营收和订单快速增长：24H1营收同增36%至34.5亿元，归母净利润同减48%至5.17亿元，主要因为23H1投资收益税后净收益约4.06亿元及24H1研发费用同增2.76亿元。24H1毛利率下滑至41.3%，因公司根据会计准则变化，将预计产品质量保证损失9,478万元计入营业成本。24H1公司新增订单同增40%至47.0亿元，预计前三季超75亿元，同增超50%；全年将达110-130亿元，全年付运台数将增长超200%。公司生产专用设备833腔，同增约420%，对应产值同增约402%至68.7亿元，为全年出货及确认收入打下基础。发出商品余额6月末约27.7亿元，较期初增长19.0亿元；合同负债余额约25.4亿元，较期初增长约17.6亿元。 刻蚀设备持续高增长：营收同增57%至27亿元，新增订单同增51%至39.4亿元。 针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，CCP和ICP刻蚀设备在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升。公司大力投入先进芯片制造中关键刻蚀设备研发和验证，针对最关键刻蚀工艺的多款设备已在客户产线验证。公司自主开发的PrimoUD-RIE已在生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力，公司积极布局超低温刻蚀技术，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀的前卫技术。多款ICP设备在先进逻辑芯片、先进DRAM和3DNAND产线验证推进顺利并陆续取得批量订单。晶圆边缘Bevel刻蚀设备完成开发，将进入客户验证，TSV硅通孔刻蚀设备更多应用在先进封装和MEMS器件生产。 薄膜沉积设备开始贡献：公司新产品LPCVD设备实现首台销售，上半年收入0.28亿元，新增订单1.68亿元；已有多款新型薄膜沉积设备产品进入市场，其中部分设备已获重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率。 公司已形成EPI设备自主知识产权及创新的预处理和外延反应腔的设计方案，EPI设备已顺利进入客户验证阶段，以满足先进制程中锗硅外延生长工艺的需求。 我们预测公司24-26年归母净利润分别为14.4、23.1、31.3亿元（原24-25年预测为21.1、26.5亿元，主要调整了毛利率和研发费用率），采用DCF估值法，给予175.25元目标价，维持买入评级。 风险提示研发费用增长影响盈利；晶圆厂扩产进度影响后续新增订单增长；业绩不及预期。

事件：公司发布 24H1中报及 2024年订单情况【24H1】 收入 34.48亿元，同增 36%； 归母净利 5.17亿元，同减 48%； 扣非归母净利 4.83亿元，同减 7%； 毛利率 41.32%，同减 2.59pcts。 净利率 14.97%，同减 24.70pcts；净利率同减程度较大，主要系： 1） 23H1公司出售部分持有的拓荆科技股权，产生较大体量的投资收益，使得 23H1基数较高。该项出售产生 4.77亿元的投资收益，对同期净利率产生近 19pcts 的正向贡献——而 24H1公司投资收益仅为 0.12亿元。 2）含税金的期间费用率同比增 4.74pcts，其中研发费用率从 23H1的 11.55%提升至 24H1的 16.47%，带来 4.92pcts 的提升， 24H1销售费用率同比降 1.83pcts 部分抵消了研发费用率对净利率的压力。 3） 24H1毛利率同减 2.59pcts，毛利率减少系客户、产品结构带来的正常波动。 【24Q2】 收入 18.43亿元，同增 41%、环增 15%； 归母净利 2.68亿元，同减 63%、环增 7%； 同比减少主要系公司出售部分持有的拓荆科技股权，发生时间在 23Q2，使得 23Q2归母净利基数较高； 扣非归母净利 2.20亿元，同减 24%、环减 16%； 24Q2公司执行新的会计准则，将质保费用从原来的销售费用挪入营业成本，使得表观毛利率为 38.17%。为与 23Q2和 24Q1同口径比较，需从营业成本中减去质保费用 9477.58万元，减去质保费用后的毛利率为 43.31%，同减 2.59pcts、环减 1.63pcts。 净利率 14.51%，同减 41.29pcts——主要因 23Q2出售股权带来的巨额净收益造成的单季净利高基数，环减 0.99pcts。 【订单】 据公告，公司 24H1新签订单 47亿，同增 40%； 24年前三季度新增订单 75亿，同比增超 50%。公司预计 2024年新签订单在 110至 130亿元，较 2023年新签的 83.6亿元增长 32%至 56%。 ? 收入、订单、合同负债、产量共同指向高增态势，高强研发使得净利承压1）营收。 24H1和 24Q2，公司营收分别同增 36%、 41%，呈现加速态势。 2）订单。 半导体设备订单交付期较长，通常指引下一年营收体量。 24H1、 24Q1-Q3、 2024全年公司新签订单增速分别为 40%、超 50%、 32%至 56%， 24H2相比 24H1亦呈现加速态势。 3）合同负债。 24H1末公司合同负债（预收款） 25.35亿元，相较于 2023年末的 7.72亿元增长 17.63亿元，显现良好的在手订单增长态势。 4）产量。 