事件概述：8月 24日，中微公司发布 2023年中报。公司 2023年 H1实现营收25.27亿元，同比增长 28.13%；实现归母净利润 10.03亿元，同比增长 114.40%，实现扣非净利润 5.19亿元，同比增长 17.75%。 收入利润稳健增长。得益于半导体设备国产化推进，公司刻蚀设备份额持续提升，公司 2023年 Q2单季度实现营收 13.03亿元，同比增长 27.46%，环比增长 6.57%；实现归母净利润 7.28亿元，同比增长 107.53%，环比增长 164.23%； 实现扣非净利润 2.91亿元，同比增长 14.46%，环比增长 27.74%。非经常性损益方面，公司上半年出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益 4.06亿元，大幅增厚了公司利润。2023年 Q2公司实现毛利率 45.90%，同环比保持稳定。 分业务来看，2023年 H1公司实现刻蚀设备收入 17.22亿元，同比增长 32.53%，毛利率 46.16%；MOCVD 设备收入 2.99亿元，同比增长 24.11%，毛利率达37.90%。对应 Q2单季度实现刻蚀设备收入 9.08亿元，同比增长 55%，实现MOCVD 设备收入 1.32亿元，同比下降 34%。 持续突破先进制程工艺能力。作为国内刻蚀设备龙头，公司持续在先进工艺能力上取得突破。在逻辑器件制造中，公司 CCP 设备可有效应对大马士革刻蚀工艺要求，在存储器件制造中，公司超高深宽比刻蚀机已经在客户端验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力。ICP 刻蚀设备方面，公司新产品 Nanova VE HP和 Nanova LUX 推出，拓展了 ICP 设备工艺覆盖能力，在先进逻辑、先进 DRAM和 3D NAND 中的工艺覆盖率达到 50-70%，新应用包括 DRAM 中的高深款比的多晶硅掩膜、12英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蚀工艺（TSV）均已验证成功。 静待新品放量。除了刻蚀主业的强劲增长表现，公司亦布局了多款薄膜设备新品，有望在未来实现放量带来新增量。 1）LPCVD：公司用于高端存储的钨填充 LPCVD 设备已通过关键客户实验室测试，首台量产验证机已在客户端进行测试； 2）ALD：用于高端存储和逻辑器件的氮化钛薄膜 ALD 设备取得重大进展，预期在 2023年下半年发往客户端进行量产验证； 3）EPI：用先进制程锗硅外延生长工艺的 EPI 设备研发顺利，正处于工艺调试和客户验证阶段。 投资建议：我们预计公司 2023-2025年营收分别为 62.93/81.20/104.82亿元，由于上半年发生较高的非经常性损益，我们上调 2023-2025年归母净利润预测至 19.05/19.56/25.33亿元，对应现价 PE 分别为 43/42/33倍，我们看好公司在半导体设备国产化进程中的领先优势，维持“推荐”评级。 风险提示：产品验证不及预期；下游行业周期性波动；市场竞争加剧。

2023年7月14日公司发布半年报预告，预计2023年上半年营收25.3亿元，同比增长28%；实现归母净利润9.8-10.3亿元，同比增长109-120%；实现扣非净利润5-5.4亿元，同比增长13-23%。 单Q2营收13亿元，同比增长27%；实现归母净利润7-7.6亿元，同比增长100-117%；实现扣非净利润2.7-3.1亿元，同比增长6-22%。 经营分析公司上半年刻蚀设备收入17亿元，同比增长32.5%，关键客户市场占有率不断提高；MOCVD设备实现收入3亿元，同比增长24%；备品备件及服务收入5亿元，同比增长17%。二季度非经常收益较高主要归因于公司于2023年上半年出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约4亿元。 公司新品开发取得快速进展。1）刻蚀机：公司在现有产品的基础上，针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀和存储器件的极高深宽比刻蚀技术取得良好进展，60:1极高深宽比刻蚀已经有样机，大马士革刻蚀下游产线验证中；2）薄膜沉积：公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，进一步开发新型号CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，目前已开始实验室测试同时和关键客户开始对接验证。EPI外延设备已进入样机的设计，制造和调试阶段。3）公司推出了用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PrismoPD5，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。 股权激励绑定核心人才，彰显长期发展信心。6月12日，公司以人民币50元/股的授予价格，向1361名激励对象授予550万股限制性股票，约占目前公司股本总额的0.89%。 盈利预测、估值与评级预计公司2023-25年营收61/79/96亿元，同比增长29%/29%/21%；归母净利润17.1/18.4/22.4亿元，同比增长46%/7%/22%，对应P/E为52/48/40倍，维持“买入”评级。 风险提示半导体周期波动，下游晶圆厂扩产不及预期，新产品进展速度不及预期风险。

