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公司公告

微导纳米:浙商证券股份有限公司关于江苏微导纳米科技股份有限公司2023年度持续督导跟踪报告2024-05-11  

                        浙商证券股份有限公司
               关于江苏微导纳米科技股份有限公司
                     2023 年度持续督导跟踪报告


      浙商证券股份有限公司(以下简称“保荐机构”)作为江苏微导纳米科技股
份有限公司(以下简称“微导纳米”或“公司”)首次公开发行股票并在科创板
上市项目的保荐机构,根据《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11 号—
—持续督导》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等有关法规的规定,负责
微导纳米上市后的持续督导工作,并出具本持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作情况

 序号                     工作内容                            实施情况

                                                     保荐机构已建立健全并有效
        建立健全并有效执行持续督导工作制度,并针对具
  1                                                  执行了持续督导制度,并制定
        体的持续督导工作制定相应的工作计划。
                                                     了相应的工作计划。

        根据中国证监会相关规定,在持续督导工作开始前, 保荐机构已与公司签订保荐
        与上市公司或相关当事人签署持续督导协议,明确 协议,该协议明确了双方在持
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        双方在持续督导期间的权利义务,并报上海证券交 续督导期间的权利和义务,并
        易所备案。                                     报上海证券交易所备案。

                                                     保荐机构通过日常沟通、定期
        通过日常沟通、定期回访、现场检查、尽职调查等 或不定期回访、现场检查等方
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        方式开展持续督导工作。                       式,了解公司业务情况,对公
                                                     司开展了持续督导工作。

                                                     2023 年度公司在持续督导期
        持续督导期间,按照有关规定对上市公司违法违规
                                                     间未发生按有关规定须保荐
  4     事项公开发表声明的,应当向上海证券交易所报告
                                                     机构公开发表声明的违法违
        并经上海证券交易所审核后予以披露。
                                                     规情况。

        持续督导期间,上市公司或相关当事人出现违法违
        规、违背承诺等事项的,应当自发现或应当自发现
                                                      2023 年度公司在持续督导期
        之日起 5 个交易日内向上海证券交易所报告,报告
  5                                                   间未发生违法或违背承诺事
        内容包括上市公司或相关当事人出现违法违规、违
                                                      项。
        背承诺等事项的具体情况,保荐人采取的督导措施
        等。



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序号                     工作内容                                实施情况

                                                    2023 年,保荐机构督导公司
       督导上市公司及其董事、监事、高级管理人员遵守 及其董事、监事、高级管理人
       法律、法规、部门规章和上海证券交易所发布的业 员遵守法律、法规、部门规章
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       务规则及其他规范性文件,并切实履行其所作出的 和上海证券交易所发布的业
       各项承诺。                                   务规则及其他规范性文件,切
                                                    实履行其所做出的各项承诺。

       督导上市公司建立健全并有效执行公司治理制度, 保荐机构督促公司依照相关
 7     包括但不限于股东大会、董事会、监事会议事规则 规定健全完善公司治理制度,
       以及董事、监事和高级管理人员的行为规范等。   并严格执行公司治理制度。

                                                        保荐机构对公司的内控制度
       督导上市公司建立健全并有效执行内控制度,包括
                                                        的设计、实施和有效性进行了
       但不限于财务管理制度、会计核算制度和内部审计
                                                        核查,公司的内控制度符合相
 8     制度,以及募集资金使用、关联交易、对外担保、对
                                                        关法规要求并得到了有效执
       外投资、衍生品交易、对子公司的控制等重大经营
                                                        行,能够保证公司的规范运
       决策的程序与规则等。
                                                        行。

       督导上市公司建立健全并有效执行信息披露制度,
                                                    保荐机构督促公司严格执行
       审阅信息披露文件及其他相关文件,并有充分理由
 9                                                  信息披露制度,审阅信息披露
       确信上市公司向上海证券交易所提交的文件不存在
                                                    文件及其他相关文件。
       虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。

