事件概述公司发布2020年三季度报告，截至2020第三季度报告期内（1月至9月）公司实现营业收入3.09亿元，同比增长50.39%，实现归属于上市公司股东净利润1.14亿元，同比增长145.49%。 分析判断:产品朝向高端技术升级，获利能力显著提升。 公司2020第三季度报告期内实现营业收入3.09亿元，同比增长50.39%；实现归属上市公司股东净利润1.14亿元，同比增长145.49%；毛利率为54.69%，同比增长5.7pct；净利润率为36.80%，同比增长14.26pct；公司核心产品持续向高端技术升级，通过持续投入研发，推出技术迭代的新产品、先进持续的产品提升公司产品的平均价格，包括：铜及铜阻挡层抛光液从28nm向14nm及以下先进工艺升级，目前已经去的部分用于14nm技术节点的规模化应用，10nm以下的技术节点按照计划推进中；钨抛光液已经应用于先进制程的3DNAND存储器；二氧化硅抛光液以二氧化铈为基础的产品已在3DNAND先进制程中按计划进行验证中；光刻胶去除剂正在14nm后端工艺稳定推进中；公司产品紧跟客户技术节点研发和量产，在先进制程中持续向高端产品升级，优化产品结构，提升公司获利能力。 紧跟国内头部晶圆厂逐步扩产，受益于核心材料国产化率提升公司核心半导体产品已经应用于中芯国际、长江存储等国内头部晶圆厂，国内头部晶圆厂在未来三至五年均有明确扩产规划；公司成熟产品已经绑定国内主流晶圆厂，将根据客户晶圆的量产持续上升；此外，公司在国内还有极大渗透空间，根据SEMI数据，2017至2020年之间，中国大陆拟新建晶圆厂数量在全球占比达42%；至2020年开始，随着首期厂房建设完毕，设备搬入产线，晶圆厂开始进入试产到扩产的阶段，今年以来公司营业收入已经显著的增长；展望未来，公司产品在进入海内外主流客户端稳定量产的情况下，有望外延扩张至国内多个晶圆厂实现同步放量；此外，今年受到疫情和中美贸易竞争影响，海外半导体原材料的导入风险不断提升，也有利于公司持续提升国内市场份额。投资建议公司产品获利能力显著提升，我们调整盈利预测，预计2020至2022年实现营业收入分别为4.32亿元、5.97亿元、7.52亿元（原先为3.77亿元、4.88亿元、6.13亿元）；实现归母净利润分别为1.24亿元、1.77亿元、2.18亿元（原先为0.77亿元、1.15亿元、15.05亿元；实现每股收益为2.34元/3.34元/4.11元，维持“增持”评级。 风险提示疫情影响超出预期、半导体市场需求不如预期、行业竞争加剧、系统性风险等。

定增募资计划稳步推进，技术&产能两手同步升级公司提出新一轮定增计划项目，系为满足全球和国内市场对公司产品需求的快速增加；向特定对象发行 A 股股票总金额不超过100亿元，本次募集资金主要用于三大方向：第一、中微产业化基地建设，拟投资 31.7亿元；第二、中微临港总部和研发中心项目，拟投资 37.5亿元；第三、科技储备资金，30.8亿元；本次定向增发的目的主要有三点：第一、做大做强主业，生产研发两手抓，提升公司整体竞争力；第二、持续提升研发投入，缩小和海外同行巨头的研发投入差距；第三、利用资本市场优势，提升持续盈利能力； （1）在产能提升方面：公司将在中微临港、中微南昌新建基地，项目建成并达产后，主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备，以及部分零部件等。其中，临港产业化基地将主要承担公司产品的产能扩充及新产品的开发和生产工作；南昌产业化基地主要承担较为成熟产品的大规模量产及部分产品的研发升级工作。 （2）技术升级方面：临港研发中心将用于新产品的研发工作，除等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究；已规划研发项目包括：第一、刻蚀机：7-5nm 以及 5-3nm 以下的 ICP刻蚀机、UD-RIE/SD-RIE 用于高深宽比和逻辑关键工艺的介质刻蚀机、3nm 及以下的 ALE 原子层刻蚀机；第二、薄膜沉积设备： 用于 STI、ILD、SAB 等介质沉积的 HPCVD 薄膜沉积设备；宽禁带功率器件外延生长设备。 内生&外延同步发展，横向投资扩张新市场公司做大做强主业同时积极向外扩张新市场，近期公告投资对象包括昂坤视觉和上海睿励； （1）昂坤视觉：为公司的供应商，通过投资可以保障公司 MOCVD 产品在线温度检测而进行，符合公司经营发展的需要；致力于为 LED、宽禁带半导体和集成电路产业提供光学测量和光学检测设备及解决方案，具备先进的光学系统设计、光学成像技术和机器视觉算法研发能力，主要自主研发生产销售 MOCVD 温控系统和 AOI 自动光学检测设备两大类产品。 （2）上海睿励：为国内少数 12英寸前道量测设备供应商，通过投资可以帮助公司进入检测设备新赛道；上海睿励主营的产品为光学膜厚测量设备和光学缺陷检测设备，以及硅片厚度及翘 曲测量设备等。上海睿励自主研发的 12英寸光学测量设备TFX3000系列产品，已应用在 65/55/40/28纳米芯片生产线并在进行了 14纳米工艺验证，在 3D 存储芯片产线支持 64层 3DNAND 芯片的生产，并正在验证 96层 3D NAND 芯片的测量性能。通过投资公司正在开启内生和外延并行的平台化成长路径。 投资建议我们维持公司盈利预测，预计 2020至 2022年实现营业收入分别为 24.19亿 元、32.98亿 元、44.60亿元， 同比增长24.25%、36.31%、35.24%；2020年至 2022年实现归母净利润分别为 2.87亿元、4.31亿元、5.82亿元，同比增长为51.94%、50.31%、35.15%，实现每股收益为 0.54元/0.81元/1.09元，维持“买入”评级。 风险提示半导体市场需求不如预期、行业竞争加剧、系统性风险等

