755.00
2-47
序号 建筑物或构筑物名称 单位 工程量 建设单价（元） 总价（万元）
6 外立面装修 ㎡ 7,000 800.00 560.00
②宿舍建设
宿舍建设主要根据项目实际工程量进行测算，项目拟建设 5,372 m2 的宿舍，由宿
舍土建、宿舍机电两部分组成，具体如下：
序号 建筑物或构筑物名称 单位 工程量 建设单价（元） 总价（万元）
1 宿舍土建 ㎡ 5,372 2,850.00 1,531.02
2 宿舍机电 - 5,372 550.00 295.46
③其他设施建设
其他设施建设包括办公室装修和绿化工程，根据项目实际工程量进行测算，具体如
下：
序号 建筑物或构筑物名称 单位 工程量 建设单价（元） 总价（万元）
办公建设工程
1 办公室装修 ㎡ 2,100 1,000.00 210.00
绿化装饰工程
1 屋顶绿化 ㎡ 2,955 250.00 73.88
2 室外绿化 ㎡ 5,300 400.00 212.00
2）设备购置费
本项目设备购置费总额为 25,709.16 万元，设备采购主要结合供应商报价及根据项
目需要的设备数量和对应采购金额加总测算，具体明细如下：
序号 设备名称 数量 平均单价（万元） 估算值（万元）
1 焊线机 284 38.71 10,998.69
2 低倍显微镜 70 0.15 10.50
3 双轨四测测编一体机+测试机 50 45.80 2,290.00
4 粘片机 43 76.28 3,081.51
5 烤箱 25 7.50 187.50
6 测试机+转塔分选机 18 73.80 1,328.40
2-48
序号 设备名称 数量 平均单价（万元） 估算值（万元）
7 测试机+转塔分选机+激光打标 16 197.60 3,161.60
8 高倍显微镜 15 12.65 189.75
9 塑封（打胶机+塑封模具+压机+排片机） 12 94.80 1,113.60
10 激光打印机 11 38.00 418.00
11 其他（探针机、切筋机等） - 2,929.62
合计 - - 25,709.16
”
2、研发中心项目
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之
“三、本次募集资金投资项目的具体情况及可行性分析”之“（二）研发中心项目”之“4、
项目投资计划”之中补充披露如下：
“（2）项目投资数额构成明细
本次募集资金拟投入研发中心项目建设，项目计划在深圳市前海桂湾二单元 03 街
坊的前海鸿荣源中心 A 塔（规划建筑面积为 3,000.00m2，单价 10.00 万元/m2），依托现
有研发中心，实施 5G 射频前端芯片以及 Mini/Micro LED 显示芯片的深度研发及产业改
造。
项目主要建设内容及投资估算具体情况如下：
序号 项目名称 项目投资总金额（万元） 所占比率 是否属于资本性支出
一 新增固定资产 33,821.00 86.78% 是
1 办公场地购置费 30,000.00 76.98% 是
2 办公场地装修及安装费 600.00 1.54% 是
3 设备购置及安装费 3,221.00 8.26% 是
二 新增无形资产 1,015.00 2.60% 是
三 预备费 1,290.00 3.31% 否
四 铺底流动资金 2,847.00 7.31% 否
合计 - 38,973.00 100.00% -
（3）项目投资测算依据及过程
2-49
新增固定资产费用包括办公场地购置安装费用以及设备购置及安装费，新增无形资
产为研发所需软件购买费用，设备购置及安装费以及无形资产投资构成如下：
1）设备购置及安装费
本项目设备采购及安装费总额为 3,221.00 万元，设备采购主要结合供应商报价及根
据项目需要的设备数量和对应采购金额加总测算，具体明细如下：
类别 拟采购固定资产设备名称 金额（万元）
通用设备 服务器、交流电源供应器、直流电子负载、功率计等 550.00
5G NR 综合测试仪、NI PXI 测试系统、微波网络分析仪、矢量网络分析
5G 射频方向 1,565.00
仪、噪声系数分析仪等
