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路维光电:国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司2022年度持续督导跟踪报告2023-04-25  

                                                   国信证券股份有限公司
                    关于深圳市路维光电股份有限公司
                        2022 年度持续督导跟踪报告


       国信证券股份有限公司(以下简称“国信证券”或“保荐机构”)作为深圳
市路维光电股份有限公司(以下简称“路维光电”、“公司”或“上市公司”)
首次公开发行股票并在科创板上市的保荐机构,根据《证券发行上市保荐业务管
理办法》(以下简称“《保荐办法》”)《上海证券交易所科创板股票上市规则》
(以下简称“《股票上市规则》”)《上海证券交易所上市公司自律监管指引第
11 号——持续督导》(以下简称“《自律监管指引第 11 号》”)等相关规定,
负责路维光电上市后的持续督导工作,并出具 2022 年度持续督导跟踪报告。
       一、持续督导工作情况
序号                     工作内容                              实施情况
                                                       保荐机构已建立健全并有效
        建立健全并有效执行持续督导工作制度,并针对具
 1                                                     执行了持续督导制度,并制
        体的持续督导工作制定相应的工作计划。
                                                       定了相应的工作计划。
                                                       保荐机构已与上市公司签署
                                                       了保荐协议,协议明确了双
        根据中国证监会相关规定,在持续督导工作开始
                                                       方在持续督导期间的权利和
        前,与上市公司签署持续督导协议,明确双方在持
 2                                                     义务,并已报上海证券交易
        续督导期间的权利义务,并报上海证券交易所备
                                                       所备案。本持续督导期间,
        案。
                                                       未发生协议内容做出修改或
                                                       终止协议的情况。
        持续督导期间,按照有关规定对上市公司违法违规
                                                       本持续督导期间,上市公司
        事项公开发表声明的,应于披露前向上海证券交易
 3                                                     未发生需公开发表声明的违
        所报告,并经上海证券交易所审核后在指定媒体上
                                                       法违规事项。
        公告。
        持续督导期间,上市公司或相关当事人岀现违法违
        规、违背承诺等事项的,应自发现或应当自发现之   本持续督导期间,上市公司
        日起五个工作日内向上海证券交易所报告,报告内   及相关当事人未出现需报告
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        容包括上市公司或相关当事人岀现违法违规、违背   的违法违规、违背承诺等事
        承诺等事项的具体情况,保荐人采取的督导措施     项。
        等。
                                                       本持续督导期间,保荐机构
                                                       通过日常沟通、定期或不定
                                                       期回访、现场检查、尽职调
        通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调查等   查等方式,对上市公司开展
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        方式开展持续督导工作。                         持续督导工作。其中,保荐
                                                       机构于 2022 年 12 月 22 日至
                                                       2022 年 12 月 23 日对上市公
                                                       司进行了现场检查。
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序号                     工作内容                            实施情况
                                                    保荐机构持续督促、指导上
                                                    市公司及其董事、监事、高
       督导上市公司及其董事、监事、高级管理人员遵守 级管理人员,本持续督导期
       法律、法规、部门规章和上海证券交易所发布的业 间,上市公司及其董事、监
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       务规则及其他规范性文件,并切实履行其所做出的 事、高级管理人员能够遵守
       各项承诺。                                   相关法律法规的要求,并切
                                                    实履行其所做出的各项承
                                                    诺。
                                                    保荐机构督促路维光电依照
       督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度,
                                                    相关规定健全完善公司治理
 7     包括但不限于股东大会、董事会、监事会议事规则
                                                    制度,并严格执行公司治理
       以及董事、监事和高级管理人员的行为规范等。
                                                    制度。
                                                    保荐机构对路维光电的内控
       督导上市公司建立健全并有效执行内控制度,包括
                                                    制度的设计、实施和有效性
       但不限于财务管理制度、会计核算制度和内部审计
                                                    进行了核查,路维光电的内
 8     制度,以及募集资金使用、关联交易、对外担保、
                                                    控制度符合相关法规要求并
       对外投资、衍生品交易、对子公司的控制等重大经
                                                    得到了有效执行,能够保证
       营决策的程序与规则等。
                                                    上市公司的规范运行。
       督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度, 保荐机构督促路维光电严格
       审阅信息披露文件及其他相关文件,并有充分理由 执行信息披露制度,审阅信
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       确信上市公司向上海证券交易所提交的文件不存 息 披 露 文 件 及 其 他 相 关 文
       在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。           件。
       对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海
       证券交易所提交的其他文件进行事前审阅,对存在
       问题的信息披露文件及时督促公司予以更正或补 保荐机构对路维光电的信息
       充,公司不予更正或补充的,应及时向上海证券交 披露文件进行了审阅,不存
       易所报告;对上市公司的信息披露文件未进行事前 在因文件存在问题、上市公
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       审阅的,应在上市公司履行信息披露义务后五个交 司不予更正或补充而应及时
       易日内,完成对有关文件的审阅工作,对存在问题 向上海证券交易所报告的情
       的信息披露文件应及时督促上市公司更正或补充, 况。
       上市公司不予更正或补充的,应及时向上海证券交
       易所报告。
                                                    本持续督导期间,上市公司
                                                    或其控股股东、实际控制人、
       关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董事、
                                                    董事、监事、高级管理人员
       监事、高级管理人员受到中国证监会行政处罚、上
 11                                                 未受到中国证监会行政处
       海证券交易所监管措施或纪律处分的情况,并督促
                                                    罚、上海证券交易所纪律处
       其完善内部控制制度,采取措施予以纠正。
                                                    分或者被上海证券交易所出
                                                    具监管关注函的情况。




