中微公司：半导体设备国产替代先锋。公司成立于 2004年，创始团队均为出身应用材料、泛林半导体等国际半导体设备龙头企业的核心技术人员，董事长尹志尧博士曾任应用材料副总裁、刻蚀事业部总经理、亚洲首席技术官，是国际等离子体刻蚀技术发展的重要推动者。公司于 2007年成功研制首台CCP 刻蚀机，2012年成功研制首台 MOCVD 设备，2016年成功研制 ICP 设备，产品线不断拓宽，如今已成为国际领先的 CPP 和 MOCVD 供应商。 近年来公司业绩稳健增长，半导体业务占比亦持续提高。2017-2020年，公司营收从 9.72亿元增长至 22.73亿元，三年 CAGR 达 32.73%。其中，刻蚀设备收入从 2.89亿元增长至 12.89亿元，三年 CAGR 达 64.61%，2020年收入占公司设备业务比例达 71.65%。 公司 2020年定增落地，国家大基金二期参与认购。公司定增募集 82亿元，加码研发 128层以上 CCP 刻蚀、大马士革刻蚀、7nm 以下 ICP、3nm 以下ALE 等项目，大基金参与认购 25亿元。 刻蚀：前道工艺核心，国产替代率先突破。刻蚀是前道工艺的核心环节，主流的干法刻蚀工艺包括电容性等离子刻蚀（CCP）和电感性等离子刻蚀（ICP）两种技术路线，是前道工艺中价值量最高的环节。据 SEMI 数据，2025年刻蚀设备全球市场规模将达到 150亿美元。当前市场呈现了巨头垄断的竞争格局，泛林半导体、东京电子、应用材料合计占据了 91%的市场份额。2020年以来全球半导体景气度上行，国内晶圆厂在国产替代和缺货涨价双重动力下加速建设，为国产设备厂商带来突破机遇，而刻蚀设备国产化率仍不足 20%，替代空间可观。 中微作为国内刻蚀设备龙头，截止 2020年，CCP 设备装机量达 1159台，保持了 30%的年均增速，而 ICP 设备亦已有 55个反应腔运行于 10位客户的产线。技术自主可控和先进制程能力是公司得以实现国产替代的核心优势，CCP 设备已切入台积电 5nm 产线，技术达到世界领先水平。逻辑芯片的大马士革刻蚀、128层以上 3D NAND 刻蚀、用于 GAA 结构的 ALE刻蚀等产品也已处于研发中。 MOCVD：GaN 外延设备龙头，化合物半导体空间打开：MOCVD 指金属有机化学气相沉积，常用于包括 GaN、SiC、GaAs、InP 在内的化合物半导体外延片制造，面向 LED、射频、功率、VCSELS 等下游应用。得益于miniLED 渗透带来芯片用量增长，上游 MOCVD 设备迎来需求爆发。中微蓝光 LED 设备快速成熟，与三安、晶电、兆驰等 LED 巨头保持良好合作，截止 2018年 Q4已在全球 GaN 基 MOCVD 市场占据 70%以上市场份额。用于 mini/microLED、功率半导体的设备亦在研发中。 盈利预测与投资评级：我们预计公司 2021/22/23年，营收分别为31.17/42.39/55.67亿元，归母净利润分别为 5.21/6.69/8.81亿元，对应当前股价 PE 分别为 195/152/115倍。公司作为半导体设备行业的龙头公司，随着设备技术的不断突破，具备较强的国产替代确定性，市占率有望持续提升。首次覆盖，给予“买入”评级。 风险因素：行业周期性波动风险；下游客户扩产不及预期风险；国际贸易摩擦风险。

事件概述公司发布2020年度向特定对象发行A 股股票上市公告书，本次发行A 股股票总数量为8022.9万股，发行价格为102.29元/股，发行对象共20名，限售期6个月。截至2021年6月22日，已收到认购对象缴付的认购资金净额81.18亿元。已于中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成登记托管及限售手续。 分析判断:国家大基金二期参与认购，发行后持股3.97%本次定增项目的发行对象中，国家集成电路产业基金二期获配2444.03万股，占本次发行数量的30.46%，获配金额约25亿元，本次发行后持股比例为3.97%。此外，获配的机构还有：工银瑞信基金908.2万股（占11.3%）、新加坡政府投资公司761.6万股（占9.5%）、国泰君安证券538.7万股（占6.7%）、中金公司 396.9万股（占4.9%），高毅资产379.96万股(占4.7%)。 定增三大项目，产能规模进一步扩张本次募集资金主要投向公司产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目及科技储备资金。中微产业化基地（临港）主要承担现有产品的改进升级、新产品开发生产及产能扩充，包括等离子体刻蚀设备（630腔/年）、MOCVD 设备（120腔/年）、热化学CVD 设备（220腔/年）、环境保护设备（180腔/年）。南昌产业化基地主要承担较为成熟的大规模量产及部分产品的研发升级。