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公司公告

美迪凯:中信证券股份有限公司关于杭州美迪凯光电科技股份有限公司2024年半年度持续督导跟踪报告2024-09-07  

                              中信证券股份有限公司

                    关于杭州美迪凯光电科技股份有限公司

                        2024 年半年度持续督导跟踪报告


    中信证券股份有限公司(以下简称“中信证券”或“保荐人”)作为杭州美迪凯光
电科技股份有限公司(以下简称“美迪凯”或“公司”或“上市公司”)首次公开发行
股票并在科创板上市项目的保荐人,根据《上海证券交易所科创板股票上市规则》《证
券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号
——规范运作》《上海证券交易所上市公司自律监管指引第 11 号——持续督导》等相
关规定,负责美迪凯上市后的持续督导工作,并出具 2024 年半年度持续督导跟踪报告。

一、持续督导工作概述

    1、保荐人制定了持续督导工作制度,制定了相应的工作计划,明确了现场检查的
工作要求。

    2、保荐人已与公司签订保荐协议,该协议已明确了双方在持续督导期间的权利义
务,并报上海证券交易所备案。

    3、2024 年上半年(以下简称“本持续督导期间”),保荐人通过与公司的日常沟
通、现场回访等方式开展持续督导工作,并于 2024 年 6 月 11 日至 2024 年 6 月 14 日期
间以及 2024 年 8 月 23 日,根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第 1 号
——规范运作》的要求,对公司募集资金的存放与使用情况进行了现场调查。

    4、本持续督导期间,保荐人根据相关法规和规范性文件的要求履行持续督导职责,
具体内容包括:

    (1)查阅公司章程、三会议事规则等公司治理制度、三会会议材料;

    (2)查阅公司募集资金管理相关制度、募集资金使用信息披露文件和决策程序文
件、募集资金专户银行对账单、募集资金使用明细账;

    (3)查阅公司财务管理、会计核算和内部审计等内部控制制度,获取并查阅公司
关联交易清单、银行日记账,获取控股股东、实际控制人关于不存在资金占用的说明;

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    (4)对公司高级管理人员进行访谈;

    (5)对公司及其控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员进行公开信
息查询;

    (6)查询公司公告的各项承诺并核查承诺履行情况;

    (7)通过公开网络检索、舆情监控等方式关注与上市公司相关的媒体报道情况。

二、保荐人和保荐代表人发现的问题及整改情况

    在本持续督导期间,保荐人和保荐代表人未发现美迪凯存在重大问题。

三、重大风险事项

    本持续督导期间,公司主要的风险事项如下:

    (一)业绩大幅下滑或亏损的风险

    公司正在推进多个项目建设,项目建成后公司固定资产规模将大幅增加,使得固定
资产折旧也相应增加。公司在建项目的实施具有不确定性,如果项目投产后经济效益不
及预期,则新增固定资产折旧将对公司业绩产生一定的不利影响,公司存在因折旧金额
大量增加而导致业绩大幅下滑的风险。

    (二)核心竞争力风险

    1、产品的技术迭代、产品更新较快的风险

    公司的各类产品和服务广泛应用于智能手机、安防监控、机器视觉、数码相机、投
影仪、智能汽车、大健康、元宇宙等终端产品及领域。丰富的终端应用场景及活跃的终
端消费市场决定了各细分领域产品的技术与工艺要求较为多样化,且技术迭代较快。如
果公司未来无法对新的市场需求、技术趋势做出及时反应,或是公司设计研发能力和技
术迭代速度无法与下游及终端客户持续更新的需求相匹配,则可能使公司相应产品和服
务的市场份额降低,进而将对公司经营业绩造成不利影响。

    2、核心人员流失、核心技术失密的风险

    公司终端客户所处的消费电子行业等新兴科技行业发展较快,对产业链上游供应商
提出了较高的技术要求。公司所处的光学光电子、半导体行业是资本密集型、技术密集

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型行业,有经验的技术研发人才是公司生存和发展的基础。维持核心团队的稳定并不断
吸引优秀人才,尤其是技术人才是公司在行业内保持优势的关键。目前的发展阶段对公
司各方面人才提出了更高要求。在企业间激烈的人才竞争下,未来公司可能面临核心人
才流失的风险。同时,公司建立了较为完备的知识产权保护体系,并与核心技术人员、
研发人员、高级管理人员签署保密协议及竞业禁止协议,防范泄密风险,切实保护核心
技术,但未来如果因核心技术信息保管不善或核心技术人员流失等原因导致公司核心技
术失密,将对公司造成不利影响。