24H1公司生产专用设备 833腔，同增 420%；对应产值 68.65亿元，同增 402%，为本年度出货及确收奠定良好基础。与此同时， 公司保持高强度研发，使得净利有所承压： 24H1公司研发费用 5.68亿元，同增 95%，占营收比重达 16.47%、同比升 4.92pcts。研发费用对应研发队伍的快速壮大，截至 24Q2季末，公司研发人员数量 967人，较去年同期的 634人增长 53%。 ? 先进设备研发取得重要突破，高深宽比刻蚀在 24H1验证成功、进入量产1）高端存储： 超高深宽比设备进入量产状态。 24H1，超低频偏压射频的 ICP 刻蚀机（≥40: 1）和超低频高功率偏压射频的 CCP 刻蚀机(≥60:1)均已验证成功，进入量产状态。超高深宽比刻蚀设备用于先进存储最关键的超高深宽比结构刻蚀的制造，有望打破国外设备公司的垄断。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀的前卫技术。 2）先进逻辑： CCP 多台 Beta 机通过客户验证、 ICP Beta 机在客户开展更多验证。公司用于 7nm 以下逻辑的 CCP刻蚀机处于工艺开发阶段 ,多台 Beta 机已交付客户并通过了客户验证，用于 5-3nm 逻辑的ICP 刻蚀机，其 Beta 机台继续在客户端开展更多制程的验证。公司多款 ICP 设备在先进逻辑芯片、先进 DRAM 和 3D NAND 产线验证推进顺利并陆续取得客户批量订单。 3）薄膜设备： 多款新品进入市场。钨系列薄膜可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单；公司近期还规划多款 CVD 和 ALD 设备，增加覆盖度；公司 EPI 设备已顺利进入客户验证阶段。 4） MOCVD 新兴领域拓展顺利。 Micro-LED 专用设备开发顺利，送至客户验证；碳化硅外延设备付运客户验证；氮化镓 MOCVD 设备按计划顺利开发。 ? 先进封装+化合物拓宽赛道【先进封装 TSV 刻蚀有望高增】 TSV 工艺为 2.5D CoWoS 和 3D SoIC 封装的必备工艺，随着AI 芯片需求爆发，有望带来对公司 TSV 设备需求的快速增长。公司的 TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装生产，此外公司先进封装用 PVD 设备已完成 3D design fix。 【碳化硅助力 MOCVD 成长】 公司碳化硅外延设备已于本期付运到客户端开展验证测试；制造 Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备也已在客户端验证测试。 【超构透镜和微机电系统取得良好进展】 公司与国际领先客户合作，在超构透镜（Metalenses）和基于 12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得良好进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。 ? 盈利预测： 鉴于公司 24H1毛利率波动对净利的影响，我们调整公司 2024-26年净利预测至 18.0/24.2/33.4亿元（原预测为 21.2/26.8/34.7亿元），对应 PE 分别为 44/33/24X。展望 2024年公司订单饱满，业绩向上趋势显著，维持“买入”评级。 ? 风险提示： 刻蚀/MOCVD 设备新品市场开拓不及预期；先进封装需求不及预期；下游客户招标不及预期。

中微公司发布 2024年半年度报告： 2024年上半年公司实现营业收入 34.48亿元，同比增长 36.46%；实现归属于上市公司股东的净利润 5.17亿元，同比减少 48.48%； 实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 4.83亿元，同比下降 6.88%。 投资要点 营业收入稳步增加， 盈利能力短期承压2024年上半年， 存储器件制造以及先进逻辑制程的升级对刻蚀技术要求提升，公司刻蚀设备显著放量，推动公司营收大幅增长。 盈利能力方面， 新企业会计准则规定保证类质保费用应计入营业成本，公司毛利率有所下降； 此外期间费用有所增长， 其中研发费用大幅增长，同比增加 94.58%，盈利能力短期承压。 先进逻辑和存储驱动刻蚀和沉积设备显著增长2024年上半年， 刻蚀设备收入为 26.98亿元， 同比增长约56.68%， 刻蚀设备占营业收入的比重由 2023年上半年的68.16%提升至 2024年上半年的 78.26%。 公司的等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可， 其中公司 2024年上半年 CCP 刻蚀设备超过 2023年全年付运量。 ICP 设备中Primo Nanova 系列产品在客户端安装腔体数近三年实现超过70%的年均复合增长； 公司开发的 CVD 钨设备已通过关键存储客户端现场验证，此外中微公司开发的 ALD 钨设备可满足三维存储器件需求，已获得客户验证和重复量产订单， 未来成长可期。 氮化镓基 MOCVD 设备国际领先， 成长空间广阔公司 MOCVD 设备销售约 1.52亿元，同比下降约 49.04%，短期有所承压。公司的 MOCVD 主要应用在照明、显示以及功率器件领域， 累计 MOCVD 产品出货量超过 500腔，持续保持国际氮化镓基 MOCVD 设备市场领先地位。 