事件公司2025年第一季度实现营业收入22亿元，同比增加35%，环比减少39%；归母净利润3亿元，同比增加26%，环比减少55%；扣非净利3亿元，同比增加13%，环比减少48%。 公司在2024年实现营业收入91亿元，同比增加45%；归母净利润16亿元，同比减少10%；扣非净利14亿元，同比增加17%。 刻蚀设备增长迅速，LPCVD实现收入突破2024年，公司刻蚀设备收入73亿元，同比增长55%；MOCVD设备收入4亿元，同比下降18%；LPCVD设备收入2亿元，实现首台销售。 公司开发的12寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5nm及以下器件中若干关键步骤的加工。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产。 多年研发投入助力产品升级，一季度合同负债大幅增长2024年，公司研发投入25亿元，同比增长94%，研发费率16%，多年来保持在15%上下的水平。公司正在推进超过二十款新设备的开发，同时，新品研发速度明显加快，新设备开发时间从过去的3-5年，缩短至2年或更短。高研发投入取得成效，产品突破不断带来新订单增长。 一季度，公司合同负债31亿元，同比大增162%，验证在手订单充沛。 投资建议我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.13、42.94亿元，对应的EPS分别为3.96、5.46、6.87元，对应最新收盘价PE分别为45x、33x、26x。维持公司“买入”评级。 风险提示研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。

2024年公司营收增长45%，实现高速增长，薄膜沉积设备实现首台销售；归母净利润同比下降10%，主要系公司给予部分客户销售折扣、研发费用大幅提升、股权处置收益减少影响。2025Q1公司营收增长35%，维持高增，归母净利润增长26%，低于营收增速，主要系研发费用大幅提升影响。公司存货、合同负债维持较好增长，说明在手订单维持较好水平。公司积极推进平台化布局，刻蚀设备竞争力不断增强，薄膜沉积设备多款设备进展迅速，并规划覆盖多种量检测设备产品，未来值得期待。 事件2024年公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.73%；归母净利润16.16亿元，同比下降9.53%。 2025Q1公司实现营业收入21.73亿元，同比增长35.40%；归母净利润3.13亿元，同比增长25.67%。 简评2024年：营收高速增长，高研发费用影响利润营收端，2024年公司实现营收90.65亿元，同比增长44.73%，其中刻蚀设备收入达到72.77亿元，同比增长54.72%；薄膜沉积设备实现首台销售，2024年营收1.56亿元；MOCVD设备营收3.79亿元，受景气度低迷影响下滑。 利润端，2024年归母净利润16.16亿元，同比下降9.53%，从盈利能力来看，毛利率、净利率分别41.06%、17.81%，同比分别-4.77pct、-10.67pct，利润率下滑主要系：（1）今年客户的结构性变化，公司给予了部分的客户一定的销售折扣，导致今年毛利率减少；2024年公司显著加大研发力度，研发费用14.18亿元，同比+73.59%；（3）2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益约4.06亿元，而2024年公司并无该项股权处置收益。2025Q1：营收维持高增，保持高研发，在手订单维持较好水平2025Q1公司实现营业收入21.73亿元，同比增长35.40%，继续维持高速增长。归母净利润3.13亿元，同比增长25.67%，盈利能力方面，毛利率、净利率分别41.54%、14.18%，同比分别-3.40、-1.31pct，毛利率有会计准则变动影响，净利率略有下滑主要系本期研发费用较上年同期增加2.50亿元，同比+116.80%。 截至2025Q1公司存货、合同负债分别74.48、30.67亿元，相比2024年末增长5.81%、18.60%，说明公司在手订单维持较好水平。 积极推进平台化布局，薄膜沉积设备进展迅速（1）刻蚀设备：针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产；（2）薄膜沉积设备：已开发出六款产品推向市场。钨系列薄膜沉积产品：CVD钨设备，HAR钨设备和ALD钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用，已获得先进存储客户重复量产订单，付运机台到多个逻辑客户进行验证。开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品已完成多个先进逻辑客户设备验证。公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款产品开发，增加薄膜设备的覆盖率。另外，EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的量产需求。（3）量检测设备：公司通过投资和成立子公司，布局量检测设备板块，子公司“超微公司”引入多名国际顶尖的电子束检测设备领域专家和领军人才，均拥有10年以上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。 投资建议预计公司2025-2027年公司实现营业收入分别为120.89、156.83、200.00亿元，同比分别增长33.36%、29.73%、27.53%，归母净利润分别为22.73、30.78、42.35亿元，同比分别增长40.70%、35.42%、37.57%，对应PE分别为51.60x、38.11x、27.70x，维持“买入”评级。风险分析（1）下游扩产不及预期：公司业务与下游半导体Fab客户资本开支相关性较强，若下游投资、扩产意愿降低将影响公司产品销量。 （2）贸易摩擦加剧：中美等贸易摩擦加剧可能会对公司关键零部件备货产生不利影响。 （3）新产品研发不及预期：若新产品研发不及预期，则会对其后续收入产生负面影响。 （4）市场竞争持续加剧：公司竞争对手为国际知名半导体设备厂商与国内新进半导体设备公司，若公司无法有效应对市场竞争环境，则会面临行业地位下降等不利影响。