    3、技术未能形成产品或实现产业化风险

    科技成果产业化并最终服务于经济社会发展的需求、提升国家综合实力和人民生活
水平是其意义所在。产品的技术迭代、产品更新较快及市场的变化将给科研技术成果的
应用带来很多不确定性。该领域的投资强度高、开发难度大、产业化周期长,可能发生
产业化过程中研发方向改变、新技术替代带来的风险。精密光学、半导体产品的应用领
域不断拓展,产品技术不断升级,市场需求面临较大的不确定性,企业的前瞻性技术成
果可能面临无法适应新的市场需求的情况,或者竞争对手抢先推出更先进、更具竞争力
的技术和产品,或出现其他替代产品和技术,从而使公司的技术成果面临产业化失败的
风险。

    (三)经营风险

    1、客户相对集中的风险

    报告期内,公司客户集中度相对较高,公司前五大客户销售金额占当期公司营业收
入的比例为 65.48%。公司的客户相对集中,主要系公司主要产品或服务不作为最终消
费品直接面向消费者,而是作为中间产品或服务,应用于下游行业,而下游行业集中度
比较高所致。

    由于公司的产品和服务具有定制化的特点,下游客户从产品质量和供货稳定性等因
素出发,一般不会轻易更换供应商。如果因客户自身经营出现重大不利变化,或者公司
提供的产品或服务丧失竞争力,使得主要客户减少对公司产品和服务的采购需求,甚至
停止与公司合作,则将可能对公司的经营业绩产生较大不利影响。




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    2、公司境外采购和收入占比较高,国际贸易摩擦加剧带来的风险

    光学光电子、半导体行业产业链分工精细,全球化程度高,因此易受到国内外宏观
经济和贸易政策等宏观环境因素的影响。随着国际贸易局势日益复杂,尤其中美贸易关
系面临较大不确定性,为公司的生产经营带来一定风险。

    公司采购境外生产商所产原材料及设备的占比较高,其中进口原材料主要产自日本、
俄罗斯、德国等国家,进口设备主要产自日本、欧洲等国家和地区。如果未来国际贸易
局势和政策发生重大变动,公司主要客户、原材料及设备供应商所处国家与中国的贸易
关系发生重大不利变化,可能导致公司主要产品和服务的下游需求及原材料、设备供应
受限,从而对公司经营造成不利影响。

    3、新项目推进未达预期的风险

    为及时抓住市场发展机遇,公司正积极推进一系列新项目建设。但项目建设过程中,
受资金筹措、市场环境变化、相关政策调整等多重因素的影响,从而可能导致新项目推
进未及预期。此外,如未来相关行业市场发展不及预期,也会较大程度影响公司新项目
经济效益的实现。

    (四)财务风险

    公司境外业务占比较高,报告期内公司境外销售收入占主营业务收入的比例
46.49%,境外销售的结算货币主要包括日元和美元等。日元和美元兑人民币汇率受全球
政治、经济影响呈现一定波动,未来若日元和美元兑人民币汇率出现重大波动,可能对
公司的出口业务和财务费用造成一定不利影响,进而影响公司经营业绩。

    (五)行业风险

    近年来随着智能手机、智能汽车、机器视觉、元宇宙、无人机、5G 通讯等新科技
领域的发展,为光学光电子、半导体行业开拓了更广阔的应用前景和市场空间。随着行
业技术的不断成熟、相关技术人才的增多、行业内外企业投资意愿的增强,未来行业壁
垒可能被削弱,公司可能面临市场竞争进一步加剧的风险。如果公司不能保持在技术研
发、客户资源、加工工序完整、品质管控、快速响应能力等方面的优势,不能持续强化
技术落地能力和市场开拓能力,则可能对公司盈利能力产生不利影响。



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    (六)宏观环境风险

    当前全球局势比较复杂,全球经济仍处于周期性波动当中,全球经济放缓可能对消
费电子、智能汽车、机器视觉、半导体等行业带来一定不利影响,进而影响公司业绩。
此外,公司的外销收入占比较高,若国际贸易摩擦加剧,也可能影响公司业绩。

    (七)保荐人关于上市公司利润下滑的意见

    公司 2024 年上半年营业收入 2.15 亿元、营业利润-0.64 亿元、净利润-0.54 亿元、
归属于上市公司股东的净利润-0.51 亿元、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的
净利润-0.40 亿元,较上年同期变动分别为 26.25%、-62.96%、-69.34%、-62.95%及-68.93%,
公司 2024 年上半年通过积极改进和完善业务和收入结构,营业收入较上年同期已有所
改善,但因公司上半年加强新产品的营销力度导致的销售费用中的职工薪酬与样品费用
增加,以及持续对新产品、新技术的研发投入导致的研发人员职工薪酬、研发设备折旧
费用同步增加,多重原因致使公司 2024 年上半年仍存在利润下滑的情况。