LED 小间距芯片 手持式光枪、示波器、逻辑分析仪、福禄克 Ti400+红外热成像仪等 1,106.00
总计 3,221.00
2）无形资产投资
本项目拟采购的无形资产主要为研发所需软件，总额为 1,015.00 万元，无形资产采
购主要结合供应商报价及根据项目需要的无形资产数量和对应采购金额加总测算，具体
明细如下：
购置来源
序号 无形资产名称 数量 金额（万元） 使用年限 （厂商名称）
（进口/国产）
EMX 电磁仿真系统 1 40.00 10 年 Cadence/进口
Agilent 2020 及组件 1 40.00 10 年 Keysight/进口
5G 射频开关
FEMBEM 专业滤波器建模软件 1 135.00 10 年 南微声/国产
方向
Finite2D 专业滤波器有限元分析软件 1 150.00 10 年 南微声/国产
小计 - 365.00 - -
altium designer 10 150.00 10 年 进口
LED 小 间 距
驱动芯片
物理设计检查仪器（套） 1 500.00 10 年 meter/进口
2-50
购置来源
序号 无形资产名称 数量 金额（万元） 使用年限 （厂商名称）
（进口/国产）
小计 - 650.00 - -
总计 - 1,015.00 - -
”
（二）芯片建设项目、研发中心项目建设最新进展情况
1、芯片建设项目
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之
“三、本次募集资金投资项目的具体情况及可行性分析”之“（一）5G 射频芯片、LED 芯
片及电源管理芯片生产建设项目”之“1、项目基本情况”之中补充披露如下：
“（6）项目建设进展
2021 年 5 月 14 日，本项目已取得深圳市住房和建设局签发的《建筑工程施工许可
证》（工程编号：2020-440317-65-03-01780901）。截至本募集说明书出具日，项目顺利
推进中，现场已开展基坑支护工作，不存在重大不确定性。”
2、研发中心项目
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之
“三、本次募集资金投资项目的具体情况及可行性分析”之“（二）研发中心项目”补充披
露如下：
“7、项目投入及建设进展
截至本募集说明书出具日，公司研发中心项目尚未开始建设，未进行研发投入。”
（三）本次募投项目投资总额包含本次发行相关董事会决议日前投入资金
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”中补
充披露如下：
2-51
“五、本次募投项目投资总额包含本次发行相关董事会决议日前投入资金
本次募投项目中的 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目所涉及
的 3,091.50 万元土地款项已由发行人在 2020 年 6 月全额支付，相关款项的支付早于本
次发行相关董事会决议日，本次募投项目投资总额包含本次发行相关董事会决议日前
投入资金，但募集资金总额不包含本次发行相关董事会决议日前投入资金，本次向特
定对象发行股票后，发行人不会将募集资金置换该等款项，。”
【会计师核查意见】
（一）核查程序
我们对上述问题实施的审计程序包括但不限于：
1、审阅了发行人近三年一期的审计报告、年度报告、授信协议及企业信用报告等
资料，访谈发行人财务总监，了解发行人自身财务状况及通过借款方式筹集资金的能力；
2、查阅了本次募投项目的可行性分析研究报告、论证分析报告，访谈发行人相关
负责人，了解募投项目建设进展情况；
3、取得发行人本次募投项目的投资明细表，复核投资数额的构成、测算依据和测
算过程；
4、查阅本次发行相关的董事会决议、股东大会决议，向发行人了解本次募投项目
是否包含相关董事会决议日前投入资金。
（二）核查结论
上述公司说明与我们执行公司财务报表审计以及核查中了解的情况没有重大不一
致。
问题 4
截至 2020 年 12 月 30 日，发行人合并资产负债表货币资金余额 20,136.40 万元，
