公司代码：688110 公司简称：东芯股份
东芯半导体股份有限公司
2023 年年度报告摘要
第一节 重要提示
1 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规
划，投资者应当到上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。
2 重大风险提示
公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析” 之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提
请投资者注意查阅。
3 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4 公司全体董事出席董事会会议。
5 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2023年度合并报表实现归属于上市公司股
东的净利润-30,624.97万元，母公司实现净利润-11,797.88万元，截止2023年12月31日，母公司
年末可供股东分配的利润为13,706.73万元。鉴于公司2023年度实现的归属于母公司股东的净利润
为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2023年
度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。
根据《上市公司股份回购规则》第十八条规定：“上市公司以现金为对价，采用要约方式、
集中竞价方式回购股份的，视同上市公司现金分红，纳入现金分红的相关比例计算”，公司2023
年度以集中竞价方式累计回购公司股份金额为6,480.09万元（不含印花税、交易佣金等交易费用
）。
以上利润分配预案已经公司第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议审议通
过，尚需经公司2023年年度股东大会审议通过。
8 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1 公司简介
公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 东芯股份 688110 不适用
科创板
公司存托凭证简况
□适用 √不适用
联系人和联系方式
联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表
姓名 蒋雨舟 黄沈幪
办公地址 上海市青浦区徐泾镇诸光
上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹
路1588弄虹桥世界中心
桥世界中心L4A-F5
L4A-F5
电话 021-61369022 021-61369022
电子信箱 contact@dosilicon.com contact@dosilicon.com
2 报告期公司主要业务简介
(一) 主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决
方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力
于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及
服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，
实现了国内闪存芯片的技术突破。
图：公司产品应用示例
2、主要产品及服务
存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据
断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失
性存储芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存储芯片 DRAM 以及衍生产品 MCP：
（1）NAND Flash
NAND Flash 即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量 NAND Flash 主要为 MLC、TLC NAND Flash
或 3D NAND Flash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量 NAND Flash
主要是 SLC NAND Flash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的 NAND 产品种类丰富，
功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应
用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于 5G 通讯、
企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。
公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆
盖 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，搭配 3.3V/1.8V 两种电压，可满足客户在不
同应用领域及应用场景的需求。公司 NAND Flash 产品核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，
公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成在同一芯片内，
有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数
据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过 10 万次，同时可
在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达 10 年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规
级标准迈进。
图：公司 NAND Flash 产品
（2）NOR Flash
NOR Flash 即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通
过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代
码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满
