国内领先的功率半导体设计厂商，首次覆盖给予“买入”评级公司深耕功率半导体研发与设计，产品覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及具有独立知识产权Tri-gate结构的IGBT等。公司在高压超级结MOSFET领域具有技术优势和深厚的先发积累，是该领域国内龙头企业。我们预计2022-2024年公司可实现归母净利润2.63/3.56/5.07亿元，EPS3.90/5.29/7.52元，当前股价对应PE61.8/45.6/32.1倍。首次覆盖给予“买入”评级。 高压超级结MOSFET产品技术和规模领先，中低压产品料号丰富高压MOSFET应用于新能源汽车充电桩、车载充电机、基站电源等市场，市场空间广阔、行业增速高。公司高压超级结MOSFET采用深沟槽技术，产品性能指标优异，有望引领国内高压MOSFET国产替代。公司的超级硅MOSFET是超级结MOSFET的重要产品系列，主打高频性能，以硅基设计与氮化镓产品形成竞争，有望以其优异性能和性价比优势取得更高市场份额。此外，公司中低压MOSFET料号丰富，技术指标可与海外一线厂商对标，亦有望取得长足发展。 公司TGBT采用自主创新器件结构，打造差异化竞争优势公司的TGBT产品是采用了自主创新的Tri-gate结构的IGBT产品，通过专利技术使得导通电阻与开关速度同时得到优化。2021年公司TGBT产品在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用，并在以上领域多家头部客户如比亚迪、欣锐科技、古瑞瓦特等开启送测认证，获得客户认可。公司TGBT通过创新的器件结构实现优异性能，有望与市场上功率半导体器件形成差异化竞争。目前公司TGBT产品已实现产业化，将为公司成长提供新动能。 募投项目夯实综合产品实力，长期发展可期借助上市契机，公司拟投入募集资金9.39亿元，积极推进功率器件的研发及产业化项目，一方面夯实自身在超级结MOSFET的技术和规模领先优势，另一方面加强中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等产品线建设，并积极布局第三代半导体，提升功率半导体综合供应能力，长期发展可期。 风险提示：公司代工资源变动；需求不及预期；行业竞争加剧，毛利率下滑。

国内功率半导体器件龙头企业，产品技术领先，品类齐全。 东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的企业，核心产品包括：高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅 MOSFET， Tri-gate IGBT，应用下游行业主要为工业及汽车相关等中大功率应用领域。根据Omdia 数据，国内功率 MOSFET 市场约 30亿美元，市场份额前 10的公司国内厂商份额占比仅为 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约 45%，国产厂商具备较大替代市场空间。公司主要产品已具备国内或海外领先技术水平，是少数在中高压超级结MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一。 新能源产业链带动功率半导体需求旺盛，行业供需持续紧张。 根据 Yoe 数据，全球功率半导体市场规模将保持 6.9%增长，国内消耗占比超过 36.68%。其中需求增长最快的领域为新能源车、充电桩和 5G 基站。尽管缺芯持续， 2021年全球新能源车销售 681万辆，同比增长 108%,国内市场销售 352万辆，同比增长 157.6%，新能源汽车的功率半导体单车价值量同样显著提升；充电桩领域快充技术的不断完善，高压功率器件随着充电的功率提升，价值量也在飞速增长，例如单 350kW 充电桩功率器件所含价值量约为3500美元；未来两年同样是 5G 基站建设加速时期，相较 4G 基站，5G 基站所需功率半导体的价值量约为 4倍。 从供应链到技术，持续突破高性能产品。 公司与行业上游晶圆制造厂商、封测厂等供应商建立了较为稳定的长期合作关系与高效联动机制。从具体技术参数来看，高压超级结 MOSFET 产品具备全球一流水平，同时在研项目聚焦第三代半导体功率器件，多核心技术为自主研发。从客户结构来看，与各行业龙头建立长期合作关系， 推动公司技术进步和国产替代。 投资建议 我们认为，公司短期受益于新能源车、新能源直流充电桩、光伏和其他工业领域的快速放量，叠加功率器件紧缺带来的业绩增长，长期看好公司在在中高压 MOSFET 和 IGBT 产品领域底层器件结构创新能力以及细分领域的持续渗透，带动公司业绩高速成长。 我们预计公司 2022-2024年收入分别为 11.78亿元、 16.54亿元、 21.78亿元，对应 EPS 分别为 3.52、 4.81、 6.44，对应当年 PE 为 67.39X、49.29X、 36.82X。 首次覆盖，给与“推荐”评级。 风险提示 市场竞争风险；供应商集中度较高的风险；新产品研发不及预期的风险。

事件：公司发布《2021年年度报告》和《2022年第一季度报告》。 结国内超级结MOSFET龙头，2021年业绩高速增长。2021年公司收入7.82亿元，同比+153.28%；归母净利润1.47亿元，同比+430.66%。其中，高压超级结MOSFET收入5.69亿元，同比+128.27%；中低压屏蔽栅MOSFET收入2.06亿元，同比+246.85%；超级硅MOSFET收入214.99万元，同比+432.68%；Tri-gateIGBT首次量产出货收入568.17万元。 下游高景气叠加产品结构改善，公司盈利能力大幅提升。2021年公司毛利率为28.72%，同比+10.87pct；净利率为18.78%，同比+9.82pct。期间费用率方面，2021年公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为0.96%、1.94%和-0.76%，同比分别-0.67pct、-0.17pct和-0.86pct。研发投入持续加大，研发费用率达5.30%，同比+0.12pct。 2022Q1公司营收净利维持高增，毛利率同环比大幅提高。2022Q1公司实现收入2.06亿元，同比+45.50%；实现归母净利润0.48亿元，同比+129.98%。2022Q1公司毛利率为32.93%，同比+5.95pct，环比+3.95pct；公司净利率为23.21%，同比+8.53pct，环比-1.07pct。公司产品结构持续优化，带动毛利率大幅提升。 产品已进入新能源汽车直流充电桩、OBC和光伏等头部客户供应链。 （1）直流充电桩领域公司量产客户包括英可瑞、英飞源、特锐德、永联科技、盛弘股份、优优绿能等； （2）OBC领域公司已批量出货比亚迪、英搏尔、铁城科技、英威腾等； （3）光伏逆变、储能批量出货给客户A、昱能科技、禾迈股份、洛仑兹、宁德时代、图为电气等；送测认证爱士惟、古瑞瓦特、锦浪科技等。 TGBT产品性能可代对标国际第七代IGBT。，已批量应用新能源领域。2021年公司650V/1200V/1350V新一代IGBT器件技术TGBT（Tri-gateIGBT）研发成功并实现量产出货。第一代650VTGBT芯片的电流密度为400A/cm2，达到国际主流第七代IGBT技术水平。2021年公司TGBT器件在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得客户的批量应用。 盈利预测：司我们预计公司2022/2023/2024年归母净利润分别为2.49/3.56/4.85亿元，对应5月月10日日价股价PE分别为38/26/19倍倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：下游需求放缓、产品研发及验证不及预期、产能不及预期。