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序号                     工作内容                               实施情况
       关注上市公司及控股股东、实际控制人等履行承诺
       的情况,上市公司及控股股东、实际控制人等未履
       行承诺事项的,保荐人应及时向上海证券交易所报
                                                        本持续督导期间,上市公司
       告。上市公司或其控股股东、实际控制人作出承诺
                                                        及控股股东、实际控制人等
       的,保荐机构、保荐代表人应当督促其对承诺事项
                                                        不存在未履行承诺的情况。
       的具体内容、履约方式及时间、履约能力分析、履
                                                        上市公司或其控股股东、实
       约风险及对策、不能履约时的救济措施等方面进行
                                                        际控制人已对承诺事项的具
 12    充分信息披露。保荐机构、保荐代表人应当针对前
                                                        体内容、履约方式及时间、
       款规定的承诺披露事项,持续跟进相关主体履行承
                                                        履约能力分析、履约风险及
       诺的进展情况,督促相关主体及时、充分履行承诺。
                                                        对策、不能履约时的救济措
       上市公司或其控股股东、实际控制人披露、履行或
                                                        施等方面进行充分信息披
       者变更承诺事项,不符合法律法规、上市规则以及
                                                        露。
       上海证券交易所其他规定的,保荐机构和保荐代表
       人应当及时提出督导意见,并督促相关主体进行补
       正。
       关注公共传媒关于上市公司的报道,及时针对市场
       传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在应披露     本持续督导期间,路维光电
       未披露的重大事项或与披露的信息与事实不符的,     未岀现应披露未披露的重大
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       应及时督促上市公司如实披露或予以澄清;上市公     事项或披露的信息与事实不
       司不予披露或澄清的,应及时向上海证券交易所报     符的情形。
       告。
       在持续督导期间发现以下情形之一的,保荐人应督
       促上市公司做出说明并限期改正,同时向上海证券
       交易所报告:
       (一)上市公司涉嫌违反《股票上市规则》等上海
       证券交易所相关业务规则;
                                                        本持续督导期间,路维光电
       (二)中介机构及其签名人员岀具的专业意见可
                                                        及相关主体未岀现需要做出
 14    能存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违法违     说明、改正并向交易所报告
       规情形或其他不当情形;                           的情形。
       (三)上市公司出现《保荐办法》第七十一条、第
       七十二条规定的情形;
       (四)上市公司不配合保荐机构持续督导工作;
       (五)上海证券交易所或保荐机构认为需要报告的
       其他情形。




                                        3
序号                        工作内容                                 实施情况
        制定对上市公司的现场检查工作计划,明确现场检
        查工作要求,确保现场检查工作质量。上市公司出
        现以下情形之一的,保荐人应当自知道或应当知道
        之 日 起十 五日 内或上 海证 券交 易所 要求 的期 限
        内,对上市公司进行专项现场核查:
        (一)控股股东、实际控制人或其他关联方非经营
        性占用上市公司资金;                                 本持续督导期间,路维光电
 15     (二)违规为他人提供担保;                           不存在需要进行专项现场核
        (三)违规使用募集资金;                             查的情形。
        (四)违规进行证券投资、套期保值业务等;
        (五)关联交易显失公允或未履行审批程序和信息
        披露义务;
        (六)业绩出现亏损或营业利润比上年同期下降
        50%以上;
        (七)上海证券交易所要求的其他情形。

       二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况
       无。
       三、重大风险事项
       (一)核心竞争力风险
       1、技术替代风险
       公司所处的掩膜版行业属于技术密集型行业,需要深入理解下游客户的技术
需求并生产出定制化的掩膜版产品,在光阻涂布、激光光刻、显影、蚀刻、脱膜、
清洗、缺陷处理等主要生产环节需要积累大量的工艺经验,不断进行技术攻关。
为确保公司在掩膜版核心技术领域的优势,公司不断加大研发投入,以实现技术、
工艺、产品的升级。如果未来行业核心技术相关领域出现突破性技术进展时,公
司未能准确判断和及时跟进新技术的发展趋势,并投入充足的研发力量布局新产
品、新技术研发,公司产品可能面临被新技术替代的风险。
       同时,目前全球范围内平板显示、半导体、触控等行业基本都采用掩膜版作
为基准图案进行曝光复制量产,无掩膜光刻技术精度及效率较低,主要用于电路
板行业。随着科学研究的进步,不排除掩膜版行业出现新的无掩膜光刻技术对原
有的工艺技术形成替代,从而产生技术替代风险。
       2、部分产品技术指标在国际市场竞争力不强
       公司掩膜版产品起步较晚,与国外巨头存在一定的技术差异。在技术指标方
面,公司平板显示掩膜版的精度已达到国际主流水平,半导体掩膜版的精度尚处
于国内主流水平。在晶圆制造用掩膜版领域,国内掩膜版厂商与国际领先企业有
                                            4
着较为明显的差距;在 IC 封装和 IC 器件领域,受限于光刻、制程等工艺方式,
精度方面与国际厂商存在一定差距。
    3、关键技术人才流失风险
    公司所处行业中关键技术人才的培养和维护是竞争优势的主要来源之一。行
业技术人才需要长期积累,深入了解下游行业技术发展方向和产品需求,从而加
深对掩膜版工艺技术的理解和把握。掩膜版行业的专门人才相对稀缺。
    截至 2022 年 12 月 31 日,公司共有研发技术人员 44 人,占总人数的
14.29%。随着公司业务规模的拓展、IPO 募投项目的实施,公司计划招募更多
人才,进一步提高产品研发和技术创新能力,而随着行业竞争格局的变化,掩膜
版行业对技术人才的争夺将日趋激烈。若公司不能保持和提升对技术人才的吸引
力,核心技术人员出现流失,或不能适时搭建起与发展规划相匹配的研发技术队
伍,将难以持续发挥人才优势,对公司的生产经营造成重大不利影响。
       (二)经营风险
    1、重资产经营风险
    掩膜版行业为资本密集型行业,生产设备等固定成本投入较大。2022 年,
随着公司经营规模扩大和产品结构升级,公司募投项目中的半导体掩膜版产线和
高世代平板显示掩膜版产线陆续建设,截至 2022 年 12 月 31 日,机器设备原值