1Q25营收同比增长 35.40%， 归母净利润同比增长 25.67%。 公司发布 2025年第一季度报告， 实现营收 21.73亿元(YoY +35.40%)， 归母净利润 3.13亿元(YoY +25.67%)， 扣非归母净利润 2.98亿元(YoY +13.44%)。 综合毛利率达到 41.54%(QoQ +2.28pp)， 研发投入 6.87亿元(YoY +90.53%)。 公司针对先进逻辑和存储制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升， 先进逻辑中段关键刻蚀工艺和先进存储超高深宽比刻蚀工艺实现量产。 期末公司合同负债达 30.67亿元， 存货达 74.48亿元， 显示公司在手订单饱满。 2024年营收同比增长 44.73%， 扣非归母净利润同比增长 16.51%。 公司 2024年实现营收 90.65亿元(YoY +44.73%)， 归属于上市公司股东的净利润 16.16亿元(YoY -9.53%)， 扣非归母净利润 13.88亿元(YoY +16.51%)， 综合毛利率 41.06%(YoY -4.77pp)。 归母净利润同比下滑主要系公司显著加大研发投入以及 2023年同期出售部分拓荆科技股票产生投资收益所致。 分产品看，公司刻蚀设备实现收入 72.77亿元(YoY +54.72%)； MOCVD 设备实现收入 3.79亿元； 新品薄膜沉积设备实现首台销售， 贡献营收 1.56亿元， LPCVD 设备累计出货量突破 150个反应台， 24年获得 4.76亿元批量订单。 同时， 公司实现 6种薄膜沉积设备的研发与交付， 钨系列产品全部通过关键存储客户端量产验证， 取得批量订单。 在研六大类超二十款新设备， 提升产品覆盖面。 伴随公司薄膜沉积设备达到国际领先水平， 公司同步推进多款金属薄膜气相设备、 新一代等离子体源的PECVD 设备的开发， 布局制造 MEMS 的深硅刻蚀设备， 先进封装 Chiplet 所需的 TSV 刻蚀设备和 PVD 设备等。 此外， 公司先进锗硅 EPI 设备顺利进入客户端量产验证阶段， 已完成多家先进逻辑器件与 MTM 器件（包括 MEMS 和传感器、 CIS、 功率以及射频器件的超越摩尔器件） 客户的工艺验证。 产能建设方面， 公司南昌(14万平米)和临港(18万平米)生产研发基地已投产， 2024年分别实现产值约 61亿元和 85亿元。 投资建议： 国内半导体先进工艺设备公司， 维持“优于大市” 评级。 由于国内半导体设备需求持续旺盛， 且公司不断增加刻蚀、 薄膜等领域覆盖度提升份额， 未来营收规模效应有望逐步体现。 我们预计公司 2025-2027年营业收入 118.96/151.32/193.33亿元（25-26年前值 114.67/149.59亿元） ， 归母净利润 22.32/31.38/39.86亿元（25-26年前值 22.03/31.82亿元） ， 当前股价对应 PE 分别为 53/37/28倍， 维持“优于大市” 评级。 风险提示： 下游晶圆制造产能扩充不及预期风险， 新产品开发不及预期风险，国际关系波动和地缘政治风险等。

事件：近日公司发布 2024年度报告及 2025年一季度报告，2024年公司实现营收 90.65亿元，同比+ 44.73%；归母净利润 16.16亿元，同比-9.53%；扣非归母净利润 13.88亿元，同比+16.51%；2025年第一季度公司实现营收 21.73亿元，同比+35.40%，环比-38.92%；归母净利润 3.13亿元，同比+25.67%，环比-55.45%；扣非归母净利润 2.98亿元，同比+13.44%，环比-48.09%。 投资要点： 营收持续高速成长，合同负债与存货大幅增长。公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，公司的薄膜设备已经顺利进入市场，并开始贡献收入，推动公司整体营收持续高速成长。公司 2024年实现毛利率为 41.06%，同比下降 4.77%，25Q1毛利率为 41.54%，同比下降 3.40%，环比提升 2.28%；公司 2024年实现净利率为 17.81%，同比下降 10.67%，25Q1净利率为 14.18%，同比下降 1.32%，环比下降 5.55%。由于市场对公司开发多种新设备的需求急剧增长，公司持续加大研发力度，2024年研发投入约 24.52亿元，同比增长约 94.31%，研发投入占营业收入比例约为 27.05%；25Q1公司研发投入约 6.87亿元，同比增长约 90.53%。25Q1末公司合同负债为 30.67亿元，较 24Q1末大幅增长 162.36%，较 24年底增长 18.60%；25Q1末公司存货为74.48亿元，较 24Q1末增长 33.38%，较 24年底增长 5.81%；公司合同负债与存货大幅增长，为后续营收持续高速成长奠定坚实基础。 CCP 与 ICP 刻蚀设备优势突出，销量持续高速增长。公司的 CCP与 ICP 等离子体刻蚀设备可以覆盖国内 95%以上的刻蚀应用需求，受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2024年公司 CCP与ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市占率均大幅提升。公司 CCP 刻蚀设备中双反应台 Primo D-RIE、PrimoAD-RIE、Primo AD-RIEe，单反应台 PrimoHD-RIE 等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2024年付运量同比增长逾100%；具有动态可调电极间距功能的双反应台 Primo SD-RIE 进入先进逻辑生产线验证关键工艺 ；用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品 Primo HD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的 PrimoUD-RIE 实现规模付运；2024年公司 CCP 刻蚀设备生产付运超过1200反应台，创历史新高。公司的 ICP 刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的 50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多 ICP 刻蚀工艺； 2024年，公司 ICP 刻蚀设备在客户端的累计安装数达到 1025个反应台，近四年年均增长大于 100%。2024年，公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的 Nanova LUX-WT 和 Nanova LUX-Cryo 两种ICP 设备，这些配备新功能的 Nanova 系列产品提升了 ICP 刻蚀设备的刻蚀能力，有效地扩大了公司 ICP 设备在芯片制造中的量产刻蚀工艺覆盖率，获得重要客户的批量重复订单，实现了高速成长。 多款薄膜沉积设备顺利进入市场，并获得重复性订单。