市场机构预测到 2026年，全球每年需求超过 800台 MOCVD 设备， 公司将继续开发照明、显示领域，包括 MiniLED、 MicroLED 以及功率器件等等领域的外延设备。公司预计可以覆盖大约 75%的 MOCVD 设备市场， 未来市场空间广阔。 盈利预测预测公司 2024-2026年收入分别为 81.54、 107.67、 141.21亿元， EPS 分别为 2.94、 3.58、 4.49元，当前股价对应 PE分别为 44.4、 36.5、 29.1倍。 随着先进逻辑制程和存储的升级，对刻蚀和沉积设备需求提升， 后续营收和利润有望稳定提升，维持“买入” 投资评级。 风险提示宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

事件概述公司发布2024年中报。 刻蚀设备快速放量，新接订单//发货持续高增2024H1公司实现营收34.48亿元，同比+36.46%，其中Q2营收18.43亿元，同比+41.37%，好于市场预期。分产品看：24H1刻蚀设备实现收入26.98亿元，同比+56.68%，占营收比重78.26%，同比+10.1pct；24H1MOCVD实现收入1.52亿元，同比-49.04%，短期主要受终端市场波动影响；24H1新增LPCVD设备收入0.28亿元，新品逻辑初步兑现。截至24H1，公司存货和合同负债分别为67.78和25.35亿元，分别环比+21.39%和+116.85%，主要系公司订单及机台产量和发货量显著增长所致；24H1公司共生产专用设备833腔，对应产值68.65亿元，同比+402%；24H1公司新接订单47.0亿元，同比+40.3%，其中刻蚀设备新增订单39.4亿元，同比+50.7%，LPCVD新增订单1.68亿元。充足的在手订单为公司后续营收端快速增长提供支撑。 研发投入力度进一步加大，非经常损益压制利润端表现2024H1公司归母净利润和扣非归母净利润分别为5.17和4.83亿元，分别同比-48.48%和-6.88%，其中Q2归母净利润和扣非归母净利润分别为2.68和2.20亿元，分别同比-63.23%和-24.32%，短期盈利承压。2024H1销售净利率和扣非销售净利率分别为14.97%和14.02%，分别同比-24.7和-6.52pct，盈利水平有所下降。1）毛利端：24H1销售毛利率为41.32%，同比-4.57pct，略有所下降，主要系会计准则调整，24H1预计产品质量保证损失0.95亿元计入营业成本，对毛利率影响约2.75pct，此外我们推测产品、客户结构变化对毛利率也有一定影响；2）费用端：24H期间费用率为26.45%，同比+4.64pct，其中销售、管理、研发和财务费用率同比-1.83/+0.78/+4.92/+0.77pct，研发费用率大幅提升主要系研发投入加大，24H1研发投入9.70亿元，同比+110.84%，目前在研项目涵盖六类设备，20多个新设备的开发。3）2023H1公司出售拓荆科技股票产生税后净收益约4.06亿元，2024H1无相关收益，非经常损益大幅下降。 加大刻蚀、薄膜沉积设备等产品线研发，平台化布局顺利推进1）刻蚀设备：大力投入先进制程关键刻蚀设备的研发和验证，已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的量产能力，并积极储备更高深宽比结构（≥90:1）刻蚀技术，多款ICP设备在先进逻辑芯片、先进DRAM和3DNAND产线验证推进顺利并陆续取得客户批量订单。晶圆边缘Bevel刻蚀设备完成开发，公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和MEMS器件生产。2）薄膜沉积设备：完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，取得了客户订单，公司近期已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场；EPI设备已顺利进入客户验证阶段。3）MOCVD：Micro-LED应用的专用MOCVD设备开发顺利，已付运样机至国内领先客户开展生产验证，下一代用于氮化镓功率器件制造的MOCVD设备也正在按计划顺利开发中。 投资建议我们上调公司2024-2025年营业收入分别为83.19、108.89亿元（原值为80.10、100.13亿元），新增2026年营业收入预测为140.00亿元，同比增速分别为32.8%、30.9%和28.6%；我们上调2024-2025年归母净利润分别为18.29、24.04亿元（原值为18.20、22.05亿元），新增2026年归母净利润预测为32.10亿元，同比增速分别为2.4%、31.4%和33.6%；受股本数变动影响，我们调整2024-2025年EPS分别为2.94、3.87元（原值为2.95、3.58元），新增2026年EPS预测为5.17元。2024/08/26股价130.46元对应PE分别为44、34和25，投资评级由“买入”下调至“增持”评级。 风险提示半导体行业景气度下滑，新品研发不及预期等。