足快速启动应用系统的需求。
公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX 工艺的 SPI NOR Flash，自主设计的 SPI NOR Flash
存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。
图：公司 NOR Flash 产品
（3）DRAM
DRAM 是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比
特（bit）来实现数据存储。DRAM 具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系
统中的指令和数据进行处理。
公司研发的 DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时等特点，
在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发
的 LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达 2133MHz，适用于
智能终端、可穿戴设备等产品。
图：公司 DRAM 产品
（4）MCP
MCP 产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与
数据处理功能。
公司的 NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 1.8v SLC NAND Flash 闪存芯片与低功耗设计
的 DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、
MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR 规格包括 LPDDR1、LPDDR2 和 LPDDR4x，为用户提供更加灵活
和丰富的选择。MCP 通过将低功耗 DRAM 和基于 NAND 的技术优化结合在一起简化了走线设计，节
省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用 NAND MCP 产品时可以减小
PCB 的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于 PCB 布板空间狭小的应用。
图：公司 MCP 产品
（5）技术服务
公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务
和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。
在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了
“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。
(二) 主要经营模式
公司作为 IC 设计企业，采取 Fabless 的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环
节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同
时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。公
司的整体业务流程如下图所示：
(三) 所处行业情况
1. 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致
力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,
公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为
芯片设计行业；根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012 年修订），公司属于“制造业”
中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。
2023 年宏观经济情况仍旧复杂多变，多家主要存储芯片厂商相继推动减产计划，旨在加速市
场供需平衡。随着海外大厂减产举措的逐步实施，去库存化预计将迎来加速。但公司认为随着市
场对于高需求的 HBM 等大容量存储芯片，尤其是来自于 AI 大模型的需求，将推动海外大厂将更多
产能投放于这类产品，从而迅速推动整个存储行业供需平衡的回归。
NOR Flash 和 NAND Flash 都属于非易失性存储芯片，即在断电后能够保留数据。根据存储信
息类型的不同，Flash 可以进一步分为代码型闪存和数据型闪存。NOR Flash 和 SLC NAND 被归类
为代码型闪存，主要用于存储操作系统及其启动与运行过程中的代码信息，对芯片的稳定性和可
靠性要求较高。而 MLC/TLC/QLC NAND 等数据型闪存主要用于存储系统运行过程中的大容量数据信
息，对芯片的容量和成本要求较高。
NAND Flash 行业集中度有所回落，但仍保持较高水平。全球 NAND Flash 行业前六大厂商市
场份额总和逐年提高，目前 NAND 主要通过 3D 堆叠方式大幅提升存储容量，而堆叠层数的持续提
升带来的技术难度也迅速增长。头部厂商既有深厚的技术积累也有充足的研发投入，有望率先实
现更高层数，进而巩固垄断地位，进一步提升行业集中度。
与大容量 NAND Flash 高度垄断的市场竞争格局不同，SLC NAND 市场竞争格局相对分散，参
与玩家较多。三星电子、铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额，中国本土厂商有东
芯股份、兆易创新、复旦微等。SLC NAND 具有更快的擦写速度，常用于支持带有操作系统如 Linux
等复杂系统的代码存储应用。当前国外存储大厂三星电子、美光科技、海力士、铠侠正全力扩建
大容量 NAND 产能，在 SLC NAND 的投入逐渐减少；随着海外大厂的陆续退出，留给中国本土厂商
的市场空间愈发广阔；国产化需求的不断提高也带来更多的导入机会。
NOR Flash 的存储阵列由各存储单元通过并联方式连接组成，实现按位快速随机读取数据的
同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行。它具有芯片内执行（XIP）、读取速度快等特点，
通常用于中小容量代码存储和快速读取，以满足快速启动应用系统的需求。
DRAM 是芯片产业中产值最大的单一品类，目前全球存储器产业处于高度垄断，主要的 DRAM