交易性金融资产 11,066.00 万元，其他流动资产 326.12 万元，其他非流动资产 12,088.69
2-52
万元。发行人于 2021 年 4 月 9 日公告拟使用额度不超过 4 亿元的闲置自有资金购买低
风险理财产品，发行人本次拟使用募集资金 2 亿元用于补充流动资金，前次再融资补
充流动资金 1 亿元。
请发行人补充披露：（1）自本次发行相关董事会决议日前六个月至今，发行人实
施或拟实施的财务性投资及类金融业务的具体情况，并结合公司主营业务，披露最近
一期末是否持有金额较大的财务性投资（包括类金融业务）情形，是否符合《创业板
上市公司证券发行上市审核问答》的相关要求；（2）结合财务性投资情况、未来营运
资金缺口情况，闲置自有资金未来安排情况等，说明存在大额闲置自有资金的情况多
次通过再融资补充流动资金的合理性，是否存在频繁融资、过度融资的情形。
请保荐人和会计师核查并发表明确意见。
【公司回复】
一、自本次发行相关董事会决议日前六个月至今，发行人实施或拟实施的财务性
投资及类金融业务的具体情况，并结合公司主营业务，披露最近一期末是否持有金额
较大的财务性投资（包括类金融业务）情形，是否符合《创业板上市公司证券发行上
市审核问答》的相关要求
（一）关于财务性投资及类金融业务的认定标准
发行人已在募集说明书“第一节 发行人基本情况”中补充披露如下：
“六、财务性投资相关情况
（一）关于财务性投资及类金融业务的认定标准
《深圳证券交易所创业板上市公司证券发行上市审核问答》（2020 年 6 月）对财务
性投资及类金融业务作出了明确规定：
1、财务性投资
（1）财务性投资的类型包括不限于：类金融；投资产业基金、并购基金；拆借资
金；委托贷款；以超过集团持股比例向集团财务公司出资或增资；购买收益波动大且风
险较高的金融产品；非金融企业投资金融业务等。
（2）围绕产业链上下游以获取技术、原料或渠道为目的的产业投资，以收购或整
2-53
合为目的的并购投资，以拓展客户、渠道为目的的委托贷款，如符合公司主营业务及战
略发展方向，不界定为财务性投资。
（3）金额较大指的是，公司已持有和拟持有的财务性投资金额超过公司合并报表
归属于母公司净资产的 30％（不包含对类金融业务的投资金额）。
（4）本次发行董事会决议日前六个月至本次发行前新投入和拟投入的财务性投资
金额应从本次募集资金总额中扣除。
2、类金融业务
除人民银行、银保监会、证监会批准从事金融业务的持牌机构为金融机构外，其他
从事金融活动的机构均为类金融机构。类金融业务包括但不限于：融资租赁、商业保理
和小贷业务等。”
（二）自本次发行相关董事会决议日前六个月至今，发行人不存在实施或拟实施
的财务性投资及类金融业务的情况
发行人已在募集说明书“第一节 发行人基本情况”之“六、财务性投资相关情况”中
补充披露如下：
“（二）自本次发行相关董事会决议日前六个月至今，发行人新实施或拟实施的财
务性投资及类金融业务的具体情况
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在实施或拟实施的财务性投资，具体分析
如下：
1、类金融
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的类金融业务及投资。
2、投资产业基金、并购基金
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的投资产业基金、并购
基金。
3、拆借资金
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的拆借资金。
2-54
4、委托贷款
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的委托贷款。
5、以超过集团持股比例向集团财务公司出资或增资
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的以超过集团持股比例
向集团财务公司出资或增资。
6、购买收益波动大且风险较高的金融产品