产品结构不断优化，智能产品占比逐渐提升公司与电子科技大学等单位进行技术合作，就欧美日技术封锁的高压 MOS 芯片关键技术展开研发，并联合开发了 BCD-700V 工艺平台，依据公司 2019年年度报告数据该工艺平台给公司带来 40以上的成本优化，并有助于公司对短期与长期产能分配进行规划。2018~2019年，公司采用 700V-BCD 工艺等技术升级，使得通用 LED 照明驱动芯片集成度持续提升，晶圆单片的芯片产出粒数大幅上升。在通用产品价格每年都有一定程度下滑的市场背景下，公司依赖于技术优势不断优化成本，连续 4年将毛利率稳定在 17%左右。展望未来，公司产品结构持续优化，智能 LED 照明驱动芯片占比由 2015年 10.84%逐渐上升至 2019年的 25.97%。 公司 PMIC 占比低于 2%，加强研发投入和技术储备依据赛迪智库相关数据，2018年国内 PMIC 市场规模大约为 68亿元，对应公司 2018年 7.67亿元销售收入占比低于 2%，我们预计伴随公司在 AC-DC 类产品种类的进一步丰富以及市场份额的逐渐提升，未来成长空间足。2016年以来，公司研发费用逐年增加，尤其 2020年以来公司进一步加强研发投入，2020年前三季度公司研发费用为 6278.09万元，相比 2019年前三季度的4682.17万元增长 34.08%，主要系公司研发人员增加带来的研发人员薪酬增加所致。此外，公司通过两期股权激励进一步加强人才梯队建设，为公司长远发展奠定了坚实的基础。 投资建议我们调整此前盈利预测，预计公司 2020~2022年营收分别为9.80亿元、13.50亿元、16.00亿元（此前预测数据为 9.80亿元、12.00亿元、14.00亿元）；净利润由 1.01亿元、1.35亿元、1.68亿元调整为 0.37亿元（考虑今年股权激励费用）、1.81亿元、2.35亿元（2021年和 2022年暂不考虑股权激励的影响，公司不断调整产品结构优化毛利率水平）。我们根据wind 一致数据，国内领先的模拟 IC 公司相对 2021年估值 PE 的均值为 80倍，鉴于公司作为国内领先的电源管理芯片企业，产品结构持续优化，看好公司长期产品种类丰富及高端产品持续突破，维持买入评级。 风险提示海外疫情控制低于预期;LED 照明出口数据低于预期；公司产品创新低于预计；竞争力削弱等。

事件概述公司发布2020年第三季度业绩报告，2020年Q3单季度公司实现营收18.26亿元，同比增长22.37%；实现归属母公司股东净利润2.84亿元，同比增长169.14%。从环比数据角度来看，公司2020年Q3季度环比Q2增长8.63%，归属母公司股东净利润基本持平。毛利率角度来看，公司2020年Q3单季度为销售毛利率为29.51%，同比有较大幅度提升，环比有小幅提升，我们认为随着公司未来产品结构的持续调整，IDM业务比重逐渐增加，销售毛利率有望整体呈现上升的趋势。 同时，公司发布定增计划，主要用于封测基地的建设，未来有望为公司的长足发展提供驱动力。 MOSFTET全系列产品布局，TIGBT重点突破公司MOSFET产品系较全，包括了高压MOSFETG1.5平台650V产品，S4-5平台600-700V产品；低压MOSFETSGTII平台30V系列，SGT平台85-135V系列产品等。根据我们产业链研究，沟槽型（Trench）MOSFET产品主要应用在低压领域；屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET主要应用在低压200V左右；超结（SJ-MOSFET）主要应用在高压600V-800V领域。我们认为，超级结产品未来有望在新能源、储能、5G（包括服务器、电源系统等）领域快速发展的助力下迎来较为快速的增长，进一步增强公司在MOSFET领域的领先地位。同时，公司在IGBT器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术，专利覆盖了600V-6500V多个电压平台等多种IGBT器件结构和工艺流程，未来有望在家电、电网等多领域内逐渐获得突破。 CSiC二极管正式发布，化合物半导体未来可期公司官网信息，在近期上海举办的慕尼黑电子展期间，正式向市场投入1200V和650V工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列，同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。其中，1200V产品电流等级从2A到40A，主要聚焦于太阳能、UPS、充电桩、储能、车载电源等应用；而650V产品电流等级为4A到16A，主要聚焦于服务器电源、通讯电源等高效开关电源应用。 投资建议我们维持此前营收预测不变，预计预计2020~2022年公司营收分别为70.06亿元、84.07亿元、100.89亿元；由于公司今年以来产能利用率提升、毛利率改善明显、产线折旧到期以及产品与方案业务的快速增长，我们调整此前业绩预测，预计实现归属于母公司股东净利润9.45亿元、12.16亿元、14.91亿元（此前2020~2022年预测归母净利润为8.42亿元、11.00亿元、13.23亿元）。鉴于公司在MOSFET领域的领先地位及未来IGBT/第三代化合物半导体等新产品突破，成长空间足，我们给予一定的估值溢价，维持“买入”评级。 风险提示存在与累计未弥补亏损相关的风险；半导体行业存在周期性；与国际厂商存在技术差距等。