中微临港总部研发中心项目将搭建从研发到投产的全周期研发平台，开展高端半导体、泛半导体领域相关产品与设备制造的研发工作。其中 CCP 刻蚀设备方面，主要布局UD-RIE 刻蚀设备（主要用于128层及以上的3D NAND 极高深宽比CCP 刻蚀）以及SD-RIE 刻蚀设备（主要用于14nm 及以下逻辑器件的大马士革刻蚀）。ICP 刻蚀方面，主要布局下一代单台反应器ICP 刻蚀设备Nanova+、下一代双台反应器ICP 刻蚀设备Twin-Star+以及ALE 原子层刻蚀设备的研发。MOCVD 设备方面，主要布局碳化硅材料功率器件的外延生长设备和技术的研发 。科技储备资金将用于新产品协作开发项目（包括红黄光MOCVD、大面积平板显示、PECVD 等化学薄膜、光学检测设备等）及对外投资并购项目。定增项目的落地将进一步扩充现有集成电路设备及泛半导体设备产品线产能、提高公司产品的科技创新水平，满足公司研发项目发展与业务扩张需求，持续强化公司的科创实力，为公司持续健康发展奠定坚实基础。投资建议维持此前盈利预测，我们预计 2021-2023年公司营收分别为30.85亿元、41.28亿元、53.10亿元，归母净利分别为5.05亿元、6.41亿元、8.32亿元。2021-2023年实现每股收益为0.82元/1.04元/1.35元，对应现价 PE 分别为 184倍、145倍、112倍，我们看好公司作为国内刻蚀设备龙头，随着国内半导体行业对上游设备需求的不断提升，公司收入和净利润有望实现持续增长，维持“买入”评级。 风险提示新产品新技术研发低于预期、国产化替代进展低于预期、中美贸易摩擦加剧。

公司发布 2020年度向特定对象发行 A 股股票发行情况报告书，截至 2021年 6月 22日，已收到认购对象缴付的认购资金，扣除发行费用后实际募集资金净额为人民币 8,118,162,441.14元。本次发行 A 股股票总数量为80,229,335股，发行价格为 102.29元/股，于 2021年 6月 30日在中国证券登记结算有限责任公司上海分公司办理完成登记托管及限售手续。 支撑评级的要点20家中外知名机构参与 82亿元定增，大基金二期约占本次募集资金的30%。本次定增项目的发行对象共 20家机构，限售期为 6个月。前十大获配发行对象中，内资机构包括：国家集成电路产业投资基金二期获配24,440,316股(占 30.5%)、工银瑞信基金获配 9,082,020股(占 11.3%)、高毅资产获配 3,799,586股(占 4.7%)、河南资管及其他券商、公募基金；QFII机构包括：新加坡政府投资公司 GIC 获配 7,615,602股(占 9.5%)、法国巴黎银行获配 2,639,553股(占 3.3%)、瑞银集团 UBS AG 获配 2,326,717股(占2.9%)。本次定增发行后，国家大基金二期成为公司的第五大股东，共持股 3.97%。 定增旨在扩充现有集成电路设备及泛半导体设备产能、提高科技创新水平。本次定增募集资金将用于公司的临港产业化基地(实施 5年)、临港总部和研发中心(实施 5年)等项目建设及科技储备资金。其中，临港产业化基地的规划产能为新增等离子体刻蚀设备 630腔/年、MOCVD 设备 120腔/年、热化学 CVD 设备 220腔/年、环境保护设备 180腔/年；临港总部和研发中心将搭建技术研发、样品制造与模拟测试的全周期研发平台，开展高端集成电路及泛半导体领域的研发工作。此外，科技储备资金将用于红黄光 MOCVD、大面积平板显示、PECVD 等化学薄膜、光学检测设备等领域的协作开发项目及横向扩展集成电路关键设备、外延泛半导体设备等对外投资并购项目。定增项目的落地，将帮助产能积极应对集成电路产业景气持续上升带来的增长需求，及产品特性适应万物互联等行业发展趋势带来的新机遇。 芯片供需紧缺带来半导体设备高景气，公司 ICP 刻蚀销售放量。据公司公告，截止 2021年 6月公司的单反应台 ICP 刻蚀 Primo nanova 交付累计达100台，根据公司 2020年度业绩说明会透露，可推导 2016-2021H1的 ICP刻蚀系列逐年新增腔数为 2、6、 13、6、28及不低于 45台，2021年上半年的新增腔数比 2020年全年的至少增长 61%，ICP 刻蚀产品的年度交付量正大幅增长，此次定增项目的落地将能更好的配合产能供应，助力业绩增长。 盈利预测和投资建议维持 2021-23年公司净利润分别为 4.6/6.6/8.4亿元的预测，维持买入评级。 评级面临的主要风险行业景气高导致设备零部件采购周期拉长；研发强度大导致盈利波动； 在建项目投产计划慢于预期。