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的购买收益波动大且风
险较高的金融产品。
（1）公告日后新增理财产品情况
2021 年 4 月 9 日，发行人公告拟使用额度不超过 4 亿元的闲置自有资金购买低风
险理财产品。公告日后至今的理财产品购买情况具体情况如下：
单位：万元
预计年
序号 银行 产品名称 产品类型 本金金额 起存日 到期日/赎回日
收益率
龙盈天天理财产 为非保本浮动收益
1 华夏银行 4,000.00 2021/4/9 可随时赎回 3.00%
品 1 号（T+0) 的净值型
产品成立后每
年的 4 月 30 日
龙盈固收 G 款 49 非保本浮动收益净 起连续 5 个工
2 华夏银行 5,000.00 2021/5/6 4.30%
号 值型 作日为开放日，
开放日可以进
行赎回操作
龙盈天天理财产 非保本浮动收益净
3 华夏银行 5,000.00 2021/5/18 可随时赎回 3.00%
品 1 号（T+0) 值型
兴业银行 金雪球添利快线 非保本浮动收益开
4 4,000.00 2021/5/18 可随时赎回 3.00%
后海支行 净值型（T+0) 放式净值型
合计 - 18,000.00 - - -
发行人新购买的理财产品均为低风险的非保本浮动收益型的委托理财，收益波动小、
风险较低、期限较短，不属于收益波动大且风险较高的金融产品，不属于财务性投资及
类金融业务。
发行人不存在已实施的购买收益波动大且风险较高的金融产品。
（2）后续理财产品购买计划
2021 年 4 月 9 日，发行人公告了《关于公司使用自有闲置资金购买银行理财产品
2-55
的公告》（公告编号：2021-032），拟使用额度不超过 4 亿元的闲置自有资金购买低风险
理财产品，其中，明确说明：“为控制风险，投资品种应为安全性高、流动性好、低风
险的理财产品，不得参与高风险投资类业务。”发行人无计划购买收益波动大且风险较
高的金融产品。
发行人已对后续理财产品的购买类型作出承诺：“公司未来将在不超过 4 亿元额度
范围内选择购买安全性高、流动性好、低风险的理财产品或银行结构性存款，并不会将
上述额度用于股票、期货、衍生品类产品等高风险投资或收益波动大且风险较高的金融
产品。”
综上所述，发行人不存在拟实施的购买收益波动大且风险较高的金融产品。
7、非金融企业投资金融业务
董事会决议日前六个月至今，发行人不存在已实施或拟实施的非金融企业投资金融
业务。
综上所述，董事会决议日前六个月至今，发行人不存在实施或拟实施的财务性投
资。”
（三）结合公司主营业务，披露最近一期末是否持有金额较大的财务性投资（包
括类金融业务）情形，是否符合《创业板上市公司证券发行上市审核问答》的相关要
求
发行人已在募集说明书“第一节 发行人基本情况”之“六、财务性投资相关情况”中
补充披露如下：
“（三）最近一期末发行人持有金额较大的财务性投资（包括类金融业务）的情形
截至 2021 年 3 月 31 日，发行人可能涉及财务性投资的财务报表科目包括交易性金
融资产、其他应收款、其他流动资产及其他非流动资产。具体情况如下：
单位：万元
投资分类 金额 属于财务性投资金额
交易性金融资产 12,095.98 -
其他应收款 1,336.20 -
2-56
其他流动资产 55.25 -
其他非流动资产 1,792.20 -
合计 15,279.63 -
归属于母公司净资产 109,801.31 -
财务性投资金额占比 0.00% -
公司主要从事高性能模拟及数模混合集成电路的设计研发、封装、测试和销售，不
涉及类金融业务。公司可能涉及财务性投资的各财务报表科目具体分析如下：
1、交易性金融资产
截至 2021 年 3 月 31 日，公司交易性金融资产账面价值为 12,095.98 万元，占流动
资产的比例为 9.08%，本金金额为 12,000.00 万元，主要包括低风险的非保本浮动收益
型的委托理财，收益波动小、风险较低、期限较短，不属于财务性投资及类金融业务。
截至 2021 年 3 月 31 日的交易性金融资产具体构成如下：
单位：万元
到期日/赎