事件7月14日，公司公告2023年半年度业绩预告的自愿性披露公告，预计23H1实现营收约25.27亿元，同比增长约28.13%；归母净利润9.8-10.3亿元，同比增长109.49%-120.18%；扣非归母净利润5.0-5.4亿元，同比增长13.45%-22.53%。 投资要点关键客户市占不断提升，营收稳步增长。公司预计23H1实现营收约25.27亿元，同比增长约28.13%，其中刻蚀设备/MOCVD设备/备品备件及服务分别实现营收17.22/2.99/5.05亿元，增长约32.53%/24.11%/17.13%，公司刻蚀设备的关键客户市占不断提高，MOCVD在新一代Mini-LED生产线上继续保持绝对领先地位。 出售拓荆科技股票增厚归母净利润，扣非仍保持稳步增长。公司预计23H1的净利润为9.8-10.3亿元，同比增长109.49%-120.18%，主要是本期收入和毛利增长下扣非后净利润同比增加，以及公司于23H1出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元（非经常性收益）。公司预计23H1的扣非归母净利润5.0-5.4亿元，同比增长13.45%-22.53%，主要是营业收入及毛利的增长，以及研发投入和运营费用增长的影响。 投资建议我们预计公司2023/2024/2025年分别实现收入62.77/82.08/106.55亿元，实现归母净利润分别为18.42/18.97/24.44亿元，当前股价对应2023-2025年PE分别为48倍、47倍、37倍，给予“买入”评级。 风险提示外部环境不确定性风险；技术迭代风险；全体员工持股的公司治理风险；上游供应链产能紧张风险；下游扩产不及预期风险。

事件：6 月12 日，公司以人民币50 元/股的授予价格，向1361 名激励对象授予550 万股限制性股票， 约占目前公司股本总额61819.8523 万股的0.89%。涉及的标的股票来源为公司向激励对象定向发行公司A 股普通股股票，本次授予为一次性授予，无预留权益。 股权激励绑定核心人才，彰显长期发展信心：根据公司公告，本激励计划涉及的激励对象共计1361 人，包括公司董事、高级管理人员、核心技术人员，以及董事会认为需要激励的其他人员。公司以2022 年度的营业收入为基数，根据2023-2026 年各考核年度的营业收入累计值定比基数的年度累计营业收入增长率（X），确定各年度的业绩考核目标对应的公司层面归属比例：X≧对标企业算术平均增长率，则公司层面归属比例为100%；对标企业算术平均增长率*0.8≦X<对标企业算术平均增长率，则公司层面归属比例为80%；X<对标企业算术平均增长率*0.8，则公司层面归属比例为0。对标企业指Gartner公布的相应年度全球半导体设备厂商销售额排名前五位的公司。本次激励计划考核目标具备一定挑战性，彰显了公司对中长期业绩增长的信心，有望进一步健全公司长效激励机制，调动公司员工的积极性，有效地将股东利益、公司利益和员工个人利益结合在一起，保障公司的长远发展。 新品研发进展顺利，持续受益半导体国产替代：根据公司2022 年年报，2022年研发投入为9.29 亿元，同比增长27.61%。公司坚持自主创新，持续保持较高的研发投入，相关设备产品研发进展顺利。分产品来看，1）刻蚀设备：存储器件方面，公司的刻蚀设备在3D NAND 生产线中被广泛应用，并通过了多个动态存储器的工艺验证，取得重复订单；公司目前针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进行技术攻关，已取得良好进展。2）薄膜沉积设备：公司首台CVD 钨设备付运到关键存储客户端验证评估，将进一步开发新型号CVD 钨和ALD 钨设备以实现更高深宽比结构的材料填充；应用于高端存储和逻辑器件的ALD 氮化钛设备研发稳步推进，已进入实验室测试阶段。随着晶圆厂产能持续扩张及国产替代的加速推进，叠加公司产品结构持续优化，公司营收规模有望保持稳定增长。 MOCVD快速起量，下游渗透率持续提升：根据公司2022 年年报，截止2022年，公司MOCVD产品累计出货量超过500 腔，持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。当前，公司进一步加码MOCVD 新产品及新领域拓展，不断提升产品市场渗透率：PrismoUniMax?产品凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，累计出货量已超过120 腔，在Mini-LED 显示外延片生产设备领域处于国际领先，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广；用于氮化镓功率器件生产的MOCVD 设备PrismoPD5?，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。同时，公司紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED 应用的专用MOCVD 设备正在开发中。 维持“增持”评级：公司半导体设备受益半导体供给端产能扩张，产品结构持续优化，下游渗透率提升，市场份额有望进一步提升。预计公司2023-2025年归母净利润为14.57/17.65/20.74 亿元，对应EPS 为2.36/2.86/3.35 元，对应PE 为64/53/45 倍。 风险提示：产品研发进展不及预期；半导体行业扩张不及预期；下游渗透率不及预期；中美科技摩擦加剧