近两年公司新开发的 LPCVD 和 ALD 薄膜设备，已有多款新型设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。公司完全自主设计开发的双台机钨系列设备，生产效率达到业界领先水平。公司开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达到了小于 1%的水平。公司新推出自主开发的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利的多级匀气混气设计，基于模型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，具备高输出效率的同时，产品性能达到国际先进水平，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。公司 LPCVD 设备出货量已突破 150多个反应台，2024年得到约 4.76亿元批量订单，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场，能够覆盖全部类别的先进金属应用。 盈利预测与投资建议。刻蚀设备与薄膜沉积设备市场空间广阔，公司具有完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，CCP 与 ICP 刻蚀设备销量持续高速增长，公司多款薄膜沉积设备顺利进入市场，并获得重复性订单，我们预计公司 25-27年营收为 120.43/155.23/198.09亿元，25-27年归母净利润为 22.94/30.96/41.10亿元，对应的 EPS为 3.69/4.97/6.60元，对应 PE 为 50.87/37.68/28.39倍，维持“买入”评级。 风险提示：晶圆厂扩产进度不及预期风险，行业竞争加剧风险，新产品研发进展不及预期风险，国际贸易冲突加剧风险。

中微公司发布年报，2024年实现营收90.65亿元（yoy+44.73%），归母净利16.16亿元（yoy-9.53%），扣非净利13.88亿元（yoy+16.51%）。其中Q4实现营收35.58亿元（yoy+60.11%，qoq+72.76%），归母净利7.03亿元（yoy+12.24%，qoq+77.32%）。公司业绩低于我们预期（原预期归母净利22.9亿），主要因开发多种新设备研发费用大幅提升以及非经常性损益发生较大幅度变化，使得归母净利润同比下滑。24年公司刻蚀设备收入与订单持续高增，刻蚀设备龙头不断向平台化公司迈进，维持“增持”评级。 研发投入力度加大，非经常损益影响利润表现公司24年毛利率41.06%，同比降低4.77pct。24Q4毛利率39.26%，同比降低6.56pct，环比降低4.47pct。毛利率下滑主要系质保金影响和销售折扣所致。24年净利率17.81%，同比降低10.67pct。主要系2024年相较2023年无处置拓荆科技股票收益4.06亿元，非经常损益大幅下降所致。期间费用率方面，2024年期间费用率为25.28%，同比提升0.3pct，其中销售费用率5.28%，yoy-2.56pct，管理费用率5.31%，yoy-0.18pct，研发费用率15.64%，yoy+2.60pct，财务费用率-0.96%，yoy+0.44pct。公司显著加大研发力度，目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备的开发，持续向平台化半导体设备公司迈进。 刻蚀设备收入高增，薄膜沉积设备/EPI/量检测等新产品进展良好24年公司刻蚀设备收入约72.77亿元，同比增长54.73%。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的六种LPCVD薄膜设备已经顺利进入市场，2024年收到约4.76亿元批量订单，实现销售收入已达到约1.56亿元。公司新开发的EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的量产需求。此外中微成立子公司“超微公司”，布局量检测设备板块，团队均拥有10年以上电子束设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品，致力于提升量检测设备国产化率。公司多种设备取得良好进展并逐步起量，有望持续增厚公司业绩。 给予公司目标价202.4元，维持“增持”评级因公司销售折扣使得毛利率下降以及研发投入或持续提升，我们预计公司2025-2027年EPS分别为3.68/4.79/6.19元（前值2025-2026年为4.56/5.55元，下调19.30%/13.69%）。可比公司25年ifind一致预期PE均值为42倍（前值33倍），考虑公司刻蚀设备订单饱满，LPCVD/量检测等新产品进展较快，继续向平台化公司迈进，给予公司25年55倍PE（前值43倍），目标价202.4元（前值196.1元），维持“增持”评级。 风险提示：半导体周期性波动，新产品研发不及预期。

收入保持高增， 研发加码补齐国产高端设备短板，维持“买入”评级公司全年实现收入90.65亿元， yoy+44.73%，其中刻蚀设备约72.77亿元， yoy+54.72%，为收入增长的主要因素； 实现归母净利润 16.16亿元， yoy-9.53%； 实现毛利率 41.1%，同比下降 2.7pct。 单季度来看： 公司 2024Q4实现 35.58亿元， qoq+72.76%；实现归母净利润 7.03亿元， qoq+77.32%； 实现毛利率 39.26pct， qoq-4.47pct；截至 2024Q4末公司合同负债为 25.86亿元，同比+235.2%。 随着公司更高价值量设备及新布局设备类型逐步在下游通过验证，以及研发投入继续增长， 我们上修公司 2025/2026年收入，下修 2025年归母净利润，预计公司 2025-2027年收入将分别达到 122/160/200亿元（ 2025/2026年前值 110/141亿元） ，归母净利润将分别达到 22/32/45亿元（2025/2026年前值 24/32亿元），以 2025年 4月 17日收盘价计算， 2025-2027年 PE分别为 54/38/27倍， 维持“买入”评级。 新品研发进展顺利， 高端化+平台化布局稳步推进公司各条线产品研发进展顺利： （1） 刻蚀设备： 逻辑芯片已经在从 65至 5nm 及更先进节点量产；存储芯片方面，用于超高深宽比掩膜刻蚀的 ICP 刻蚀机目前在生产线上验证顺利，工艺能力可以满足国内最先进的存储芯片制造的需求。 此外， 用于超高深宽比介质刻蚀的 CCP 刻蚀设备也已量产。 （2） MOCVD 设备： 用于制造深紫外光 LED 的高温 MOCVD 设备 PRISMO HiT3和用于硅基氮化镓功率器件的 MOCVD设备 PRISMO PD5已在客户生产线上验证通过并获得重复订单； 用于 Mini-LED 生产的 MOCVD 设备 PRISMO UniMax 亦开始进行规模化生产。 （3） 薄膜沉积设备： 公司已经实现六种薄膜沉积设备的高效研发与交付，其中 LPCVD 薄膜设备累计出货量已突破 150个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。 我们认为：随公司设备高端化与平台化战略逐步起效，公司市场空间与盈利能力同步提升，有望在未来为业绩增长做出贡献。 风险提示： 下游晶圆厂扩产幅度不及预期，新品研发及导入进度不及预期。