事件概述公司发布2020年上半年度报告，2020上半年公司实现营业收入131.61亿元，同比增长29.38%；实现归属上市公司股东净利润13.86亿元，同比增长329.83%。 分析判断:成熟工艺产品组合优化，需求增长驱动获利能力持续向好。 公司2020年上半年实现营业收入131.61亿元，同比增长29.38%，毛利率为23.50%，同比增长2.5个百分点，实现归属上市公司股东净利润13.86亿元，同比增长329.83%。公司营收快速增长受益于晶圆的销售数量和价格同步提升；销售晶圆数量由去年同期2.4百万片（约当8英寸晶圆）同比增加19.7%至今年本报告期的2.8百万片；晶圆平均售价由去年4,285元增长为本报告期4,631元。成熟工艺应用平台的需求持续强劲，包括：电源芯片、摄像头传感器、射频物联网和特殊存储器件；公司为满足客户需求，产能利用率接近满载，公司对产品组合进行了改善，提高了生产效率。为满足成熟工艺平台的需求及缓解目前产能的瓶颈，今年年底前，中芯国际每月将增加30,000片8英寸晶圆产能及20,000片12英寸晶圆产能。同时，中芯国际也将持续推进研发进度，以抓住成熟和先进节点的市场机遇。 先进工艺稳步推进，同步国产需求新建扩产项目公司先进工艺研发与业务进展顺利，先进工艺第一代技术（14nmFinFET）量产顺利，与国内及国际客户继续开展新的试产项目。 先进工艺第二代平台（N+1,约10nm）稳步推进，目前处于客户产品验证阶段；公司在先进工艺产能方面，遵循审慎规划的原则，以客户需求作为基础，综合全盘考虑稳步上量。截至2020年7月31日，公司预先已投入募集资金投资专案中的12英寸芯片SN1专案、先进及成熟工艺研发专案储备资金的自筹资金共计约人民币4,494.5百万元及已支付的发行费用约人民币3.2百万元。此外，公司为了满足国产芯片制造需求，2020年7月31日，公司与北京经济技术开发区管委会订立合作框架协议，就发展及营运北京的12英寸晶圆产线项目共同成立合资企业；合资企业将聚焦于生产28nm及以上集成电路，该项目将分两期发展，目标为该项目的首期最终达成每月约100,000片12英寸晶圆的产能。该项目的第二期将基于客户及市场需求适时启动。该项目首期计划投资76亿美元，注册资本金拟为50亿美元；其中，公司出资拟占比51%，将负责合资企业营运及管理。投资建议我们维持此前盈利预测，预计2020至2022年实现营业收入分别为258.1亿元、299.7亿元、345.01亿元，同比增长17.2%、16.1%、15.1%；实现归母净利润分别为18.59亿元、20.33亿元、22.40亿元，同比增长3.6%、9.4%、10.2%，实现每股收益为0.24元/0.26元/0.29元，维持“买入”评级。 风险提示美国出口管制风险、半导体需求不如预期、行业竞争愈趋激烈、系统性风险。

事件概述公司发布2020年半年度业绩报告，2020年上半年公司实现营收3.84亿元，同比下降6.52%；归属于上市公司股东净利润943.71万元，相比于去年同期下降77.29%，主要系全球疫情影响及公司报告期内产生股权激励费用3899.94万元，若剔除股权激励影响，公司实现归属于上市公司股东净利润为4453.66万元，同比增长7.20%。 ?LED照明领域足具竞争力，持续拓展产品结构提升毛利率水平公司主要产品LED照明驱动芯片技术含量、工艺水平等性能指标在行业内处于领先地位，已经达到或接近国际先进水平，在晶圆制造工艺平台领域具有较为独特的技术优势。公司与电子科技大学等单位进行技术合作，就欧美日技术封锁的高压MOS芯片关键技术展开研发，并联合开发了BCD-700V工艺平台，该工艺平台给公司带来40%以上的成本优化，并有助于公司对短期与长期产能分配进行规划。同时公司依托于技术与人才的布局，深耕电源管理类产品，拓宽产品种类，不断调整产品结构，优化毛利率水平，2020年二季度单季度公司毛利率为26.08%，创历史新高。 ?公司PMIC占比低于2%，加强研发投入和技术储备依据赛迪智库相关数据，2018年国内PMIC市场规模大约为680亿元，对应公司2018年7.67亿元销售收入占比低于2%，我们预计伴随公司在AC-DC类产品种类的进一步丰富以及市场份额的逐渐提升，未来成长空间足。依据公司第二期核心骨干股权激励条件，2021年公司营业收入达到11.00亿元或毛利达到2.530亿元；2022年公司营业收入达到12.80亿元或毛利达到2.944亿元；2023年公司营业收入达到15.00亿元或毛利达到3.450亿元。公司积极实施股权激励，为公司长远的发展奠定坚实的人才基础。依据公司半年报数据，截止2020年6月30日，公司研发人员数量为149人，占员工总人数比例为59%，公司研发人员结构完整、后备技术人员充足。同时2020年上半年公司研发费用为3,820.30万元，较上年同期增长27.04%，占营业收入的9.94%。 投资建议我们预计公司2020~2022年营收分别为9.80亿元、12.00亿元、14.00亿元；基于公司不断调整产品结构优化毛利率水平，若不考虑股权激励对未来3年业绩影响，我们预计归母净利润由6543万元、1.11亿元、1.49亿元调整至1.01亿元、1.35亿元、1.68亿元。鉴于公司作为国内领先的电源管理芯片企业，产品结构持续优化，看好公司长期产品种类丰富及高端产品持续突破，维持买入评级。 风险提示海外疫情控制低于预期;LED照明出口数据低于预期；公司产品创新低于预计，竞争力削弱等