刻蚀+MOCVD 龙头，技术驱动行业领先。 中微公司成立于 2004年， 主营业务为开发大型真空微观器件工艺设备，主要产品包括刻蚀设备和MOCVD 。 公司 CCP 刻蚀设备已批量应用于国内外一线客户从 65nm 到5nm 集成电路制造产线、 64层及 128层 3D NAND 产线， 并已取得 5nm及以下逻辑电路产线的重复订单； ICP 刻蚀设备逐步成熟， 已成功进入海内外十余家客户的晶圆产线。 公司 MOCVD 设备持续在行业领先客户生产线上大规模投入量产，保持在行业内的领先地位。 晶圆厂设备投资放量，中微刻蚀产品线持续完善。 根据 2021年 6月 SEMI《全球晶圆厂预测报告》，未来几年全球将新增 29座晶圆厂， 设备支出预计将超过 1400亿美元， 其中中国大陆及中国台湾分别有 8座晶圆厂新建计划，位列全球第一。此外台积电、中芯国际等代工龙头 2021年资本开支显著提升。 半导体设备投资快速放量，刻蚀设备作为晶圆设备投资中占比最高的装备，产品种类多，市场被海外龙头垄断。以长江存储、华虹无锡、华力集成的招投标数据为例，三家晶圆厂的刻蚀环节上国产化率（以机台数量计算）平均达到 20~30%，国产化进程加速。 中微的刻蚀设备种类较为丰富，三家晶圆厂刻蚀环节国产设备中，中微刻蚀设备占比较高。 此外，我们有望看到公司按技术路径推出下一代用于更先进制程关键步骤的 ICP 及 CCP 刻蚀设备，刻蚀设备产品线不断完善，盈利水平及核心竞争力进一步提升。 MOCVD 设备需求回暖，积极拓展 Mini LED、功率器件等领域应用。 公司 MOCVD 设备目前在氮化镓基 LED 领域已经具备领先优势，过去两年受终端 LED 芯片价格下降及产能释放等影响， MOCVD 设备需求出现下滑。公司 2021年 6月发布的专为 Mini LED 量产用设计的 Prismo UniMax?MOCVD 设备已经取得国内领先客户订单，未来随着 Mini LED、消毒及植物照明为代表的 LED 新兴市场需求放量，并且公司还将继续拓展功率器件等领域用 CVD 设备， MOCVD 系列产品需求有望回升。 定增加码研发投入，内生外延协同发展。 公司拟定增不超过 100亿元，其中约 32亿元用于扩充公司现有设备产能，与主流半导体设备厂商合作，开发新产品线；约 38亿元用于刻蚀、 MOCVD、热化学 CVD 等 7大类新产品以及零部件、泛半导体设备的研发和产业化；约 31亿元科技储备资金用于满足公司与合作伙伴在新产品的协作开发项目、对外投资并购项目等需求，公司已投资沈阳拓荆、睿励仪器、山东天岳、理想万里晖、德国Solayer、中欣晶圆、昂坤视觉、德龙激光等公司，布局薄膜、检测设备、碳化硅衬底材料、 PECVD、真空镀膜、半导体晶圆、光学测量及检测系统、精密激光加工设备等领域，推动平台化建设进程，内生外延，紧抓行业机遇，实现协同发展。 我们预计公司将在 2021年至 2023年实现收入32.45/45.33/59.88亿元， 归母净利润 5.14/6.90/9.31亿元，对应当前估值 165.4/123.3/91.3x， 首次覆盖，予以“买入”评级。 风险提示： 下游需求不及预期，技术研发不及预期。

6月15日公司官方微信公众号称首台8英寸甚高频去耦合反应离子CCP刻蚀设备PrimoAD-RIE200顺利付运客户生产线。6月月17日公司通过官方能微信公众号推出专为高性能Mii-LED的量产设计的PrismoUiMaxMOCVD设备，该设备帮助LED芯片制造商提高产能的同时能够有效地降低生产成本。 支撑评级的要点8英寸CCP刻蚀设备提供更高性价比的解决方案，进一步巩固公司的刻蚀地位。基于公司成熟的12英寸CCP刻蚀工艺和特性，8英寸的PrimoAD-RIE200进一步提升创新技术和生产效率，可灵活配置多达三个双反应台的反应腔（即六个反应台），并提供可选升级至12英寸刻蚀设备系统的解决方案，灵活应对产线未来扩张的需求。公司的刻蚀设备产品矩阵逐步差异化，可满足不同客户的灵活需求，刻蚀地位有望继续提升。 高性能Mii-LED量产用MOCVD设备已获国内领先客户的订单，积极拥抱抱Mii-LED新浪潮。专为高产量设计的PrismoUiMaxMOCVD设备搭配了众多创新，如多区温度补偿加热系统等，可满足Mii-LED生产所需的优异波长均匀性、重复性、产出稳定性等关键因素，是目前国内外极具创新性的MOCVD设备。在同一系统中可配备多达4个反应腔，通过最优化排布石墨盘晶片，其加工容量可延伸至164片4英寸或72片6英寸晶片的生长，且可通过超大直径石墨托盘降低生产成本。Mii-LED具有高亮度、精确动态响应、高对比度等优点，可运用于众多显示终端，未来成长空间可期，且备受市场关注。叠加Prismo系列已进入全球大多数领先氮化镓基蓝绿光LED制造商，创新产品的推出将有力带动公司在MOCVD领域内抢夺市场份额，继续提升竞争力。据公司官方微信公众号称，该产品已获得国内领先客户的订单，并正与更多客户沟通合作进行设备评估。 积极创新，研发成果商业化可期。公司在6月份共推出了两款创新产品且均持有客户订单，且ICP刻蚀年度交付量大幅增长，公司的研发成果正逐步得到市场认可并进入初步收获期。叠加日益成型的产品平台化，公司的成长属性将更丰富和扎实。 盈利预测和投资建议维持2021-23年公司净利润分别为4.6/6.6/8.4亿元的预测，维持买入评级。 评级面临的主要风险行业景气度高导致设备零部件采购周期拉长；权益工具投资的公允价值变动风险；地缘政治因素的不确定性风险等