事件公司发布 2024年度业绩公告，全年实现营业收入 90.65亿元，同比增长 44.73%； 归母净利润 16.16亿元，同比下滑 9.53%；扣非归母净利润 13.88亿元，同比增长16.51%；基本每股收益 2.61元/股。 设备业务快速成长，新品研发持续加大受益于国内晶圆厂资本开支持续扩张，公司半导体设备业务实现快速增长。 由于公司给予部分客户销售折扣，同时公司持续加大新品的研发投入，全年盈利能力有所下滑， 2024年公司毛利率、净利率分别为 41.06%、 17.81%，同比分别-4.76pct、-10.67pct。费用率来看， 2024年公司期间费用率为 25.28%，同比+0.30pct；销售费用率、管理费用率、研发费用率、财务费用率分别为 5.28%、 5.31%、 15.64%、-0.96%，同比分别-2.57pct、 -0.17pct、 +2.60pct、 +0.44pct。 LPCVD 实现首台销售，薄膜沉积快速突破2024年刻蚀设备销售约 72.77亿元，同比增长约 54.72%； MOCVD 设备销售约 3.79亿元，同比下降约 18.03%； LPCVD 设备 2024年实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元。公司近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备和 ALD 薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。其中， LPCVD 设备累计出货量已突破150个反应台， 2024年得到约 4.76亿元批量订单，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场；公司 EPI 设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 投资建议：看好设备自主可控，维持“增持”评级受益于设备国产替代进展加快， 我们预计公司 2025-2027年营业收入分别为120.59/150.79/182.85亿元，同比分别增长 33.02%/25.05%/21.26%；归母净利润分别为 24.79/34.12/45.43亿元，同比增速分别为 53.45%/37.63%/33.14%， 3年CAGR 为 41.14%； EPS 分别为 3.98/5.48/7.30元/股，对应 PE 分别为 48x/35x/26x。 鉴于公司是国内刻蚀设备龙头且新业务有望延续高增长，维持“增持”评级。 风险提示： 晶圆厂扩产进度不及预期， 新品研发、验证进度不及预期等

公司公布2024年年报，2024年公司实现营收90.65亿元（44.73%YoY），归属上市公司股东净利润亿元16.16（-9.53%YoY）。公司拟向全体股东每10股派发现金红利3.00元（含税）。 平安观点： 持续研发投入，新品逐步起量：2024年公司实现营收90.65亿元（44.73%YoY），归属上市公司股东净利润亿元16.16（-9.53%YoY，主要系2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股票，产生税后净收益约4.06亿元，而2024年公司并无该项股权处置收益，另外公司研发投入增加），扣非后归母净利13.88亿元（16.51%YoY）。2024年公司整体毛利 率 和 净 利 率 分 别 是 41.06% （ -4.77pctYoY ） 和 17.81%（-10.67pctYoY）。其中，2024年刻蚀设备销售约72.77亿元，同比增长约 54.72%；MOCVD 设 备 销 售 约 3.79亿 元 ， 同 比 下 降 约 18.03%； LPCVD设备2024年实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元。费用端： 2024年公司销售费用率、管理费用率和财务费用率分别为5.28%（-2.57pctYoY）、5.31%（-0.18pctYoY）和-0.96%（0.43pctYoY），公司费用率稳定。研发投入方面：公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2024年研发费用14.18亿元，较去年增长约6.01亿元，同比增长约73.59%。为扩充资产规模，公司产业化建设项目进展顺利。公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已相继投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确保今后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。 刻蚀类产品线不断丰富，国产替代稳步推进：1）CCP刻蚀设备：公司CCP刻蚀设备产品不断完善、丰富产品的性能，继续保持竞争优势，产品已广泛应用于国内外一线客户的集成电路加工制造生产线。2024年全年CCP刻蚀设备生产付运超过1200反应台，累计装机量超过4000反应台。公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过，正在进行更多的器件功能测试。PrimoSD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。2）ICP刻蚀设备： 公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺，2024年ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1025个反应台。另外，公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发，为推出下一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和3D NAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。 