       对上市公司的信息披露文件及向中国证监会、上海
       证券交易所提交的其他文件进行事前审阅,对存在
       问题的信息披露文件应当及时督促上市公司予以更
       正或补充,上市公司不予更正或补充的,应当及时     保荐机构对公司的信息披露
       向上海证券交易所报告;对上市公司的信息披露文     文件进行了审阅,不存在应及
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       件未进行事前审阅的,应当在上市公司履行信息披     时向上海证券交易所报告的
       露义务后 5 个交易日内,完成对有关文件的审阅工    问题事项。
       作,对存在问题的信息披露文件应当及时督促上市
       公司更正或补充,上市公司不予更正或补充的,应
       当及时向上海证券交易所报告。

       关注上市公司或其控股股东、实际控制人、董事、     2023 年度,公司及其控股股
       监事、高级管理人员受到中国证监会行政处罚、上     东、实际控制人、董事、监事、
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       海证券交易所监管措施或者纪律处分的情况,并督     高级管理人员未发生该等事
       促其完善内部控制制度,采取措施予以纠正           项。

       持续关注上市公司及控股股东、实际控制人等履行 2023 年度,公司及其控股股
12     承诺的情况,上市公司及控股股东、实际控制人等 东、实际控制人不存在未履行
       未履行承诺事项的,及时向上海证券交易所报告   承诺的情况。

       关注社交媒体关于上市公司的报道和传闻,及时针 2023 年度,经保荐机构核查,
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       对市场传闻进行核查。经核查后发现上市公司存在 公司不存在应及时向上海证


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 序号                      工作内容                              实施情况

         应当披露未披露的重大事项或与披露的信息与事实 券交易所报告的问题事项。
         不符的,及时督促上市公司如实披露或予以澄清;
         上市公司不予披露或澄清的,应当及时向上海证券
         交易所报告。

         在持续督导期间发现以下情形之一的,督促上市公
         司做出说明并限期改正,同时向上海证券交易所报
         告:(一)上市公司涉嫌违反《股票上市规则》等业
         务规则;(二)中介机构及其签名人员出具的专业意
                                                          2023 年度,公司未发生相关
  14     见可能存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏等违
                                                          情况。
         法违规情形或其他不当情形; 三)上市公司出现《保
         荐办法》第七十一条、第七十二条规定的情形;(四)
         上市公司不配合保荐人持续督导工作;(五)上海证
         券交易所或保荐人认为需要报告的其他情形。

                                                      保荐机构已制定了现场检查
         制定对上市公司的现场检查工作计划,明确现场检
  15                                                  的相关工作计划,并明确了现
         查工作要求,确保现场检查工作质量。
                                                      场检查工作要求。

         上市公司出现以下情形之一的,保荐人及其保荐代
         表人应当督促上市公司核实并披露,同时应当自知
         道或者应当知道之日起 15 日内按规定进行专项现
         场核查:(一)存在重大财务造假嫌疑;(二)控股股
         东、实际控制人及其关联人涉嫌资金占用;(三)可 2023 年度,公司不存在需要
  16
         能存在重大违规担保;(四)控股股东、实际控制人 专项现场检查的情形。
         及其关联人、董事、监事或者高级管理人员涉嫌侵
         占上市公司利益;(五)资金往来或者现金流存在重
         大异常;(六)上海证券交易所或者保荐人认为应当
         进行现场核查的其他事项。


二、保荐机构和保荐代表人发现的问题及整改情况

       无。

三、重大风险事项

       公司目前面临的主要风险因素如下:
       (一)核心竞争力风险
       随着技术和应用领域的不断发展,下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材
料类型、技术指标等要求也不断变化,因此会对产品提出新的要求。公司紧跟