    公司上半年改进和完善了业务及收入结构,但仍存在因固定资产投资折旧增加、经
济环境、产业政策、下游市场景气度、行业竞争格局等情况的变化而导致业绩下滑的风
险。公司已在 2024 年半年报“第三节 管理层讨论与分析/五、风险因素/(十)”中披
露了风险。

四、重大违规事项

    基于前述保荐人开展的持续督导工作,本持续督导期间,保荐人未发现公司存在重
大违规事项。

五、主要财务指标的变动原因及合理性

    2024 年上半年,公司主要财务数据及指标如下所示:
                                                                             单位:万元
        主要会计数据          2024 年 1-6 月    2023 年 1-6 月    本期比上年同期增减
 营业收入                          21,526.52         17,050.36                  26.25%
 归属于上市公司股东的净利润         -5,059.00         -3,104.61                -62.95%
 归属于上市公司股东的扣除非
                                    -4,020.62         -2,380.03                -68.93%
 经常性损益的净利润
 经营活动产生的现金流量净额          4,954.29          8,287.27                -40.22%



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          主要会计数据        2024 年 6 月末      2023 年末       本期末比上年度末增减
 归属于上市公司股东的净资产       141,156.42        146,284.75                    -3.51%
 总资产                           254,274.15        227,722.52                    11.66%
          主要财务指标        2024 年 1-6 月    2023 年 1-6 月     本期比上年同期增减
 基本每股收益(元/股)                 -0.13             -0.08                  -62.50%
 稀释每股收益(元/股)                 -0.13             -0.08                  -62.50%
 扣除非经常性损益后的基本每
                                        -0.10             -0.06                  -66.67%
 股收益(元/股)
 加权平均净资产收益率                 -3.52%            -2.02%          下降 1.5 个百分点
 扣除非经常性损益后的加权平
                                      -2.80%            -1.55%         下降 1.25 个百分点
 均净资产收益率
 研发投入占营业收入的比例             23.50%            20.59%         增加 2.91 个百分点

    1、2024 年上半年,营业收入较上年同期增加 26.25%,主要是微纳电子、半导体封
测逐步量产,带来营业收入增长。

    2、2024 年上半年,归属于上市公司股东的净利润较上年同期减少 1,954.4 万元,
主要是报告期持续加大研发投入,以及固定资产折旧费用增加、相关项目陆续量产,职
工薪酬支出增加。

    3、2024 年上半年,经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少 40.22%,主要是
公司销售规模增加以及产品结构发生变化,材料采购增加,购买商品、接受劳务支付的
现金增加较多。

    综上所述,公司 2024 年上半年积极改进和完善业务和收入结构,重点投资了半导
体声光学、半导体微纳电路、半导体封测,智慧终端制造、AR/MR 产品及微纳光学等
业务,改善客户结构,完善公司在半导体器件产业链上下游的布局,但仍存在利润下滑
的情况,主要原因公司上半年加强新产品的营销力度,销售费用中的职工薪酬与样品费
用增加;同时,公司持续对新产品、新技术的研发投入,研发人员职工薪酬、研发设备
折旧费用同步增加,多重原因导致公司 2024 年上半年仍存在利润下滑的情况。

    保荐人将本着勤勉尽责的态度,对公司未来业绩情况进行持续关注和督导,提示公
司存在因经济环境、产业政策、下游市场景气度、行业竞争格局等情况的变化而导致业
绩进一步下滑的风险,并督促上市公司及时披露相关信息以及提醒公司积极改善经营成
果,以切实回报全体股东。