事件：公司发布了2023年年度报告、2024年一季度报告，2023年全年公司营收62.64亿元，同比+32.15%；归母净利润17.86亿元，同比+52.67%；扣非净利润11.91亿元，同比+29.58%。公司2024年Q1营收16.05亿元，同比+31.23%，环比-27.77%；归母净利润2.49亿元，同比-9.53%，环比-60.21%；扣非净利润2.63亿元，同比+15.40%，环比-42.56%。 业绩整体持续增长，规模效应逐渐显现：2023年，公司业务规模持续扩大，刻蚀设备销售收入快速增长，这使得公司业绩实现快速增长。2023年公司毛利率为45.83%，同比+0.09pct；净利率为28.48%，同比+3.84pcts，公司盈利能力维持较高水平。费用方面，2023年公司销售/管理/研发/财务费用率分别为7.85%/5.49%/13.04%/-1.39%，同比变动分别为-0.77/+0.51/+0.27/+1.80pcts，管理费用增加主因系公司23年职工薪酬同比增加及股份支付费用增加。24年Q1，公司的CCP刻蚀设备和ICP刻蚀设备在国内主要客户芯片生产线上渗透率持续提升，公司业绩整体保持同比增长；营收同比增长但归母净利润同比下降的主因系股价下跌，公司公允价值变动收益大幅下降及政府补助收益减少。 持续投入设备研发，部分设备已获复购订单：基于客户旺盛的需求和对市场的信心，公司继续加大研发力度，积极推动多款新产品研发。刻蚀设备研发方面，公司根据技术发展及客户需求，大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前，公司的多款关键刻蚀工艺设备已经在客户产线上展开验证；公司的晶圆边缘Bevel刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证；公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越广泛地应用在先进封装和MEMS器件生产。薄膜沉积设备研发方面，公司目前已有多款设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 MOCVD设备研发方面，用于碳化硅功率器件外延生产的设备已于一季度交付到客户端开展验证测试；制造Micro-LED应用的新型MOCVD设备也已在客户端进行验证测试。紧抓市场发展机遇，前瞻性布局高端设备：根据SIA数据，2023年全球半导体产业销售总额为5,268亿美元，并预计2024年全球半导体产业销售额将实现两位数的增长。公司紧跟市场发展趋势，提前布局高端设备，在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于5纳米及以下器件中若干个关键步骤的加工。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于128层及以上的量产，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺。公司的MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔34片4英寸和41片4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。 公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的12英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及满足128层及以上3DNAND的多个工艺的制程要求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备的开发和工艺验证。 上调盈利预测，维持“增持”评级：公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。我们看好下游半导体制造产业增长趋势，公司持续深耕集成电路关键设备领域，未来公司业绩有望受益半导体产业发展进而持续增长。 考虑到公司新增订单充足，并结合公司业绩表现，故上调盈利预测。预计公司2024-2026年归母净利润为20.10/26.11/33.40亿元，对应EPS为3.24/4.21/5.39元，对应PE为43/33/26倍。 风险提示：上游供应链产能紧张风险；下游客户扩产不及预期；国际贸易摩擦加剧风险；市场竞争加剧风险。

事件描述2024Q1，公司实现营业收入 16.05 亿元，同比+31.23%，实现归母净利润 2.49 亿元，同比-9.53%，实现扣非归母净利润 2.63 亿元，同比+15.40%。 事件评论 刻蚀设备销售收入增长带动整体营收增长。公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升。 2024Q1 刻蚀设备实现收入 13.35 亿元，同比增长约 64.05%，刻蚀设备收入占比由上年同期的 66.55%提升至本期的 83.20%。 MOCVD 设备受终端市场波动影响， 2024Q1MOCVD 设备收入约 0.38 亿元，同比下降约 77.28%。由于半导体下游客户的产能利用率波动影响，本期备品备件及服务收入约 2.32 亿元，较上年同期下降约 4.38%。 非经常性损益亏损，主要系持有股票价值变动影响。 2024Q1 非经常性损益为亏损 0.14亿元，较上年同期的盈利 0.48 亿元减少约 0.61 亿元。