达到 81,437.74 万元。
    目前公司固定资产使用情况良好,核心生产设备产能利用率逐步提高。若未
来出现市场竞争格局变化、下游客户需求减少等情形,可能导致公司相应产品销
售价格下降、销售规模增长乏力,另外,若未来募投项目不能达到预期收益,新
增的固定资产折旧侵蚀利润,从而对经营业绩产生一定的影响。
    2、主要原材料和设备依赖进口且供应商较为集中的风险
    公司的主要原材料采购相对集中,主要系掩膜基板供应商数量较少所致。另
外,公司所需的主要原材料中,高世代石英基板及光学膜的供应商集中于日本、
韩国,目前国内暂无供应商可提供替代品,因此公司的原材料存在一定的进口依
赖。2022 年度,公司向前五大供应商采购原材料的金额为 27,408.64 万元,占当
期原材料采购比例为 86.88%。公司的主要生产设备光刻机亦均向境外供应商采
购,且供应商集中度较高,主要为瑞典的 Mycronic、德国的海德堡仪器两家公
司。
                                   5
    未来如果公司主要供应商的经营状况、业务模式、交付能力等发生重大不利
变化,短期内将对公司的正常经营和盈利能力造成一定程度的影响;若未来公司
不能够及时采购到国外的核心生产设备及掩膜基板等,将会对公司持续生产经营
产生重大不利影响。
    3、主要客户相对集中的风险
    2022 年度,公司向前五大客户合计销售金额为 45,970.28 万元,占当期营业
收入的比例为 71.83%。公司的客户集中度日渐提高,主要由于公司面向平板显
示行业的产品销售增长较快,而该等领域下游核心客户较为集中所致。如果未来
公司主要客户的经营状况出现不利变化或主要客户对公司产品需求下降,将会对
公司业务经营和盈利能力造成不利影响。
    (三)财务风险
    1、应收账款回收风险
    随着公司经营规模不断扩大,公司应收款项也相应增长。2022 年末,应收
账款账面价值为 14,141.95 万元,占期末流动资产的比例为 12.39%,占当期营业
收入的比例为 22.10%。如果宏观经济形势、行业发展前景发生重大不利变化或
个别客户经营状况发生困难,公司存在因应收账款难以收回而发生坏账的风险;
如若客户信用风险集中发生,将会对公司营业利润产生不利影响。
    2、存货跌价风险
    2022 年末,公司存货净额为 10,960.91 万元,占期末流动资产的比例为 9.61%。
公司主要根据客户订单进行生产,按生产计划备料,主要原材料掩膜基板价值较
高,周转速度较快。2022 年末,公司主要对库存商品、发出商品、原材料计提
了跌价准备,计提比例为 3.01%。若未来市场环境发生变化、竞争加剧或因公司
质量控制缺陷等因素导致出现亏损合同、销售退回产品报废、原材料积压等情况,
将造成公司存货跌价损失增加,对公司的盈利能力产生不利影响。
    3、企业税收优惠风险
    公司于 2021 年 12 月 23 日取得《高新技术企业证书》,证书编号为:
GR202144204595,税收优惠期为 2021 年至 2023 年,减按 15%的税率征收企业
所得税;子公司成都路维于 2022 年 11 月 29 日取得《高新技术企业证书》,证
书编号为:GR202251006498,税收优惠期为 2022 年至 2024 年减按 15%的税率
征收企业所得税;子公司成都路维、路维科技适用三部委(2020)23 号《关于
                                    6
延续西部大开发企业所得税政策的公告》,自 2021 年 1 月 1 日至 2030 年 12 月
31 日,减按 15%的税率征收企业所得税。
    如果后续母公司未能被评定为高新技术企业,不能享受税收优惠,将会对公
司的盈利水平产生不利影响。
    (四)行业风险
    1、市场竞争不断加剧的风险
    目前掩膜版行业竞争对手主要系国际厂商,有日本的 SKE、HOYA、DNP、
Toppan、韩国的 LG-IT、美国的福尼克斯、中国台湾的台湾光罩和中国大陆的清
溢光电等,行业集中程度较高。随着平板显示、半导体等产业的快速发展,掩膜
版市场需求持续旺盛,同时下游产业正加速向中国大陆转移,掀起产业链进口替
代浪潮,国内掩膜版厂商以此为契机发展迅速。若国际主要竞争对手未来为了保
持市场份额而加大对中国大陆市场的重视与投入、国内主要竞争对手为取得市场
份额而采取价格竞争等手段,将导致行业竞争加剧,对公司的经营业绩产生不利
影响。
    2、未能及时跟随下游需求变化的风险
    公司目前产品主要应用于平板显示、半导体、触控和电路板行业,随着该等
行业的快速发展,且正在加速向中国大陆转移,在消费市场和商用市场双双加持
下,公司下游产业可能出现结构性调整促使细分领域对掩膜版需求的变化,若公
司不能迅速把握行业发展变化,将会对公司的业绩以及长远发展产生一定的不利
影响。
    (五)宏观环境风险
    1、原材料出口国(或地区)政策调整的风险
    公司主要原材料为掩膜基板,其中中高端掩膜基板主要进口于日本、中国台
湾、韩国等地,受全球经济复苏缓慢的影响,国际贸易保护主义抬头,若未来上
述国家或地区开展贸易保护或限制政策,限制掩膜基板出口或制造贸易摩擦,将
会对公司的生产经营造成不利影响。
    2、宏观经济波动带来的风险
    掩膜版下游电子行业的发展与宏观经济环境密切相关。近年来,中国掩膜版
行业受益于下游应用领域的良好发展态势,保持了一定的增长,而下游领域的发
展态势与国内外宏观经济形势息息相关。全球宏观经济存在的波动风险,将会对
                                    7
公司的生产经营造成不利影响。
    四、重大违规事项
    2022 年度,路维光电不存在重大违规事项。
    五、主要财务指标的变动原因及合理性
    2022 年度,路维光电主要财务数据及指标如下所示:
                                                                   本期比上年同期增
           主要会计数据               2022 年度       2021 年度
                                                                       减(%)
营业收入(元)                       640,013,669.67 493,591,729.76              29.66
归属于上市公司股东的净利润(元)     119,775,263.96 52,306,374.77              128.99
归属于上市公司股东的扣除非经常性
                                     101,001,087.20   47,561,751.65               112.36
损益的净利润(元)
经营活动产生的现金流量净额(元)     298,560,302.33 134,455,409.37                122.05
                                                                      本期比上年同期增
                                      2022 年末       2021 年末
                                                                          减(%)
归属于上市公司股东的净资产(元) 1,343,284,163.50 462,998,415.96                  190.13
总资产(元)                     1,937,255,983.42 1,309,440,280.43                 47.95
                                                                      本期比上年同期增
           主要财务指标               2022 年度       2021 年度
                                                                          减(%)
基本每股收益(元/股)                          1.08            0.52               107.69
稀释每股收益(元/股)                          1.08            0.52               107.69
扣除非经常性损益后的基本每股收益
                                               0.91            0.48                89.58
(元/股)
加权平均净资产收益率
                                             15.43           11.98 增加3.45个百分点
(%)
扣除非经常性损益后的加权平均净资
                                             13.01           10.89 增加2.12个百分点
产收益率(%)
研发投入占营业收入的比例(%)                  4.44            4.66 减少0.22个百分点