                                          3
行业技术发展趋势为客户提供具有技术优势的高附加值产品及应用解决方案。
但如果未来公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求,或者
技术创新产品不能契合客户需求,公司核心竞争力将受到影响。
       (二)经营风险
       1、新产品验证进度及市场发展不及预期的风险
    公司产品作为下游客户产线的关键工艺设备,客户对公司新产品的验证要
求较高、验证周期较长,公司用于半导体各细分领域和新型高效电池的新产品
存在验证进度不及预期的风险。
    在半导体领域,我国半导体设备制造产业起步较晚,目前国内产线关键设备
的国产化仍处于起步和发展阶段。在光伏领域,新型高效电池扩产计划持续推进,
但因技术成熟度、投资成本等限制性因素,规模化量产尚存在不确定性。如果半
导体制造和国内新型高效电池产线发展不及预期,公司未来销售增长将受到限制。
       2、季节业绩波动的风险
    由于客户采购存在非均匀、非连续等特征,导致公司各季度间的订单签订金
额存在较大波动。受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素
影响,公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异,从而使
得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时,公司的期间费用支出有较强刚
性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动,甚至可能出现单个季度亏损的风
险。
       (三)财务风险
       1、存货跌价的风险
    报告期末,公司存货账面价值较高,主要是由于公司发出商品的验收周期相
对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价
准备,但仍不能排除市场环境发生变化,或其他难以预计的原因,导致存货无法
顺利实现销售,或者存货价格出现大幅下跌的情况,使得公司面临存货跌价风险。
       2、应收账款和合同资产无法回收的风险
    报告期内,随着公司业务规模及营业收入的快速增长,客户数量的逐步增加,
应收账款和合同资产也大幅增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶
化等因素导致应收账款不能按期回收,并导致需要计提较大金额的坏账准备或无


                                     4
法回收发生坏账的情况,将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。
    (四)行业风险
    1、行业周期波动和产业政策变化的风险
    公司的经营状况与下游行业的发展密切相关,半导体领域,如果由于国际政
治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等,导致
上述行业固定资产投资及对设备需求的下降,也将会影响公司经营业绩;未来如
果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩,进而影响下
游企业对公司产品的需求,可能对公司的经营业绩产生不利影响。
    2、国内市场竞争加剧的风险
    近年来 ALD 技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注,在巨大
发展潜力的吸引下,国内竞争者开始出现,竞争也趋于激烈。未来随着国内竞争
企业的增加,可能压缩公司的利润空间,并导致公司市场份额下滑,对公司生产
经营产生不利影响。
    (五)宏观环境风险
    全球产业链和供应链重新调整及贸易摩擦对全球经济发展和世界政经格局
造成重大冲击,如果由于上述因素可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少
或者停止对公司零部件的供应,或者由于国产替代的元器件无法达到境外相关产
品的质量和技术标准,进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间,进而
对公司的经营产生不利影响。
    (六)其他重大风险
    1、知识产权争议风险
    公司专用设备目前主要应用于半导体和光伏行业。半导体设备行业是典型的
技术密集型行业,为了保持技术优势和竞争力,防止技术外泄风险,已掌握先进
技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。未来随
着公司业务的发展,一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权权利或申请公
司专利无效的情形,另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均
可能导致公司产生知识产权纠纷,对公司的正常经营活动产生不利影响。

四、重大违规事项



                                  5
           2023 年度,公司不存在重大违规事项。

      五、主要财务指标的变动原因及合理性

           2023 年度,公司主要财务数据及指标如下所示:

          主要财务数据             2023 年度/2023 年末     2022 年度/2022 年末     增减变动幅度

营业收入(元)                         1,679,721,346.20         684,511,905.51              145.39%

归属于上市公司股东的净利润(元)        270,391,871.15            54,150,541.03             399.33%

归属于上市公司股东的扣除非经常性
                                        188,138,277.86            19,806,262.27             849.89%
损益的净利润(元)

经营活动产生的现金流量净额(元)          93,330,148.19         168,496,903.06              -44.61%

归属于上市公司股东的净资产(元)       2,344,470,366.51        1,962,789,244.48              19.45%

总资产(元)                           7,582,005,963.29        3,819,741,719.03              98.47%

          主要财务指标                 2023 年度               2022 年度           增减变动幅度

基本每股收益(元/股)                               0.60                   0.13             361.54%

稀释每股收益(元/股)                               0.58                   0.13             346.15%