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六、核心竞争力的变化情况

      (一)公司的核心竞争力

      根据公司 2024 年半年度报告,公司目前核心技术情况如下:
         核心技术                                                                 应用产品/服
 序号                              核心技术的技术特点及先进性
           名称                                                                       务
                    1、公司自主研发多线切割技术,可对水晶、石英、蓝宝石、陶
                    瓷、铌酸锂等材料进行高精度加工;
                    2、公司自主研发对各类材质基板进行高精度外形加工,其中
                    玻璃晶圆的通孔技术可实现在 515*510mm 玻璃衬底上进行通
                    孔加工,孔径深宽比 40:1,最小孔径 5 微米,位置度≤3 微       各类影像光
                    米;                                                          学零部件、
                    3、公司自主研发各类材质晶圆衬底的研磨、抛光(包含 CMP)       生物识别零
                    技术,最大加工尺寸可到 30 英寸,厚度公差、面型、粗糙度        部件及精密
  1      精密光学
                    等指标具有较强的市场竞争力;                                  加工服务、
                    4、公司自主研发,掌握了包括真空蒸发镀膜、溅射镀膜的 PVD       AR/MR 光学
                    工艺,以及 PEALD 的原子层沉积、工艺,并完成各种光学膜         零部件精密
                    系设计及生产工艺开发,能够满足精密光学及生物识别零部件        加工服务等
                    等产品对精密薄膜的要求。同时公司自主设计,结合使用新型
                    光学材料,进行膜层加工,可使光学器件实现降低杂光、消除
                    鬼影、增透的效果或实现光学光电子元器件薄型化、消除摩尔
                    纹、高清晰成像效果。
                    公司自主研发的半导体声光学相关工艺技术,通过涂胶、光刻、      超薄屏下指
                    显影、镀膜、Lift off、湿法蚀刻、干法蚀刻、丝印、极化等工      纹传感器、
         半导体声
  2                 艺制程,直接在各类尺寸的晶圆上叠加光学成像传输及声学传        图 像 传 感
           光学
                    输所需的各种介质薄膜、金属膜、有机薄膜(Color Filter 等)、   器、环境光
                    微透镜阵列等整套光路层、声学层解决方案。                      传感器等
                                                                                射 频 芯 片
                    公司自主研发在各类晶圆衬底上,通过涂胶、光刻、显影、PVD ( SAW 、
                    (EB、IB、Sputter、Bias)、PEALD、PECVD、HDPCVD、湿 BAW 等)、
         半导体微
  3                 法蚀刻、干法蚀刻、CMP、Trimming、TSV、TGV、炉管(栅 功 率 器 件 芯
         纳电路
                    氧/干氧/退火/合金/P 推阱/N 推阱/D-Poly/U-Poly/TEOS 工艺)、 片 、 光 感 芯
                    快速退火等半导体制程,进行微纳电路加工。                    片、气压传
                                                                                感器芯片等
                    通过晶圆减薄、背金、激光开槽、刀轮切割、芯片贴合、引线
                                                                                  射 频 滤 波
                    键合、植球、倒装、覆膜(加真空印刷或 C Molding)、深硅
                                                                                  器、图像传
                    刻蚀、激光诱导和分选测试等工艺研究,成功开发了正面晶圆
                                                                                  感器、功率
         半导体封   级封装(LGA、WLCSP)、背面晶圆级封装(TSV、TGV)、
  4                                                                               器件、开关
           测       芯片级封装(DFN、QFN、SOT、IGBT、TO、PDFN、TOLL
                                                                                  电路电源管
                    系列)、Cu Clip 封装等,不断提升半导体器件良好的导电和
                                                                                  理、等芯片
                    散热性能、小型化、薄型化,能够做到真正的无引线大电流、
                                                                                  封装
                    低功耗、高散热封装工艺。


                                              7
         核心技术                                                             应用产品/服
 序号                             核心技术的技术特点及先进性
           名称                                                                   务
                                                                              工业相机、
         表面贴装   通过锡膏印刷、SPI、元件贴装、真空回流焊、波峰焊、AOI 检
  5                                                                           安防相机、
         (SMT)    测等工艺研究,成功开发了电路板表面贴装技术(SMT)。
                                                                              医疗器械等
                    1、通过晶圆减薄、单面研抛、光学成膜、镭射切割、性能测试
                    等工艺研究,成功开发超构表面光学器件加工技术,实现超构
                    表面光学器件薄型化、小型化、特定光学特性及高外观要求等
                    特性;通过晶圆表面 PVD、涂胶、曝光、显影、刻蚀等半导体    生物识别零
                    工艺,进行超透镜(Meta Lens)加工;                       部 件 、
                    2、采用灰度光刻技术完成 3D 微透镜阵列母版制作,结合晶圆   AR/VR 零部
                    级纳米压印工艺技术在基板表面实现微结构加工,该产品结构    件、医疗检
  6      微纳光学
                    具备高可靠性、高分辨率、高生产率(PV≤0.3um(MLA),      测、智慧家
                    Ra≤5nm),同时公司具有高矢高的微透镜阵列母板(透镜直     居、3D 深度
                    径<500um,矢高>100um)和低矢高的微透镜灰度光刻母板的      感知类应用
                    制造能力(微透镜矢高 0.5um~40um);                       等
                    3、采用晶圆压纹封装工艺,并结合丝印键合工艺,实现一种无
                    基材晶圆级压印光学模组技术,其最小尺寸可达 1mm*1mm,
                    PV≤1um。