序号 账户名称 产品名称 产品类型 本金金额 起存日 预计年收益率
回日
龙盈固收尊享 5 号
1 华夏银行 非保本浮动收益型 3,000.00 2020/11/11 2021/5/11 4.20%
（三个月定开）
龙盈固收尊享 37 号
2 华夏银行 非保本浮动收益型 4,000.00 2021/1/7 2021/4/8 4.10%
（三个月定开）
龙盈固收尊享 27 号
3 华夏银行 非保本浮动收益型 4,000.00 2021/3/9 2021/6/9 4.05%
（三个月定开）
招商银行点金系列
4 招商银行 看跌两层区间 91 天 非保本浮动收益型 1,000.00 2021/3/24 2021/6/24 3.10%
结构性存款
合计 12,000.00 - -
2、其他应收款
截至 2021 年 3 月 31 日，公司其他应收款账面价值为 1,336.20 万元，占流动资产的
比例为 1.00%，主要包括押金、保证金、备用金及往来款，不属于财务性投资及类金融
业务，其他应收款余额按性质列示具体如下：
2-57
单位：万元
类型 金额
融资租赁保证金 626.33
其他保证金、押金 482.85
备用金 49.73
外部公司往来款 44.45
代垫个人社保、公积金 47.84
其他 230.14
合计 1,481.34
3、其他流动资产
截至 2021 年 3 月 31 日，公司其他流动资产为 55.25 万元，具体构成如下表：
单位：万元、%
2021 年 3 月 31 日
项目
金额 占比
待抵扣进项税额 0.05 0.09
待摊费用 55.20 99.91
合计 55.25 100.00
公司其他流动资产主要包括待抵扣进项税额及待摊费用，不属于财务性投资及类金
融业务。
4、其他非流动资产
截至 2021 年 3 月 31 日，公司其他非流动资产为 1,792.20 万元，占非流动资产的比
例为 3.59%，主要为预付设备款，不属于财务性投资及类金融业务。
2-58
综上所述，截至 2021 年 3 月 31 日，公司不存在持有金额较大的财务性投资（包括
类金融业务）情形，符合《创业板上市公司证券发行上市审核问答》的相关要求。”
二、结合财务性投资情况、未来营运资金缺口情况、闲置自有资金未来安排情况
等，说明存在大额闲置自有资金的情况多次通过再融资补充流动资金的合理性，是否
存在频繁融资、过度融资的情形
发行人已在募集说明书“第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析”之
“六、补充流动资金的合理性”中补充披露如下：
“（一）财务性投资情况
如本募集说明书“第一节 发行人基本情况”之“六、财务性投资相关情况”中披露，
报告期内，公司不存在财务性投资的情况。
（二）未来营运资金缺口情况
本次募集资金中拟使用 20,000.00 万元用于补充流动资金，占公司本次募集资金总
额的 18.18%。公司在综合考虑现有资金情况、实际运营资金需求缺口、市场融资环境
及未来战略规划等因素来确定本次募集资金中用于补充流动资金的规模，整体规模适当。
2018 年度、2019 年度及 2020 年度，公司实现的营业收入分别为 49,668.87 万元、
59,822.44 万元及 83,624.70 万元，2018 年度至 2020 年度营业收入的年复合增长率为
29.76%。假设公司 2021 年度至 2023 年度实现的营业收入增长率为 29.76%，2021 年末
至 2023 年末各项经营性资产、经营性负债占营业收入的比例与 2020 年末的情况一致。
则按照销售百分比法测算公司未来三年营运资金需求的情况如下：
单位：万元
项目 2021 年末/2021 年度 2022 年末/2022 年度 2023 年末/2023 年度
营业收入（预计） 108,507.49 140,794.23 182,688.00
经营性资产 114,800.30 148,959.49 193,282.85
经营性负债 36,454.34 47,301.45 61,376.14
营运资金 78,345.96 101,658.04 131,906.71