非经常性损益的变动主要系：（ 1）由于 2024Q1 二级市场股价下跌，公司持有的以公允价值计量的股权投资本期公允价值减少约 0.41 亿元；（ 2）本期计入非经常性损益的政府补助收益为 0.14 亿元，较上年同期的 0.37 亿元减少约 0.23 亿元。 存货增长，系订单增长、生产量增加，公司采购原材料增加所致。此外生产机台及向客户付运机台增加，也导致存货余额中发出商品部分增长。以上存货变动有望支撑公司长期成长。 2024Q1 公司刻蚀设备产量显著提升，截至 2024Q1 末公司发出商品余额 19.23 亿元，较期初余额的 8.68 亿元增长 10.55 亿元。 刻蚀设备持续投入研发，在先进芯片制造中竞争力突出。公司投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证。晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证，公司的 TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和 MEMS 器件生产。 通过自研+投资形成平台化布局，薄膜设备开发取得明显成效。公司目前已有多款设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证，取得了客户订单。公司近期已规划多款 CVD和 ALD 设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 预计 2024-2026 年公司实现归母净利润 20.17/26.01/32.82 亿元，对应 PE 41/32/25 倍，维持“买入”评级。 风险提示1、限制政策进一步加剧风险；2、半导体制造端景气度恢复不及预期风险；3、公司刻蚀设备新工艺验证进度不达预期风险

中微公司发布2024年第一季度报告：2024年一季度公司实现营业收入16.05亿元，同比增长31.23%；实现归母净利润2.49亿元，同比下降9.53%；实现扣非归母净利润2.63亿元，同比增长15.40%。 投资要点Q1营收同比增长，刻蚀设备营收显著提升2024年一季度公司营业收入为16.05亿元，同比增长31.23%。公司的刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，一季度刻蚀设备实现收入13.35亿元，同比增长约64.05%，占营业收入的比重也提升至83.20%。除刻蚀设备外，公司MOCVD设备已经在国内蓝绿光LED生产线上占据领先的市占率，受终端市场波动影响，一季度MOCVD设备收入约0.38亿元，同比下降约77.28%；备品备件及服务收入约2.32亿元，由于半导体下游客户的产能利用率波动影响，同比下降约4.38%。一季度公司归母净利润为2.49亿元，同比下降约9.53%，主要原因是公司持有的股权投资公允价值变动和政府补助收益变动导致的非经常性损益同比减少约0.61亿元。 刻蚀设备验证顺利，市占率大幅提升公司主营产品等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2023年公司CCP和ICP刻蚀设备均在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升。公司根据技术发展及客户需求，大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，针对DRAM和3DNAND器件制造中最关键的高深宽比刻蚀工艺自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的PrimoUD-RIE已经在生产线验证出具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力。晶圆边缘Bevel刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证，公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和MEMS器件生产。 薄膜沉积设备获得重复性订单，研发项目持续推进公司目前已有多款薄膜沉积设备产品进入市场。2023年公司新开发出4款薄膜沉积产品。公司首台CVD钨设备付运到关键存储客户端验证评估，已通过客户现场验证，满足金属互联钨制程各项性能指标，并获得客户重复量产订单。公司钨系列薄膜沉积产品可覆盖存储器件所有钨应用，并已完成多家逻辑和存储客户对CVD/HAR/ALDW钨设备的验证，取得了客户订单。公司开发的应用于高端存储和逻辑器件的ALD氮化钛设备也在稳步推进，实验室测试结果显示，设备的薄膜均一性和产能均表现出世界领先水平。在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，公司已规划多款CVD和ALD设备，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。 盈利预测预测公司2024-2026年收入分别为83.29、108.31、138.73亿元，EPS分别为3.23、4.08、5.32元，当前股价对应PE分别为40.2、31.8、24.4倍，一季度公司刻蚀设备营收同比增长显著，验证顺利，市占率大幅提升，薄膜沉积设备获得重复性订单，随着对半导体设备的持续需求，公司业绩有望持续增长，维持“买入”投资评级。 风险提示宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。