      (二)核心竞争力变化情况

      公司致力于光学光电子、半导体光学、半导体微纳电路、半导体封测行业细分领域
的研究和开发。始终将技术创新放在企业发展的首位,紧盯行业发展趋势,围绕客户和
市场需求,战略性聚焦关键核心技术攻关,推动新知识、新技术的深度连接和耦合发力,
不断丰富技术和产品路线,致力为客户提供更优质、多类型、定制化的产品及解决方案。

      本持续督导期间,保荐人通过查阅同行业上市公司及市场信息,查阅公司招股说明
书、定期报告及其他信息披露文件等,未发现公司的核心竞争力发生重大不利变化。

七、研发支出变化及研发进展

      (一)研发支出变化
                                                                                单位:万元
             项目                2024 年 1-6 月     2023 年 1-6 月        变化幅度
 费用化研发投入                          5,059.65           3,510.55              44.13%
 研发投入合计                            5,059.65           3,510.55              44.13%
 研发投入总额占营业收入比例                23.5%             20.59%    增加 2.91 个百分点

      公司本年度持续加大新技术、新产品的开发,研发折旧费用、职工薪酬、材料费用



                                             8
     均有所增加所致。

         (二)专利技术

         2024 年上半年,公司获得授权专利 13 项(其中发明专利 2 项),申请受理专利 19
     项(其中发明专利 9 项)。截至报告期末,公司累计申请境内外专利 317 项,已经授权
     227 项,其中有效专利 207 项,公司的专利涉及精密光学、半导体声光学、半导体封装、
     微纳光学、晶圆传感器封装等主要核心技术,并取得境内外商标 6 项,具体情况如下:
                                                                                           单位:个
                                     2024 年 1-6 月新增               2024 年 6 月末累计数量
                项目
                                   申请数           获得数          申请数             获得数
      发明专利                                9              2               102                29
      实用新型专利                           10              11              215                198
      外观设计专利                            -               -                 -                 -
      软件著作权                              -               -                 -                 -
      其他                                    2               1                 8                6
                合计                         21              14              325                233

         (三)在研项目

         2024 年上半年,公司主要在研项目情况如下:
                                                                                         单位:万元
                   预计总投 本期投入 累计投入 进展或阶
序   项目名称                                                      拟达到目标             具体应用前景
                     资规模   金额     金额 段性成果
  超大尺寸及超                                            通过高精密研磨、抛光技术,结
  薄光学玻璃晶                                            合单面抛光工艺,实现 25 寸超
1                      595.00    86.92      522.02 已量产                              智能穿戴等领域
  元精密抛光技                                            大尺寸玻璃晶圆厚度加工至 0.2
  术及产品研发                                            mm 的超薄化要求。
                                                          采用 PVD 成膜技术,结合黄光、
                                                          lift-off 等工艺,实现膜层具有更
  各向异性导电                                            稳定的阻值,在膜厚方向具有良 智能手机、消费电
2 膜镀膜工艺研         362.00   103.61      379.82 已量产 好的导电性,使得芯片叠层连接 子、太阳能电子等
  发                                                      位置导通性良好,有效的解决了 领域
                                                          压合工艺中芯片连接位置阻值
                                                          变大的问题。
                                                          对于功率器件各叠层结构及膜
  功率器件芯片
                                                          层材料的设计,通过金属膜层沉
  微电路层金属                                     已开发                              消费电子、车载、医
3                      583.00   218.79      619.29        积工艺的调整,达到高精度膜厚
  膜层沉积工艺                                       完成                              疗等领域
                                                          及均匀性需求,实现功率器件高
  研发
                                                          品质、低能耗的目标。