    2022 年度,公司归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣
除非经常性损益的净利润同比增长幅度较大,主要系 2022 年度公司销售增长,
规模效应显现,盈利能力增强所致。
    经营活动产生的现金流量净额同比增长幅度较大,主要系 2022 年度销售规
模增长及收到增值税留抵税额退还。
    归属于上市公司股东的净资产、总资产同比增长幅度较大,主要系公司首次
公开发行股票募集资金到位及业务规模增长,使得公司各项资产规模相应增长。
    基本每股收益、稀释每股收益、扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增
长幅度较大,主要系公司业务规模增长,盈利能力增强后净利润大幅增长。
    六、核心竞争力的变化情况
    由于国内掩膜版产业起步相对于国外较晚,在高端掩膜版的市场占有率和行

                                         8
业影响力上,与国外知名掩膜版企业仍有一定程度的差距。公司经过 20 多年的
发展,构筑了自己的核心技术体系、建立了一支高素质的研发团队、优质的客户
群体,形成了自己的核心竞争力。
    (一)领先的技术水平
    自成立以来,公司一直致力于掩膜版的研发,至今已突破多项关键核心技
术。公司拥有国内首条 G11 高世代掩膜版生产线,于 2019 年在国内首次实现
G11 TFT 掩膜版投产,开启我国超高世代掩膜版自主供应的新篇章,成为本土唯
一一家可以全面配套不同世代面板产线(G2.5-G11)的本土掩膜版企业。公司的
“G11 光掩膜版项目”于 2020 年 8 月被中国电子材料行业协会和中国光学光电
子行业协会液晶分会联合授予“2019 年中国新型显示行业产业链突出贡献
奖”。
    此外,公司在高世代高精度半色调掩膜版领域打破国外技术垄断,实现全世
代产品的量产。公司的半色调掩膜版产品荣获中国电子材料行业协会和中国光学
光电子行业协会液晶分会联合授予的“2020 年中国新型显示行业产业链发展贡
献奖之创新突破奖”,已通过各大客户的严格认证并实现销售。
    (二)突出的研发实力
    公司已形成一套系统、规范、科学的研发体系和一支技术经验丰富的技术研
发团队,技术研发人员大部分拥有多年研发工作经验和专业的技术能力。公司多
次承担国家及省市政府部门的技术改造、技术攻关等科研项目,其中高世代光掩
膜版产线建设项目获得国家发改委、工信部批复,纳入 2017 年电子信息产业技
术改造专项。同时,公司的产品还取得多项行业专业奖项。2022 年度,母公司
通过认证取得国家“专精特新小巨人”和深圳市“专精特新”称号;成都路维通
过国家高新技术企业认定、取得四川省“专精特新”称号。
    作为广东省超高精度激光加工光掩膜版工程技术研究中心,公司积极响应国
家“知识产权强国策略”,坚持“以屏带芯”的发展战略,公司以先进的平板显
示掩膜版技术为基础,持续加大研发投入,带动公司半导体掩膜版产品的技术革
新与产品升级。目前公司已实现 180nm 及以上制程节点半导体掩膜版量产,满
足先进半导体芯片封装、半导体器件、先进指纹模组封装、高精度蓝宝石衬底
(PSS)等产品应用。公司通过自主研发,取得了 150nm 节点半导体掩膜版制造
核心技术,同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关
                                   9
产品,为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。
    (三)丰富的行业经验
    公司拥有多年的掩膜版研发和制造经验,一直紧跟平板显示、半导体芯片、
触控、电路板等下游行业的发展动态,与下游平板显示、半导体行业知名企业建
立了良好的沟通和战略合作,积累了丰富的行业经验。公司多年来紧跟下游行业
的发展动态进行技术创新,随着下游移动智能终端的快速发展,消费电子产品更
新换代速度不断加快,市场需求将不断变化与丰富,公司在掩膜版领域拥有多年
丰富的行业经验,具有抓住市场机遇的有利条件。
    (四)优质的客户资源
    掩膜版对客户产品良率起决定性作用,这使得客户对掩膜版供应商的导入和
认证成为一个相对长期和严谨的过程。经过多年发展,凭借扎实的技术实力、可
靠的产品质量与优质的客户服务,公司已赢得下游客户的广泛认可,与众多知名
客户建立了长期稳定的合作关系。在平板显示领域,公司的主要客户包括京东方、
华星光电、天马、信利、上海仪电、龙腾光电等;在半导体领域,公司的主要客
户包括国内某些领先芯片公司及其配套供应商晶方科技、华天科技、通富微电、
三安光电等。路维光电已经成为掩膜版行业知名供应商。
    (五)以客户满意为目标的高品质服务
    公司在不断开发、优化产品技术和品质的基础上,提出“提供高精度产品和
高品质服务,为用户创造更大价值”的使命,为客户提供更高效、及时、快速的
服务。公司从客户产品开发到产品制造为客户提供全阶段专业服务,以促进客户
需求快速满足。通过高品质响应速度和服务,从而提升了客户的合作粘度。
    (六)突破光阻涂布原材料技术,全产业链技术能力提升
    掩膜版的原材料是掩膜基板,即涂有光阻和镀铬的玻璃基板,光阻有一定的
时效性,失效后会影响产品质量。与国内的竞争对手相比,目前公司已掌握掩膜
版光阻涂布技术,一方面可以降低掩膜基板特别是大尺寸掩膜基板的采购成本,
这是因为公司可以向供应商采购镀铬的玻璃基板后自行进行光阻涂布,减少了供
应商的光阻涂布工序,因此与采购常规的涂有光阻和镀铬的玻璃基板相比,采购
价格相应降低;另一方面,公司可根据生产需求对基板重新光阻涂布后进行加工,
大幅提升了材料利用效率,减少了产品不良率。
    对标 HOYA、LG-IT 等具备研磨、抛光、镀铬、光阻涂布等掩膜版全产业链
                                  10
技术能力的国际领先掩膜版厂商,公司以光阻涂布技术为突破点,逐步向原材料
基础技术延伸,以提升公司的全产业链技术能力。
       七、核心技术与研发进展
       (一)核心技术及其先进性以及 2022 年度的变化情况