扣除非经常性损益后的基本每股收益
                                                    0.41                   0.05             720.00%
(元/股)

加权平均净资产收益率                            12.60%                   5.95%    增加 6.65 个百分点

扣除非经常性损益后的加权平均净资
                                                   8.77%                 2.18%    增加 6.59 个百分点
产收益率

研发投入占营收入的比例                          18.34%                  20.22%    减少 1.88 个百分点

           上述主要财务数据及指标的变动原因分析如下:
           2023 年,公司营业收入为 167,972.13 万元,同比增长 145.39%,主要系报告
      期内在手订单陆续实现收入转化,专用设备产品验收数量增长所致。
           2023 年,公司归属于上市公司股东的净利润为 27,039.19 万元,同比增长
      399.33%,主要系报告期内公司营业收入及营业毛利同比增长,且政府补助、理
      财收益等收益有所增长所致。2023 年,公司归属于上市公司股东的扣除非经常

                                               6
性损益的净利润为 18,813.83 万元。
    2023 年,公司经营活动产生的现金流量净额为 9,333.01 万元,主要系报告
期内公司营业收入增长,对应已验收设备产品的销售回款有所增长。同时公司新
增订单数量大幅增长,采购原材料金额也大幅增加。
    2023 年,公司总资产、归属于上市公司股东的净资产分别为 758,200.60 万
元、234,447.04 万元,分别同比增长 98.47%、19.45%,主要系报告期内公司业务
规模扩大所致的存货的增加,以及使用权资产的增加,净利润增加所致。
    2023 年,公司基本每股收益为 0.60 元/股,稀释每股收益为 0.58 元/股,扣
除非经常性损益后的基本每股收益为 0.41 元/股。公司加权平均净资产收益率为
12.60%,扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为 8.77%。以上财务指标
较上年度的变动主要系公司净利润增加所致。
    2023 年,公司研发投入占营业收入的比例为 18.34%,较上年度减少 1.88 个
百分点,主要系公司营业收入规模大幅增长所致。

六、核心竞争力的变化情况

    2023 年度,公司在研发团队、研发平台、技术积累、研发创新能力、客户资
源及客户服务等方面具备竞争优势,具体体现为:
    (一)先进技术路线优势
    公司以 ALD 技术为核心,专注于 ALD 工艺技术研发和应用场景拓展。ALD
工艺可以在 100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级(1 个纳米约为 10 个原子)
的薄膜厚度。随着制程技术节点的不断进步,ALD 工艺优异的沉积均匀性和一
致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力,会越来越受到
青睐。
    此外,ALD 技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术,在柔性电子等新
型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。
上述任一领域的应用前景均体现了 ALD 的技术特点及优势,为公司的后续发展
提供了广阔市场空间。
    (二)优秀的研发团队和完善的产业化应用中心平台的优势
    公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和


                                    7
运营管理经验,并积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领
域工程师,形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理,
专业知识储备深厚,工艺开发、产线验证经验丰富,是奠定公司技术实力的基石。
    同时,公司已建立的产业化应用中心以现有技术为基础,围绕国产化替代的
战略需求,结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求,针对先进技术和工艺
性能,搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目、新企业发展孵
化器。产业化应用中心使公司具有前瞻应用定制化能力,可为客户提供全场景
Demo 设备线,从而能够及时响应客户的各类需求,为客户提供全方位的解决方
案。
       (三)技术积累与研发创新能力优势
    公司坚持自主研发,已形成薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、
真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十项核心技术,上述核心技术成功应用于
公司各类产品。公司半导体 iTomic HiK 系列 ALD 设备和光伏 KF 系列 ALD 设
备均被评为江苏省首台(套)重大装备产品,半导体领域设备成为国产首台成功
应用于集成电路制造前道生产线的量产型 High-k 原子层沉积设备,其他产品也
已在半导体及泛半导体领域经过量产验证,并获得重复订单。
       (四)平台化的产品矩阵布局优势
    公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场,半导
体领域公司以 ALD 为核心正逐步拓展 CVD 等多种镀膜技术和产品,光伏领域
公司持续推进以 ALD 为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发,
同时依托产业化应用中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发
展机会。多领域、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩
带来的影响,同时不断拓宽公司市场规模和成长空间。
       (五)优质客户资源优势
    在半导体领域内,公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层氧化铪工艺并获
得了客户的重复订单,为公司向全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、
存储、化合物半导体和新型显示领域内多家国内知名半导体公司的商业订单,并
与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等
工作。光伏领域已覆盖包括通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天合光能等在内