营运资金缺口（2020 年末至 2023 年末） 68,169.93
2-59
经测算，公司未来三年所需营运资金的缺口为 68,169.93 万元，公司拟通过本次向
特定对象发行股票的方式募集资金 20,000.00 万元用于补充流动资金，以保证公司正常
生产经营。
（三）闲置自有资金未来安排情况
1、最近一期末货币资金的构成及主要预计用途
截至 2021 年 3 月 31 日，公司货币资金主要构成如下：
单位：万元
项目 金额 占比
库存现金 8.59 0.05%
银行存款 13,276.36 83.94%
其他货币资金 2,530.89 16.00%
合计 15,815.85 100.00%
截至 2021 年 3 月 31 日，公司货币资金余额为 15,815.85 万元，其中保证金为 2,530.89
万元，占比 16.00%，且全部为银行承兑汇票保证金，属于受限资金；公司目前可以自
由支配的资金为 13,284.95 万元。公司货币资金主要用途情况如下：
（1）满足日常资金需求
基于公司日常运营的需求，通常需要预留一定货币资金作为公司原材料及员工薪酬
的支付，公司货币资金需求量测算如下：
1）根据公司现金流量表分析，2020 年至 2021 年 1-3 月，公司购买商品、接受劳务
支付的现金平均每月 4,696.78 万元。
2）根据公司现金流量表分析，2020 年至 2021 年 1-3 月，公司支付的其他与经营活
动有关的现金平均每月 543.58 万元。
以上付现成本费用合计为每月 5,240.36 万元。从财务谨慎性角度，公司应当持有 3
个月左右付现额的货币资金 15,721.09 万元。
（2）项目投资建设
本次向特定对象发行 A 股股票募集资金总额不超过（含发行费用）105,000.00 万元，
扣除发行费用后的募集资金净额将投资于以下项目：
2-60
单位：万元
序号 项目名称 项目投资总额 募集资金投入额
1 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目 56,652.94 50,000.00
2 研发中心项目 38,973.00 35,000.00
3 补充流动资金 20,000.00 20,000.00
合计 115,625.94 105,000.00
注：发行人已支付 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产建设项目土地款 3,091.50 万元
本次募投项目新增投资建设 5G 射频芯片、LED 芯片及电源管理芯片生产线，将有
利于公司进一步提升生产能力及影响力，扩大公司的业务规模，增加市场占有率，增强
公司市场话语权，进一步巩固公司的行业地位。本次募集资金项目总投资额为 115,625.94
万元，拟使用募集资金金额为 105,000.00 万元，扣除公司已支付的 3,091.50 万元土地款
项外，本次募集资金投资项目有 7,534.44 万元需要公司以自有资金投入。同时，考虑到
公司目前产能需求的紧迫性，公司拟使用自有资金及银行贷款先行投入募集资金投资项
目建设，未来拟使用募集资金进行置换。
综上所述，公司截至 2021 年 3 月 31 日的货币资金需要用于公司日常经营及项目建
设，已经有明确的用途。
本次募集资金总额不超过募集资金投资项目资金需求量，融资规模合理，具有必要
性和合理性。通过再融资补充流动资金具有合理性，不存在频繁融资、过度融资的情形。
【会计师核查意见】
（一）核查程序
我们对上述问题实施的审计程序包括但不限于：
1、查阅发行人最近三年及一期的审计报告和财务报告、理财产品说明书、本次募
投项目的可行性研究报告等资料，了解目前公司的资金用度安排等情况，对发行人财务
性投资和类金融业务情况进行了核查。
（二）核查结论
上述公司说明与我们执行公司财务报表审计以及核查中了解的情况没有重大不一
2-61
致。
（此页无正文）
立信会计师事务所（特殊普通合伙） 中国注册会计师：
中国注册会计师：
2-62
中国上海 2021 年 6 月 2 日
2-63