观点一、刻蚀技术水平已比肩国际，迈入薄膜沉积、量测平台化发展做大做强：中微公司CCP电容式刻蚀机已达到国际最先进技术水平7nm/5nm，在存储器中64层3D NAND已经实现量产，128层3D NAND稳步推进引领国内大规模进口替代，ICP电感式突破至1Xnm，未来有望导入产线加大应用；同时，公司开启平台化发展，参股沈阳拓荆（国内PECVD、ALD龙头）、Solayer（镀膜设备）并拟参股上海睿励（国内厚膜量测设备领先者），扩大业务领域，满足国内对薄膜设备、量测设备的等巨大需求，顺势做大做强。 观点二、高性价比叠加服务优势，为客户降本增效，实现由下至上的进口替代：公司刻蚀机不仅技术水平达标、工艺通过验证，而是持续以创新设计、高性价比为客户降本增效；例如：公司双反应炉的产品相较于竞争对手可降低30%至50%的生产成本和占地面积；根据公司未来3至5年的技术升级和外延扩张规划，公司除了线宽升级，也将持续以降本增效为核心，为国内客户创造进口替代的附加价值 观点三、进入先进制程赛道加厚壁垒，同步台积电技术升级，打开长期市场空间：公司CCP刻蚀7nm/5nm均在台积电部分工艺量产，3nm同步验证中；公司紧跟先进制程验证，将有利于在相对成熟的制程节点验证；因此，在国内其他14nm及以上Fab的工艺验证时达到高效率。此外，公司进入先进制程将打开长期市场空间，加厚竞争护城河；例如：逻辑、存储芯片追寻先进制程，平均每代刻蚀价值提升30%；逻辑芯片从28nm至7nm的Fab厂，技术工艺复杂化和线宽升级，使得每万片晶圆产能所需刻蚀设备从50台增加至近140台；未来，刻蚀机价值量将持续同步5nm/3nm制程升级。 观点四、工艺通过验证，推动市占率爬升，显著受益于国内Fab未来5年设备密集拉动期：2019至2020Q1，中微公司在国内重点客户的刻蚀机采购占比，同步工艺验证通过比例一路爬升，按招标阶段市占率分别为15%、19%至27%；根据DIGITIMES采访讯息，中微公司创始人尹志尧预计，未来在Fab厂刻蚀设备的国产率将达50%；中微公司尚有极大增长空间。根据国内Fab已公布的投资金额测算，刻蚀机在国内Fab的扩产市场：逻辑芯片为290亿元；功率器件和特殊芯片为140亿元，存储芯片为690亿元。 盈利预测及估值：综合考虑中微公司在行业技术水平、产品性价比、长期增量市场空间等各方面皆具备领先优势；我们维持盈利预测：2020-2022年公司营业收入为24.19亿元/32.98亿元/44.60亿元，归母净利润2.87亿元/3.98亿元/5.44亿元；维持“买入”评级。 风险提示：半导体市场需求不如预期、半导体产能扩张大幅低于预期的风险、行业竞争加剧的风险、LED市场需求不如预期、系统性风险。

晶圆代工处产业链核心支柱位置,为国内半导体进口替代提供关键支持,具有高技术门槛及集中度高的特点;公司作为中国大陆晶圆代工龙头,在产能和技术皆具备得天独厚领先优势,除了引领工艺节点突破之外,对设备&材料,以及设计&封测均具备很高的配套推动作用,是产业链联动的最核心环节。 先进制程14nm及以下产能倍数增长,行业高集中度提升获利空间。 公司是中国大陆唯一掌握14nmFinFET、HKMG等先进工艺的半导体制造商,并且具备延伸至7nm的技术基础;随着技术和资本壁垒加高,头部集中度提升;全球具备14nm工艺仅剩下六家企业;至10nm以下,中芯国际有望成为继台积电、三星、Intel之后的唯四家企业;根据中芯国际数据,(1)14nm:预计至2020年底,中芯南方月产能将从6K提升至15K;(2)N+1/N+2:约当于同业10nm/7nm制程,预计分别于2021/2022年导入量产,至2022年,中芯南方规划建设产能为20K。公司先进制程产能提升,将打开公司高端产品的供应能力,提升获利空间。 成熟制程0.35μm-28nm技术工艺升级,优化产品结构带动利润。 公司推进40/45nm射频、24nmNAND、40nm高性能图像传感器、28nm射频、28nm高压驱动等特色工艺技术研发,优化产品结构提升获利能力;根据中芯国际数据,(1)65nm-24nm:预计至2021年,中芯北方12英寸晶圆月产能从50K增长至60K片,并且成立特色工艺技术研发中心,扩充产品种类和技术能力。(3)0.35μm-90nm:预计至2020年,公司规划天津、上海、深圳三个8英寸晶圆厂月产能将新增30K:其中,天津厂2018年底起开始推动扩产项目,预计目标建成8英寸晶圆月产能从63K增长至150K,将成为全球单体规模最大的8英寸集成电路生产基地。公司成熟制程随着特色工艺技术升级,将进一步优化利润结构。 技术工艺足够先进满足国内大部分需求,产能利用率近乎满载。 公司具备技术和服务优势,近年来已与国内主要芯片设计厂商建立了长期合作关系。(1)中国芯片设计商快速崛起,下游客户需求充沛,产能利用率步入满载:根据亿欧咨询数据,2010-2019年,中国大陆芯片设计企业由582家增加为1780家;其中包括:海思、紫光展讯、兆易创新、汇顶科技等,近几年取得优异成绩高速增长;为国内晶圆代工企业带来大量制造需求;截至2020年Q1,公司产能利用率已提升至99%,产能接近满载。(2)14nmFinFET相关工艺可满足国内95%芯片需求,在中国大陆市占率可望逐步上升:2018年,公司在中国大陆排名第二,市占率为18%;至2019年底,公司14nmFinFET工艺导入量产,新技术和工艺的导入能够满足客户高端产品需求,有望提升市占率;加上公司地缘和服务优势能够掌握行业、产品最新技术动态,及时了解和把握客户最新需求,准确地进行芯片产品更新升级,确保公司产品在市场竞争中保持先发优势。 领军人物和技术团队经历丰富,股权激励为公司持续增长奠定基础。 公司组建了以梁孟松博士、周梅生博士为核心的技术团队,实现技术快速升级。(1)领军人物和核心技术团队曾任职于全球晶圆代工龙头TSMC,具备先进制14nm-7nm的丰富研发经历:公司于2017年新增梁孟松博士为核心技术人员,成功于一年左右时间突破14nm制程。(2)海归人才回流,技术团队人才储备不断增强。随着中国大陆半导体实力的突飞猛进,加上政府重视;海外大厂的人才正在逐渐回流;公司抓住此机遇,并始终重视人才队伍的培养和建设,不断引进高端人才,通过考核后可在关键岗位任职,推动核心技术团队的实力稳固增长。(3)公司至2014年执行多次股权激励,推动公司快速增长;未来有望推出新一轮的激励计划,为技术快速升级奠定基础。公司于A股科创板上市后,将不排除进行新一轮股权激励的可能性。 投资建议 我们按照公司产能、产品结构等情况,做出关键假设并给予盈利预测,预计2020至2022年实现营业收入分别为258.09亿元、299.70亿元、345.01亿元,同比增长17.2%、16.1%、15.1%;实现归母净利润分别为18.59亿元、20.33亿元、22.40亿元,同比增长3.6%、9.4%、10.2%。综合考虑到公司技术和产能持续升级,在中国大陆具备领先地位,全球晶圆代工市场规模增加等因素,首次覆盖,给予买入评级。 风险提示 美国出口管制风险、半导体需求不如预期、行业竞争愈趋激烈、系统性风险。