2021年6月9日，公司发布最新公告称美国国防部将 AdvancedMicro-Fabrication Equipment Inc. (AMEC) 从中国涉军企业名单中删除，美国人士将不再受限对 AMEC 所发行的有价证券及其相关的衍生品进行交易。此外，当日公司官方微信公众号称ICP 刻蚀设备Primo nanova?第100台反应腔顺利交付。 支撑评级的要点 美国国防部已将AMEC 从中国涉军企业名单中删除。至此，美国人士将不再受限对 AMEC 所发行的有价证券及其相关的衍生品进行交易，也再次验证公司经营的合法合规性以及对各经营地的包括出口管制在内相关法律法规的严格遵守。我们认为公司的外部经营环境得到改善，公司的发展有望更加具备国际竞争力和潜力。 ICP 刻蚀单年度交付量正大幅增长。据中微公司2020年度业绩说明会透露，2016-2020年末ICP 在线运行反应腔数依次是2、8、21、27、55台，换算成逐年新增腔数为2、6、 13、6、28台；截止2021年6月仅单反应台Primo nanova? 交付累计达100台，推导今年年初以来新增腔数不低于45台，比2020全年新增腔数28台至少增长61%。 ICP 刻蚀产品销售放量，刻蚀设备的行业地位将再次显著提升。中微公司Primo nanova? 产品已成功进入海内外十余家客户的晶圆生产线，在领先的逻辑芯片、DRAM 和3D NAND 厂商的生产线上实现大规模量产。根据公司业绩说明会材料，ICP 刻蚀市场规模76亿美元，而CCP 刻蚀市场规模仅为48亿美元，中微公司第100腔Primo nanova? 刻蚀设备的顺利交付，是公司ICP 刻蚀产品业务发展新的里程碑，标志着刻蚀产品发展迈入新的阶段。 围绕刻蚀技术相关环节的产品平台化日益成型。在立足ICP、CCP 刻蚀这一优势领域的基础上，重点向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。在薄膜沉积领域，公司参股的沈阳拓荆在长江存储、华虹无锡项目等主流12寸产线上获得重复PECVD 订单；公司已组建Epi 设备开发团队，主要聚焦Foundry/Logic Device，主要应用于Si、Si/Ge 的Epi 工艺；已组建LPCVD 开发团队，聚焦Memory Device，主要应用于W、WN、TiN等沉积工艺。 盈利预测和投资建议 维持2021-23年公司净利润分别为4.6/6.6/8.4亿元的预测，维持买入评级。 评级面临的主要风险 行业景气度高导致设备零部件采购周期拉长；权益工具投资的公允价值变动风险；地缘政治因素的不确定性风险等。

事件：近期，公司在上证路演中心举办2020年业绩说明会，会上主要内容包括公司CCP刻蚀设备已进入国际一线晶圆代工客户的量产线且有较高的市占率，且2021年年ICP刻蚀设备在线运行机台同比增长100%，标志着公司刻蚀工艺获得重大进展。同时，公司继续“三维发展”战略的平台外延，在泛半导体和新兴领域中积极挖掘新增长点。 支撑评级的要点半导体器件结构立体化、投资密度提升等增加刻蚀设备需求。尽管在7m以下的制程中EUV替代多重曝光减少刻蚀步骤是大势所趋，但同时因刻蚀技术难度增加而使得设备需求量不减反增。逻辑器件的微观尺寸从28m向5m进步时，所需刻蚀步骤数显著增长近3倍；存储器件为突破物理极限增大容量而向3D结构堆叠时，刻蚀设备的投资占比也从2DNAND的20%提升至3DNAND的50%。据应用材料业绩说明会数据显示，目前半导体投资密度从过去的12%提高至14%，且这一比例将保持较长时间。 中微的CCP刻蚀设备本土市占率35%-40%，而而ICP刻蚀设备销售已进入放量阶段。公司的CCP刻蚀设备已可覆盖70%左右的CCP刻蚀工艺，应用范围可覆盖前道制程的65m-5m的微观器件，在国内领先3DNad厂64层产线上市占率34%，128层产线市占率35%，在国内28m晶圆厂的市占率为39%。公司ICPNaova的在线设备2020年达到55个反应腔，工艺应用达到70个，主要用在Logic客户、3DNad客户，中微半导体今年正式发布了新一代ICP刻蚀设备PrimoTwi-Star，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。 局布局Epi、LPCVD、量测、CMP等多种制程设备，扩大目标市场规模。 在立足ICP、CCP刻蚀这一优势领域的基础上，重点向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。