                                                      9
                    预计总投 本期投入 累计投入 进展或阶
序     项目名称                                                  拟达到目标            具体应用前景
                      资规模   金额     金额 段性成果
                                                       自主开发 Mosfet 器件封装技术,
                                                       通过引线键合、塑封等工艺,实
  Mosfet 器件小
                                                       现产品小型化、薄型化、低功耗
4 型化、低功耗        365.00   142.25    330.98 已量产                                电源管理
                                                       等特性,在保证产品稳定性和可
  封装工艺研发
                                                       靠性的同时降低材料成本,提升
                                                       产品性能。
                                                       采用真空镀膜技术,通过膜系设
                                                       计及成膜工艺,在光学基板表面
  关于阵列式波                                         成膜,使产品在可见光波段范围
                                                小批量
5 导片镀膜工艺        235.00    106.6    272.77        内,满足光线一定入射角度时特 智能穿戴等领域
                                                  生产
  的研发                                               定反射值的要求,为智能穿戴产
                                                       品提供大视场角、高分辨率等硬
                                                       件能力
                                                       通过镭射切割、腐蚀等工艺,结
  大尺寸超薄玻                                         合超大尺寸玻璃加工平台的应
6 璃镭射打孔工        226.00    63.36    174.49 已量产 用,实现在大尺寸超薄玻璃基板 智能手机等领域
  艺的研发                                             上通孔加工,通孔散差及位置度
                                                       精度达到微米级的要求。
                                                       研发灰度光刻结合纳米压印工
  车载 HUD 均
                                                小批量 艺,制作车载 HUD 上的光学匀
7 光片纳米压印        175.00    36.14     83.45                                     车载等领域
                                                  生产 光片,起到匀光、整型等特殊光
  工艺技术研发
                                                       学投影效果。
  AR 镀膜结合
                                                       研发特殊光学滤光片制作工艺,
  丝印技术以及                                  小批量
8                     158.00     96.3    206.87        以满足 AR/VR 或医疗设备等领 AR/VR 等领域
  异形切割工艺                                    生产
                                                       域的特殊滤光需求。
  研发
  温度补偿型声                                         产品采用高平坦、低翘曲、超薄
  表面波滤波器                                         铌酸锂晶圆,通过单面化学研抛
                                                                                    智能手机、车载、物
9 (TC-SAW) 1,653.00            95.3   1696.68 已量产 工艺、金属溅射镀膜结合半导体
                                                                                    联网等领域
  微电路工艺研                                         工艺及修频工艺,实现晶圆表面
  发                                                   微电路加工。
                                                       通过 PVD 成膜技术,结合黄光、
                                                       Lift-off 工艺,自主开发无机颜
   无机物沉积方
                                                客户验 色膜工艺代替传统半导体彩胶 智能手机、消费电
10 式 实 现 R G B     973.00   349.53   1182.57
                                                  证   工艺,实现各通道光透过率更 子、物联网等领域
   阵列工艺研发
                                                       高、损耗小,光选择性更好、设
                                                       计灵活等特性。
                                                       通过线切割、研磨、精雕、抛光
     射频芯片基板                               开发完 等工艺,对 LT\LN 等材质进行
11                    322.00   105.16    171.71                                     射频芯片
     研发                                         成   晶圆加工,实现产品的高外观、
                                                       TTV、翘曲等要求。



                                                   10
                     预计总投 本期投入 累计投入 进展或阶
序    项目名称                                                    拟达到目标             具体应用前景
                       资规模   金额     金额 段性成果
                                                       自主开发化学抛光工艺,使晶圆
   射频芯片晶圆
                                                       表面 SIO2 膜层平坦化,提高产 智能手机,消费类
12 SIO2 层化学抛       272.00    98.42    227.4 已量产
                                                       品频率一致性,提升产品良率和 电子
   光工艺研发
                                                       性能。
                                                       通过黄光技术开发改善胶型,并
                                                       优化各通道膜系设计和成膜技
   多通道高膜厚                                        术,使各通道膜层单边拖尾<1.
                                                客户送                                 智能手机、车载、医
13 光路层黄光工        679.00   292.85   437.55        5um,结合 Lift-off 工艺,突破涂
                                                  样                                   疗等领域
   艺研发                                              胶后高温镀膜和长时间非球心
                                                       的多薄膜叠层去胶的行业两大
                                                       难点,实现晶圆表面无残留。
                                                       研发在玻璃基板或 PC 基板表面
   自然光 3D 悬
                                                客户送 进行彩胶图形化加工搭配压印
14 浮光投影技术        215.00    77.66   140.14                                     智能手机等领域
                                                  样   MLA 实现自然光下 3D 悬浮效
   研发
                                                       果.
                                                       研发采用点胶工艺结合压印冲
                                                       胶进行单片镜头晶圆制作结合
   用晶级压印工                                        丝印工艺,键合工艺将两片光学
                                                工程验                               智能手机/可穿戴
15 艺制作模组封         87.00    88.58    109.4        透镜晶圆进行叠合;最后通过 R
                                                  证                                 设备等领域
   装技术研发                                          econ,压印冲胶工艺,将单颗 TSV
                                                         sensor 进行侧壁挡墙做黑壁加
                                                       工,完成整个模组封装
                                                       采用灰度光刻完成 MLA 透镜阵
                                                       列母版加工而后进行工作模具
   应用于可穿戴                                        加工并进行压印,用刀轮切割工
   设备领域微透                                 工程验 艺搭配 AOI 完成从大片切割为 智 能 手 机 / 可 穿 戴
16                     148.00    94.62   109.88
   镜阵列均光片                                   证   小片及外观检验,最终采用 ML 设备等领域
   工艺技术研发                                        A 光检机台完成最终产品光学
                                                       性能测试,达到 H 方向大广角,
                                                       光场均匀效果。
                                                       采用新型散热材料和晶圆衬底,
                                                       通过半导体工艺、膜层沉积工艺
   高性能声表面
                                                       的设计和优化,提高射频滤波器
   波滤波器(IHP                                 小批量                              智能手机、车载、物
17                     879.00    706.2   997.31        Q 值,降低频率温度系数,提升
   S AW ) 微 电 路                                生产                              联网等领域
                                                       产品散热性能,实现射频滤波器
   工艺研发
                                                       更好的温度特性和更高的能量
                                                       传输效率。
                                                       采用涂胶、曝光、显影等黄光工
                                                                                    通信网络、移动终
   超薄高频石英                                        艺完成透明石英双面图形化硬
                                                客户送                              端、物联网、汽车电
18 晶振凹槽加工        532.00   218.01   241.83        掩膜层,之后进行湿法酸腐蚀工
                                                  样                                子、智能家居、家用
   工艺研发                                            艺形成凹穴;在硬掩膜层方面,
                                                                                    电器等领域
                                                       自主开发 PVD 成膜工艺,使用