事件概述中微公司公布 2023年一季报，2023年一季度营业收入 12.23亿元，同比 + 28.86%；归母净利润 2.75亿元，同比 + 134.98%；扣非后归母净利润 2.28亿元，同比 + 22.22%。 分析判断: 营收持续增长，投资与补助带动归母净利大幅增长一季度归母净利润 2.75亿元，较上年同期增加约 1.58亿元，同比增长约 134.98%，主要系本期收入和毛利增长下扣除非经常性损益的净利润较上年同期增加 0.41亿元，非经常性损益的变动主要系： （1）本期公司因股权投资产生的非经常性损益为收益 22万元，较上年同期的亏损 1.01亿元，增加约 1.01亿元的利润；上年同期的亏损 1.01亿元主要是由于公司持有的中芯国际和天岳先进的股票价格在 2022年一季度有较大下降； （2）本期计入非经常性损益的政府补助收益为 0.37亿元，较上年同期的 0.04亿元增加约 0.33亿元。 CCP 设备在最先进制程产线获认可，ICP 设备快速增长本期刻蚀设备收入为 8.14亿元，较上年同期增长约 13.94%，毛利率达到 47.29%，高于 22年 47%的刻蚀设备毛利率。 CCP 设备：在国际最先进的 5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司的 CCP 刻蚀设备实现了多次批量销售，已有超过 200台反应台在生产线合格运转。 ICP 设备：公司的 ICP 刻蚀设备不断地核准更多刻蚀应用，迅速扩大市场并不断收到领先客户的批量订单。 我们认为公司作为国内 CCP 设备的领军企业，在 5nm 及以下制程的多次销售，显示了公司 CCP 产品在业界领先的竞争力，预计公司在未来国内先进制程发展中将起到关键作用。 MOCVD 设备业绩亮眼，同比增长 300%公司的 MOCVD 设备在新一代 Mini-LED 产业化中，在蓝绿光 LED 生产线上继续保持绝对领先的地位，2023年一季度 MOCVD 设备收入 1.67亿元，较上年同期增长约 300.48%，毛利率达到 40.09%，也高于 22年 39.03%的MOCVD 设备毛利率。 华商韬略的信息显示，2021-2025年间全球 MLED 显示屏年复合增长率将达 31.9%，预期 2024年将达千亿产值，潜在市场规模庞大。 我们预计 MLED 需求的快速增长，也将持续拉动 MOCVD 设备需求，同时中微公司 MOCVD 还有对应三代半导体的产品，同样是快速增长的市场。因此我们预计公司 MOCVD 设备有望延续近两年快速增长的态势。 投资建议维持盈利预测，预计公司 2023年-2025年分别实现收入为 61.62亿元、80.10亿元和 100.13亿元，分别实现归母净利润为 14.09亿元、18.20亿元和 22.05亿元，对应 EPS 分别为 2.29元、2.95元和 3.58元，对应 2023年4月 28日收盘价 170.30元/股，2023年-2025年 PE 分别为 75倍、58倍、48倍，维持公司“买入”评级。

业绩持续增长：22年营收同比增长53%至47.4亿元，扣非归母净利润增长183%至9.2亿元，新签订单增长53%达63.2亿元。22年公司研发投入增长28%达9.3亿元，占收入比例为20%。截至22年底公司共有超过3311个反应台在客户106条芯片生产线全面量产。23Q1营收同比增长29%至12.2亿元，归母净利润同比增长135%至2.8亿元，业绩依旧亮眼。 刻蚀设备扩大优势：23Q1刻蚀设备收入为8.1亿元，同比增长14%，毛利率47.3%。CCP刻蚀设备：在国际最先进的5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上，公司CCP刻蚀设备实现了多次批量销售，已有超过200台反应台在生产线合格运转。用于先进逻辑器件的双反应台刻蚀机实现多次批量销售，用于逻辑器件大马士革刻蚀及用于极高深宽比存储应用的刻蚀机开发进展顺利，将陆续进入市场。 ICP刻蚀设备：22年实现了100多个刻蚀工艺的量产，单台机系列产品安装腔体数已达到297台，双台机实现量产并取得重复订单。 MOCVD应用领域不断延伸：23Q1公司MOCVD设备收入同比增长300%至1.7亿元，毛利率40.1%。截止22年底，累计MOCVD出货量超过500腔。公司保持氮化镓基MOCVD市场领先地位，在Mini-LED显示外延片设备领域国际领先，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正在开发。碳化硅功率器件外延设备今年将交付样机至客户端开展生产验证，产品线进一步丰富。 薄膜沉积和量测设备可期：首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，EPI设备已进入样机的制造和调试阶段，应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备已进入实验室测试阶段。公司通过投资睿励34.8%股权布局前道量/检测领域，近期公告将增持睿励6.8%股权，光学检测设备22年市场规模825亿元，仅次于光刻、薄膜和刻蚀设备，未来前景广阔。 我们预测公司2023-2025年归母净利润分别为15.1、19.9、25.5亿元（原23-24年预测分别为14.0、19.6亿元，主要上调了刻蚀设备、MOCVD的营收和毛利率），采用绝对估值法（FCFF），给予238.44元目标价，维持买入评级。 风险提示大基金等股东减持；刻蚀设备国产化不及预期；MiniLED需求不及预期；政府补助下滑风险；零部件断供风险。 盈利预测与投资建议

