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公司公告

华润微:中国国际金融股份有限公司关于华润微电子有限公司核心技术人员离职的核查意见2020-10-20  

                                         中国国际金融股份有限公司
                     关于华润微电子有限公司
                核心技术人员离职的核查意见

    根据《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所股票上市规则》
《上海证券交易所上市公司持续督导工作指引》《上海证券交易所科创板股票上
市规则》等有关规定,作为华润微电子有限公司(以下简称“华润微”或“公司”)
的保荐机构,中国国际金融股份有限公司(以下简称“中金公司”或“保荐机构”)
对华润微核心技术人员邓小社先生离职的事项进行了认真、审慎的核查,具体
核查情况及核查意见如下:

    一、邓小社先生离职具体情况

    公司核心技术人员邓小社先生于近日因个人原因申请辞去相关职务并办理
完成相关离职手续。

    邓小社先生于1996年8月加入公司,于1996年至1999年期间任中国华晶电子
集团公司产品工程师;于1999年至2010年期间任无锡华润上华半导体有限公司研
发经理;于2010年2月至10月期间任无锡博创集成电路设计有限公司产品经理;
于2010年至2013年期间任无锡华润上华半导体有限公司研发经理;于2013年8月
至2020年10月任华润华晶功率半导体研发中心副总经理。

    根据公司与邓小社先生签署的保密及竞业限制协议、劳动合同相关条款,邓
小社先生同意就公司向其披露的关于公司的任何保密信息尽到最严格的保密,并
同意在征得公司事先书面同意前,不直接或间接以任何方式向公司内外的任何人
披露任何保密信息,或为了与公司相竞争或出于履行其对公司的职责以外的任何
目的使用任何保密信息。根据竞业限制协议的相关规定,在与公司劳动关系存续
期间及在劳动合同关系解除或终止后24个月内,未经公司同意,邓小社先生不得
与公司的客户或竞争者进行合作或被受雇,不得以任何方式进行与公司相竞争的
业务,不得向任何第三方提供任何形式的与其在公司工作期间工作内容相同或相
近的咨询性或顾问性等服务。


                                    1
         截至本核查意见披露日,邓小社先生未直接或间接持有公司股份,公司未发
     现邓小社先生离职后前往竞争对手处工作的情形。

         二、邓小社先生离职对公司产生的影响

         邓小社先生的离职不影响公司核心技术的完整性。邓小社先生从事公司功率
     器件产品研发,参与公司IGBT产品设计及工艺技术研发项目,公司参与IGBT产
     品设计及工艺技术研发项目的技术人员还包括芮强等研发团队。邓小社先生的离
     职不会影响公司IGBT产品设计及工艺技术研发项目的推进与实施。除上述情况
     外,邓小社先生未参与其他在研项目,亦未涉及公司其它核心技术研发,邓小社
     先生负责的工作已由芮强先生负责,邓小社先生的离职不会对公司现有研发项目
     进展产生重大影响。

         邓小社先生已与公司芮强先生办理完成工作交接。邓小社先生在公司任职期
     间参与了公司研发的专利技术,截至本核查意见披露日,其参与研发的在审专利
     39项、已授权专利59项,邓小社先生工作期间参与申请的专利均非单一的发明人,
     邓小社先生的离职不存在涉及职务发明的纠纷或潜在纠纷,不影响公司专利权的
     完整性,不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响,不会影响公司持有
     的核心技术。

         邓小社先生任职期间共有5项作为第一发明人申请的专利正在申请过程中,
     均为保密状态,共有10项作为第一发明人已获授权的专利,具体情况如下:

         邓小社先生作为第一发明人已获授权的10项专利:

                                       专利
序号      专利权人      专利名称                     申请号         申请日        发明人
                                       类型
         无锡华润上   一种绝缘栅双极                                            邓小社、芮
 1       华科技有限   性晶体管的制造   发明       201310323481.5   2013/7/29    强、张硕、
             公司         方法                                                    王根毅
         无锡华润上   一种绝缘栅双极                                            邓小社、芮
 2       华科技有限   性晶体管的制造   发明         14/902,516     2015/12/31   强、张硕、
             公司         方法                                                    王根毅
         无锡华润上   一种绝缘栅双极                                            邓小社、芮
 3       华科技有限   性晶体管的制造   发明       201310329221.9   2013/7/31    强、张硕、
             公司         方法                                                    王根毅
         无锡华润上   一种具有内置二                                            邓小社、张
 4       华科技有限   极管的 IGBT 及   发明         14/901,622     2015/12/28   硕、芮强、
             公司       其制造方法                                                王根毅
         无锡华润上   一种绝缘栅双极                                            邓小社、芮
 5                                     发明       201310330586.3   2013/7/31
         华科技有限   性晶体管的制造                                            强、张硕、