MOCVD设备市场领先，红黄光LED设备开发顺利：公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2024年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛认可。公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机Preciomo Udx至国内领先客户开展生产验证。公司启动了应用于红黄光LED的MOCVD设备开发，目前开发较为顺利，实验室初步结果已实现了优良的波长均匀性能。 薄膜沉积产品推向市场，EPI进入客户端量产验证阶段：公司已开发出六款薄膜沉积产品推向市场，中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性。公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的量产需求。 投资建议：公司作为半导体设备国内领先企业，充分受益于半导体国产化。结合公司的订单交付情况，我们略微调整公司盈利预测并新增27年盈利预测，预计2025-2027年公司归母净利润为23.63亿元/30.84亿元/40.59亿元（25/26年原值为25.65亿元/31.60亿元），对应的市盈率分别为50倍、38倍、29倍。公司作为半导体设备平台型企业，薄膜沉积设备及EPI设备产品研发进展顺利，维持“推荐”评级。 风险提示：1）下游客户扩产投资不及预期的风险。若下游晶圆厂和LED芯片制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。2）新产品研发不及预期风险。若公司新产品研发不及预期，将影响公司长远发展。3）国际贸易摩擦风险。近年来，国际贸易摩擦不断。如果中美贸易摩擦继续恶化，公司的生产运营将受到一定影响。

国产半导体设备领军企业，营收规模实现高增。 中微公司是国内领先、国际知名的高端半导体微观加工设备公司，布局半导体集成电路制造、先进封装、 LED外延片生产、功率器件、 MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司核心产品等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、 7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线； MOCVD设备技术实力和市占率位居世界前列。近年，公司刻蚀设备业务快速增长推动公司收入体量高增， 2019-2023年公司营业收入规模的年均复合增长率达33.93%。 半导体设备市场空间广阔， 自主可控下国产设备迎发展机遇。 从行业端看， 2024年以来半导体产业周期触底回升以及AI需求提振带动全球半导体市场需求回暖，随着5G、云计算等技术的普及和发展，以及AI、 HPC等新兴应用的出现，半导体行业发展趋势向上。 而半导体设备作为产业发展的基石， 市场空间广阔，据SEMI的预计2025年设备市场规模预计达1280亿美元创新高。 从技术发展看， 制程工艺演进和存储堆叠等发展对刻蚀设备和薄膜沉积设备提出更高的技术要求并带动相关设备需求提升。 从供应端看，海外持续升级对华设备出口管制，在全球半导体逆全球化趋势下，半导体设备自主可控重要性持续凸显，国产设备验证工作有望积极推进，设备国产化进程有望提速。 本土刻蚀设备龙头，内生外延打通多线产品布局。 中微占据国产刻蚀设备领先地位，开发的 CCP 和 ICP 能够覆盖逻辑芯片或存储芯片制造环节中大部分刻蚀应用场景，已批量用于全球 7nm 和 5nm 及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司现持续推进关键工艺设备的研发和验证， 作为国产刻蚀设备领先企业， 或受益于半导体设备自主可控趋势，市占率有望持续提升。公司通过内生外延打通多线产品布局，一方面，持续强化核心业务内生成长，刻蚀设备持续提升产品性能和扩大市场份额， MOCVD 设备重点开发 Micro-LED 和功率器件等领域，薄膜设备进一步开发 LPCVD、 EPI 设备等以提升高端关键制程的覆盖率；另一方面，通过外延发展等拓展产品品类和应用领域布局，如投资睿励仪器布局检测设备领域。公司通过持续研发投入和外延发展，不仅扩大设备覆盖范围，同时可实现产业协同，有望突破关键工艺设备并参与和海外设备龙头的竞争。 投资建议考虑到公司核心产品刻蚀设备和 MOCVD 设备具有较强的国际竞争力，且坚持三维发展战略拓宽业务覆盖范围，具备长期发展动力。 我们预计公司 2024-2026年实现营业收入为 90.65/122.69/152.13亿元，同比+44.72% /+35.35% /+24.00%；归母净利润为 16.14/ 23.76/33.80亿元，同比-9.61%/ +47.21%/ +42.21%， 2月 24日收盘价对应PE 为 84/ 57/ 40倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示下游客户扩产不及预期的风险、 国际贸易摩擦加剧风险、新品开发和技术升级不及预期。

中微公司是国内集成电路设备龙头，专注于高端半导体和泛半导体设备的研发、生产和销售。公司致力于为全球集成电路以及LED芯片制造商提供先进加工设备和工艺技术解决方案。公司的主要产品布局包括CCP电容性等离子体刻蚀设备、ICP电感性等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备、薄膜沉积设备及MOCVD设备等。 刻蚀设备技术领先，产品创新推动业务端扩张，收入与发货量双双高增长。伴随芯片制程先进工艺的演进，存储器件由2D向3D结构转换，刻蚀机作为半导体前道关键核心设备在市场的战略地位和需求显著加深，中微作为国内领先的刻蚀设备供应商或将显著受益。在逻辑芯片制造方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从65纳米到5纳米及更先进的各个技术结点大量量产；在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并开发了配备超低频高功率偏压射频的CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已验证成功，进入量产。技术的突破推动交付量持续走高，2024年上半年公司CCP刻蚀设备付运量超过700个，超过2023年全年付运量，截至2024年6月公司累计生产交付超3600个CCP刻蚀设备。