中微公司发布2022年年度报告：2022年全年实现营业收入47.40亿元，同比增长52.50%，实现归母净利润11.70亿元，同比增长15.66%，实现扣非后归母净利润9.19亿元，同比增长183.44%。 投资要点 营收加速增长，刻蚀设备市占率不断提高受益于半导体设备的国产化进程及公司产品的竞争优势，2022年实现营业收入47.40亿元，同比增长52.50%，十年来保持35%以上增长率；扣非后归母净利润9.19亿元，同比增长183.44%；新签订单达63.2亿元，同比增长53.0%。营收增长主要系公司等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高，在国际最先进的5nm芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售，主打产品MOCVD设备在新一代Mini-LED产业化中，在蓝绿光LED生产线上取得了绝对领先的地位。盈利能力方面，2022年公司毛利率45.74%（同比+2.38pct），扣非净利率19.40%（同比+0.56pct），整体盈利水平持续提高。费用方面，2022年公司实现销售、管理、财务费用率分别为8.62%（同比-0.90pct）、17.75%（同比-1.56pct）、-3.19%（-0.91pct），费用率均有下降。研发费用方面，2022年全年研发费用7.75亿元，同比增长30.11%，费用率为19.59%（同比-3.82pct），研发费用率高于科创板均值。 CCP&ICP&MOCVD核心设备不断突破，看好未来市场份额持续提升公司出货的核心设备包括CCP、ICP、MOCVD设备，均取得较大进展。CCP刻蚀设备：2022年共生产付运475个CCP刻蚀反应腔，同比+59.40%。双反应台刻蚀机在国际最先进的5nm芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现了多次批量销售。刻蚀设备不仅在3DNAND的生产线被广泛应用，还成功的通过了多个动态存储器的工艺验证。逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术并取得良好进展，即将进入市场。ICP刻蚀设备：2022年推出高深宽比结构刻蚀和高均匀性刻蚀两种ICP设备，在全面满足55m，4n0nm和28nm逻辑芯片制造中的ICP刻蚀工艺的基础上，拓展了在DRAM、3DNAND存储芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蚀应用范围。在超过20个客户的逻辑、DRAM和3DNAND等器件的生产线上进行超过100多个ICP刻蚀工艺的量产。MOCVD设备：截至2022年累计MOCVD产品出货量超过500腔，在氮化镓基MOCVD设备和Mini-LED显示外延片生产设备处于国际领先，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正开发中，启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发。公司在CCP、ICP、MOCVD设备中不断突破，看好未来市场份额进一步加大。 薄膜设备&光学检测设备进展喜人，期待未来持续放量突破公司布局的薄膜设备和光学检测设备进展喜人。薄膜设备：首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，计划研发更多的先进CVD和ALD设备，锗硅EPI设备已进入样机的设计、制造和调试阶段，预计薄膜设备的覆盖率将进一步增加。光学检测设备：公司投资睿励仪器布局光学检测设备，2022年增资后持股34.75%，睿励仪器是国内少数几家进入国际领先的12英寸生产线的企业，是国内唯一进入某韩国领先芯片生产企业的国产集成电路设备企业。根据Gartner数据，薄膜沉积、检测设备分别是市场规模排名第二和第四的半导体设备，2022年市场规模分别为1540亿元和825亿元。公司在薄膜设备和光学检测设备两方面的布局进展喜人，所处市场空间广阔，未来有望伴随国产替代加速化演进，实现持续放量突破。 盈利预测预测公司2023-2025年收入分别为61.69、79.68、98.20亿元，EPS分别为2.35、2.92、3.51元，当前股价对应PE分别为78.2、63.1、52.4倍，维持“买入”投资评级。 风险提示半导体市场需求不及预期；下游晶圆制造产能扩充不及预期风险；零部件短缺风险；新设备研发进度不及预期风险等。

事件描述 公司披露 2022年年报。 2022年公司实现营业收入 47.4亿元， 同比+52.5%； 归母净利润 11.7亿元， 同比+15.7%； 扣非净利润 9.2亿元， 同比+183.44%。 归母净利增长较慢， 主要是因为非经常损益同比减少， 其中， 政府补助同比减少 1.6亿元， 股权投资产生的公允价值变动收益等减少约 3.4亿元。 22Q4实现营业收入 17亿元， 同比+63.9%； 实现归母净利润 3.8亿元，同比-19.8%。 事件点评 核心设备均达到国际先进水平， 市场份额不断提升。 （1） 刻蚀设备实现收入 31.5亿元， yoy+57.1%。 CCP 设备， 2022年共交付 475个 CCP 刻蚀反应腔， yoy+59.4%； CCP 设备超 200台进入 5纳米及以下生产线； 同时， 公司对逻辑器件的大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进展良好。 ICP 设备， 在超过 20个客户的逻辑、 DRAM 和 3D NAND 等器件的生产线上进行超过 100多个 ICP 刻蚀工艺的量产； Nanova 单台机订单年增长超 100%， 截止 2022年底， Primo Nanova?系列产品在客户端安装腔体数已达到 297台。 （2） MOCVD 设备实现收入 7.0亿元， yoy+39.1%。 在国内外氮化镓基 LED 市场占主导地位。 截止 2022年末， 公司累计 3311台等离子刻蚀和化学薄膜的反应台在客户 106条芯片生产线全面量产， 包括 2320台 CCP， 460台 ICP， 531台 MOCVD， 较 2021年末增长 40.2%。 核心设备毛利率同比提升， 新品开发进展顺利。 2022年， 公司毛利率45.7%，yoy+2.4pct；其中，刻蚀设备/MOCVD设备毛利率分别为 47.0%/37.0%，同比分别增长 2.7pct/3.2pct。 