在薄膜沉积领域，公司参股的沈阳拓荆在长江存储、华虹无锡项目等主流12寸产线上获得重复PECVD订单；公司已组建Epi设备开发团队，主要聚焦Foudry/LogicDevice，主要应用于Si、Si/Ge的Epi工艺；已组建LPCVD开发团队，聚焦MemoryDevice，主要应用于W、WN、TiN等沉积工艺。 估值事件：近期，公司在上证路演中心举办2020年业绩说明会，会上主要内容包括公司CCP刻蚀设备已进入国际一线晶圆代工客户的量产线且有较高的市占率，且2021年年ICP刻蚀设备在线运行机台同比增长100%，标志着公司刻蚀工艺获得重大进展。同时，公司继续“三维发展”战略的平台外延，在泛半导体和新兴领域中积极挖掘新增长点。 支撑评级的要点半导体器件结构立体化、投资密度提升等增加刻蚀设备需求。尽管在7m以下的制程中EUV替代多重曝光减少刻蚀步骤是大势所趋，但同时因刻蚀技术难度增加而使得设备需求量不减反增。逻辑器件的微观尺寸从28m向5m进步时，所需刻蚀步骤数显著增长近3倍；存储器件为突破物理极限增大容量而向3D结构堆叠时，刻蚀设备的投资占比也从2DNAND的20%提升至3DNAND的50%。据应用材料业绩说明会数据显示，目前半导体投资密度从过去的12%提高至14%，且这一比例将保持较长时间。 中微的CCP刻蚀设备本土市占率35%-40%，而而ICP刻蚀设备销售已进入放量阶段。公司的CCP刻蚀设备已可覆盖70%左右的CCP刻蚀工艺，应用范围可覆盖前道制程的65m-5m的微观器件，在国内领先3DNad厂64层产线上市占率34%，128层产线市占率35%，在国内28m晶圆厂的市占率为39%。公司ICPNaova的在线设备2020年达到55个反应腔，工艺应用达到70个，主要用在Logic客户、3DNad客户，中微半导体今年正式发布了新一代ICP刻蚀设备PrimoTwi-Star，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。 局布局Epi、LPCVD、量测、CMP等多种制程设备，扩大目标市场规模。 在立足ICP、CCP刻蚀这一优势领域的基础上，重点向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。在薄膜沉积领域，公司参股的沈阳拓荆在长江存储、华虹无锡项目等主流12寸产线上获得重复PECVD订单；公司已组建Epi设备开发团队，主要聚焦Foudry/LogicDevice，主要应用于Si、Si/Ge的Epi工艺；已组建LPCVD开发团队，聚焦MemoryDevice，主要应用于W、WN、TiN等沉积工艺。 估值我们预计公司2021-2023年营业收入达到30.8亿元、43.5亿元、53.9亿元，净利润分别达到4.6亿元、6.6亿元、8.4亿元。结合中微优秀的技术团队及发展规划、路径，中长期公司有望成为中国的“应用材料”、“LamResearch”，维持买入评级。 评级面临的主要风险技术迭代被反超的风险；下游客户扩产不及预期的风险；行业景气周期性风险；国际贸易争端加剧的风险。 我们预计公司2021-2023年营业收入达到30.8亿元、43.5亿元、53.9亿元，净利润分别达到4.6亿元、6.6亿元、8.4亿元。结合中微优秀的技术团队及发展规划、路径，中长期公司有望成为中国的“应用材料”、“LamResearch”，维持买入评级。 评级面临的主要风险技术迭代被反超的风险；下游客户扩产不及预期的风险；行业景气周期性风险；国际贸易争端加剧的风险。

三大潜力市场，二大核心竞争力，二大外在优势 定增投入三大潜力市场：1) 中微未来营收及获利成长的动能是从CCP介质刻蚀转到层次较高有30-50%溢价及高毛利率的ICP硅/金属刻蚀;2) 从逻辑转到刻蚀设备占资本开支比较高及要求高深宽比的存储器刻蚀，及转到较高单价/毛利率的关键层刻蚀设备；3)公司未来数年将持续扩大其新设备研发如Mini/Micro LED 外延片MOCVD，化学薄膜沉积，光学检测，化学机械抛光，清洗等等。 存储器刻蚀设备是未来的主力：存储器因微缩制程趋缓，刻蚀设备占总资本开支的比重相对较高达25%,远高于台积电12“ 7/5/3纳米EUV先进制程厂的15%上下。而受惠于国产设备替代的趋势,预计中微能拿下国内存储器大厂刻蚀设备10%的份额，远高于台积电的5%不到，所以这是5倍的不同驱动力。 二大核心竞争力：优秀的管理团队和自主可控的技术，朝向7，5，3纳米晶圆代工CCP和ICP刻蚀机台，以及128层及以上3D NAND 闪存存储器超高深宽比CCP刻蚀机台的研发,中微是少数有国际核心竞争力的国内半导体设备商。 二大外在优势：全球及国内半导体设备市场在2021-2025年将持续同比增长+13-15%及20-30% ，半导体设备国产化率是未来十年中微将享受到的外在优势驱动力。 