                                        8
        的多家知名太阳能电池片生产商。
            (六)高效客户服务优势
            公司主要产品为非标准化产品,通过将基础研发与行业应用紧密结合,以下
        游企业的实际需求为研发导向,为客户定制化开发可量产的工艺及设备。公司技
        术服务体系健全,为客户提供及时的驻厂技术服务支持,及时到达现场排查故障、
        解决问题,保证快速响应客户的需求,缩短新产品导入的工艺磨合时间。
            综上,2023 年度,公司核心竞争力未发生不利变化。

        七、研发支出变化及研发进展

            2023 年,公司研发费用总额增加 16,974.45 万元,增长幅度为 122.65%,系
        公司进一步扩充研发团队、加大研发投入、积极加快新产品研发活动所致。研发
        项目的具体进展情况如下:
                                                                                 单位:万元

                                                                                                具体
                    预计总投    本期投入 累计投入 进展或阶                             技术水
序号    项目名称                                                    拟达到目标                  应用
                      资规模      金额     金额   段性成果                               平
                                                                                                前景

                                                              开发出可量产的批量型等
                                                              离子增强型设备兼容 ALD
                                                              (PEALD)和 PECVD 薄
       TOPCon 整                                     产业化应                        国际同
                                                                膜沉积技术及其配套产            光伏
 1     线技术的开    6,766.30    2,167.64   6,010.47 用,并持                        类先进
                                                              品,同时完成 TOPCon 电            领域
           发                                        续开发中                          水平
                                                                池正面钝化层及减反射
                                                              层、背面隧穿层及多晶硅
                                                                    层的制作。

                                                              开发出批量式粉末 ALD
                                                              沉积设备、新能源及催化
       应用于新能
                                                              材料改性柔性材料 ALD     目标达
       源电池的 A
                                                     开发实现 沉积设备,在精确控制镀   到国际   新能
 2     LD 镀膜设     1,785.00     277.09    1,036.86
                                                       阶段   膜厚度的同时,提升包覆   先进水   源
       备的研发及
                                                              率、均匀性,提高材料性     平
         产业化
                                                              能,降低原材料耗用量以
                                                              及提升产能,生产成本。

       半导体制造                                    产业化应 开发具有国际水平的半导   国际同   半导
 3     ALD 设备平    8,444.00    1,094.03   8,809.29 用,并持 体制造 ALD 设备产品及    类先进   体等
           台                                        续开发中     配套工艺平台。         水平   领域



                                                   9
                                                                                                 具体
                     预计总投    本期投入 累计投入 进展或阶                             技术水
序号    项目名称                                                     拟达到目标                  应用
                       资规模      金额     金额   段性成果                               平
                                                                                                 前景

       大 尺 寸                                                开发基于等离子增强型的
                                                      产业化应                          国际同
       硅 片 PEAL                                              ALD 设备(PEALD),以             光伏
 4                    5,281.00    1,078.57   4,854.32 用,并持                          类先进
       D/PECVD                                                 及配套设备,使其能够满            领域
                                                      续开发中                            水平
          设备                                                   足相关工艺加工需求。