公司期间费用率合计 23.2%， 同比-3.4pct； 净利率 24.6%， 同比-7.9pct， 主要系非经常性损益减少所致。 2022年， 公司研发投入 9.3亿元， yoy+27.6%， 占收入比例为 19.6%； 研发人员 592人， 占比达42.9%。 在刻蚀设备上， 开发新型 CCP、 ICP 设备， 满足新一代逻辑芯片和高密度存储 DRAM 和 3D NAND 芯片的不同刻蚀需求。 在薄膜沉积设备上，LPCVD 样机已经通过关键客户工艺验证，正积极推进量产线验证； EPI 设备，已进入样机制造和调试阶段； ALD 钨设备， 目前已开始实验室测试同时和关键客户开始对接验证， ALD 氮化钛设备进入实验室测试阶段。 针对第三代半导体设备， 公司重点开发 Micro-LED 专用 MOCVD 设备， 以及硅基氮化镓及碳化硅功率器件专用的外延设备。 新签订单保障业绩增长， 产能建设顺利进行。 2022年新签订单 63.2亿元， 同比+53.0%， 形成有效业绩支撑。 目前产能建设顺利推进， 中微临港产 业化基地（18万平方米） 主体建设已完成， 2023年将部分投入使用； 中微南昌（14万平方米）生产和研发基地基本建成完工， 部分生产洁净室于 2022年 7月投入试生产； 中微临港总部和研发基地（10万平方米） 正常进行施工中。 未来 2年， 公司产房和办公楼面积将达到 45万平方米， 比现有厂房面积大 15倍。 投资建议 预计公司 2023-2025年归母净利润分别为 14.3\18.1\21.5亿元， 同比分别增长 22.6%/26.1%/19.1%， 对应 EPS 分别为 2.33\2.93\3.49元， 对应 PE 分别为 72.4\57.4\48.2倍。 首次覆盖， 给予“买入-A” 的投资评级。 风险提示 行业周期波动的风险， 下游扩产不及预期的风险， 研发进展不及预期的风险， 关键技术人员流失的风险。

中微公司作为国内刻蚀设备和MOCVD设备头部企业，2022年营收增长52.50%，继续保持近两年营收的加速增长，我们认为公司仍有充足的市场空间和技术实力持续增长。 半导体设备国产化率持续提升，核心设备需求将继续增长根据芯谋研究数据显示，2022年国产半导体设备销售额约43亿美元左右，国产化率首次突破10%，达到12%。预计2023年国产半导体设备销售额将达到62亿美元，国产化率约16%。我们认为中微公司刻蚀设备和MOCVD设备作为半导体生产中的核心设备，将充分受益于设备国产化的进程。 刻蚀设备国内领先，存储等技术迭代刺激需求放量根据公司年报，刻蚀设备在前道设备中增速和价值量都位居头位，公司CCP设备2022年生产交付量增速超五成。相关文献显示，刻蚀设备在3D存储、先进制程、先进封装中都有非常重要的作用，尤其在3D存储领域，随着层数增加，刻蚀设备需求量不断提升，根据Internationalbusinessstrategies数据显示，3D存储将快速取代2D存储。我们认为随着存储市场规模增长和3D存储技术的升级迭代，对刻蚀设备将会产生叠加的需求刺激。 MOCVD设备不断升级拓展，薄膜沉积设备快速突破。 根据公司年报，中微累计付运MOCVD设备超500腔，过去六年年复合增速超35%，在氮化镓基MOCVD设备上国际领先。MOCVD设备在五大应用领域升级拓展，所对应的市场如MLED、第三代半导体等均在快速增长，我们认为MOCVD设备同样会迎来持续的需求增长。 薄膜沉积设备18个月快速突破研发交付，我们认为作为高价值量的薄膜沉积市场将成为中微公司又一业绩增长点。 投资建议:我们认为中微公司未来增长有两个核心驱动力，一是设备国产化的趋势下，国产设备市场需求在增长，中微公司作为国产设备的头部企业，提供半导体前道制作的核心产品，有望将重点受益；二是中微公司的核心产品对应着3D存储、先进封装、第三代半导体等增长更块的领域，市场需求端传导的增量也是未来增长的强大助力，公司也在积极布局用于存储等应用的技术升级。公司所对应市场空间依然十分充足，有望保持增长态势。1.刻蚀设备根据公司年报，2022年公司刻蚀设备销售量同比增长达51.03%，刻蚀设备在3D存储和先进制程、先进封装中需求量增大，我们认为在技术发展的趋势下未来有明确的需求增量。根据中微公司的信息，目前其刻蚀设备在国内先进的存储、逻辑产线中占比仍有较大提升空间。刻蚀设备在半导体前道设备中价值量和增速处于头位，我们认为中微公司刻蚀设备因需求增速快、市场空间大、设备重要性高三大支撑，在未来仍将保持强劲的增长态势。 2.MOCVD设备根据公司年报，氮化镓基MOCVD设备国际领先，中微公司MOCVD基于五大应用领域不同升级与拓展相应产品。MOCVD对应的MLED与化合物半导体外延等市场投资增长快，公司在这些领域均有布局，我们认为作为中微公司另一核心产品，MOCVD同样会借助下游应用需求的快速增长和设备国产化率的提升，实现保持长期的增长势头。 3.薄膜沉积设备根据公司年报，薄膜沉积设备与刻蚀设备占据半导体前道设备价值量和增速的前两位。公司仅用18个月快速研发突破WCVD设备，我们认为薄膜沉积设备广阔的市场空间和中微公司在客户的口碑，薄膜沉积设备有望成为中微公司未来重要的业绩增长点。 考虑到公司持续的高速增长与充足的市场空间，我们上调公司2023年营收56.82亿元的预测至61.62亿元，上调2023年EPS1.51元的预测至2.29元。预计公司2024年-2025年分别实现收入为80.10亿元和100.13亿元，分别实现归母净利润为18.20亿元和22.05亿元，对应EPS分别为2.95元和3.58元，对应2023年4月10日收盘价175.08元/股，2023年-2025年PE分别为77倍、59倍、49倍，维持公司“买入”评级。 风险提示国际贸易摩擦加剧；下游需求不及预期；公司技术研发不及预期；行业竞争加剧；半导体行业周期性波动风险。