厂商包括韩国的三星电子、海力士和美国的美光科技，占据全球 90%以上的市场份额，广泛应用
于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。 近几年随着海外大厂逐步将 DDR4 产能转向 DDR5
产品并退出利基型 DRAM 市场，中国大陆 DRAM 产业技术开始起步发展。
2. 公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司涵盖利基型存储芯片，包括 SLC NAND Flash、NOR Flash 和 DRAM 等产品。以丰富的产品
线、可靠的性能和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。
在产品布局、工艺制程、产品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同
时提供包括 NAND Flash、NOR Flash、DRAM、MCP 等主要存储芯片完整解决方案。作为中国的存储
芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格
局。依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研发的投入，旨在提升市场份额。
同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机遇，确保公司的长期
稳定增长。
3. 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）SLC NAND Flash
SLC NAND Flash 主流工艺制程仍然是 2x-3xnm 制程。近两年来，主要 SLC NAND Flash 厂商
在 2xnm 制程工艺节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代 38nm-40nm 工艺节点产品。
部分领先的 SLC NAND Flash 厂商正在研发 1xnm 节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。SLC
NAND Flash 芯片朝着降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。
在传统市场因升级迭代需求保持稳定增长的同时小容量 SLC NAND Flash 产品，可广泛应用于
手机、机顶盒、数据卡、网通产品、通讯设备等消费类产品。随着制程的不断推进，SLC NAND Flash
产品将进入更多的应用领域，在网络通讯、机顶盒、可穿戴设备、智能家居等领域市场容量将进
一步增加。随着网通设备、安防监控、大数据、物联网的快速发展，用户对存储芯片的容量提出
了越来越高的要求，部分领域如智能穿戴产品等甚至呈现出 SLC NAND Flash 替代 NOR Flash 承担
程序代码存储应用的趋势。
（2）NOR Flash
NOR Flash 主流工艺制程仍然是 ETOX 65nm，已成熟应用多年。近两年来，主要 NOR Flash 厂
商在 5xnm 工艺节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代 65nm 工艺节点产品。部分
领先的 NOR Flash 厂商正在研发 4xnm 节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。此外，为满足下
游应用市场的需求，NOR Flash 逐步朝着更低功耗、更低电压、更高性能和更大容量等技术方向
发展。
尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，但 NOR Flash 市场规模的扩张主要受益于可穿戴
设备（如 TWS 耳机、智能手环、智能手表）、智能手机屏幕（AMOLED 技术）、5G 基站、物联网以
及新能源汽车（智能驾驶）等领域的快速发展。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇
进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势，在 NOR Flash 市场上逐步
取代了一些传统厂商。然而，由于国内公司主要专注于消费电子领域，而该领域市场行情受终端
需求波动影响较大，因此一些头部厂商积极调整产品结构，加大对中大容量产品的研发投入，积
极布局和规划工业控制、汽车电子等需求更稳定的高附加值终端应用市场，以扩大市场份额和占
有率。由于汽车智能化快速发展，车规级 NOR Flash 的需求也在迅速增长，推动车载产品完成
AEC-Q100 标准测试认证，因此，进入汽车电子市场将成为 NOR Flash 厂商的重要发展方向。
（3）DRAM
利基型 DRAM 市场是作为小众、动态的成熟产品市场，现有产品规格主要包括标准的 DDR3 和
DDR4 产品以及低功耗的 LPDDR1-LPDDR4x。
从需求端来看，利基型 DRAM 主要应用于 TV、安防以及消费类电子领域；现阶段由于汽车的
智能化程度尚浅，因此对 DRAM 的速度要求不如 PC、手机和服务器，更侧重于 DRAM 工作状态的稳
定性，因此当前车规级 DRAM 主要使用成熟制程进行生产。由于利基型市场下游应用领域广泛、因
此行业需求的周期性波动相对较小，呈现出稳定增长的局面。随着三星、海力士、美光科技将 DRAM
产能向 DDR5、LPDDR5x、GDDR 和 HBM 等高容量、高毛利的产品倾斜，DRAM 主流厂商的利基型产品
供给将有所收缩，将留给包括大陆和台湾供应商更大的市场空间。
3 公司主要会计数据和财务指标
3.1 近 3 年的主要会计数据和财务指标
单位：元 币种：人民币
2022年 本年比上年 2021年
2023年
调整后 调整前 增减(%) 调整后 调整前
总资产 3,847,165,529.16 4,322,832,330.94 4,323,587,119.28 -11.00 4,179,491,715.81 4,178,428,032.66
归属于上市公司股东的净 3,504,910,863.13 3,930,559,092.54 3,930,752,637.31 -10.83 3,820,029,538.44 3,820,252,676.53
资产
营业收入 530,588,242.52 1,146,000,876.64 1,146,000,876.64 -53.70 1,134,281,270.31 1,134,281,270.31
扣除与主营业务无关的业 529,088,252.94 1,144,443,230.67 1,144,443,230.67 -53.77 1,133,442,288.95 1,133,442,288.95