投资建议 首次覆盖，给予“买入”评级：虽然2021年因缺乏2020年占营收11%的营业外获利,以及定增发行近15%股本可能摊薄EPS, 但结合三大潜力市场将带动4-5年超过30% 营收及获利复合增长率，我们首次覆盖中微公司，给予“买入”评级。在半导体设备行业, 投资人多看3-5 年的长期获利及核心竞争力, 我们给予中微未来12-18个月149元目标价位，相当于60-75倍2023 EPS (CNY$1.99) 或是2-2.5x PEG (中国半导体行业的PEG区间为1.5-2.0x）的区间高档。 风险提示 国内存储器产业延后扩产风险，技术落后风险，MOCVD 设备需求及价格下跌风险，核心管理团队及关键技术人员流失风险，限售股解禁风险。

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公司发布2021年一季度报告，实现营业收入6.03亿元，同比增长46.24%，归属于上市公司股东净利润1.38亿元，同比增长425.36%，归属于上市公司股东扣非净利润为0.11亿元，扭亏为盈。每股收益为0.26元，同比增长420.00%。毛利率为40.92%，比上年同期上升了7.06个百分点。 支撑评级的要点收入结构稳定，毛利率显著提升。2021年一季度，公司实现营业收入6.03亿元，同比增长46.24%，其中得益于半导体行业高景气和公司产品的竞争优势，刻蚀设备收入为3.48亿元，同比增长约63.75%；MOCVD 设备收入为1.33亿元，同比增长76.85%，均实现显著增长，同时刻蚀设备收入占58%，MOCVD 设备收入占22%，收入结构稳定。归属母公司股东净利润为1.38亿元，同比增长425.36%，主要系毛利率40.92%较上年同期增长约7.06个百分点，政府补助较上年同期增加约1.43亿元；本期股份支付费用、职工薪酬、研发耗材增加导致期间费用同比大幅增加，但归属母公司股东扣非净利润对比上年同期扭亏为盈，创历史新高。 刻蚀工艺继续推进，研发成果产业化效果显著。2021年一季度公司研发投入为0.86亿元，同比增长97.99%，占营业收入比例为23.32%，比上年同期增加了5.79个百分点，研发力度显著增强。2020年底在研项目包括但不限于适用于128层以上的3D NAND 的CCP 刻蚀设备、适用于逻辑芯片和存储芯片的ICP 14-7nm 刻蚀设备产业化和适用于Mini -LED 的MOCVD设备等，且公司的12英寸高端刻蚀设备已在5nm 芯片生产线上运用、3nm刻蚀机Alpha 原型机的工艺开发和评估也已经完成，进一步提升公司的刻蚀设备竞争力。公司新的单反应台ICP 刻蚀设备 Primo nanova? 产品已有超过 50项工艺在10家客户的生产线上达到指标要求，并取得客户的重复订单。公司研发的高输出双反应台 ICP 刻蚀设备 Primo Twin-Star? 也在客户端完成认证。 积极践行外延式发展，探索新业绩增长点。公司积极探索布局包括健康领域在内的新业务，已投资光学检测设备、化学薄膜、太阳能电池设备、环保设备、光学镀膜等领域的企业，积极参与公司决策，整体情况向好。 盈利预测和投资建议维持2021-2023年公司净利润分别为4.46/7.50/9.55亿元的预测，维持买入评级。 评级面临的主要风险行业景气度高导致设备零部件采购周期拉长；权益工具投资的公允价值变动风险等。

21Q1年归母净利润同比增长425%，符合市场预期 公司21Q1实现营收6.03亿元，同比增长46.24%；归母净利润1.38亿元，同比增长425.36%；扣非归母净利润0.11亿元，同比扭亏为盈。其中21Q1整体毛利率为40.92%，同比增长7.06pct;净利率22.83%，同比增长16.48pct，均呈现良好趋势。受益于半导体景气度高涨，半导体设备需求较好，且公司产品竞争力突出，呈现供需两旺。由于2020年11月，公司实施股权激励，21Q1增加费用约0.51亿元，若剔除次费用影响，公司归母净利润测算将达1.89亿元，同比增长近6倍。 半导体设备需求旺盛，公司刻蚀设备持续高增长 分产品看，刻蚀设备实现营收3.48亿元，同比增长63.75%；MOCVD设备实现营收1.33亿元，同比增长76.85%。CCP刻蚀设备在逻辑电路方面，成功取得5nm及以下重复订单；存储方面，在64层和128层3DNAND得到广泛应用，且随着3DNAND芯片制造厂产能迅速爬升，重复订单稳步增长。ICP刻蚀新设备已在10家客户进行验证，2020开始逐步取得客户重复订单，在国产存储客户扩产带动下，销售取得较大进展。 拟定增100亿，继续加码高端刻蚀设备生产及研发 4月公告拟定增100亿元，其中31.7亿元用于中微产业化基地建设，拟分别扩充等离子体刻蚀设备、MOCVD设备、热化学CVD设备、环境保护设备630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。37.5亿元用于中微临港总部和研发中心，主要用于128层及以上3DNANDCCP/ICP刻蚀设备、14纳米及以下逻辑器件刻蚀设备、7nm及以下逻辑芯片、17nm及以下DRAM芯片相关ICP设备。30.8亿元用于科技储备资金。 刻蚀设备龙头，给予“增持”评级 公司作为国内刻蚀设备龙头，肩负刻蚀工艺设备全面国产化重任，预计公司净利润分别为5.57/7.34/9.73亿元，对应PE分别为100/76/57倍，给予“增持”评级。 风险提示 产品销售不及预期；市场竞争加剧；国家政策变动。