事件：公司3月30日发布了2022年年度报告，2022年公司营收47.40亿元，同比增长52.50%；归母净利润11.70亿元，同比增长15.66%；扣非净利润9.19亿元，同比增长183.44%。分季度看，2022年Q4单季营收16.97亿元，同比增长63.88%，环比增长58.39%；归母净利润3.77亿元，同比下降19.75%，环比增长15.88%；扣非净利润2.76亿元，同比增长72.79%，环比增长35.60%。 业绩表现亮眼，新签订单持续高增长：2022年公司营收及扣非后归母净利润保持快速增长，主要由于：1）等离子体刻蚀设备的市占率不断提高，在5纳米芯片生产线及下一代更先进的生产线上均实现多次批量销售；2）MOCVD设备在新一代Mini-LED产业化中，在蓝绿光LED生产线上取得了领先地位；2022年公司毛利率为45.74%，同比提升2.38pct，毛利率水平持续提升；净利率为24.64%，同比下降7.90pct。费用方面，2022年销售费用/管理费用/研发费用/财务费用率分别为8.62%/4.98%/12.77%/-3.19%，同比变动分别为-0.91/-1.54/-0.02/-0.91pct，费用管控情况良好。2022年新签订单金额约63.2亿元，较2021年增加约21.9亿元，同比增长约53.0%，订单销售比达到1.33。合同负债达21.95亿元，同比增长59.96%，主要由于新签订单大幅增加，预收账款相应增加。 新品研发进展顺利，持续受益半导体国产替代：公司坚持自主创新，2022年研发投入为9.29亿元，同比增长27.61%。公司继续保持较高的研发投入，相关设备产品研发进展顺利。分产品来看，1）刻蚀设备：存储器件方面，公司的刻蚀设备在3DNAND生产线中被广泛应用，并通过了多个动态存储器的工艺验证，取得重复订单；公司目前针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进行技术攻关，已取得良好进展。2）薄膜沉积设备：公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，将进一步开发新型号CVD钨和ALD钨设备以实现更高深宽比结构的材料填充；应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备研发稳步推进，已进入实验室测试阶段。随着晶圆厂产能持续扩张及国产替代的加速推进，叠加公司产品结构持续优化，公司营收规模有望保持稳定增长。 MOCVD快速起量，下游渗透率持续提升：截止2022年，公司MOCVD产品累计出货量超过500腔，持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。 当前，公司进一步加码MOCVD新产品及新领域拓展，不断提升产品市场渗透率：PrismoUniMax产品凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可，累计出货量已超过120腔，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先，公司正与更多客户合作进行设备评估，扩大市场推广；用于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备PrismoPD5，目前已交付国内外领先客户进行生产验证，并取得了重复订单。同时，公司紧跟市场发展趋势，布局行业前沿，针对Micro-LED应用的专用MOCVD设备正在开发中。 维持“增持”评级：公司半导体设备受益半导体供给端产能扩张，产品结构持续优化，下游渗透率提升，市场份额有望进一步提升。预计公司2023-2025年归母净利润为14.51/17.48/20.55亿元，对应EPS为2.35/2.84/3.33元，对应PE为70/58/49倍。 风险提示：产品研发进展不及预期；半导体行业扩张不及预期；下游渗透率不及预期；中美科技摩擦加剧。

事件描述公司发布2022年年报：2022年全年实现营收47.40亿元，同比增长52.50%；实现归母净利润区间为11.70亿元，同比增长15.66%；实现扣非后归母净利润9.19亿元，同比增长183.44%。 投资要点毛利率持续提升，扣非后归母净利润高增。公司自2012年到2022年十年的平均年营业收入一直保持高于35%的增长率，2022年实现营业收入47.40亿元，同比增长52.50%，再创历史新高，实现扣非后归母净利润9.19亿元，同比增加183.44%。公司营收和业绩增长主要得益于：等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，市场占有率不断提高，MOCVD设备在新一代Mini-LED产业化中，在蓝绿光LED生产线上取得绝对领先的地位。公司2022年综合毛利率为45.74%，较2021年提升2.38个百分点。2022年公司新签订单金额约63.2亿元，较2021年增加约21.9亿元，同比增加约53.0%，订单销售比达到1.33。 新品技术攻关进展良好，产品不断丰富完善。公司针对逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺和存储器件的极高深宽比刻蚀技术进行技术攻关，取得良好进展。针对28纳米及以下逻辑器件的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发了可调节电极间距的刻蚀机，在刻蚀过程中，反应腔的极板间距可动态调节，以同时满足通孔和沟槽刻蚀的不同工艺要求。针对存储器件中极高深宽比刻蚀，公司自主开发的极高深比刻蚀设备用400KHz取代2MHz作为偏压射频源，以获得更高的离子入射能量和准直性，使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。 