务收入和不具备商业实质
的收入后的营业收入
归属于上市公司股东的净 -306,249,693.71 185,461,824.56 185,432,231.24 -265.13 261,571,804.35 261,796,151.50
利润
归属于上市公司股东的扣 -326,691,659.75 164,885,941.49 164,856,348.17 -298.13 255,041,793.42 255,266,140.57
除非经常性损益的净利润
经营活动产生的现金流量 -301,755,851.65 -261,017,608.56 -261,017,608.56 不适用 117,522,087.87 117,522,087.87
净额
加权平均净资产收益率（% -8.20 4.74 4.74 减少12.94个 29.47 29.49
） 百分点
基本每股收益（元／股） -0.69 0.42 0.42 -264.29 0.77 0.77
稀释每股收益（元／股） -0.69 0.42 0.42 -264.29 0.77 0.77
研发投入占营业收入的比 34.34 9.63 9.63 增加24.71个 6.60 6.60
例（%） 百分点
3.2 报告期分季度的主要会计数据
单位：元 币种：人民币
第一季度 第二季度 第三季度 第四季度
（1-3 月份） （4-6 月份） （7-9 月份） （10-12 月份）
营业收入 123,835,909.21 115,806,011.12 131,490,811.57 159,455,510.62
归属于上
市公司股
-34,367,269.67 -40,740,184.38 -71,191,694.25 -159,950,545.41
东的净利
润
归属于上
市公司股
东的扣除
-37,582,685.36 -43,394,170.88 -76,352,007.53 -169,362,795.98
非经常性
损益后的
净利润
经营活动
产生的现
-32,992,856.62 -84,731,040.25 -113,695,594.38 -70,336,360.40
金流量净
额
季度数据与已披露定期报告数据差异说明
□适用 √不适用
4 股东情况
4.1 普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10
名股东情况
单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 19,589
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
22,510
(户)
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数
0
（户）
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先
0
股股东总数（户）
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
0
（户）
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股
0
份的股东总数（户）
前十名股东持股情况
股东名称 报告期内增 期末持股数 比例 持有有限售条件股 质押、标记或冻 股
（全称） 减 量 (%) 份数量 结情况 东
股 性
份 质
数量
状
态
境
内
东方恒信 非
集团有限 0 143,213,025 32.38 143,213,025 无 0 国
公司 有
法
人
苏州东芯
科创股权
其
投资合伙 0 22,500,000 5.09 22,500,000 无 0
他
企业（有限
合伙）
境
内
哈勃科技 非
创业投资 0 13,267,493 3.00 0 无 0 国
有限公司 有
法
人
招商银行
股份有限
公司－银
其
河创新成 11,509,967 11,509,967 2.60 0 无 0
他
长混合型
证券投资
基金
境
内
质
齐亮 -18,217,731 7,752,444 1.75 0 6,000,000 自
押
然
人
珠海横琴
中金锋泰
股权投资 其
-13,021,211 6,456,885 1.46 0 无 0
合伙企业 他
（有限合
伙）
国泰君安
证券股份
有限公司
－国联安
中证全指
其
半导体产 4,928,041 4,928,041 1.11 0 无 0
他
品与设备
交易型开
放式指数
证券投资
基金
招商银行
股份有限
公司－广
发电子信
其
息传媒产 4,903,608 4,903,608 1.11 0 无 0
他
业精选股
票型发起
式证券投
资基金
中国建设
银行股份
有限公司
其
－广发成 4,541,352 4,541,352 1.03 0 无 0
他
长精选混
合型证券
投资基金
宁波梅山
保税港区
凌顶投资
管理有限
其
公司－凌 690,185 4,325,555 0.98 0 无 0
他
顶恒瑞八
号私募证
券投资基
金
上述股东关联关系或一致行动的说明 苏州东芯科创股权投资合伙企业（有限合伙）的
执行事务合伙人东方海峡资本管理有限公司为东
方恒信集团有限公司的控股子公司。除此之外，
公司未知其他股东是否存在关联关系或一致行动
关系。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明 不适用
存托凭证持有人情况
□适用 √不适用
截至报告期末表决权数量前十名股东情况表
□适用 √不适用
4.2 公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图
√适用 □不适用
4.3 公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图
√适用 □不适用
4.4 报告期末公司优先股股东总数及前 10 名股东情况
□适用 √不适用
5 公司债券情况
□适用 √不适用
第三节 重要事项
1 公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对
公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。
报告期内，公司实现营业收入 53,058.82 万元，较上年同期减少 53.70%；归属于上市公司股
东的净利润-30,624.97 万元，较上年同期减少 265.13%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损
益的净利润-32,669.17 万元，较上年同期减少 298.13%。
2 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终
止上市情形的原因。
□适用 √不适用