事件概述 公司发布2020年第二期限制性股票激励计划,本次激励计划拟授予激励对象的限制性股票数量为75万股,约占当前公司总股本6160万股的1.22%,授予价格为80元/股。激励对象合计8人,为公司核心/技术骨干。其中首次授予的限制性股票考核业绩标准为第一个归属期,2021年公司营业收入达到11.00亿元或毛利达到2.530亿元;第二个归属期2022年公司营业收入达到12.80亿元或毛利达到2.944亿元;2023年公司营业收入达到15.00亿元或毛利达到3.450亿元。 核心骨干获股权激励,未来产品延展持续可期 依据半导体行业观察数据指出,2018年公司自研比例约为30%,预计未来提升至60%~70%。公司核心骨干获股权激励,随着公司的不断发展壮大,对专业人员的需求逐渐加大,通过股权激励等方式吸引人才,我们预判公司积累的模拟IC工艺能力有望持续助力公司扩充产品种类。随着募集资金的投入,将进一步推动公司通用LED照明驱动芯片、智能LED照明驱动芯片、产品研发及工艺升级等项目的进展。同时,公司根据市场需求进行产品研发工作,未来会持续进行研发投入,进行新产品研发及产品工艺平台升级等工作。 深耕模拟芯片领域,5月LED照明开启恢复,赛道龙头IC创新加速 2015年-2017年国内电源管理芯片市场规模分别为538亿元、593亿元、655亿元。未来随着新能源汽车、5G通信等市场持续成长,电源管理芯片市场将持续受益。国际市场研调机构Transparency Market Research(TMR)预测,到2026年全球电源管理芯片市场规模将达到565亿美元。公司深耕于电源管理芯片细分领域,下游应用主要为LED照明/家电/智能家居/工控等。中国电器照明协会数据显示,5月LED照明产品出口额为27.07亿美元,同比增长3.56%今年首度实现单月正增长,我们认为LED照明行业作为一个刚需产业,需求有望持续。同时,公司持续优化产品结构,智能LED照明芯片产品占比逐渐提升。 投资建议 基于疫情影响及公司于2020年一季度计提股权激励费用,我们预计公司2020~2022年营收分别为9.80亿元、12.00亿元、14.00亿元(此前2020年和2021年营收分别为10.28亿元、12.18亿元);归母净利润为6543万元、1.11亿元、1.49亿元(此前2020年和2021年归母净利润分别为1.07亿元、1.24亿元)。鉴于公司作为国内领先的电源管理芯片企业,产品结构持续优化,看好公司长期产品种类丰富及高端产品持续突破,维持买入评级。 风险提示 海外疫情控制低于预期;LED照明出口数据低于预期;公司产品创新低于预计,竞争力削弱等

事件概述公司发布 2019年年度报告,2019年实现营收 57.43亿元,同比下降 8.42%;实现归属母公司股东净利润为 4.01亿元,同比下滑 6.68%;同时公司发布 2020年一季度业绩报告,实现营收13.82亿元,同比增长 16.53%;归属于上市公司股东净利润1.14亿元,同比增 631.73%,主要系营业收入增长、毛利率提升、产品获利能力好于去年同期所致。 ? ? 一季度业绩 快速增长, 原有产线 折旧金额整体呈下降趋势依据公司招股说明书,2019年 H1公司 6英寸和 8英寸产线产能利用率分别为 76.52%、78.92%,而 2017年/2018年公司 6英寸和 8英寸产线产能利用率均接近 100%,接近满产情况下公司2017年和 2018年营收分别为 58.76亿元、62.71亿元,2019年营收则相应有所下滑。而 2019年一季度由于春节假期和年度生产线集中检修影响,产能利用率较低削弱了产品毛利,2020年 Q1销售毛利率则为 24.92%,显著提升。2016~2019年公司固定资产净值分别为 36.77亿元、42.26亿元,38.98亿元、38.16亿元;当期折旧分别为 9.06亿元、13.09亿元、9.15亿元、6.62亿元,其中 2017年计提折旧金额上升主要系 2017年合并重庆华微所致。公司产线折旧主要是重庆华微 8英寸产线和华润上华二厂 8英寸产线,2018年这两条产线折旧合计金额为 4.1亿元,占整体产线折旧金额比例接近 65%。公司设备成新率逐年下降,预计在现有生产经营计划等不发生重大改变的情况下,公司主要生产线的折旧金额将总体呈下降趋势。但随着募投项目的实施以及其他可能相关的资本开支可能会增加一定的折旧费用。 ? ?T MOSFET 国内领先, IGT BT 获突破根据 IHS Markit 的统计,以销售额计,公司在中国 MOSFET 市场中排名第三,仅次于英飞凌与安森美两家国际企业,是中国本土最大的 MOSFET 厂商。2019年公司完成了多层外延超结 650-700V 工艺平台的研发,并向快充、适配器、照明和大功率电源等主流市场推出了多颗产品。同时公司通过整合内部资源,加快低压沟槽栅 MOS 器件产品的系列化和升级换代,向市场推出了30V 系列产品,多颗产品被国内关键客户认定并开始采购。