                                                   11
                    预计总投 本期投入 累计投入 进展或阶
序     项目名称                                                   拟达到目标              具体应用前景
                      资规模   金额     金额 段性成果
                                                          Cr 膜替代贵金属膜,降低成本。
                                                                                   2.5D/3D 晶圆级封
                                                                                   装、芯片堆叠、ME
                                                      采用激光诱导和蚀刻技术,在玻
                                                                                   MS 传感器和半导
                                                      璃基板上进行高纵横比微孔加
     玻璃基板激光                              小批量                              体器件的 3D 集成、
19                    373.00    120.5   124.62        工,使微孔侧壁光滑、无裂纹、
     微孔工艺研发                              试生产                              射频元件和模块、C
                                                      无碎屑、无应力,可实现可靠的
                                                                                   MOS 图像传感器
                                                      金属化
                                                                                   (CIS)、汽车射频和
                                                                                   摄像头模块领域
                                                      研发心电检测仪线路板印刷、元
   心电监测仪表
                                               小批量 件贴装、回流固化、波峰焊接等
20 面贴片工艺研       142.00    61.07   139.64                                     医疗电子领域
                                                 生产 工艺,实现心电监测仪线路板贴
   发
                                                      装后高可靠性要求。
                                                      自主设计国内第一款 100*300m
                                                      m SOT23-32 排引线框架,通过
   一种 SOT23-3
                                                      宽排框架粘片、焊线、塑封、切
   2 排引线框架
21                     45.00    33.53    46.57 已量产 筋等工艺,保证产品可靠性 MS 车载&智能家居等
   设计及工艺技
                                                      L3 及高良率要求,并能最大限
   术研发
                                                      度提升产品性能及降低生产成
                                                      本。
   车载菲林片彩                                         通过薄膜设计及自主研发 PVD
                                                 工程验
22 色 图 案 P V D     315.00    97.51    97.51          成膜技术,实现薄膜无针孔、图 车载等领域
                                                   证
   工艺研发                                             案清晰、品质良率高等特点。
                                                      通过自主开发硅空腔刻蚀工艺
   BAW 滤波 器                                        及其掩膜层工艺,达到产品设计
                                               工程验                              消费电子、基站、物
23 硅空腔刻蚀工       852.00   283.92   283.92        的硅空腔刻蚀深度及刻蚀角度
                                                 证                                联网等领域
   艺研发                                             的目标,实现 BAW 滤波器信号
                                                      高质量传输性能。
                                                       自主研发黄光及镀膜工艺,对硅
   光感器件小尺
                                                       晶圆和玻璃晶圆进行多通道成
   寸开窗内多通                                 工程验
24                    398.00   119.78    119.78        膜,实现 10um 左右小尺寸开窗 传感器等领域
   道光学成膜工                                   证
                                                       填孔成膜,提升产品对高分辨率
   艺研发
                                                       的需求。
                                                      自主开发射频芯片晶圆级倒装
   射频滤波器晶
                                                      封装技术,通过植金球、超声焊
   圆级倒装(晶                                工程验                              消费类电子,智能
25                    709.00    202.6    202.6        接、真空印刷等工艺,将芯片直
   圆对晶圆)工                                  证                                手机等领域
                                                      接与外部电路连接,实现产品小
   艺的研发
                                                      型化,低功耗,高性能等特点。
   Micro LED 微                                       通过半导体制程涂胶、曝光、显
                                               工程验                                智能手表、智能穿
26 显示芯片整套       733.00   265.98   265.98        影、镀膜、湿法刻蚀、ICP 刻蚀、
                                                 证                                  戴等领域
   光路层设计开                                       IBE 金属刻蚀、无机物 Lens 等