薄膜沉积设备进展显著，首台CVD钨设备进入客户端验证。公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，同时在和更多逻辑和存储客户对接CVD钨设备的验证。在金属钨CVD设备的基础上，公司正在进一步开发新型号CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充,目前已开始实验室测试同时和关键客户开始对接验证。 公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，已经进入实验室测试阶段。公司EPI设备已进入样机的设计，制造和调试阶段。 投资建议预计公司2023-2025年EPS分别为2.24、2.76、3.40元，对应PE分别为73倍、59倍、48倍，维持“买入”评级。 风险提示下游资本开支不及预期，国产替代进度不及预期，贸易摩擦加剧。

事件概述：3月30日，中微公司发布2022年报。公司4Q22单季度实现收入16.97亿元，同比增长63.88%；实现归母净利润3.77亿元，同比下降19.75%；实现扣非净利润2.76亿元，同比增长72.79%。 收入稳健增长，盈利再创新高。得益于半导体设备国产化推进，公司刻蚀设备份额持续提升，2022年公司收入增长52.5%，达到47.40亿元，Q4单季度实现收入16.97亿元，同比增长63.88%，环比增长58.45%。利润端，4Q22毛利率达到46.15%创下新高，同比提升1.4pct，环比提升0.4pct。4Q22单季度实现归母净利润3.77亿元，同比下降19.75%，主要因为2021年同期有较高的公允价值收益和投资收益。4Q22实现扣非净利润2.76亿元，同比增长72.79%。 订单方面，公司依旧维持了较高的订单增速，2022全年新签订单63.2亿元，同比增长53.0%，对应Q4单季度新签订单6.8亿元，同比增长11.4%。 刻蚀主业份额持续提升，突破先进制程。作为国内刻蚀设备龙头，公司在维持CCP刻蚀领先地位，市场占有率不断提升，同时ICP刻蚀亦实现收入放量。 2022年公司刻蚀设备收入31.47亿元，同比增长57.1%，毛利率达47.0%，同比提升2.7pct。于此同时，公司刻蚀设备不断突破先进制程工艺，在国际领先的5nm及以下生产线上，公司CCP刻蚀设备存量超过200台反应台，市占率约11%。在逻辑芯片工艺中，公司推出大马士革刻蚀设备，在存储器工艺中，公司推出极高深宽比刻蚀机，均即将完成推向市场。 多种薄膜设备新品蓄势待发。除了刻蚀主业的强劲增长表现，公司亦布局了多款薄膜设备新品，部分产品已进入客户验证阶段。 1）LPCVD：公司钨填充PCVD设备已经完成稳定性测试和客户测验证，并在开发新型号CVD设备以实现更高深宽比填充。 2）ALD：用于高端存储和逻辑器件的氮化钛薄膜ALD设备已在实验室验证阶段，ALD钨设备已在关键客户对接验证。 3）EPI：用于28nm以下制程锗硅外延生长工艺的EPI设备研发顺利，已进入样机制造和调试阶段。 4）MOCVD：制造硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备已交付国内外客户并获得重复订单；用于碳化硅功率器件应用的外延设备也正在开发中，2023年将交付样机至客户端开展生产验证。 投资建议：我们预计公司2023-2025年营收分别为62.93/81.20/104.82亿元，归母净利润14.47/18.73/24.39亿元，对应现价PE分别为70/54/41倍，看好公司在半导体设备国产化进程中的领先优势，维持“推荐”评级。 风险提示：产品验证不及预期；下游行业周期性波动；市场竞争加剧。

刻蚀设备市场空间广阔/竞争集中度高/壁垒高，中微公司作为国内龙头承担了关键刻蚀设备国产替代的重任，近期日本设备出口限制落地以及“美光审查”事件进一步凸显了中微公司刻蚀设备重要性，我们认为，公司以刻蚀设备为基，薄膜设备为矛，有望效仿AMAT/LAM成长之路成为半导体设备平台化龙头。 大马士革与极高深宽比刻蚀为“去J化”趋势和“美光审查”事件重点关注设备，中微公司有望实现突破。 大马士革刻蚀是逻辑芯片生产中的关键技术，在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一，日本TEL（东京电子）在该款产品寡头垄断，中微公司大马士革刻蚀解决方案市场反馈良好，近期日本政府宣布新增对23款半导体设备的出口管制政策，大马士革刻蚀设备“去J化”进程有望提速；此外，极高深宽比刻蚀是3DNAND存储中最为困难和关键的工艺，该工艺要求在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（>40:1）的深孔/深槽，美日设备寡头垄断该市场，中微公司进展良好，XD-RIE系列产品已具备60:1的细孔刻蚀潜力，对于国内3DNAND产线在128层及以上的设备国产化意义重大，近期“美光审查”事件有望进一步推动存储国产化，中微公司重要性凸显。 LPCVD/ALD/EPI等新设备进展顺利，MOCVD设备优势凸显静待市场回暖。 薄膜沉积和刻蚀分属半导体前道设备两大核心环节，均为腔体中的化学工艺，中微公司正进一步开发LPCVD、EPI和ALD产品，提升高端关键制程的覆盖率，完善工艺整合方案。CVD/ALD设备方面：2022年公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，同时公司在和更多逻辑和存储客户对接CVD钨设备的验证，在金属钨CVD设备的基础上，公司正在进一步开发新型号CVD钨和ALD钨设备来实现更高深宽比结构的材料填充，目前已开始实验室测试同时和关键客户开始对接验证，此外，公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，已经进入实验室测试阶段；EPI设备方面，公司已完成研发团队组建并进入样机的设计、制造和调试阶段。