                                                               本项目研发的针对新一代
                                                               化合物半导体 MiniLED 显
                                                               示技术的设备可用于各类
       新一代化合
                                                                 高、低温薄膜工艺应用
       物半导体 mi                                                                     目标达
                                                      产业化验 , 特 别 是 氮 化 硅              新型
       ni-LED 显示                                                                     到国际
 5                    3,600.00    1,240.21   1,774.05 证,并持 工 艺 , 能 够 全 面              显示
       技术关键工                                                                      先进水
                                                      续开发中 满 足 300mm/200mm 晶圆            领域
       艺技术研发                                                                        平
                                                               的薄膜沉积工艺需求,为
         及产业化
                                                               逻辑芯片、存储芯片、封
                                                               装等提供介质层、图案化
                                                                 等关键工艺解决方案。

                                                                                                化合
       先进化合物
                                                               开发 6/8 寸单片 ALD 系统         物半
       半导体及微                                     产业化应                          国际同
                                                               用于特殊半导体器件、M           导 体
 6     机电关键工     2,402.15     485.08    1,337.29 用,并持                          类先进
                                                               EMS、光电器件及化合物           /微机
       艺及产业化                                     续开发中                            水平
                                                                 半导体器件等应用。             电领
         应用
                                                                                                 域

                                                               研发工艺用高生产率配置
                                                               真空镀膜系统,采用新型
                                                               循环掺杂比例的技术,将
                                                               多元化合物的组成比控制
                                                               在个别应用领域元件所需   目标达
                                                      产业化应                                   半导
                                                               的组合比,提供了解决目   到国际
 7        RD13        5,000.00     122.20    3,577.37 用,并持                                   体等
                                                               前存储器器件制造方案,   先进水
                                                      续开发中                                   领域
                                                               满足复杂 3D 超高深宽比     平
                                                               结构中对薄膜覆盖度、保
                                                               型性的工艺要求;结合等
                                                               离子体系统技术,满足多
                                                               种介质层沉积工艺需求。

       基于 300mm                                              开发生产半导体集成电路
       晶圆半导体                                     产业化应 专用工艺平台,即具有低   国际同   半导
 8     制造高产能     3,228.67    1,312.61   1,965.40 用,并持 微尘、高产能的晶圆传输   类先进   体等
       自动化真空                                     续开发中 平台的半导体集成电路量     水平   领域
       传输技术的                                                  产专用团簇平台。


                                                   10
                                                                                                具体
                    预计总投    本期投入 累计投入 进展或阶                             技术水
序号    项目名称                                                    拟达到目标                  应用
                      资规模      金额     金额   段性成果                               平
                                                                                                前景

       研究与产业
           化

                                                              开发用于芯片制造高介电
                                                     产业化应                          国际同   半导
                                                              常数(High-k)材料的原
 9       RD15        4,299.58    2,557.07   3,286.85 用,并持                          类先进   体等
                                                              子层沉积(ALD)设备及
                                                     续开发中                            水平   领域
                                                                      工艺。

                                                              开发应用于新型高效电池
       高效太阳能
                                                              技术生产工序中的正背膜
       晶硅电池接                                    产业化应                          国际同
                                                              钝化设备,确保光电转换            光伏
10     触钝化技术     6,637.9    3,526.94   6,199.36 用,并持                          类先进
                                                              效率的进一步提升,并进            领域
       的研究与产                                    续开发中                            水平
                                                              一步提升了高效电池的产
         业化
                                                                      能。

                                                              开发一种等离子体镀膜用
                                                              电极结构,保证镀膜均匀
                                                              性;开发一种沉积多种材   目标达
                                                     产业化验
       叠层电池技                                             料类型的镀膜技术,保证   到国际   光伏
 11                  3,600.00    1,010.56   1,386.34 证,并持
         术研发                                                 硅异质结电池(叠层电   先进水   领域
                                                     续开发中
                                                              池)技术灵活性,为更高     平
                                                              效电池效率的取得提供可
                                                                      能性。

                                                              开发幅宽大、阻隔等级超
       高阻隔膜产                                    产业化应                          国际同   柔性
                                                              高的量产型卷对卷空间原
12     业化技术研    2,400.00    1,390.74   2,348.52 用,并持                          类先进   电子
                                                              子层设备及配套自动化装
           发                                        续开发中                            水平   材料
                                                                      备。