                                                   12
                    预计总投 本期投入 累计投入 进展或阶
序     项目名称                                                       拟达到目标           具体应用前景
                      资规模   金额     金额 段性成果
     发项目                                               工艺配合实现全套 Micro LED
                                                          的加工。
       合计          12,026   4,165.19   9,184.78   /     /                            /

      八、新增业务进展是否与前期信息披露一致

              本持续督导期间,保荐人通过查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件,
      对公司高级管理人员进行访谈,基于前述核查程序,保荐人未发现公司存在新增业务。

      九、募集资金的使用情况及是否合规

              (一)募集资金使用及结余情况

              截至 2024 年 6 月 30 日,公司募集资金使用及存放具体情况如下:
                                                                                       单位:万元
                               项目                                      序号              金额
       募集资金净额                                           A                            94,206.52
                                 项目投入                     B1                           71,962.35
                                 利息收入净额                 B2                            1,718.40
       截至期初累计发生额        短期补充流动资金             B3                           18,700.00
                                 短期补充流动资金归还         B4                           17,000.00
                                 永久补充流动资金             B5                           22,258.47
                                 项目投入                     C1
                                 利息收入净额                 C2                                0.47
       本期发生额                短期补充流动资金             C3                            1,700.00
                                 短期补充流动资金归还         C4                            3,400.00
                                 永久补充流动资金             C5                            1,700.00
                                 项目投入                     D1=B1+C1                     71,962.35
                                 利息收入净额                 D2=B2+C2                      1,718.87
       截至期末累计发生额        短期补充流动资金             D3=B3+C3                     20,400.00
                                 短期补充流动资金归还         D4=B4+C4                     20,400.00
                                 永久补充流动资金             D5=B5+C5                     23,958.47
       应结余募集资金                                         E=A-D1+D2-D3+D4-D5                4.56
       实际结余募集资金                                       F                                 4.56
       差异                                                   G=E-F                                -


                                                    13
     注:加计尾差系四舍五入差异

     截至 2024 年 6 月 30 日,公司募集资金的存放情况如下:

                                                                                  单位:万元
         开户银行                 银行账号        募集资金余额                  备注
 中国建设银行股份有限公
                          33050161772709899999              1.59                活期
 司杭州钱塘支行
 中信银行股份有限公司杭
                           8110801018779999999                   /       已于 2023.6.21 注销
 州经济技术开发区支行
 杭州银行科技支行          3301040160017089403                   /       已于 2023.6.29 注销
 宁波银行杭州城东支行       71060122000511992                    /       已于 2023.6.28 注销
 宁波银行杭州城东支行       71060122000512468               2.98                活期
          合   计                    /                      4.56     /

     (二)募集资金使用是否合规

     本持续督导期间,保荐人查阅了公司募集资金管理使用制度、募集资金专户银行对
账单和募集资金使用明细账,查阅募集资金使用信息披露文件和决策程序文件,实地查
看募集资金投资项目现场,了解项目建设进度及资金使用进度,取得上市公司出具的募
集资金使用情况报告,对公司高级管理人员进行访谈。

     基于前述核查程序,保荐人认为:本持续督导期间,公司已建立募集资金管理制度
并予以执行,募集资金使用已履行了必要的决策程序和信息披露程序,募集资金进度与
原计划基本一致,基于前述检查未发现违规使用募集资金的情形。

     截至 2024 年 6 月末,公司首次公开发行承诺投资项目光学光电子元器件生产基地
建设项目及研发中心建设项目均已结项。其中,光学光电子元器件生产基地建设项目截
至 2024 年 6 月 30 日,该项目累计实现效益-4,731.65 万元,尚未达到承诺效益,主要原
因系投产初期项目尚未达到满负荷状态,产能利用率较低,项目规模效益未能及时体现,
请公司持续、有序推进募投项目的建设及实施,确保募集资金投资项目按计划实现预期
收益。

十、控股股东、实际控制人、董事、监事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情
况

     截至 2024 年 6 月 30 日,公司实际控制人、董事、监事和高级管理人员持有的股份
均不存在质押、冻结的情形。

                                             14
十一、保荐人认为应当发表意见的其他事项

    基于前述保荐人开展的持续督导工作,本持续督导期间,保荐人未发现应当发表意
见的其他事项。




    (以下无正文)




                                     15
(本页无正文,为《中信证券股份有限公司关于杭州美迪凯光电科技股份有限公司 2024
年半年度持续督导跟踪报告》之签章页)




保荐代表人:

                        丁旭东              翟 程




                                                        中信证券股份有限公司




                                                              年    月    日




                                       16