       公司通过自主研发不断实现产品能力的提升及工艺技术水平的提升。2022
年度,公司新增 5 项核心工艺技术,现共拥有 28 项核心工艺技术,具体情况如
下:

                                                                在主要产品
         划分                                                                 技术   知识产权
序号              核心技术               技术内容               中的应用情
         维度                                                                 来源   保护情况
                                                                    况
                                 最小图形可达 3μm,线/间
                                 (CD) 精 度 可 控 制 在
                                                                G11 及以下
         产品     G11 及以下     ±0.25μm 以内;总长(TP)
                                                                  尺寸 a-Si   自主   已获得专
 1       制造   TFT(a-Si)掩    及 位 置 (Position) 精 度 可
                                                                TFT 显示面    研发     利保护
         技术   膜版制造技术     控制在±0.5μm 以内,产品
                                                                板用掩膜版
                                 缺陷尺寸可控制在 1.0μm
                                 以内。
                                 包含半色调及灰阶掩膜
                                 版,线/间(CD) 精度可控
                G11 及以下平     制在±0.10μm 以内;总长
         产品   板显示用多灰     (TP) 精 度 可 控 制 在 ±0.5   G11 及以下
                                                                              自主   已获得专
 2       制造   阶(Multi-tone)   um 以内,两层图形之间套        尺寸平板显
                                                                              研发     利保护
         技术   掩膜版制造技     合偏差(Overlay Shift)可控      示用掩膜版
                      术         制在±0.5μm 以内,半色调
                                 层透过率均匀性可控制在
                                 2.0%以内。
                                 最小图形可达 1.2μm,精
                                 度及均匀性高,线/间(CD)
                                 精度可控制在±0.1μm 以   G6 及以下
         产品     G6 及以下
                                 内,均匀性可控制在 80nm AMOLED 显            自主   已获得专
 3       制造   AMOLED 掩
                                 以内;位置(Position) 及总 示面板用掩         研发     利保护
         技术   膜版制造技术
                                 长 (TP) 精 度 可 控 制 在   膜版
                                 ±0.2μm 以内,产品缺陷尺
                                 寸可控制在 0.75μm 以内。
                                                                150nm 节点
         产品   150nm 节点半     线/间(CD)精度可控制在
                                                                及第三代半    自主   已获得专
 4       制造   导体掩膜版制     ±50nm 以内;总长(TP)精
                                                                导体用掩膜    研发     利保护
         技术      造技术        度可控制在±0.2μm 以内。
                                                                    版