同时,公司在 IGBT 器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术,公司 IGBT 产品进入工业控制领域,并被批量采用;2019年 IGBT 产品的销售额同比提升 45%。我们认为,在功率器件国产替代加速进行,公司基于多年 IDM 模式优势有望实现较快的增长。 ? ? 积极布局第三代半导体 器件 , 加大研发卡位领先优势2019年公司充分利用 IDM 模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展 SiC 功率器件研发,完成 1200V、650V JBS 产品开发和考核,并送客户试用,同时完成 6英寸 JBS 中试生产线一期项目建设。Yole 数据显示,2017-2023年 SiC 功率元器件市场规模的复合年增长率为 31%,预计到 2023年超过 15亿美元,预计 2022年 GaN 市场规模约为 4.5亿美元,SiC 与 GaN 前景可期,公司加大研发投入卡位领先优势。 投资建议基于全球疫情带来的终端消费需求影响,我们调整此前盈利预测,预计 2020~2022年公司营收分别为 68.90亿元、79.00亿元、90.00亿元(此前 2020~2021年预测营收为 69.60亿元、83.52亿元);预计实现归属于母公司股东净利润 4.89亿元、6.70亿元、7.81亿元(此前 2020~2021年预测归母净利润为6.35亿元、8.16亿元)。鉴于公司在 MOSFET 领域的领先地位及未来成长空间足,我们给予一定的估值溢价,维持“买入”评级。 风险提示存在与累计未弥补亏损相关的风险;半导体行业存在周期性; 与国际厂商存在技术差距等。

事件概述公司发布 2019年年度报告,2019年公司实现营业收入 2.85亿元,同比增长 15.15%;实现归属上市公司股东净利润 0.66亿元,同比增长 46.45%。同时,公司也发布 2020年一季度报告,2020年一季度公司实现营业收入 0.96亿元,同比增长64.06%;实现归属上市公司股东净利润 0.24亿元,同比增长426.00%。 分析判断: 其他系列抛光液 (钨、钴等) 收入大幅增长,政府持续加大支持力度 。 2019年公司营收 2.85亿元,同比增长 15.15%;其中,铜及铜阻挡层收入 1.67亿元,同比增长 1.34%;其他系列抛光液收入0.69亿元,同比增长 69.47%;光刻胶去除剂收入 0.49亿元,同比增长 17.23%;公司依托积累十五年的表面处理技术平台、领先的技术优势以及良好客户基础,在逻辑芯片、3D NAND、先进封装等领域均有较好的业务拓展;尤其,随着半导体技术升级,公司其他系列抛光液,同步半导体材料、结构和工艺的复杂化而快速增长,业务规模不断扩大,销售收入不断增长。公司净利润增长主要来自政府对于关键半导体材料的高强度支持,其他收益的政府补助为 0.27亿元,占利润总额的比例 37.27%,推动 2019年度公司归母净利润 0.66亿元,同比增长 46.45%。 研发费用加大投入,抛光液在先进制程持续突破2019年公司研发费用 0.58亿元,同比增长 7.28%,占营业收入的比重为 20.16%;公司的核心技术涵盖了整个产品配方和工艺流程,包括金属表面氧化(催化)技术、金属表面腐蚀抑制技术、抛光速率调节技术、化学机械抛光晶圆表面形貌控制技术、光阻清洗中金属防腐蚀技术、化学机械抛光后表面清洗技术、光刻胶残留物去除技术等。公司拥有多项自主知识产权和核心技术,截至 2019年 12月 31日,公司及其子公司共获得 196项发明专利,其中中国大陆 144项、中国台湾 43项、美国 4项、新加坡 3项、韩国 2项;另有 224项发明专利申请已获受理;公司加大研发投入可望加速抛光液在先进制程发展进度,包括公司在逻辑芯片 14nm 实现量产销售、10nm、7nm 技术节点持续按照计划进行、存储芯片 3D NAND 制程、先进系统性封装等主要集成电路领域应用的技术研发。产品 技术节点升级至 国际水平,加速绑定国内芯片制造商。 公司 抛光液在 m 14nm 先进制程实现销售;光刻胶去除剂 m 28nm 取得进展公司抛光液已用于中芯国际 14m nm 逻辑制程,同时也进入长江存储 D 3D NAND 存储产线;(11)逻辑芯片领域:公司已经成功进入台积电、中芯国际供应链;公司化学机械抛光液已在 130-14nm 技术节点实现规模化销售,主要应用于国内 8英寸和 12英寸主流晶圆产线;目前 14nm 工艺制程芯片已经实现量产,12nm 的工艺开发也取得突破;10-7nm 技术节点产品正在研发中。 (22)存储芯片领域:公司已成功进入长江存储供应链。由于平面微缩极限的到来,NAND 存储芯片转向 3D 结构发展。长江存储(YMTC)2018年发布突破性技术 XtackingTM,该技术将为 3D NAND 闪存带来前所未有的 I/O 高性能、更高的存储密度以及更短的产品上市周期。长江存储已成功将 XtackingTM技术应用于其第二代 3D NAND 产品的开发,该产品已经进入量产阶段,长江存储也已成为公司重要客。 (33)先进封装领域: 日月光、艾克尔、长电科技、硅品等全球领先的封测厂商均为公司客户 。先进封装领域,技术得到空前发展。根据《中国电子报》,随着半导体技术不断演进,进入“超越摩尔”时代,半导体大厂的发展重点逐渐从过去着力于晶圆制造工艺技术节点的推进,转向系统级设计制造封装技术的创新。日月光、艾克尔、长电科技、硅品等封测厂商正以相当可观的投入开发先进的晶圆级和 3D IC 封装产能,以支持尺寸和密度方面的需求。 同时,公司也持续推动光刻胶去除剂 , 在先进制程研发,公司 28nm 技术节点后段硬掩模工艺光刻胶去除剂的研发取得显著进展,正在积极验证以替代进口实现国产化供应。