营收稳健增长，归母净利润受非经常性损益影响大增：公司 2020年实现营业收入 22.73亿元，同比增长 16.8%；实现归母净利润 4.92亿元，同比增加 161.0%，主要由于公司间接持有中芯国际产生公允价值变动收益 2.62亿元及计入非经常性损益的政府补助相比 2019年增加 2.26亿元；实现扣非归母净利润 0.23亿元，同比下降 84.2%，主要系 2020年公司因实施股权激励计划产生股份支付费用约 1.19亿元，若剔除股份支付费用影响，2020年扣非归母净利润为 1.47亿元，同比约减少 0.43%。2020年公司毛利率 37.7%，同比去年提升2.7pct，盈利能力有所提升。2020年经营性活动净额为 8.46亿元，较去年年末 1.33亿元大幅提升。 刻蚀设备贡献业绩增长，MOCVD 受市场影响下滑：2020年公司刻蚀设备受益于半导体设备市场发展以及公司产品的竞争优势，实现收入 12.89亿元，同比增长 58.5%，增速较快；而受市场原因，MOCVD设备 2020年收入为 4.96亿元，同比下降 34.5%。长期来看，刻蚀设备方面，随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽不断缩小、芯片结构 3D 化，晶圆制造向 7纳米、5纳米以及更先进的工艺发展，对刻蚀设备的需求正在提升，根据 Gartner 的预测，刻蚀设备市场规模将由 2020年约 123亿美元增长至 2024年约 152亿美元；MOCVD设备方面，在 Mini LED 背光及直接显示市场需求的推动下，近两年高端显示类的 LED 外延片需求量增加明显。基于 Micro LED 的高端显示应用也开始小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的市场需求，此外紫外 LED 亦是未来 LED 应用的重点方向。近期受新冠疫情影响，大众杀菌、消毒意识明显上升，正促进紫外 LED 产业的发展。 研发支出支撑核心竞争力，半导体设备需求正旺：2020年公司研发费用投入 3.3亿元，研发费用占营收比重 14.6%，同比提升 2.6pct，2020年研发投入总额为 6.40亿元，其中包含股份支付费用 0.49亿元。若剔除股份支付费用的影响，2020年全年研发投入总额为 5.91亿元，较 2019年的研发投入总额增长 39.2%，主要用于研究开发新的工艺，主要包括存储器刻蚀的 CCP 和 ICP 刻蚀设备、Mini-LED大规模生产的高输出量 MOCVD 设备、Micro-LED 应用的新型MOCVD 设备等，支撑公司核心竞争力的提升。当前半导体行业景气度走高，2020年第四季度以来，随着疫情的逐步好转，芯片需求逐步提升，厂商进入被动去库存阶段。目前芯片短缺的情况显现，扩产计划也相继推出。作为关系到国计民生和战略安全的领域，集成电路楷体 的自主可控迫在眉睫，公司具备核心竞争力，设备中标率有望在这一轮上游企业扩产的过程中增加，具备较大进口替代的潜力和市场空间。 维持“增持”评级。考虑到公司主要产品下游需求的变化，以及公司股权激励、股权投资等对盈利的影响，并暂不考虑此次定增的影响，预计公司 2021-2023年营业收入分别为 29.9亿元、42.3亿元、59.2亿元，归母净利润分别为 6.26亿元、8.43亿元、11.0亿元，动态PE 分别为 99、74、56倍，维持“增持”评级。

事件：公司公布2020年年度报告，全年实现营收22.73亿元，同比增长16.76%；实现归母净利润4.92亿元，同比增长161.02%；扣非后归母净利润0.23亿元，同比下降84.19%。Q4季度实现营收7.97亿元，同比增长9.26%，环比增长60.04%；实现归母净利润2.15亿元，同比增长301.25%，环比增长36.08%；扣非后归母净利润0.69亿元，同比增长144.56%，环比扭亏。 毛利率逐季提升，研发投入保持高水平：2020年公司归母净利润大幅增长，主要系1.中芯国际投资公允价值变动收益2.62亿元2.2020年计入非经常性损益的政府补助较2019年增加约2.26亿元。Q4扣非后归母净利润同比大幅增长，环比扭亏。