                                              11
                            最小图形可达 1.5μm,线/
                            间 (CD) 精 度 可 控 制 在
                            ±0.1μm 以内,均匀性可控
     产品    G6 及以下                                       G6 及以下
                            制在 100nm 以内;位置                          自主   已获得专
5    制造   LTPS 掩膜版                                     LTPS 显示面
                            (Position) 及 总 长 (TP) 精                    研发     利保护
     技术    制造技术                                       板用掩膜版
                            度 可 控 制 在 ±0.30μm 以
                            内,产品缺陷尺寸可控制
                            在 1.0μm 以内。
                            线/间(CD)精度可控制在
            先进半导体封
     产品                   ±0.1μm 以内,总长(TP)精       半导体、指纹
            装及指纹模组                                                   自主   已获得专
6    制造                   度可以控制在±0.2μm 以         模组等封装
            封装用掩膜版                                                   研发     利保护
     技术                   内,产品缺陷尺寸可控制            用掩膜版
              制造技术
                            在 1.0μm 以内。
            高精度蓝宝石    线/间(CD)精度可控制在
     产品                                                   PSS 蓝宝石
            衬底(PSS) 用    ±0.1μm, 总 长 (TP) 精 度 可                  自主   已获得专
7    制造                                                   衬底用掩膜
            掩膜版制造技    控制在±0.15 μm 以内,允                      研发     利保护
     技术                                                       版
                 术         许缺陷尺寸≤1.0μm
                            线/间(CD)精度可控制在
                                                            G5.5 及以下
     产品   G5 .5 及以下    ±0.3μm, 总 长 (TP) 精 度 可
                                                            Metal Mesh     自主   已获得专
8    制造   Metal Mesh 掩   控制在±0.75 μm 以内,产
                                                            触控用掩膜     研发     利保护
     技术   膜版制造技术    品缺陷可控制在 5.0μm 以
                                                                 版
                            内。
                                                            触控、线路
     产品   带 AF 防护膜    产品具有防指纹、耐划伤
                                                            板、LED 等     自主   未单独申
9    制造   层的掩膜版制    等功能,具有疏水性,水
                                                            行业用掩膜     研发     请专利
     技术      造技术       滴角可达 115°及以上。
                                                                版
                            可实现不同粘度、对比度、
                            敏感度及膜厚要求的光阻
                                                            应用于 G11
                            涂布,1) 光阻涂布膜厚均
                                                            及以下平板
     核心                   匀性可控制在 3.0%以内;
            掩膜版光阻涂                                    显示掩膜版/    自主   已获得专
10   工艺                   2) 控 制 涂 布 过 程 中 的 流
              布技术                                        半导体掩膜     研发     利保护
     技术                   量、间隙、转速、气压等,
                                                            版的光阻涂
                            消除涂布后因光阻不均匀
                                                                布
                            造成的色差,达到控制涂
                            布 Mura 的目的。
                            采用高纯度有机溶液,通          应用于 G11
                            过调整 Nozzle 角度、喷洒        及以下平板
     核心   掩膜版涂布洗
                            状态等,可对不同粘度、          显示掩膜版/    自主   已获得专
11   工艺   边(EBR)控制
                            膜厚的光阻进行洗边              半导体掩膜     研发     利保护
     技术       技术
                            (EBR)处理,实现不同范围         版的光阻涂
                            内的光阻洗边。                    布洗边




                                         12
                           通过分析掩膜版图形线路
                           电学特性,针对性进行图
     核心                  档设计优化处理,从而有     LCD/TP/TFT
            掩膜版图档防                                            自主   已获得专
12   工艺                  效避免因设计原因造成的     用掩膜版的
            静电处理技术                                            研发     利保护
     技术                  掩膜版静电击伤现象,提        生产
                           高了掩膜版品质及使用寿
                           命
                           针对面板制造中由于投影
                           光刻过程造成的图形
     核心                  Distortion,通过相关算法   G11 及以下
            DCM 补偿光                                              自主   未单独申
13   工艺                  对掩膜版设计图档进行光     平板显示掩
              刻技术                                                研发     请专利
     技术                  刻参数补偿,从而实现掩        膜版
                           膜版图形与面板投影曝光
                           的整体匹配。
                           针对多膜层结构掩膜版,     G11 及以下
     核心
            多次对位光刻   开发多次对位光刻技术,     平板显示掩    自主   未单独申
14   工艺
                技术       实现不同膜层图形套合精     膜版/半导体   研发     请专利
     技术
                           度的要求。                   掩膜版
                           自主开发用于掩膜版显影
                           过程的浸润液,运用该浸
     核心   掩膜版显影过   润液可保证掩膜版在显影
                                                      G6 及以下尺   自主   未单独申
15   工艺   程中缺陷控制   过程中表面无气泡产生,
                                                       寸掩膜版     研发     请专利
     技术       技术       出现气泡的比率从目前的
                           10%降低到 0,提升了产品
                           品质。
                           针对掩膜版蚀刻后精度偏
                                                      G11 及以下
     核心                  差问题,自主开发显影后
            显影后精度补                              平板显示掩    自主   未单独申
16   工艺                  精度补偿技术,极大提高
              偿技术                                  膜版/半导体   研发     请专利
     技术                  蚀刻后图形线条质量,减
                                                        掩膜版
                           小图形的精度误差。
                           自主开发针对掩膜版表面
                           有机异物的清洗技术,利
                           用光学手段并结合化学方     G11 及以下
     核心
            掩膜版高效清   法,针对性去除掩膜版表     平板显示掩    自主   已获得专
17   工艺
              洗技术       面的有机杂质和异物。与     膜版/半导体   研发     利保护
     技术
                           传统单一化学清洗方式相       掩膜版
                           比,极大提高了有机杂质
                           和异物的清洗效率。