1Q24营收同比增长 31%， 非经损益减少和费用增加致归母净利润略微下滑。 1Q24公司实现营业收入 16.05亿元（YoY +31.2%， QoQ -27.8%） ， 归母净利润 2.49亿元（YoY -9.5%， QoQ -60.2%） ， 扣非归母净利润 2.63亿元（YoY+15.4%， QoQ -42.6%） ， 业绩环比下降系季节因素， 归母净利润同比下降主因： 1） 1Q24非经常性损益由于公司所持有以公允价值计量的股权投资的公允价值因股价下跌同比减少约 0.41亿元、 政府补助同比减少 0.23亿元； 2）期间费用同比增加， 其中研发费用 2.14亿元（YoY +62.1%） 、 销售费用 0.73亿元（YoY +42.7%） 、 管理费用 0.73亿元（YoY +32.7%） 。 刻蚀设备销售额同比增长 64%， 存货和合同负债增长显示订单饱满。 1Q24公司刻蚀设备实现收入13.35亿元（YoY +64.1%），营收比重增长至83.2%（1Q23： 66.6%）；受 LED 终端市场波动影响，MOCVD 设备收入 0.38亿元（YoY -77.3%）； 由于半导体下游客户的产能利用率波动影响， 备品备件及服务收入约 2.32亿元（YoY -4.4%） 。 截至 1Q24末， 合同负债增至 11.69亿元（QoQ +51.5%），系刻蚀设备的产量和发货量增长显著， 公司收到较多发货款导致合同负债余额增加； 存货增长至 55.84亿元（QoQ +31.1%） ， 系订单增长下公司采购原材料， 大量生产机台及向客户付运机台。 先进工艺刻蚀机验证顺利， 薄膜沉积工艺覆盖度提升。 2023年， 公司 CCP和 ICP 刻蚀设备在国内主要客户芯片生产线上市占率大幅提升， 针对 28nm及以下大马士革工艺的 CCP 刻蚀机已进入国内领先客户开展现场验证， 超高深宽比刻蚀机在先进存储厂验证， TSV 刻蚀设越来越多被应用于先进封装和MEMS 器件生产。 已有四款 LPCVD 设备和 ALD 设备进入市场， 其中三款已获得客户认证， 并开始获得重复性订单， 其他十多种薄膜沉积设备将陆续进入市场。新开发和硅和锗硅外延 EPI 设备、硅片的 EPI 外延设备和晶圆边缘 Bevel刻蚀设备等多个新产品也会于近期投入市场验证。 投资建议： 国内半导体先进工艺设备公司， 维持“买入” 评级。 我们维持 2024-2026年营业收入 83.79/105.37/132.25亿元、 归母净利润20.51/25.89/34.07亿 元 的 盈 利 预 测 ， 当 前 股 价 对 应 2024-2026年40.8/32.3/24.5倍 PE， 维持“买入” 评级。 风险提示： 下游晶圆制造产能扩充不及预期风险， 新产品开发不及预期的风险， 国际关系波动风险等。

公司 2024Q1营业收入同比持续增长， 维持“买入”评级公司发布 2024年一季报， 公司 2024Q1实现营收 16.05亿元， YoY+31.23%，QoQ-27.77%； 实现归母净利润 2.49亿元， YoY-9.53%， QoQ-60.21%；扣非净利润 2.63亿元， YoY+15.4%， QoQ-42.56%； 毛利率 44.94%， YoY-0.88pcts；净利率 15.52%， YoY-12.65pcts。 我们维持公司 2024-2026年盈利预测 ，预计2024/2025/2026年归母净利润为 20.92/27.73/36.25亿元，EPS 为 3.37/4.47/5.85元，当前股价对应 PE 为 40/30.2/23.1倍， 公司作为国内刻蚀龙头，往平台型公司方向加速拓展， 维持“买入”评级。 非经常性损益影响净利， 强化研发投入持续拓展新品公司 2024Q1归母净利润同比约-9.53%， 主要系 2024Q1收入和毛利增长下，非经常性损益为亏损 0.14亿元， 同比约-0.61亿元； 非经常性损益的变动主要系： （1）由于 2024一季度二级市场股价下跌，公司持有的股权投资本期公允价值减少约 4077万元， 同比-0.41亿元； （2）本期计入非经常性损益的政府补助收益为0.14亿元， 同比减少约 0.23亿元。 2024Q1扣非净利率环比-2.25pcts， 主要系2024Q1研发费用 3.6亿元，同比+62.43%。基于客户旺盛的需求和对市场的信心，公司继续加大研发力度，积极推动多款新产品研发。 刻蚀设备发货量增长显著， 多款产品验证进展顺利截至 2024Q1，公司合同负债余额 11.69亿元，较年初增长 51.51%。主要系 2024Q1刻蚀设备的产量和发货量增长显著，公司收到较多发货款导致合同负债余额增加。 刻蚀设备研发方面： 针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工艺的多款设备已经在客户产线上展开验证； 晶圆边缘 Beve 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证； TSV 硅通孔刻蚀设备也越来越多地应用在先进封装和 MEMS 器件生产。 薄膜沉积： 已有多款设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进。 风险提示： 晶圆厂扩产不及预期； 新品验证不及预期；市场竞争格局加剧。