毛利率方面，公司Q1-Q4毛利率分别为33.86%，33.96%，36.46%，43.02%，毛利率逐季提升，盈利能力逐步增强。公司在开发、设计和制造刻蚀设备和MOCVD等设备的过程中，始终注重差异化并保持高强度的研发投入，全年研发投入达6.40亿元，占营业收入的比重为28.14%。 创新驱动核心技术加速突破，大客户市场加速渗透：：公司注重核心技术创新，多种先进设备已实现批量供货。刻蚀设备方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户65纳米到5纳米等先进的芯片生产线上；同时，公司已开发出小于5纳米刻蚀设备，并已获得客户的批量订单。MOCVD设备方面，PrismoD-Blue、PrismoA7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力，其中PrismoA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。此外，公司研发了用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PrismoHiT3，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复订单；制造功率器件用MOCVD已在客户芯片生产线上投入试用；用于MiiLED生产的MOCVD设备的研发工作亦进展顺利，已有设备在领先客户端开始进行生产验证。 本土晶圆厂产能加速扩张，半导体设备需求有望保持高景气：目前晶代工行业产能紧张，尤其对成熟制程的需求强劲，各大晶圆厂纷纷开启扩产计划。中芯国际计划今年成熟12英寸产线扩产1万片，成熟8英寸产线扩产不少于4.5万片。华虹半导体也将在2021年通过12英寸生产平台进一步扩产，此外，华润微、士兰微等IDM厂商也在积极进行产能爬坡，伴随各大晶圆厂产能逐渐释放，半导体相关配套设备环节将迎来需求旺季，本土相关龙头公司有望优先受益。 持维持“推荐””评级：：我们看好公司半导体设备受益半导体供给端产能扩张，并持续提升市场份额，预计公司2021年-2023年的归母净利润分别为4.42/6.55/7.52亿元，EPS为0.83/1.22/1.41元，对应PE分别约为130X、88X、76X，维持“推荐”评级。 风险提示：技术突破不及预期；半导体行业扩张不及预期；LED新兴应用发展不及预期；中美科技摩擦加剧

国内半导体设备龙头，业绩符合预期，维持“买入”评级公司2020年营收22.73亿元，同比+16.76%；归母净利润为4.92亿元，同比+161.02%；扣非归母净利润为0.23亿元，同比-84.19%。2020Q4单季度营收7.97亿元，同比+9.26%，环比+60.07%；归母净利润2.15亿元，同比+301.25%，环比+36.34%；扣非归母净利润0.69亿元，同比+144.56%，环比扭亏为盈。目前半导体景气度维持高位，公司增长潜力充足，我们上调2021-2022年盈利预测并新增2023年业绩预测，2021-2023年归母净利润预计为5.48（+0.70）/7.85（+1.01）/9.72亿元，EPS预计为1.03（+0.14）/1.47（+0.19）/1.82元，当前股价对应PE为112.1/78.3/63.2倍，维持“买入”评级。 刻蚀设备国产替代加速进行，内国内MOCVD设备市场迎来机遇公司2020年刻蚀设备收入12.89亿元，同比+58.49%。据Gartner的预测，刻蚀设备市场规模将由2020年123亿美元增长至2024年152亿美元，据亚化咨询统计，截至2020年12月16日，长江存储共招标的348台刻蚀设备中，公司中标50台，占比达14%，随着国内存储产线积极扩产及“大基金”的持续投入，刻蚀设备国产替代有望加速进行。受新冠肺炎疫情影响，LED产业链受到影响，公司2020年MOCVD设备收入4.96亿元，同比-34.47%，但随着疫情逐步控制，MOCVD设备在MiniLED、MicroLED、功率器件等诸多新兴领域得到应用，市场规模将有望进一步扩大。 多维度技术突破，扩展业务布局，前景可期公司新一代ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star，应用于65nm到5nm工艺的众多应用，已收到国内领先客户的订单，深紫外光LED的MOCVD设备已在行业领先客户端成功验证，MiniLED、MicroLED、功率器件等应用的MOCVD设备正在开发中。公司与德国DAS公司正式签订战略合作协议，布局VOC处理设备。 2020年公司拟定增募资不超过100亿元用于开发新工艺及扩大产能，前景可期。 风险提示：下游需求不及预期、公司新产品开发验证不及预期财务摘要和估值指标指标2019A2020A2021E2022E