同时,公司结合 28nm 技术节点后段蚀刻残留物去除剂进展,积极进行 14nm 技术节点后段蚀刻残留物去除剂研究。 投资建议根据疫情对宏观环境和景气造成的冲击和公司 2019年度经营情况,我们调整 2020-2021盈利预测,我们将 2020-2021年公司营业收入预测从 3.778亿元/4.874亿元调整为 3.769亿元/4.883亿元;对应公司获得政府支持力度加大,加上公司抛光液、光刻胶去除剂,持续往先进制程升级,毛利可望同步提速,将同时期公司归母净利润从 0.756亿元/1.008亿元调整为0.773亿元/1.150亿元。考虑到 2022年后公司存储芯片布局优势将越发显著,且公司在国内竞争地位稳固;我们预测 2022年公司营业收入为 6.130亿元,归母净利润为 1.505亿元。维持“增持”评级。 风险提示疫情影响超出预期、半导体市场需求不如预期、行业竞争加剧、系统性风险等。

事件概述 公司发布2019年年度报告,2019年公司实现营业收入19.47亿元,同比增长18.77%;实现归属上市公司股东净利润1.89亿元,同比增长107.51%。 分析判断: 专用设备收入稳定增长,政府加强支持力度。 2019年公司营收19.47亿元,同比增长18.77元;其中专用设备收入15.87亿元,同比增长13.55%;公司依托在刻蚀设备、MOCVD设备及其他设备领域领先的技术优势以及良好客户基础,在逻辑芯片、3DNAND、DRAM等领域均有较好的业务拓展,业务规模不断扩大,销售收入不断增长。公司净利润增长主要来自政府对于前道刻蚀设备的高强度支持,政府补助大幅增加,推动2019年度公司归属于上市公司股东净利润0.59亿元,同比增长334.02%。 研发费用同比增长51%,加速先进制程设备研发 2019年公司研发费用4.25亿元(含资本化研发费用),同比增长50.74%,占营业收入的比重为21.81%;公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验,这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有多项自主知识产权和核心技术,截至2019年12月31日,公司已申请1,467项专利,其中发明专利1,297项;已获授权专利1,015项,其中发明专利859项;公司加大研发投入可望加速先进制程设备的发展进度,包括公司在逻辑芯片7纳米、5纳米制程、存储芯片3DNAND128层制程、DRAM1X制程等主要集成电路领域应用的技术研发。 CCP刻蚀设备已达到国际先进水平,ICP刻蚀设备正加速技术追赶 公司电容式(CCP)刻蚀设备已用于台积电7nm/5nm逻辑制程,同时可望进入长江存储128层3DNAND存储产线;(1)逻辑芯片领域:公司刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到7纳米的芯片生产线上;同时,也已开发出5纳米刻蚀设备用于若干关键步骤的加工,并已获得行业领先客户的批量订单。公司目前正在配合客户需求,开发新一代刻蚀设备和包括更先进大马士革在内的刻蚀工艺,能够涵盖5纳米以下刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。(2)存储芯片领域:公司刻蚀设备在3DNAND芯片制造环节,公司的电容性等离子体刻蚀设备可应用于64层的量产,同时公司根据存储器厂商的需求正在开发新一代能够涵盖128层关键刻蚀应用以及相对应的极高深宽比的刻蚀设备和工艺;同时,公司电感式(ICP)刻蚀设备正在加速技术提升:公司的电感性等离子刻蚀设备已经在多个逻辑芯片、存储芯片厂商的生产线上量产,根据客户的技术发展需求,正在进行下一代产品的技术研发,以满足7纳米以下的逻辑芯片、1X纳米的DRAM芯片和128层以上的3DNAND芯片等产品的ICP刻蚀需求,并进行高产出的ICP刻蚀设备的研发。 投资建议 根据疫情对宏观环境和景气造成的冲击和公司2019年度经营情况,我们调整2020-2021盈利预测,我们将2020-2021年公司营业收入预测从29.20亿元/43.41亿元调整为24.19亿元/32.98亿元;对应公司获得政府支持力度加大,加上公司设备持续往先进制程升级,毛利可望同步提速,将同时期公司归母净利润从2.04亿元/2.92亿元调整为2.87亿元/3.98亿元。考虑到2022年后公司存储芯片布局优势将越发显著,且公司竞争地位稳固;我们预测2022年公司营业收入为44.60亿元,归母净利润为5.44亿元。维持“买入”评级。 风险提示 半导体市场需求不如预期、行业竞争加剧、系统性风险等。

收入快速增长,毛利稳定推升获利能力。 2019年度公司营收受益于下游物联网领域的快速发展,产品销量较去年同期大幅提升,同比增长59.49%;2019年公司毛利率47.03%,较去年同期下降3.63%。公司毛利率下降主要系公司采取阶梯式价格弹性销售策略,产品销量越大则单价越低,整体而言价格依旧维持稳定;随着公司营业收入大幅增长,加上结构性存款收益、与日常经营相关的政府补助以及所得税优惠政策影响,使得公司归母净利润较去年同期大幅提升,同比增长68.83%。 深耕细作无线MCU通信芯片业务,打造物联网解决方案生态圈 2019年度公司专注于集成电路中的无线通信芯片领域,主要产品为支援WiFi和蓝牙通信协议的MCU通信芯片和模组,其中芯片实现收入5.21亿元,同比增长63.33%;模组实现收入2.33亿元,同比增长39.35%。公司是物联网领域专业的通信解决方案供应商,公司凭借自研芯片、操作系统、工具链、开发框架等,建构丰富的应用场景和解决方案。