ICP刻蚀设备方面，PrimoNanova系列产品近3年累计装机台数CAGR超70%。公司2023年刻蚀设备营收47.03亿元，根据公司2024年年度业绩预告预测，公司预计实现72.76亿元刻蚀设备销售额，实现同比增长54.71%。公司持续推进5-3纳米逻辑芯片制造的ICP刻蚀机设备研发，有望推动公司订单在先进制程领域持续放量。 薄膜设备产品矩阵加速完善，订单规模持续增长。公司目前已有多款新型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，取得了客户订单。公司已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。公司自主研发的EPI设备已顺利进入客户验证阶段，以满足客户先进制程中锗硅外延生长工艺的电性和可靠性需求。根据公司2024年年度业绩预告，公司在2024年实现LPCVD设备首台销售，该设备累计出货量突破100个反应台，全年设备销售预计达1.56亿元。我们看好公司在薄膜沉积设备领域的持续突破，在持续高强度研发的支持下，薄膜设备的业绩与订单有望持续高增长。 营收高速增长，研发力度持续加大。公司营业收入保持高速增长，自2018年16.39亿元增长至2023年的62.64亿元，复合年均增长达到30.75%。根据公司2024年年度业绩预告，公司2024年全年预计实现营业收入90.65亿元，同比2023年预计增长约44.73%。其业绩的主要驱动力是刻蚀业务的持续放量，2024年该部分业务预计增长至72.76亿元，年增长率达到54.71%。2024年四季度营业收入预计达35.58亿元，实现同比增长约60%。公司持续多年进行高强度研发投入，2019年至2023年，研发费率均保持在12%以上。2024年，预计公司全年研发投入24.50亿元，较2023年增长约94.13%，全年研发投入占公司营收预计达27.03%，整体金额实现11.88亿元增长。公司持续保持高水平的研发投入，完善公司在半导体前道工艺关键器件制造的产品布局，为业绩的持续高增长奠定坚实基础。 国内外半导体产业持续兴旺，微观加工设备需求旺盛赋能公司成长。根据SEMI预测，受益于全球芯片需求增加，先进节点工艺和制程推动设备支出扩张，2025-2027年全球300mm晶圆厂设备投资预计达4000亿美元，其中Logic与Micro投资额约1730亿美元，存储行业投资额超过1200亿美元。中国大陆预计到2027年持续保持全球300mm设备支出第一的地位，未来三年将投资超1000亿美元。中国大陆作为全球最大的集成电路设备市场，2023年中国大陆设备出货额达366亿美元，在全球市场占比约34.4%。依据SEMI预计，2024年中国大陆出货额有望突破至490亿美元，全球出货额占比提升至43.4%。同时根据Gartner数据，2018至2025年全球芯片生产线建设共计171座新产线，其中74座位居中国大陆，市场扩张和产能增加赋能公司需求侧成长。公司作为国内刻蚀设备龙头，在刻蚀机和薄膜设备积累领先的专业技术和专利储备，有望持续投入研发提前布局产业发展，实现刻蚀设备和薄膜沉积设备产品大规模产业化应用，扩大公司产品覆盖优势，推动产品市占率增加和业务规模增长。 盈利预测与评级：我们预计公司2024-2026年归母净利润分别为16.76/24.85/33.99亿元，同比增速分别为-6.15%/48.24%/36.80%，当前股价对应的PE分别为71.75/48.40/35.38倍。我们选取北方华创/拓荆科技/盛美上海/华海清科/中科飞测/芯源微为可比公司，可比公司2024年平均估值为115.1倍，鉴于公司在集成电路刻蚀设备制造领域的龙头地位，薄膜沉积领域的快速突破，高强度的研发支出和业绩的高速稳定增长，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示。下游客户扩产不及预期；行业竞争风险加剧；新品研制及客户推广不及预期；地缘因素不确定性。

2025年 1月 14日， 中微公司发布 2024年年度业绩预告自愿性披露公告。 全年营收预计维持高增速， 显著加大研发力度公司预计 2024年实现营收 90.65亿元， 同比增长约 44.73%； 其中刻蚀设备实现收入约 72.76亿元， 同比增长约 54.71%； MOCVD 实现收入 3.79亿元， 同比减少约 18.11%； LPCVD 薄膜设备 2024年实现首台销售， 全年实现收入约 1.56亿元。 利润端， 公司预计 2024年实现归母净利润 15~17亿元， 同比减少 4.81%~16.01%，扣非归母净利润 12.8~14.3亿元， 同比增长 7.43%~20.02%。 归母净利润同比减少主要系 1） 毛利同比增长约 9.78亿元， 以此计算 2024年毛利率约 42.45%， 同比减少 3.37个百分点； 2） 由于市场及客户对中微开发多种新设备的需求急剧增长，2024年公司显著加大研发力度， 为未来业务增长打基础。 目前在研项目涵盖六类设备， 超二十款新设备的开发。 2024年研发投入约 24.50亿元， 同比增长约94.13%； 3） 2023年公司出售了持有的部分拓荆科技股票， 产生税后净收益约 4.06亿元， 而 2024年公司并无该项股权处置收益。 单季度看， 24Q4公司预计实现营收 35.58亿元， 同比增长 60.10%， 环比增长72.75%； 归母净利润 5.87~7.87亿元， 同比增长-6.24%~25.71%， 环比增长48.13%~98.60%； 扣非归母净利润 4.67~6.17亿元， 同比增长 1.91%~34.67%，环比增长 41.26%~86.68%； 毛利率 42.81%， 同比减少 3.01个百分点， 环比减少0.92个百分点。 高端产品新增付运量及销售额显著提升， 着力推进薄膜设备研发公司主营产品的刻蚀设备、 薄膜设备是半导体前道关键核心设备， 市场空间广阔，技术壁垒较高。 公司的刻蚀设备及薄膜设备持续获得众多客户的认可， 针对芯片制造中关键工艺的高端产品新增付运量及销售额显著提升。 刻蚀： 公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可， 针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。 CCP 方面， 2024年前三季度交付超 1000个反应台， 累计交付超 3800个反应台； 先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。 ICP 方面，Primo-Twin Star?在多个客户获得重复订单； 在先进逻辑和存储芯片中关键 ICP 刻蚀工艺的高端 ICP 设备付运大幅提升。 