事件概述：公司发布 24Q1季报当季营收 16.05亿元，同增 31%、环降 28%;归母净利润 2.49亿元，同降 10%、环降 60%;扣非净利 2.63亿元，同比增长 15%、环降 43%；毛利率 44.94%，同减 0.93pcts、环减 0.88pcts。 24Q1公司刻蚀设备产品、发货量显著增长，带动合同负债余额、存货余额的显著增加：季末合同负债 11.69亿元，较期初增加 3.97亿元；季末存货 55.84亿元，较期初增加 13.24亿元，主要系存货中发出商品余额 19.23亿元，较期初增加 10.55亿元。 刻蚀 Q1增势迅猛，投资损益、高强研发拖累盈利24Q1营收增长超 30%，主要系刻蚀设备当季营收增长超 64%达 13.35亿元、营收占比从 23Q1的 66.55%提至 83.20%。此外，受市场景气波动影响，当季 MOCVD 收入 0.38亿元、同降 77%，备品备件及服务收入 2.32亿元，同降 4%。 当季归母净利同比降 10%，主要系：1）持有的上市公司股权公允价值减少 4077万元，同比减少 0.41亿元；2）政府补助较上年同期减少 0.23亿元。扣非归母净利当季同增 15%，增速不及营收增速，主要系公司加大研发力度和客户验证，当季研发费用增长 0.83亿，销售和管理费用分别增长 0.39和 0.18亿元，期间费用合计增加 1.4亿元。 刻蚀放量，薄膜设备加速突破【国产化加速刻蚀放量】1）收入增速高：22-23年刻蚀业务增速分别为 57%/49%，高于同期公司总体收入增速 53%/32%；2）新签订单增长快：23年刻蚀新签订单增速达 60%；3）新品迭出：超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)的解决方案可用于存储芯片制造；ICP 推出 VE HP 和 LUX 两款新设备，在高端逻辑&存储覆盖率有望大幅提升；晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证。 【薄膜沉积加速突破】1）多款薄膜类设备进入市场，部分获得重复性订单，其他多个关键薄膜设备研发顺利推进；2）钨系列薄膜沉积产品完成多家客户 CVD/HAR/ALD W 钨设备的验证、取得订单；3）近期规划多款 CVD 和 ALD 设备，增加薄膜设备覆盖率。 先进封装+化合物拓宽赛道【先进封装 TSV 刻蚀有望高增】TSV 工艺为 2.5D CoWoS 和 3D SoIC 封装的必备工艺，随着 AI 芯片需求爆发，有望带来对公司 TSV 设备需求的快速增长。 【碳化硅助力 MOCVD 成长】碳化硅外延设备已于本期付运到客户端开展验证测试；制造Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备也已在客户端验证测试。 投资建议我们维持公司 2024-26年净利预测 21.2/26.8/34.7亿元不变，对应 PE 分别为 40/31/24X。展望 2024年公司在手订单饱满，业绩向上趋势显著，维持“买入”评级。 风险提示刻蚀/MOCVD 设备新品市场开拓不及预期；先进封装需求不及预期；下游客户招标不及预期。

中微公司发布 2024一季报，单季收入同比稳健增长，发出商品和合同负债较去年底增长明显。公司在手订单饱满，多款关键刻蚀新工艺设备验证顺利，薄膜设备持续获重复性订单，维持“增持”投资评级。 24Q1收入同比稳健增长。24Q1收入 16亿元，同比+31%/环比-28%；毛利率 45%，同比-0.9pct/环比-0.9pct；归母净利润 2.5亿，同比-9.5%/环比-60%； 扣非净利润 2.6亿，同比+15%/环比-43%；扣非净利率 16.4%，同比-2.2pcts/环比-4.2pcts。24Q1收入同比增速高于利润增速，主要系研发、管理等费用影响；归母和扣非净利润同比表现分化，主要系 Q1非经常损益中公允价值变动损失 4000余万元。 刻蚀设备贡献主要增长动力，MOCVD 设备收入短期承压。24Q1刻蚀设备市占率持续提升，收入 13.35亿元，同比+64%；MOCVD 设备收入 0.38亿元，同比-77.3%，主要受终端市场景气度影响；备品备件及服务收入 2.23亿元，同比-4.4%，主要系下游客户产能利用率波动影响。 公司在手订单饱满，24Q1机台发货快速增长。2023公司全年新签订单 83.6亿元，同比+32.3%，其中刻蚀设备新签订单 69.5亿元，同比+60%；MOCVD设备新签订单 2.6亿元，同比-72.2%，主要系终端市场波动影响。截至 24Q1末，公司存货 55.8亿，环比+13.2亿，主要系订单增长下采购原材料，大量生产机台及向客户付运机台，其中发出商品余额19.2亿元，较期初增加10.55亿元；截至 24Q1末合同负债 11.7亿元，较去年底增加 4亿元。 多款关键刻蚀新工艺设备验证顺利，薄膜沉积设备持续获得重复性订单。1）刻蚀设备：针对逻辑和存储制造的最关键刻蚀工艺多款设备在客户产线上展开验证；晶圆边缘 Bevel 刻蚀设备完成开发，即将进入客户验证；TSV 刻蚀设备越来越多用于先进封装等；2）薄膜沉积设备：部分设备获重复性订单，钨系列覆盖存储所有钨应用，完成多家逻辑和存储客户对 CVD/HAR/ALD 验证，取得订单；规划多款 CVD 和 ALD 设备，顺利推进。 投资建议。公司 2023年新签订单同比高增长，24Q1收入同比稳健增长，刻蚀设备贡献主要增长动力。展望 2024年，下游头部晶圆厂设备采招节奏有望边际提速，或将带来国内设备签单增速边际改善，同时公司大马士革和极高深宽比刻蚀设备验证顺利，各新品加速突破，工艺覆盖率和市占率有望快速提升。我们预计公司 2024/2025/2026年收入为 81.7/102.4/125.3亿元，综合考虑其他非经常损益和股权激励费用影响，调整 2024/2025/2026年归母净利润至 17.6/24.4/30.5亿元，对应 PE 为 47.7/34.3/27.4倍。维持“增持”投资评级。 风险提示：下游晶圆厂扩产不及预期，美国半导体设备出口管制加剧，新品研发不及预期，行业竞争加剧的风险。