                                                             开发具有成膜速度快,占
                                                             地面积小,产能高、使用
                                                             成本低的批量型 ALD 系
                                                             统和工艺以及设备自动化
       批 量 型                                              需求的软硬件控制系统,
                                                    产业化应                           国际同   半导
       集 成 电                                              满足集成电路及显示产业
13                   3,773.00     490.57     494.58 用,并持                           类先进   体等
       路 ALD 系                                             应用需求的,可一次处理
                                                    续开发中                             水平   领域
         统研发                                              25 片 12 英寸晶圆,适用
                                                             于薄膜质量高,成膜镀率
                                                             低,厚度要求高,以及产
                                                             能要求高的关键工艺及应
                                                                        用。




                                                  11
                                                                                                 具体
                     预计总投    本期投入 累计投入 进展或阶                             技术水
序号    项目名称                                                     拟达到目标                  应用
                       资规模      金额     金额   段性成果                               平
                                                                                                 前景

                                                            开发满足半导体高质量薄
                                                            膜工艺需求,能够满足稳
                                                   部分已产                             目标达
                                                            定性、重复性和可维护性               半导
       半导体高级                                  业化验                               到国际
14                   43,693.00 10,005.40 10,005.40          的设备,带动产业技术升               体领
         薄膜工艺                                  证,并持                             先进水
                                                            级,实现国际化,促进微               域
                                                   续开发中                               平
                                                            纳器件制造与加工工艺领
                                                                域的进一步发展。

                                                      部分已产 开发应用于 TOPCon 及新   目标达
       光伏高效镀                                     业化验 一代高效电池技术工艺,     到国际   光伏
15                    9,209.00    3,610.26   3,610.26
         膜系统                                       证,并持 为电池制造提供整线解决   先进水   领域
                                                      续开发中         方案。             平

       应用于新型
                                                                                        目标达
       显示领域的                                             开发应用于新型显示领域
                                                     开发实现                           到国际   新型
16     ALD 镀膜设     1,420.00     445.01     445.01          的 ALD 钝化工艺和 IGZO
                                                       阶段                             先进水   显示
       备的研发及                                               导电层的 ALD 设备。
                                                                                          平
         产业化

合计       /        111,539.60 30,813.99 57,141.37       /               /                /       /


        八、新增业务进展是否与前期信息披露一致

               不适用。

        九、募集资金的使用情况及是否合规

               根据中国证券监督管理委员会于 2022 年 11 月 7 日出具的《关于同意江苏微
        导纳米科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》(证监许可〔2022〕2750
        号),公司首次公开发行人民币普通股(A 股)4,544.5536 万股,发行价格为每股
        人民币 24.21 元,募集资金总额为 1,100,236,426.56 元,扣除发行费用(不含增
        值税)人民币 76,765,068.38 元,实际募集资金净额为人民币 1,023,471,358.18 元。
               本次募集资金到账时间为 2022 年 12 月 20 日,本次募集资金到位情况已经
        天职国际会计师事务所(特殊普通合伙)审验,并于 2022 年 12 月 20 日出具天
        职业字[2022]46404 号验资报告。
               截至 2023 年 12 月 31 日,微导纳米募集资金累计使用及结余情况如下:


                                                   12
                                                                               单位:元

                          项目                                     金额

  募集资金净额                                                     1,023,471,358.18

  加:尚未支付的发行费用                                                   188,679.21

  加:利息收入扣除银行手续费                                          11,836,112.18

  减:募投项目支出                                                  750,500,046.55

      其中:以募集资金置换预先投入自筹资金的金额                     21,782,376.25

      其中:募集资金直接投入募投项目金额                            577,517,646.01

      其中:补充流动资金金额                                        151,200,024.29

  募集资金余额                                                      284,996,103.02

  减:对闲置募集资金进行现金管理金额                                150,000,000.00

  2023 年 12 月 31 日募集资金专户余额                               134,996,103.02

注:总数与各分项数值之和尾数不符的情况,为四舍五入原因造成。

    截至 2023 年 12 月 31 日,募集资金存放专项账户的存款余额如下:
                                                                               单位:元