薄膜沉积： 公司近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备和 ALD 薄膜设备， 目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性订单。 其中， LPCVD 薄膜设备累计出货量已突破 100个反应台， 其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进； 公司EPI 设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 此外， 公司拟在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都） 有限公司， 建设研发及生产基地暨西南总部项目。 该项目面向高端逻辑及存储芯片， 开展化学气相沉积设备、 原子层沉积设备及其他关键设备的研发和生产工作。 项目总投资约 30.5亿元， 计划于 2025年开工，2027年投入生产， 预计 2030年年销售额达 10亿元。 MOCVD： 公司在 Micro-LED 和高端显示领域的 MOCVD 设备开发上取得了良好进展， 并积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场。 公司氮化镓基 LED生产用 MOCVD 设备的市占率超 70%， 位居全球第一。 投资建议： 根据公司 2024年业绩预告， 同时考虑到公司持续加大研发力度， 我们调整此前对公司的业绩预测。 预计 2024年至 2026年， 公司营收分别为90.65/116.03/146.20亿元（ 前值为 83.68/111.63/145.90亿元） ， 增速分别为44.7%/28.0%/26.0% ； 归 母 净 利 润 分 别 为 16.66/23.44/32.12亿 元 （ 前 值 为18.10/23.96/32.35亿 元 ） ， 增 速 分 别 为 -6.7%/40.7%/37.0% ； PE 分 别 为69.6/49.5/36.1。 中微持续推进平台型设备公司建设， 实现了刻蚀设备全面覆盖，薄膜设备领域侧重于导体/半导体层的薄膜沉积设备， 投资上海睿励布局检测设备，三大产品线持续注入强劲增长动力。 持续推荐， 维持“买入” 评级。 风险提示： 新技术、 新工艺、 新产品无法如期产业化风险， 市场竞争加剧风险， 晶圆厂产能扩充进度不及预期的风险， 系统性风险等。

事件概述1月 14日，公司发布 2024年业绩预告，同时公告对外投资等事宜。 刻蚀&薄膜设备快速放量，Q4收入端加速提升2024年公司预计实现营收 90.65亿元，同比+44.73%，其中 Q4实现营收 35.58亿元，同比+60.10%，单季度提速明显，符合市场预期，我们推测主要系收入确认节奏加快。分产品看：1）刻蚀设备：24年实现收入 72.76亿元，同比+54.71%，主要系公司刻蚀设备获得广泛认可，先进制程高端产品新增付运量及销售额显著提升； 2）MOCVD 设备：24年实现收入 3.79亿元，同比-18.11%，降幅收窄明显；3）LPCVD 设备：24年实现首台销售，全年实现收入 1.56亿元，累计出货量已突破 100个反应台，新品逻辑持续兑现。新接订单方面，24Q1-3公司新增订单 76.4亿元，同比+52%，美国制裁升级加速设备国产替代，叠加公司多款新品突破，我们判断2024年公司新接订单持续高速增长。截至 24Q3末，公司存货和合同负债分别为 78.22和 29.88亿元，分别同比+91.18%和+118.82%；生产专用设备 1160腔，同比+310%，对应产值约 94.19亿元，同比+ 287%；从生产/发货均可反映公司在手订单充足，有力支撑公司后续营收端快速增长。 研发投入力度显著加大，非经常损益压制利润端表现2024年公司预计实现归母净利润 15-17亿元，同比-16.01%至-4.81%，其中 Q4为 5.87-7.87亿元，中枢值同比+9.74%，Q4利润端持续改善，符合我们预期。2024年公司预计实现扣非归母净利润 12.8-14.3亿元，同比+7.43%-+20.02%，其中 Q4为 4.67-6.17亿元，同比+1.91%-+34.68%，中枢值同比+18.29%，扣非盈利水平有所提升。以中枢值测算，2024年归母净利率/扣非归母净利率为 17.65%/14.95%，分别同比-10.86pct/-4.07pct；Q4归母净利率/扣非归母净利率为 19.31%/15.22%，分别同比-8.86pct/-5.38pct，我们推测主要系研发投入&非经损益影响利润端表现。1）毛利端：2024年毛利率预计为 42.45%，同比-3.37pct，推测主要受质保金会计准则调整所致；2）费用端：2024年公司研发投入约 24.50亿元，同比+94.13%；研发费用为 14.15亿元，同比+73.32%； 研发费用率 15.61%，同比+2.57pct，主要系公司显著增加研发投入，目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备的开发。3）2023H1公司出售拓荆科技股票产生税后净收益约 4.06亿元，2024年无相关收益，非经常损益大幅下降，明显拖累利润端表现（仅拓荆股票收益事项影响归母净利率约 4.41pct）。 平台化产品线持续推进，投资西南基地巩固竞争优势1）刻蚀、薄膜沉积设备等产品研发进展顺利，平台化布局持续推进：①刻蚀设备：已具有量产≥60:1深宽比刻蚀设备能力，并积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀技术；多款 ICP 设备取得先进客户批量订单；晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，TSV 硅通孔刻蚀设备广泛应用；②薄膜沉积设备：完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，LPCVD 开始放量；EPI 设备顺利进入验证阶段；③MOCVD：用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的市场，并在 Micro-LED，和其他显示领域的专用 MOCVD 设备开发上取得良好进展；④量检测设备：子公司睿励仪器已有相关布局，并计划开发电子束检测设备，将不断扩大对多种检测设备的覆盖。 2）公司公告拟投资 30.5亿元建设西南基地，全国布局初现蓝图：2025年-2020年期间公司计划投资 30.5亿元建设西南基地（成都），面向高端逻辑及存储芯片，开展 CVD、ALD 设备研发，计划 2030年销售额达到 10亿元，布局西南基地增强研发能力和扩大产能，公司将在高端半导体设备领域进一步巩固优势地位。 投资建议我们维持 2024-2026年营业收入预测分别为 83.19、108.89和 140.00亿元，同比增速分别为 32.8%、30.9%和28.6%；归母净利润分别为 16.84、23.99和 32.05亿元，同比增速分别为-5.7%、42.4%和 33.6%；EPS 分别为2.71、3.85和 5.15元。2025/01/14股价 188.45元对应 PE 分别为 70、49和 37，维持“买入”评级。 风险提示半导体行业景气度下滑，新品研发不及预期等。