                                              2
                                        专利
序号      专利权人       专利名称                     申请号         申请日        发明人
                                        类型
            公司           方法                                                    王根毅
                       场截止型反向导                                            邓小社、张
         无锡华润上
                       通绝缘栅双极型                                            硕、芮强、
 6       华科技有限                     发明       201310283363.6    2013/7/5
                       晶体管及其制造                                            王根毅、张
             公司
                           方法                                                      大成
         无锡华润上    绝缘栅双极型晶                                            邓小社、钟
 7       华科技有限    体管及其制造方   发明       201310306115.9   2013/7/19    圣荣、周东
             公司            法                                                  飞、王根毅
                                                                                 邓小社、钟
         无锡华润上
                       功率二极管的制                                            圣荣、王根
 8       华科技有限                     发明       201310503985.5   2013/10/23
                           备方法                                                毅、周东飞、
             公司
                                                                                   张大成
                                                                                 邓小社、王
         无锡华润上
                       功率二极管的制                                            根毅、钟圣
 9       华科技有限                     发明       201310504346.0   2013/10/23
                           备方法                                                荣、周东飞、
             公司
                                                                                   张大成
                       具有反向导通结
         无锡华润上                                                              邓小社、芮
                         构的 Trench
10       华科技有限                     发明       201310511559.6   2013/10/24   强、张硕、
                       IGBT 的制备方
             公司                                                                  王根毅
                             法

         2017年、2018年、2019年及截至本核查意见披露日,公司研发人员数量为623
     人、643人、653人及708人,占员工总人数比例分别为7.79%、8.08%、8.29%及
     8.69%,研发人员数量呈增长趋势。同期,公司核心技术人员数量为18人、21人、
     20人及18人,人员稳定,具体人员如下:

          年度                                 核心技术人员姓名
                         陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、何波涌、
        2017 年度        丁东民、罗先才、方浩、计建新、邓小社、郑晨焱、吴泉清、张森、
                         尤勇、夏长奉
                         陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、何波涌、
        2018 年度        丁东民、罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、邓小社、郑晨焱、
                         吴泉清、张森、尤勇、夏长奉、李铁生
                         陈南翔、余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、何波涌、
        2019 年度        丁东民、罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、邓小社、郑晨焱、
                         吴泉清、张森、尤勇、夏长奉
                         余楚荣、马卫清、王国平、李虹、苏巍、吴建忠、何波涌、丁东民、
      截至本核查意见
                         罗先才、方浩、计建新、刘红超、李勇强、郑晨焱、吴泉清、张森、
          披露日
                         尤勇、夏长奉

         目前公司的技术研发和日常经营均正常进行,公司的研发团队及核心技术人
     员较为稳定,现有研发团队及核心技术人员能够支持公司未来核心技术的持续研
     发,整体研发实力未因邓小社先生的离职产生重大不利变动,邓小社先生的离职
     亦未对公司的核心竞争力与持续经营能力产生实质性影响。

         三、公司采取的措施

         任职期间,邓小社先生主要负责公司功率器件产品研发,邓小社先生离职后

                                               3
其负责的工作由公司芮强先生负责,芮强先生简历如下:

    芮强先生,1982年生,中国国籍,无境外永久居留权,电子科技大学微电子
专业学士。芮强先生于2004年8月加入公司,于2004年8月至2006年5月期间任华
润华晶微电子有限公司工程师;于2006年5月至2012年12月期间任无锡华润上华
科技有限公司高级工程师;于2013年1月至2020年8月期间任华润华晶功率半导体
研发中心研发经理;于2020年9月起任功率器件事业群IGBT产品线IGBT研发部
研发高级经理。

    芮强先生未持有公司股票,除在华润微电子有限公司任职外与公司或其控股
股东及实际控制人不存在关联关系,未受过中国证监会及其他有关部门的处罚和
证券交易所惩戒。

    目前,邓小社先生已完成与芮强先生的工作交接,公司核心技术人员及研发
团队仍持续投入对公司产品与技术的研发工作,公司研发团队结构完整,后备人
员充足,现有研发团队及核心技术人员能够支持公司未来核心技术的持续研发。

    四、保荐机构核查意见

    (一)保荐机构执行的核查程序

    针对公司核心技术人员离职事项,保荐机构进行了如下核查:

    1、查阅了公司与邓小社先生的劳动合同和保密及竞业限制协议,审阅其中
相关条款及承诺事项;

    2、取得并审阅了公司已授权、已申请专利清单并核对专利授权证书、专利
受理通知书等文件;

    3、取得并审阅公司员工花名册,了解公司目前研发人员情况及核心技术人
员情况;

    4、与公司管理层就邓小社先生离职的交接情况及公司经营情况进行了访谈;

    5、了解公司针对邓小社先生离职所采取的相关措施。

    (二)保荐机构核查意见


                                   4
    经核查,保荐机构认为:

    1、公司研发团队、核心技术人员总体相对稳定。邓小社先生已与公司办理
相关工作的交接,其负责的工作由公司芮强先生负责,邓小社先生的离职不会对
公司的技术研发和生产经营带来实质性影响,不会影响公司持有的核心技术;

    2、邓小社先生已签署相关的劳动合同和保密及竞业限制协议,邓小社先生
的离职不影响公司专利权的完整性,不会对公司业务发展与技术创新产生重大不
利影响;

    3、目前公司的技术研发和日常经营均正常进行,邓小社先生的离职未对公
司的持续经营能力产生重大不利影响。



    (全文结束)




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