                                      13
                            采用不同于传统气相化学
                            沉积的方式,可针对不同
              半色调        透过率半色调膜层缺陷进         G11 及以下
     核心
            (Half-tone)掩   行修补。最小修补图形可         平板显示用    自主   未单独申
18   工艺
            膜版沉积式修    达 1μm,可实现 10 到 60%      半色调掩膜    研发     请专利
     技术
              补技术        透过率范围膜层修补,修             版
                            补膜层透过率均匀性可控
                            制在 2%以内。
                            针对掩膜版贴膜过程中造
                            成的异物缺陷,自主开发         G11 及以下
     核心
            掩膜版贴膜后    贴膜后缺陷处理技术,运         平板显示掩    自主   未单独申
19   工艺
            缺陷处理技术    用激光处理的方式,可实         膜版/半导体   研发     请专利
     技术
                            现掩膜版贴膜后异物性缺           掩膜版
                            陷的去除,处理效率高。
                            自主开发掩膜版光学膜贴
                                                           G11 及以下
     核心                   附技术,结合自主开发的
            掩膜版光学膜                                   平板显示掩    自主   已获得专
20   工艺                   自动、半自动装置,可将
              贴附技术                                     膜版/半导体   研发     利保护
     技术                   贴 附 精 度 控 制 在 ±0.5mm
                                                             掩膜版
                            以内,效率高、品质优异。
                            自主开发化学清洗药液及
                            自动化装置,形成高效自
                                                           G11 及以下
     核心   高世代掩膜版    动化清洗工艺,能在短时
                                                           平板显示掩    自主   已获得专
21   工艺   用包装材料清    间内进行有效清洗,满足
                                                           膜版包装材    研发     利保护
     技术     洗技术        平板显示掩膜版产品包装
                                                             料的清洗
                            洁净度、防静电等品质要
                            求。
                            自主开发相移掩膜版工艺
                            技术,可用以实现嵌入式
                            单层式衰减型相移掩膜版
            衰减型相移掩
     核心                   的制造;使用该类掩膜版         180nm 及以
              膜版(ATT                                                   自主   未单独申
22   工艺                   曝光时,光在图形边界处         下节点半导
            PSM) 工艺技                                                  研发     请专利
     技术                   的相位角相差 180°(误差        体用掩膜版
                  术
                            在±2°以内),出现光的相
                            消叠加,最终使得客户端
                            的光刻分辨率有所提高。
                            可实现不同精度要求的半
                            导体用掩膜版的光阻涂
     核心   高精度半导体    布、不同光阻涂布膜厚的
                                                           半导体用掩    自主   已获得专
23   工艺   掩膜版光阻涂    控制;涂布均匀性可控制
                                                             膜版        研发     利保护
     技术     布技术        在 1.0%以内,可满足不同
                            粘度、感光性光阻的涂布
                            要求。



                                        14
                                通过开发对应涂布、光刻、
                                制程、清洗等工艺,实现
                                980*1550 TFT 掩膜版的
                                                           980*1550
       产品   980*1550 TFT      制造。针对图形尺寸精度、
                                                         TFT Array 显     自主   未单独申
24     制造   Array 掩膜版      总长精度、图形套合精度
                                                         示面板用掩       研发     请专利
       技术     制造技术        控制等方面进行开发研
                                                             膜版
                                究,实现产品 CD 精度
                                ±0.1μm , 位 置 精 度
                                ±0.3μm。
                                开发掩膜版显影后缺陷修
                                复技术,避免产品蚀刻后
       核心                                                 LCD/TP/TFT
              新型掩膜版缺      出现大尺寸缺陷,降低                      自主   未单独申
25     工艺                                                 用掩膜版的
              陷修复技术        CVD 修复风险,提高产品                    研发     请专利
       技术                                                    生产
                                制造良率,缺陷修复面积
                                可达 200μm 以上。
                                开发新型导体掩膜版贴膜
       核心   半导体掩膜版      工艺及流程,降低 Particle
                                                            半导体用掩    自主   已获得专
26     工艺   贴膜缺陷控制      对贴膜成功造成的影响,
                                                              膜版        研发     利保护
       技术       技术          提高产品贴膜良率及品
                                质。
                                通过研究混版间距、曝光
                                及制程参数对混版图形位
                                                            G11 及以下
       核心                     置精度的影响,结合图形
              混版图形 Mura                                 平板显示掩    自主   未单独申
27     工艺                     重新设计排布,开发混版
                控制技术                                    膜版/半导体   研发     请专利
       技术                     图形 Mura 控制技术,实
                                                              掩膜版
                                现不同混版图形的 Mura
                                要求。
                                开发新型下置型半色调
                                (Half-tone)掩膜版制造
                                技术,可实现二元图形和      G11 及以下
       产品   下置型半色调
                                半色调图形的一次制作,      平板显示掩    自主   正在申请
28     制造   (Half-tone)掩
                                CD 精 度 可 控 制 在        膜版/半导体   研发     专利
       技术   膜版制造技术
                                ±0.10μm 以内;两层图形    掩膜版
                                之间套合偏差可控制在
                                ±0.3μm 以内。