根据Gartner数据，2022年LPCVD/ALD/EPI/MOCVD设备全球市场空间合计73亿美元，约占据薄膜设备32%的市场空间，公司通过内生研发快速实现平台化拓张。 外延控股上海睿励/参股拓荆科技，随AMAT/LAM发展之路成就平台化龙头。 中微公司通过参股拓荆科技进一步提升在薄膜沉积设备领域的布局，同时在2022年对上海睿励进一步增资，睿励自研12英寸光学测量设备TFX3000系列产品已应用在65/55/40/28纳米芯片生产线并在进行了14纳米工艺验证，在3D存储芯片产线支持64层3DNAND芯片的生产，并正在验证96层3DNAND芯片的测量性能。短期来看，“去J化”趋势以及“美光审查”事件驱动公司成为焦点，中微公司在高壁垒的大赛道重要性凸显，中长期来看，经过复盘AMAT、LAM两家龙头公司的成长史，AMAT以薄膜沉积工艺起家随后向刻蚀等工艺拓张构筑平台化壁垒；LAM以刻蚀工艺起家随后向薄膜沉积等领域进军打开成长天花板，均在发展早期成功卡位核心高壁垒大赛道，同时两家龙头公司均有丰富的外延并购史，这与中微公司的战略规划/发展趋势异曲同工。 盈利预测与估值公司立足刻蚀设备，内生外延高效推进半导体关键制程设备平台化，日荷限制落地+存储国产化进程提速背景下，有望受益于设备国产化率提升快速成长，稳健预计公司未来三年营收分别为63.13/81.85/105.50亿元，同比增长33.19%/29.65%/28.89%；实现归母净利润14.74/18.56/24.06亿元，同比增长25.96%/25.97%/29.61%，对应2023-2025年PE分别为69/55/42倍。风险提示：海外制裁加剧；国内晶圆厂扩产进度不及预期；国产替代进展不及预期；关键设备零部件耗材断供风险。

事件点评：中微公司发布2022 年度报告，2022 年实现营收47.40 亿元，同比增长52.50%；归母净利润为11.70 亿元，同比增长15.66%；扣非归母净利润9.19 亿元，同比增长183.44%；毛利率为45.74%，同比增长2.38pcts；净利率为24.64%，同比下降7.90pcts，业绩符合预期。 专用设备业务为公司主要收入贡献者，占比超80%。2022 年专用设备营收为38.47亿元，同比增长53.46%，占营收81.17%，毛利率为45.18%；备品备件营收为8.35亿元，同比增长50.27%，占营收17.62%，毛利率为46.88%；设备维护营收为0.57亿元，同比增长26.82%，占营收1.21%，毛利率为66.48%。 业绩变动主要原因包括：（1）等离子刻蚀设备进入5nm 及更先进产线，市占率持续提高：在半导体前道加工工艺中，除光刻机外，等离子刻蚀设备工艺难度最高，且为前道加工必不可少设备之一。目前公司自主研发等离子刻蚀设备在5nm 及下一代更先进生产线上实现多批次销售，国内外客户认可度逐步提高，市占率逐步增加；（2）MOCVD 设备在蓝绿光LED 生产线取得绝对领先地位：公司MOCVD设备在行业领先客户产线大规模投入量产，已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商；（3）各类新产品开发取得显著进展：应用于高端存储和逻辑器件的ALD 氮化钛设备研发进程稳步推进，已进入实验室测试阶段。用于碳化硅功率器件外延生产设备样机即将进入客户端测试验证。开发以满足先进存储高深宽比结构填充需求，以及逻辑前端金属栅需求的ALD 金属工艺方案。 大马士革、极高深宽比刻蚀工艺即将进入市场，公司刻蚀设备市占率有望提升。在CCP 赛道中DSC SD-RIE（适用于大马士革刻蚀）及UD-RIE（适用于存储市场中极高深宽比刻蚀）等新品即将进入市场。随着新品放量，在国内先进存储领域内，中微CCP 市占率有望超85%；在国内先进逻辑器件内，中微CCP 市占率有望超60%。在ICP 赛道中Primo Twin-Star（高输出低成本解决方案）在国内外多客户产线实现量产，并取得重复订单。Nanova 系列产品在客户端完成验证应用数量持续增加，目前该系列产品在客户端安装腔体数达297 台。在国内先进存储领域内，中微ICP 市占率有望超65%，在国内先进逻辑器件内，中微ICP 市占率有望超75%。 国内成熟制程扩张叠加晶圆厂国产替代意愿加强，助力公司业绩更上层楼。根据SEMI 数据，中国大陆晶圆厂建厂速度全球第一，预计至2024 年底，将建立31 座大型晶圆厂，且全部为成熟制程。随着美国对光刻机等设备出台禁令，晶圆厂采用国产设备意愿加强，加速半导体设备国产替代进程，为公司发展提供历史机遇。根据SEMI 数据，2022 年国内晶圆厂半导体设备国产化率为35%，同比增长14pcts。 三维立体战略，确保公司高速稳定健康安全发展。以刻蚀机设备、薄膜与检测为主心骨，扩展泛半导体关键设备领域应用，利用公司核心竞争力寻找其他新兴领域机会。通过三维立体战略，避免单一产品市场浮动造成公司发展不稳定，确保公司高速稳定健康安全发展。 投资建议：我们公司预测2023 年至2025 年营业收入分别为61.72/80.07/99.03 亿元，增速分别为30.2%/29.7%/23.7%；归母净利润分别为14.35/18.15/21.73 亿元，增速分别为22.7%/26.5%/19.7%；对应PE 分别71.2/56.3/47.0。考虑到中微公司在国内刻蚀设备领域龙头地位及其四大产品性能与性价比等方面进入全球三强，首次覆盖，给予买入-A 建议。 风险提示：晶圆厂扩建进程不及预期；海外拓客进展不及预期；产品研发不及预期。