事件:中微公司1月14日发布2024年业绩预告：公司预计2024年实现营业收入90.65亿元，同比增长约44.73%；实现归母净利润15.00-17.00亿元，同比下降约16.01%-4.81%，归母净利润中值为16.00亿元，同比下降10.41%；实现扣非净利润12.80-14.30亿元，同比增长约7.43%-20.02%，扣非净利润中值为13.55亿元，同比增长13.73%。 投资要点:2024年刻蚀设备快速放量年刻蚀设备快速放量，LPCVD实现首台销售实现首台销售。2024年公司预计刻蚀设备销售约72.76亿元，同比增长约54.71%；MOCVD设备销售约3.79亿元，同比下降约18.11%；LPCVD薄膜设备2024年实现首台销售，全年设备销售约1.56亿元。2024年公司预计归母净利润同比下降约16.01%-4.81%，原因一，2024年营业收入同比增长44.73%下，毛利同比增长约9.78亿元；原因二，公司研发力度显著加大，2024年研发投入约24.50亿元，同比增长约94.13%，研发费用为14.15亿元，同比增长约73.32%；原因三，2023年公司出售持有的部分拓荆科技股票，产生税后净收益约4.06亿元，2024年公司并无该项股权处置收益。 2024Q4收入同环比高增，扣非归母净利润同比稳增。2024Q4公司预计实现营业收入35.58亿元，同比增长60.10%，环比增长72.75%；预计实现归母净利润5.87-7.87亿元，中值为6.87亿元，同比增长9.74%，环比增长73.36%；预计实现扣非归母净利润4.67-6.17亿元，中值为5.42亿元，同比增长18.29%，环比增长63.97%。 持续完善产品矩阵，未来成长可期。公司目前在研项目涵盖六类设备，超二十款新设备的开发，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备进入市场并获得重复性订单，其中，LPCVD薄膜设备累计出货量已突破100个反应台，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。 公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发上取得良好进展，并积极布局碳化硅和氮化镓器件市场。 级盈利预测和投资评级公司是国内等离子体刻蚀设备领跑者，积极布局薄膜设备、检测设备等半导体关键设备，公司预计未来五到十年覆盖集成电路关键领域50%-60%的设备，未来成长可期。我们预计公司2024-2026年实现收入90.65、116.83、149.26亿元，实现归母净利润15.82、23.92、32.69亿元，现价对应PE分别为73、49、35倍，维持“买入”评级。 示风险提示下游扩产不及预期；新品研制及客户拓展不及预期；市场竞争加剧风险；研发布局与下游发展趋势不匹配；存货减值及应收账款等风险。

中微公司发布 2024业绩预告， 2024全年预计收入约 90.65亿元，同比+44.73%； 归母净利润 15-17亿元，同比-16%~-4.8%。 公司全年收入同比高增长， 刻蚀和LPCVD 设备等贡献增长动力， 利润短期受研发费用等拖累而承压， 维持“增持”投资评级。 2024全年收入同比高增长，扣非净利润主要受研发费用等拖累。 2024全年预计收入约 90.65亿元，同比+44.73%；毛利率约为 42.5%，同比-3.3pcts； 归母净利润 15-17亿元，同比-16%~-4.8%；扣非净利润 12.8-14.3亿元，同比+7.43%-20%，非经常损益预计主要为政府补助、投资收益等。 公司归母净利润同比下滑，主要系 1）公司 2024年显著增加研发费用，全年研发投入约24.5亿元，同比+94%，研发费用约 14.15亿元，同比+73.3%； 2） 2023年公司出售部分拓荆科技股票产生税后净收益约 4.06亿元， 2024年并无该股权处置收益。公司扣非利润增速低于收入增速，主要系研发费用等影响。 24Q4收入利润同环比高增长，刻蚀和 LPCVD 设备贡献主要增量。 24Q4收入预计 35.58亿元，同比+60%/环比+73%；毛利率约为 42.6%，同比-3.2pcts/环比-1.1pcts；归母净利润 5.87-7.87亿元 ，同比-6.2%~+25.7%/环比+48%-99% ； 扣 非 净 利 润 4.67-6.17亿 元 ， 同 比 +2%-34.7%/ 环 比+41.3%-86.7%；扣非净利率 15.2%，同比-5.4pcts/环比-0.8pct。 公司 24Q4收入同环比增速远超前三季度，主要增量来自①Q4单季刻蚀设备收入 28.63亿元，同比+56%/环比+67%，超高深宽比工艺机台等高端产品付运量明显提升；②LPCVD 单季收入 1.28亿元，进入快速放量期。伴随收入规模效应显现，叠加公司自 24Q3以来研发费用率得到控制，利润同样同环比高增长。 LPCVD 快速放量， EPI 设备进入量产验证阶段。 1）刻蚀设备全年收入 72.76亿元，同比+54.7%； 2） MOCVD 设备收入 3.79亿元，同比-18%，主要系行业景气度影响， 在 Micro-LED 和高端显示领域的 MOCVD 设备开发取得良好进展； 3）LPCVD 设备全年收入 1.56亿元，累计出货超 100个反应台， LPCVD和 ALD 设备均获得重复性订单； 4） EPI 设备顺利进入客户端量产验证阶段。 公司拟成立成都子公司， 大力发展 CVD、 ALD 等设备。 公司计划设立全资子公司中微半导体设备（ 成都）， 大力开展 CVD、 ALD 等沉积设备， 面向高端逻辑和存储芯片。 项目预计在 2025-2030年总投资 30.5亿元， 预计到 2030年实现销售额 10亿元。 投资建议。 公司 2024年收入同比高增长， 利润同比略有承压， 刻蚀和 LPCVD设备增速较快。 结合业绩预告， 我们调整公司 2024/2025/2026年收入至90.7/112.3/134.2亿元， 调整归母净利润至 16.0/23.1/30.9亿元， 对应 PE 为73.2/50.8/37.9倍， 维持“增持”投资评级。 风险提示： 下游晶圆厂扩产不及预期，美国半导体设备出口管制加剧，新品研发不及预期，行业竞争加剧的风险。