     (二)2022 年度,公司获得的研发成果
     公司在多年技术积累的基础上,不断对掩膜版产品及相关技术、设备等进行
自主创新和技术研发。研发项目主要来源于客户的新需求、生产过程中涉及的工
艺技术创新改良,以及对未来技术趋势研判下的预研需要等,包括新产品开发、
新型工艺技术开发、工艺技术能力提升、设备开发及应用等,以期在增加产品种
类、提升技术能力、提高生产效率、降低成本、提升产品质量等方面取得进展,
                                           15
 进一步提升公司综合竞争力。
     2022 年度,公司完成了高世代大尺寸掩膜版回收利用、新型掩膜版缺陷修
 复、高精度半导体掩膜版涂布、高精度半导体掩膜版制程工艺提升等新技术的开
 发与导入量产;实现了 980*1550mm TFT-Array、980*1150mm AMOLED、新型
 半色调掩膜版、多项目混版 Mask、180nm 节点第三代半导体用掩膜版等新产品
 的量产,进一步提升了公司在平板显示及半导体掩膜版领域的技术能力。
     (三)研发支出变化及研发进展
     2022 年,公司持续加大研发投入,研发投入达 2,841.68 万元,同比增长
 23.57%,占营业收入比例为 4.44%。
          项目                 2022年度           2021年度          变化幅度(%)
费用化研发投入(元)             28,416,819.89      22,997,406.98             23.57
资本化研发投入(元)                         0                  0                 0
研发投入合计(元)               28,416,819.89      22,997,406.98             23.57
研发投入总额占营业 收 入 比
                                         4.44               4.66    下降0.22个百分点
例 (%)
研发投入资本化的比 重 (%)                     0                0                   0

     2022 年度,公司新增 5 项核心工艺技术、22 项专利、4 项软件著作权,其
 中新增发明专利 2 项、实用新型专利 20 项。截至 2022 年末,公司共获拥有专利
 91 项,其中发明专利 10 项,软件著作权 17 项。2022 年,公司获得的知识产权
 具体如下:
                            本年新增                        累计数量
     项目
                  申请数(个)    获得数(个)    申请数(个)    获得数(个)
 发明专利                     0               2               30             10
 实用新型专利               21              20                97             81
 外观设计专利                 0               0                0              0
 软件著作权                   3               4               19             17
 其他                         0               0                0              0
      合计                  24              26              146             108

     八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
     不适用。
     九、募集资金的使用情况及是否合规
     1、截至 2022 年 12 月 31 日,募集资金存放专项账户的余额如下:
                                                                           单位:元
            银行名称                     账号           账户性质        期末余额
华夏银行股份有限公司深圳后海支行 10869000000334441 活期存款              4,559,231.83
兴业银行股份有限公司深圳新安支行 338100100100263823 活期存款            51,212,205.29

                                         16
              银行名称                    账号            账户性质     期末余额
中国银行股份有限公司深圳沙井支行 748476083055         活期存款             54,102.87
中国农业银行股份有限公司成都高新
                                  22808301040017572 活期存款          208,319,021.27
技术产业开发区支行
                                合计                                  264,144,561.26
  注:上述募集资金存放专项账户的存款余额中不含进行现金管理余额 230,000,000.00 元。

       路维光电 2022 年度募集资金存放与使用情况符合《上市公司监管指引第 2
 号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》《股票上市规则》以及《自律
 监管指引第 11 号》等法律法规和规范性文件的规定,上市公司对募集资金进行
 了专户存储和专项使用,并及时履行了相关信息披露义务,不存在变相改变募集
 资金用途和损害股东利益的情形,不存在违规使用募集资金的情形。
       十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、
 冻结及减持情况
       截至 2022 年 12 月 31 日,路维光电实际控制人、董事、监事和高级管理人
 员持有上市公司股份的情况如下:

 序号  姓名                任职情况        直接持股数量(万股)间接持股数量(万股)
   1 杜武兵     董事长、总经理                       3,174.2000            539.7615
   2 肖青       董事、副总经理、董事会秘书           1,065.8000             11.0611
   3 刘鹏       董事、财务负责人                               /            35.0099
   4   孙政民   董事                                           /                  /
   5   蒋威     董事                                           /                  /
   6   刘臻     董事                                           /                  /
  7    梁新清   独立董事                                       /                  /
  8    李玉周   独立董事                                       /                  /
  9    杨洲     独立董事                                       /                  /
  10   李若英   监事会主席、职工代表监事                       /            30.9508
  11   李小芬   监事                                           /            14.8158
  12   许荣杰   监事                                           /            20.8030
  13   林伟     副总经理、核心技术人员                         /            37.0395
  14   司继伟   核心技术人员                                   /            28.6168
  15 郑宇辰     核心技术人员                                   /                  /
  16 吕振群     核心技术人员                                   /            14.3084
 注 1:以上存在间接持股情况的人员均为通过深圳市路维兴投资有限公司间接持有公司股
 份;
 注 2:林伟已于 2023 年 3 月辞去在公司所任的职务,其将继续履行其在公司首次公开发行
 股票并上市时所作的减持等相关承诺,公司已于 2023 年 3 月发布了相关公告

       上市公司实际控制人、董事、监事及高级管理人员不存在质押、冻结及减持
 情况。

                                           17
    十一、保荐机构认为应当发表意见的其他事项
   截至本持续督导跟踪报告出具之日,不存在保荐机构认为应当发表意见的其
他事项。


   (以下无正文)




                                 18
(本页无正文,为《国信证券股份有限公司关于深圳市路维光电股份有限公司
2022年度持续督导跟踪报告》之签字盖章页)




   保荐代表人:     _______________        _______________

                        王   琳                 颜利燕




                                                 国信证券股份有限公司

                                                         年   月   日




                                  19