公司同时将软件开发工具包开放给开源社区,在全球聚集了众多创客和开发者用户,大幅提升客户开发便利性;其中,在国际知名开源社区GitHub,开发者围绕公司ESP系列芯片自行设计项目已超25,000个,关于芯片开发书籍逾50本,涵盖中文、英语、日语等多国语言。围绕芯片学习视频及课程多达上万个。活跃的开发者社群不断挖掘芯片IoT应用范围,开发代码和反馈,协助进行产品迭代,围绕公司通信芯片,形成物联网解决方案的生态圈。 Wi-Fi&蓝牙朝向新一代技术推进,技术升级打开公司长期增长空间 随着物联网、AI、汽车电子、半导体照明灯下游新兴应用领域的兴起,带动了上游集成电路产业发展,通信技术也同步升级;2019年Wi-Fi联盟推出了Wi-Fi6认证计划,蓝牙技术联盟推出蓝牙核心规范CoreSpecification5.1;新一代技术带20552来更快的通信速度、更高的吞吐量和更好的客户体验;预计将持续渗透更多的应用场景。为此公司投入技术研发,2019年公司新申请境内发明专利20项;并持续产品创新,包括在2019年7月推出新款ESP32-S2芯片;更新物联网芯片操作系统平台;发布新的语音助手软件包等;根据公司招股说明书,公司每代芯片通信技术升级,在销售单价上皆有所提升,Wi-Fi和蓝牙通信技术的持续推进,将打开公司长期成长空间。 投资建议 根据公司2019年度经营情况,我们调整2020-2021盈利预测,有鉴于公司业务发展符合预期,2020-2021年公司营业收入预测维持11.63亿元/15.54亿元;有鉴于公司毛利率随业绩增长出现变动,将2020-2021年公司归母净利润从2.63亿元/3.42亿元调整为2.25亿元/2.88亿元。考虑到物联网行业快速发展、下游应用需求充沛,且公司竞争地位稳固;我们预测2022年公司营业收入为19.42亿元,归母净利润为3.60亿。 维持“增持”评级 风险提示 物联网发展不如预期,通信芯片市场需求不如预期、行业竞争加剧、系统性风险等。

红筹股 科创板上市,扎根 半导体特色制造工艺红筹股科创板上市,优质公司回归 A 股:华润微电子成立于 2003年 1月份,已发行股份总数为 8.79亿股,本次发行后公司总股本为 12.16亿股(不考虑后续绿鞋机制对总股本的影响)。华润微电子股权清晰,上市之前唯一股东为 CRH(Micro),持有华润微电子 100%股份,其实际控制人为中国华润。目前公司拥有 8英寸晶圆生产线 2条、6英寸晶圆生产线 3条、封装测试生产线 2条、掩模生产线 1条、设计公司 3家,为国内拥有完整半导体产业链的企业,并在特色制造工艺技术居国内领导地位。公司产品及方案板块采用 IDM 经营模式,依据我们产业链研究,主要原因为功率半导体等产品更加需要设计研发与制造工艺及封装工艺紧密结合,IDM 经营模式能够更好整合内部资源优势,更有利于积淀技术及形成产品群,并根据客户需求进行高效的特色工艺定制国内 MOST FET 龙头厂商,进口替代空间足下游应用广泛,进口替代空间足:从全球竞争格局来看,高端MOSFET 和 IGBT 还是以进口为主,从英飞凌 2019财年数据可以看出,35%销售额销售至中国,成为其销售额最大的市场。我国功率半导体分立器件产业起步相对较晚,但受益于庞大的终端消费需求,市场规模快速增长,我们认为随着国内终端厂商推进进口替代,相关功率器件厂商有望迎来黄金发展契机。根据 IHSMarkit 的统计,以销售额计,公司在中国 MOSFET 市场中排名第三,仅次于英飞凌与安森美两家国际企业,是中国本土最大的MOSFET 厂商。 I IT GBT 专注消费电子工控领域,技术优势明显公司在 IGBT 器件和制造工艺领域积累了多项具有自主知识产权的核心技术,专利覆盖了 600V-6500V 多个电压平台等多种 IGBT器件结构和工艺流程,能够提升产品可靠性及产品性能,目前在市场中具有较强的竞争优势。公司的 IGBT 器件在消费电子、工业控制及新能源等领域具有广泛应用,同时亦受益于国产替代加速,具有长期、稳定提升的市场需求。?C SiC 与 与 N GaN 前景可期,加大研发卡位领先优势SiC 可以制造高耐压、大功率电力电子器件如 MOSFET、IGBT、SBD 等,用于智能电网、新能源汽车等行业。Yole 数据显示,2017-2023年 SiC 功率元器件市场规模的复合年增长率为 31%,预计到 2023年超过 15亿美元,应用领域包含马达驱动器、充电基础设施、电动汽车、太阳能光伏、地铁等。从应用领域来看,与 SiC 不同的是 GaN 最核心的应用领域为电源。Yole 数据指出,预计 2022年 GaN 市场规模约为 4.5亿美元。公司常务副董事长陈楠翔在科创板上市媒体线上交流会时表示,在第三代化合物半导体领域,公司基于长期以来的设计与工艺沉淀,积极布局第三代半导体材料,目前已储备硅基 GaN 功率器件设计、加工和封装测试技术、SiC 功率器件设计技术。同时公司拟充分利用 IDM 模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展 650V 硅基 GaN 器件、SiC JBS 器件和 SiC MOSFET 产品的设计研究和工艺技术研发工作。 投资建议我们预计 2019~2021年公司营收分别为 57.45亿元、69.60亿元、83.52亿元,同比增长-8.39%、21.15%、20%;预计实现归属于母公司股东净利润 4.01亿元、6.35亿元、8.16亿元。估值角度,我们对比国内功率半导体厂商,相对 2021年平均 PE 大约为40倍(剔除士兰微 100倍以上估值),鉴于公司在 MOSFET 领域的领先地位及未来成长空间足,我们给予一定的估值溢价,首次覆盖“买入”评级。 风险提示存在与累计未弥补亏损相关的风险;半导体行业存在周期性; 与国际厂商存在技术差距等。