         银行名称                       银行账户账号    存款方式            余额
 上海浦东发展银行股份有限
                                 84050078801200000723    活期             49,441,104.57
   公司无锡分行新区支行
 中国光大银行股份有限公司
                                  39920180809906660      活期             85,383,660.63
         无锡分行
   中信银行无锡滨湖支行          8110501013102106165     活期               171,337.82

                                 合计                                 134,996,103.02

    2023 年度,公司已按照《上市公司监管指引第 2 号——上市公司募集资金
管理和使用的监管要求》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管规则适用指
引第 1 号——规范运作》及公司《募集资金管理制度》等法律法规和制度文件的
规定,真实、准确、完整、及时地披露了募集资金存放与使用的具体情况,不存
在违规使用募集资金的情形。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质

押、冻结及减持情况


                                             13
    (一)控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股情况
    1、控股股东
    无锡万海盈投资合伙企业(有限合伙)(以下简称“万海盈投资”)直接持有
公司 232,581,624 股股份,持股比例为 51.18%,为公司控股股东。
    2、实际控制人
    王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、无锡聚海盈管理咨询合
伙企业(有限合伙)(以下简称“聚海盈管理”)、无锡德厚盈投资合伙企业(有
限合伙)(以下简称“德厚盈投资”)间接控制公司 60.60%的股份,同时王磊担任
公司董事长、倪亚兰担任公司董事。王燕清、倪亚兰系夫妻关系,王磊系王燕清、
倪亚兰之子,王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实际控制人。
    王磊通过参与认购中信证券微导纳米员工参与科创板战略配售集合资产管
理计划(以下简称“微导 1 号”)间接持有公司股份。
    此外,王燕清、倪亚兰、王磊因间接持有无锡毓立创业投资合伙企业(有限
合伙)、江苏疌泉君海荣芯投资合伙企业(有限合伙)的财产份额而间接持有公
司股份。
    3、其他董事、监事、高级管理人员
    LI WEI MIN、LI XIANG、胡彬、潘景伟分别直接持有公司股份 42,831,704
股、20,158,464 股、12,594,008 股、8,994,000 股,持股比例分别为 9.42%、4.44%、
2.77%、1.98%。LI WEI MIN 担任公司副董事长、首席技术官,LI XIANG 担任
公司董事,胡彬担任公司副总经理,潘景伟担任公司监事会主席。
    龙文、俞潇莹分别持有聚海盈管理 0.34%、0.27%的出资份额,聚海盈管理
持有公司 37,798,352 股股份。龙文担任公司董事会秘书,俞潇莹担任公司财务负
责人。
    ZHOU REN、胡彬、龙文、俞潇莹通过参与认购微导 1 号间接持有公司股份。
ZHOU REN 担任公司总经理。
    此外,公司监事樊利平因间接持有江阴毅达高新创业投资合伙企业(有限合
伙)、江苏中小企业发展基金(有限合伙)、江苏人才创新创业投资四期基金(有
限合伙)的财产份额而间接持有公司股份。
    (二)控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的质押、冻结及


                                     14
减持情况
    公司部分董事、监事、高级管理人员参与科创板战略配售认购的微导 1 号,
于 2023 年合计减持公司股份 593,310 股。截至 2023 年 12 月 31 日,微导 1 号持
有公司股份 2,896,058 股。
    除上述情况以外,截至 2023 年 12 月 31 日,公司控股股东、实际控制人、
董事、监事和高级管理人员持有的股份均不存在质押、冻结及减持的情形。

十一、上海证券交易所或者保荐机构认为应当发表意见的其他事项

    截至本持续督导跟踪报告出具之日,不存在保荐机构认为应当发表意见的其
他事项。




                                     15
    (此页无正文,为《浙商证券股份有限公司关于江苏微导纳米科技股份有限

公司 2023 年度持续督导跟踪报告》之签章页)




保荐代表人:

                 张   建                         金晓芳




                                                 浙商证券股份有限公司



                                                      年    月     日