事件：近日公司发布2023年年度报告，2023年公司实现营收62.64亿元，同比+32.15%；归母净利润17.86亿元，同比+52.67%；扣非归母净利润11.91亿元，同比+29.58%。2023年第四季度单季度实现营收22.22亿元，同比+30.97%，环比+46.71%；归母净利润6.26亿元，同比+66.14%，环比+299.11%；扣非归母净利润4.58亿元，同比+66.13%，环比+113.18%。 投资要点：刻蚀设备推动公司营收保持高速增长，MOCVD设备短期有所承压。 受益于公司刻蚀设备市占率的持续提升，2023年公司刻蚀设备营收为47.03亿元，同比增长49.43%，刻蚀设备营收占比达75%，为推动公司2023年营收高速增长的主要动力；受终端市场波动影响，2023年公司MOCVD设备营收为4.62亿元，同比下降33.95%。 公司2023年毛利率为45.83%，同比增长0.09%；由于公司2023年出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，产生税后净收益4.06亿元，非经常性损益的大幅增加使得公司2023年实现净利率为28.48%，同比提升3.84%。 公司刻蚀设备竞争优势突出，有望继续提升市占率，新增订单高速成长为后续业绩做好保障。在CCP刻蚀设备方面，公司已有的刻蚀设备产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖；针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证，目前进展顺利。 在ICP刻蚀设备方面，公司的ICP刻蚀设备在50多个客户的生产线上量产，并持续进行更多刻蚀应用的验证；2023年公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的NanovaVEHP和兼顾深宽比和均匀性的NanovaLUX两种ICP设备，极大地扩展了ICP刻蚀设备的验证工艺范围；NanovaVEHP在DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜应用在客户的产线上认证成功，已获得批量重复订单；NanovaLUX也已付运至多个客户的产线上开始认证。公司具有完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等竞争优势，刻蚀设备有望继续提升市占率。公司2023年新增订单83.6亿元，同比增长32.3%，其中刻蚀设备新增订单69.5亿元，同比增长约60.1%，新增订单高速成长为后续业绩做好了保障。薄膜沉积设备快速扩大产品覆盖度，有望成为公司未来新的业绩增长点。根据SEMI的数据，2023年全球集成电路前段设备市场规模约为950亿美元；根据Gartner的数据，薄膜沉积设备占晶圆制造设备价值量约23%，全球薄膜沉积设备市场空间广阔。公司近两年新开发的LPCVD设备和ALD设备，目前已有四款设备产品进入市场，其中三款设备已获得客户认证，并开始得到重复性订单，公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备；公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等多个新产品，也计划在2024年投入市场验证。公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，已规划多款CVD和ALD设备，公司在薄膜沉积设备领域快速扩大产品覆盖度，有望成为公司未来新的业绩增长点。 盈利预测与投资建议。公司具有完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭代、刻蚀应用覆盖丰富等竞争优势，刻蚀设备有望继续提升市占率；公司在薄膜沉积设备领域快速扩大产品覆盖度，有望成为公司未来营收重要的增长点；公司在集成电路设备、泛半导体设备、非半导体设备领域三维布局，新增订单高速成长为后续业绩做好了保障；我们预计公司23-25年营收为83.39/108.06/136.51亿元，23-25年归母净利润为20.66/26.61/33.57亿元，对应的EPS为3.34/4.30/5.42元，对应PE为44.75/34.74/27.53倍。考虑公司在刻蚀设备领域的竞争优势以及未来几年的成长性，首次覆盖给予“买入”投资评级。 风险提示：晶圆厂扩产进度不及预期风险，行业竞争加剧风险，新产品研发进展不及预期风险，国际贸易冲突加剧风险。